绝缘衬底上再结晶硅膜的微结构研究

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作者 刘安生 邵贝羚 +2 位作者 李永洪 张鹏飞 钱佩信 《电子显微学报》 CAS CSCD 1994年第6期458-458,共1页

绝缘衬底上再结晶硅膜的微结构研究刘安生，邵贝羚，李永洪，张鹏飞，钱佩信（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）（清华大学微电子所，北京１０００８４）绝缘衬底上的硅膜ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）是近... 绝缘衬底上再结晶硅膜的微结构研究刘安生，邵贝羚，李永洪，张鹏飞，钱佩信（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）（清华大学微电子所，北京１０００８４）绝缘衬底上的硅膜ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）是近年发展起来的一种新型的超大规模集成... 展开更多

关键词 集成电路 绝缘衬底 硅 薄膜 再结晶

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铝衬底硅颗粒太阳电池制备工艺研究 被引量：1

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作者 刘维一 刘志永 +2 位作者 杨霞 王艳芳 江玉峰 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期709-712,共4页

用QJ201铝钎焊剂作为还原剂,将N型硅颗粒与铝片在585℃以下进行烧结,在硅和铝之间形成合金型P-N结。铝片起支撑体的作用,同时也是太阳电池的背电极。经过选择性腐蚀,去除硅颗粒周围的杂质层,用PET聚酯膜在真空条件下加热至PET的熔点以上... 用QJ201铝钎焊剂作为还原剂,将N型硅颗粒与铝片在585℃以下进行烧结,在硅和铝之间形成合金型P-N结。铝片起支撑体的作用,同时也是太阳电池的背电极。经过选择性腐蚀,去除硅颗粒周围的杂质层,用PET聚酯膜在真空条件下加热至PET的熔点以上,在压力作用下,使PET渗入到硅颗粒的缝隙中,形成绝缘层。将硅颗粒上表面的绝缘层打磨掉,溅射沉积透明导电层,作为电池的上电极。制备成的太阳电池光电转换效率为4.3%。 展开更多

关键词 衬底 硅颗粒 太阳电池 电池制备 工艺研究 ALUMINUM SUBSTRATE SOLAR CELLS 绝缘层 选择性腐蚀 PET 转换效率 真空条件 压力作用 铝片 溅射沉积 支撑体 上电极 上表面 钎焊剂 聚酯膜

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基于内嵌空腔绝缘体上硅的GAA器件电学表征与分析

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作者 周虹阳 刘强 +2 位作者 赵兰天 陈锦 俞文杰 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第7期563-569,共7页

全包围环栅(GAA)器件具有极强的栅控能力,但工艺较为复杂,需采用先进工艺节点制备。基于新型内嵌空腔绝缘体上硅(VESOI)衬底,设计并制备了2种结构的GAA器件(纯GAA器件和π-GAA-π器件)和作为对照组的π器件,并进行了电学表征和分析。2种... 全包围环栅(GAA)器件具有极强的栅控能力,但工艺较为复杂,需采用先进工艺节点制备。基于新型内嵌空腔绝缘体上硅(VESOI)衬底,设计并制备了2种结构的GAA器件(纯GAA器件和π-GAA-π器件)和作为对照组的π器件,并进行了电学表征和分析。2种GAA器件均表现出良好的电学性能,开关比均达到108。纯GAA器件表现出更小的亚阈值摆幅(62 mV/dec)、更大的电流密度和更小的漏致势垒降低(DIBL)值,且不受背栅偏压的影响,但其底部栅极与源、漏存在交叠区,加剧了栅致泄漏电流(GIDL)效应;π-GAA-π器件虽然不受GIDL效应的影响,但由于其串联了π沟道,器件电学性能下降。实验结果证明了基于VESOI衬底制备GAA器件的可行性,同时进一步讨论了更高的栅极与空腔对准精度对器件性能的提升,为后续工艺改进提供了参考。 展开更多

关键词 全包围环栅(GAA)器件 内嵌空腔绝缘体上硅(VEsoi)衬底 亚阈值摆幅(SS) 背栅偏压 对准偏差

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LPCVD半绝缘多晶硅的性质和应用研究

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作者 翟冬青 李洪鑫 李彦波 《河北大学学报（自然科学版）》 CAS 1984年第2期62-70,共9页

成功地用LPCVD技术制取了优质SIPOS膜。SIPOS膜的生长速率与生长过程中的N_2O/S_iH-4流量比密切相关,SIPOS膜的众多性质中起决定性作用的是其内的氧原子浓度,而膜中氧原子浓度的高低也取决于生长过程中的N_2O/S_iH_4流量比。MO(SI)S结构... 成功地用LPCVD技术制取了优质SIPOS膜。SIPOS膜的生长速率与生长过程中的N_2O/S_iH-4流量比密切相关,SIPOS膜的众多性质中起决定性作用的是其内的氧原子浓度,而膜中氧原子浓度的高低也取决于生长过程中的N_2O/S_iH_4流量比。MO(SI)S结构的C—V特性测量及实际应用试验表明,SIPOS膜具有优良的钝化性质和钝化效果。 展开更多

关键词 钝化效果 半绝缘多晶硅 流量比 LPCVD 氧原子 晶粒间界 晶界 面缺陷 半导体表面 硅衬底

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SOI二极管型非制冷红外焦平面结构的改进设计(英文) 被引量：5

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作者 蒋文静 欧文 +2 位作者 明安杰 刘战锋 袁烽 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期218-221,共4页

在绝缘衬底上的硅(SOI)制备的二极管型非制冷红外焦平面是利用单晶硅PN结二极管作为温度探测器,比其它类型非制冷红外焦平面具有自己的独特优势.描述了传统型像素的结构与特性,并提出一种改进型结构.在传统的像素结构中,红外吸收结构直... 在绝缘衬底上的硅(SOI)制备的二极管型非制冷红外焦平面是利用单晶硅PN结二极管作为温度探测器,比其它类型非制冷红外焦平面具有自己的独特优势.描述了传统型像素的结构与特性,并提出一种改进型结构.在传统的像素结构中,红外吸收结构直接覆盖于二极管表面,其填充系数仅为21%.改进后的结构将红外吸收层悬空并覆盖整个像素表面,使吸收结构能够达到80%,大大提高了器件的吸收率.计算结果也显示改进后的结构在像素尺寸为35μm×35μm时,器件的灵敏度可达到7.75×10^(-3)V/K,等效功率噪声(NETID)可减小至43 mK(F/10.0).同时,ANSYS的仿真结果也表明改进后的结构在吸收率上的提高,证明了此结构的可行性. 展开更多

关键词 绝缘衬底上的硅 二极管 填充系数 红外焦平面

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基于0.13μm SOI COMS工艺的VCSEL驱动器设计 被引量：4

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作者 潘彦君 孙向明 +5 位作者 黄光明 叶竞波 龚达涛 董业民 杨文伟 杨苹 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2017年第6期920-923,共4页

介绍了一种低功耗高速垂直腔表面发射激光器(VCSEL)驱动器的设计。该芯片设计使用国产0.13μm SOI CMOS工艺,能提供6~8mA可调调制电流及4~7mA可调偏置电流。驱动电路采用多级级联放大并结合无源电感并联峰化技术,用以拓展带宽。测试结... 介绍了一种低功耗高速垂直腔表面发射激光器(VCSEL)驱动器的设计。该芯片设计使用国产0.13μm SOI CMOS工艺,能提供6~8mA可调调制电流及4~7mA可调偏置电流。驱动电路采用多级级联放大并结合无源电感并联峰化技术,用以拓展带宽。测试结果表明,该电路在1.2V单电源工作电压下,最高工作速率可达5Gbit/s,总功耗仅为48mW。 展开更多

关键词 绝缘衬底上的硅(soi) 激光驱动器 并联峰化 高速 低功耗

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SOI技术及其发展和应用 被引量：3

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作者 古美良 胡明 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第2期236-239,共4页

绝缘衬底上的硅(SOI)技术被誉为"21世纪的微电子技术"。它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等。该文对注氧隔离、键合再减薄、键合和注入相结合及外延层转移等SOI的几种主流制备技术进行了概述,着重介绍了SO... 绝缘衬底上的硅(SOI)技术被誉为"21世纪的微电子技术"。它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等。该文对注氧隔离、键合再减薄、键合和注入相结合及外延层转移等SOI的几种主流制备技术进行了概述,着重介绍了SOI在抗辐照、耐高温等高性能专用电路、光电子、微机械方面以及三维集成电路等领域的主要应用,最后讨论了近几年来SOI技术研究和发展的新动向。 展开更多

关键词 绝缘衬底上的硅(soi) 外延层转移 应用

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高k栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究(英文)

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作者 李哲 吕垠轩 +1 位作者 何燕冬 张钢刚 《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期637-641,共5页

对高k栅介质SOI nMOSFET器件的PBTI退化和恢复进行实验研究,并且与pMOSFET器件的NBTI效应进行比较,分析PBTI效应对阈值电压漂移、线性及饱和漏电流、亚阈摆幅和应力诱导漏电流的影响。结果显示,PBTI的退化和恢复与NBTI效应具有相似的趋... 对高k栅介质SOI nMOSFET器件的PBTI退化和恢复进行实验研究,并且与pMOSFET器件的NBTI效应进行比较,分析PBTI效应对阈值电压漂移、线性及饱和漏电流、亚阈摆幅和应力诱导漏电流的影响。结果显示,PBTI的退化和恢复与NBTI效应具有相似的趋势,但是PBTI具有较高的退化速率和较低的恢复比例,这会对器件的寿命预测带来影响。最后给出在PBTI应力条件下,界面陷阱和体陷阱的产生规律及其对器件退化的影响。 展开更多

关键词 正偏置温度不稳定性(PBTI) 高介电常数栅介质 绝缘衬底上的硅型金属氧化层半导体场效应晶体管(soi MOSFET) 退化 应力诱导漏电流(SILC)

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一种集成控制模块的微波SOI SPDT开关

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作者 杨爽 赵明付 +2 位作者 顾建忠 高兴振 孙晓玮 《微波学报》 CSCD 北大核心 2016年第3期89-92,共4页

采用0.18μm CMOS SOI工艺设计制作了一种集成控制模块的微波单刀双掷开关。开关控制模块包含了低压差线性稳压器和负电压电荷泵,低压差线性稳压器将外部供电高电压转换为开关电路低电压,负电压电荷泵产生一个负压,用以改善开关的性能... 采用0.18μm CMOS SOI工艺设计制作了一种集成控制模块的微波单刀双掷开关。开关控制模块包含了低压差线性稳压器和负电压电荷泵,低压差线性稳压器将外部供电高电压转换为开关电路低电压,负电压电荷泵产生一个负压,用以改善开关的性能。制作的SOI开关具有良好的性能,芯片测试表明,开关导通状态下从DC到9 GHz范围内插损小于1.7 d B,关断状态下隔离度大于28.5 d B,回波损耗小于-15 d B,开关开启时间为1.06μs。芯片的尺寸为0.87 mm×1.08 mm。 展开更多

关键词 微波 绝缘衬底上硅 单刀双掷 开关

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Soitec提供SOI晶圆支持Sematech进行MuGFET研究

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《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期77-77,共1页

Soitec SA日前表示，该公司正在为Sematech旗下先进技术开发设施(ATDF)的研究课题提供绝缘硅(SOI)衬底，用于开发多门场效应晶体管(MuGFET)。

关键词 soi 晶圆 场效应晶体管 衬底 绝缘硅 SA 研究课题 公司 支持 先进技术

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毫米级无源微悬臂梁力值传感器件设计与制作 被引量：2

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作者 苗斌 李加东 +1 位作者 张轲 吴东岷 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期562-565,共4页

随着微纳技术、生物医学、航空航天等领域的发展,微小力值的计量得到了越来越广泛的应用。针对无源悬臂梁力值传感器的使用需求,研究了影响悬臂梁弹性系数的因素,设计了一组弹性系数为0.041-21.125N/m的无源悬臂梁力值传感器件,采用基... 随着微纳技术、生物医学、航空航天等领域的发展,微小力值的计量得到了越来越广泛的应用。针对无源悬臂梁力值传感器的使用需求,研究了影响悬臂梁弹性系数的因素,设计了一组弹性系数为0.041-21.125N/m的无源悬臂梁力值传感器件,采用基于绝缘体上硅（SOI）硅片微机电系统（MEMS）工艺对器件进行制备,实验结果表明,制备的器件尺寸精度达到0.2%,器件的均匀性和成品率均可控。 展开更多

关键词 力值计量 悬臂梁 弹性系数 微机电系统 绝缘衬底上的硅(soi)

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Si基双环级联光学谐振腔应变检测研究 被引量：1

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作者 唐军 雷龙海 +4 位作者 张伟 张天恩 薛晨阳 张文栋 刘俊 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期874-879,共6页

绝缘衬底上的硅材料制备的光学微环谐振腔结构具有高灵敏度、结构尺寸小和极低模式体积等特性,被广泛应用到光信息传递、惯性导航领域,但极少被应用到力学信号的测试,为此,研究了一种基于硅基光学微环谐振腔结构的悬臂梁式应力/应变敏感... 绝缘衬底上的硅材料制备的光学微环谐振腔结构具有高灵敏度、结构尺寸小和极低模式体积等特性,被广泛应用到光信息传递、惯性导航领域,但极少被应用到力学信号的测试,为此,研究了一种基于硅基光学微环谐振腔结构的悬臂梁式应力/应变敏感计,利用微环谐振腔环形波导径向形变量作为感应应力的中间物理量,在外界应力作用下,环形波导的半径将发生改变,使结构的光学谐振参数产生变化,从而使光学微环谐振腔谐振谱线发生明显红移,体现出良好的应力/应变敏感特性;通过设计双环级联光学微腔,并采用MEMS光刻、ICP腐蚀工艺制备了嵌入式光学微腔应变计结构,结合理论计算了悬臂梁结构的应力应变敏感特性,经仿真及实验得到,应变计结构的应力/应变灵敏度分别为0.185pm·kPa-1,18.04pm·microstrain-1,与单环微腔结构相比,线性量程增加了近50.3%,应力灵敏度提高了近10.6%,初步验证了嵌入式光学微腔结构进行高灵敏度应力/应变检测的可行性,有望实现新型光学力敏传感器件的微型化、集成化。 展开更多

关键词 应变检测 光学谐振腔 谐振谱线 绝缘衬底上的硅

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