设计并制作了基于绝缘体上硅（SOI）材料的16通道光功率可调波分复用/解复用器（VMUX/DEMUX）,其信道间隔为200 GHz。该VMUX/DEMUX器件为阵列波导光栅和电吸收型可调光衰减器的单片集成。给出了器件的基本工作原理、基本结构以及器件的...设计并制作了基于绝缘体上硅（SOI）材料的16通道光功率可调波分复用/解复用器（VMUX/DEMUX）,其信道间隔为200 GHz。该VMUX/DEMUX器件为阵列波导光栅和电吸收型可调光衰减器的单片集成。给出了器件的基本工作原理、基本结构以及器件的结构参数值,并对器件进行了测试,且对测试结果进行了简单分析。测试结果显示,该VMUX/DEMUX器件的片上损耗为9.324～10.048 d B,串扰为6.5～8.2 d B;在20 d B衰减下,单通道最大功耗为87.98 m W;16通道中最快响应上升时间为34.5 ns,下降时间为37.0 ns,响应时间为71.5 ns,所有通道的响应时间均在100 ns以下。该器件整体尺寸为2.9 mm×1 mm,能够实现良好的波分复用/解复用及信道功率均衡的功能。展开更多
在SOI晶圆材料的基础上,设计了压力敏感结构,提高了传感器的高温稳定性;采用敏感芯片背孔引线技术,将硅敏感芯片的正面和硼玻璃进行气密性阳极键合,通过在硼玻璃对应位置加工电极连接孔,实现芯片电极与外部管脚的电气连接,形成无引线封...在SOI晶圆材料的基础上,设计了压力敏感结构,提高了传感器的高温稳定性;采用敏感芯片背孔引线技术,将硅敏感芯片的正面和硼玻璃进行气密性阳极键合,通过在硼玻璃对应位置加工电极连接孔,实现芯片电极与外部管脚的电气连接,形成无引线封装结构;利用ANSYS软件对敏感芯片进行了力学仿真,对高温敏感芯体进行了热应力分析,完成了无引线封装结构的优化及制作。通过性能测试,该传感器测量范围为0~0.2 MPa,灵敏度为55.0 m V/MPa,非线性误差小于0.2%。展开更多
文摘设计并制作了基于绝缘体上硅（SOI）材料的16通道光功率可调波分复用/解复用器（VMUX/DEMUX）,其信道间隔为200 GHz。该VMUX/DEMUX器件为阵列波导光栅和电吸收型可调光衰减器的单片集成。给出了器件的基本工作原理、基本结构以及器件的结构参数值,并对器件进行了测试,且对测试结果进行了简单分析。测试结果显示,该VMUX/DEMUX器件的片上损耗为9.324～10.048 d B,串扰为6.5～8.2 d B;在20 d B衰减下,单通道最大功耗为87.98 m W;16通道中最快响应上升时间为34.5 ns,下降时间为37.0 ns,响应时间为71.5 ns,所有通道的响应时间均在100 ns以下。该器件整体尺寸为2.9 mm×1 mm,能够实现良好的波分复用/解复用及信道功率均衡的功能。
文摘在SOI晶圆材料的基础上,设计了压力敏感结构,提高了传感器的高温稳定性;采用敏感芯片背孔引线技术,将硅敏感芯片的正面和硼玻璃进行气密性阳极键合,通过在硼玻璃对应位置加工电极连接孔,实现芯片电极与外部管脚的电气连接,形成无引线封装结构;利用ANSYS软件对敏感芯片进行了力学仿真,对高温敏感芯体进行了热应力分析,完成了无引线封装结构的优化及制作。通过性能测试,该传感器测量范围为0~0.2 MPa,灵敏度为55.0 m V/MPa,非线性误差小于0.2%。
