纳米级CMOS集成电路的发展状况及辐射效应 被引量：4

1

作者 刘忠立 《太赫兹科学与电子信息学报》 2016年第6期-,共8页

介绍互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路的发展历程及纳米级CMOS集成电路的关键技术,在此基础上研究了纳米级CMOS集成电路的辐射效应及辐射加固现状。研究结果表明,纳米级FDSOICMOS集成电路无需特殊的加固措施,却比相同技术代的体硅CMO... 介绍互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路的发展历程及纳米级CMOS集成电路的关键技术,在此基础上研究了纳米级CMOS集成电路的辐射效应及辐射加固现状。研究结果表明,纳米级FDSOICMOS集成电路无需特殊的加固措施,却比相同技术代的体硅CMOS集成电路有好得多的辐射加固能力,特别适用于空间应用环境。 展开更多

关键词 纳米级互补金属氧化物半导体集成电路 器件沟长 辐射效应

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1.25 Gbps并串转换CMOS集成电路 被引量：5

2

作者 赵文虎 王志功 +1 位作者 吴微 朱恩 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期73-78,共6页

分析了由超高速易重用单元构造的树型和串行组合结构 ,实现了在输入半速率时钟条件下 1 0路到1路吉比特率并串转换。通过理论推导着重讨论了器件延时和时钟畸变对并串转换的影响 ,指出了解决途径。芯片基于 0 .3 5μm CMOS工艺 ,采用全... 分析了由超高速易重用单元构造的树型和串行组合结构 ,实现了在输入半速率时钟条件下 1 0路到1路吉比特率并串转换。通过理论推导着重讨论了器件延时和时钟畸变对并串转换的影响 ,指出了解决途径。芯片基于 0 .3 5μm CMOS工艺 ,采用全定制设计 ,芯片面积为 2 4.1 9mm2 。串行数据输出的最高工作速率达到 1 .62 Gbps,可满足不同吉比特率通信系统的要求。在 1 .2 5 Gbps标准速率 ,工作电压 3 .3 V,负载为 5 0 Ω的条件下 ,功耗为 1 74.84m W,输出电压峰 -峰值可达到 2 .42 V,占空比为 49% ,抖动为 3 5 ps rms。测试结果和模拟结果一致 ,表明所设计的电路结构在性能、速度、功耗和面积优化方面的先进性。文中设计的芯片具有广泛应用和产业化前景。 展开更多

关键词 CMOS 吉比特以太网 并串转换 互补金属氧化物半导体工艺 集成电路

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基于光纤通信可编程复接集成电路研究 被引量：3

3

作者 赵文虎 王志功 +1 位作者 吴微 朱恩 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期1197-1200,共4页

本文提出了一种可编程复接方法和结构 ,通过对编程端的设置可得到 2∶1、3∶1、4∶1及 5∶1的复接模式 .该方法鲁棒性强、应用范围广 ,其组合可实现除包含大于 6的质数之外所有路数的复接 ,解决了光纤通信系统中不同复接模式对应不同复... 本文提出了一种可编程复接方法和结构 ,通过对编程端的设置可得到 2∶1、3∶1、4∶1及 5∶1的复接模式 .该方法鲁棒性强、应用范围广 ,其组合可实现除包含大于 6的质数之外所有路数的复接 ,解决了光纤通信系统中不同复接模式对应不同复接结构的问题 .通过理论推导 ,本文着重分析了器件延时和时钟相位对芯片工作的影响 ,并指出了解决途径 .基于本方法和结构的全定制单片集成电路采用 0 35 μmCMOS工艺制造 ,芯片面积为 2 4 19mm2 ,实现了串行输出最高数据速率为 1 6 2Gbps的 10∶1复接 .在 1 2 5Gbps标准速率 ,工作电压 3 3V ,负载为 5 0Ω的条件下 ,功耗仅为174 84mW ,输出电压峰 峰值可达到 2 4 2V ,占空比为 4 9% ,抖动为 35psrms.测试结果表明芯片在复接性能、速度、功耗和面积优化方面的先进性 ,可满足不同吉比特率通信系统的要求 。 展开更多

关键词 光纤通信 复接器 互补金属氧化物半导体工艺 集成电路

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毫米波CMOS集成电路的现状与趋势 被引量：2

4

作者 夏立诚 王文骐 祝远渊 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期197-201,共5页

随着深亚微米和纳米CMOS工艺的成熟,设计和实现低成本的毫米波CMOS集成电路已成为可能。简述了毫米波CMOS技术的发展现状,介绍了毫米波CMOS集成电路的关键技术,即晶体管建模和传输线建模,并给出了毫米波CMOS电路的最新进展和发展趋势。

关键词 毫米波 集成电路 无线通信 建模 互补金属氧化物半导体 单片微波集成电路

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CMOS集成电路IDD频谱图形测试理论与实践 被引量：2

5

作者 李少平 肖庆中 《电子产品可靠性与环境试验》 2002年第2期60-62,共3页

分析了CMOS集成电路电源电流与集成电路芯片缺陷的相关性，介绍了CMOS集成电路新的测试方法--IDD频谱图形测试方法的测试原理，以及实现CMOS集成电路IDD频谱图形测试的测试框图。

关键词 CMOS集成电路 IDD频谱图形 互补金属氧化物半导体集成电路 电源电流 缺陷 测试原理

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微电容超声换能器的前端专用集成电路设计 被引量：2

6

作者 杜以恒 何常德 张文栋 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第4期251-256,共6页

针对微电容超声换能器(CMUT)微弱电流信号检测的要求,设计了一种用于CMUT的前端专用集成电路——运算放大器(OPA)电路。运算放大器电路采用两级放大结构,第一级采用全差分折叠-共源共栅结构,输出级采用AB类控制的轨到轨输出级,在运算放... 针对微电容超声换能器(CMUT)微弱电流信号检测的要求,设计了一种用于CMUT的前端专用集成电路——运算放大器(OPA)电路。运算放大器电路采用两级放大结构,第一级采用全差分折叠-共源共栅结构,输出级采用AB类控制的轨到轨输出级,在运算放大器电路反相输入端和输出端通过一个反馈电阻实现CMUT电流信号到电压信号的转换。采用GlobalFoundries 0.18μm的标准CMOS工艺进行了仿真设计和流片,芯片尺寸为226μm×75μm。仿真结果表明,运算放大器的开环增益为62 dB,单位增益带宽为30 MHz,在3 MHz处的输入参考噪声电压为2.9μV/Hz^(1/2),电路采用±3.3 V供电,静态功耗为11 mW。测试结果表明仿真与实测结果相符,该运算放大器电路能够实现CMUT微弱电流信号检测功能。 展开更多

关键词 专用集成电路(ASIC) 运算放大器(OPA) 微电容超声换能器(CMUT) 微弱电流信号 互补型金属氧化物半导体(CMOS)

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关于1.25Gbps并串转换CMOS集成电路研究

7

作者 黎翠凤 《数字技术与应用》 2019年第12期21-21,23,共2页

伴随社会经济的持续化发展,现代网络通信系统在此背景下,呈现出迅猛的发展势头。本文围绕1.25Gbps并串转换互补金属氧化物半导体(CMOS),首先简要分析了其芯片结构,探讨了其电路,并进行了仿真分析,望能为此领域研究提供学习借鉴。

关键词 互补金属氧化物半导体 1.25Gbps 并串转换 集成电路

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半导体照明光源恒流驱动芯片的研究 被引量：8

8

作者 沈慧 朱大中 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期238-241,共4页

介绍了一种半导体照明光源恒流驱动芯片的设计。该芯片采用0.6μm CM O S标准工艺制造,包含有大功率M O SFET、带隙基准源电路、输出缓冲电路和取样反馈控制电路几个主要功能模块,在标准工艺线上实现了功率器件与控制电路的单片集成。... 介绍了一种半导体照明光源恒流驱动芯片的设计。该芯片采用0.6μm CM O S标准工艺制造,包含有大功率M O SFET、带隙基准源电路、输出缓冲电路和取样反馈控制电路几个主要功能模块,在标准工艺线上实现了功率器件与控制电路的单片集成。该芯片可为工作电压为3.5 V,工作电流为350 mA的单个半导体照明光源提供恒定的驱动电流。在5 V电源电压有10%跳变的情况下,半导体照明光源的驱动电流的变化可被控制在1.71%以内,而距离光源10 cm处的照度变化仅为1.28%。当环境温度由25°C升高至85°C时,半导体照明光源的驱动电流减小1.14%,而距离光源10 cm处的照度仅减小1.09%。该恒流驱动芯片的电源效率可达63.4%。 展开更多

关键词 半导体照明 互补金属氧化物半导体集成电路 功率集成 恒流驱动

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诺基亚西门子通信投资半导体创新公司ClariPhyInc．

9

《中国集成电路》 2011年第7期12-12,共1页

诺基亚西门子通信的投资将支持ClariPhy开发高集成度单芯片互补金属氧化物半导体（CMOS）集成电路（IC），用于高性能光网络数字信息处理（DSP）。高容量传输网络是交付固定和移动宽带的关键。IPTV、按需视频、云计算和服务所需的数据... 诺基亚西门子通信的投资将支持ClariPhy开发高集成度单芯片互补金属氧化物半导体（CMOS）集成电路（IC），用于高性能光网络数字信息处理（DSP）。高容量传输网络是交付固定和移动宽带的关键。IPTV、按需视频、云计算和服务所需的数据量每年以60％的速度增长。 展开更多

关键词 互补金属氧化物半导体 西门子 诺基亚 创新公司 投资 通信 数字信息处理 集成电路

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基于时序特征的CMOS施密特电路开关级设计 被引量：2

10

作者 汪鹏君 吴训威 夏银水 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期100-103,126,共5页

根据施密特电路对输入信号具有二种检测阈值的工作特点 ,提出了施密特电路与用作存贮元件的触发器之间具有相同的时序特征。利用时序电路的设计方法 ,系统地研究了传统的 CMOS施密特电路的各种设计 ,并发现了一些新的设计方案。

关键词 施密特电路 时序特征 开头级设计 互补对称式金属-氧化物-半导体电路

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GaN基互补型逻辑电路的研究进展及挑战 被引量：2

11

作者 张彤 刘树强 +3 位作者 何亮 成绍恒 李柳暗 敖金平 《电子与封装》 2023年第1期1-10,共10页

氮化镓(GaN)基异质结场效应晶体管具有工作频率高、导通损耗低等优点,已经开始广泛应用在多种高频、高效功率转换器中。为了充分发挥GaN功率器件的潜能,需要将功率开关器件和控制器、驱动等外围电路进行全GaN单片集成以减少寄生参数。... 氮化镓(GaN)基异质结场效应晶体管具有工作频率高、导通损耗低等优点,已经开始广泛应用在多种高频、高效功率转换器中。为了充分发挥GaN功率器件的潜能,需要将功率开关器件和控制器、驱动等外围电路进行全GaN单片集成以减少寄生参数。互补型逻辑电路是实现集成的关键元电路之一,但其研究起步较晚。介绍了n沟道和p沟道GaN增强型器件的制备方案及互补逻辑电路的研究进展。从电学性能匹配性及稳定性出发探讨了现有互补型逻辑电路面临的关键科学问题,可以为GaN基互补型逻辑电路的研究提供参考。 展开更多

关键词 GAN 功率集成电路 增强型器件 互补金属-氧化物-半导体 逻辑电路 稳定性

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一种高速低耗全摆幅BiCMOS集成施密特触发器 被引量：13

12

作者 成立 张荣标 +1 位作者 李彦旭 董素玲 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期210-213,235,共5页

通过分析国外流行的一种 Bi CMOS集成施密特触发门 ,提出了一种高速、低功耗、全摆幅输出的Bi CMOS施密特触发器。该器件中单、双极型电路优势互补 ,电源电压为 1 .5 V,实现了优于同类产品的全摆幅输出 ,且其开关速度高于同类 CMOS产品... 通过分析国外流行的一种 Bi CMOS集成施密特触发门 ,提出了一种高速、低功耗、全摆幅输出的Bi CMOS施密特触发器。该器件中单、双极型电路优势互补 ,电源电压为 1 .5 V,实现了优于同类产品的全摆幅输出 ,且其开关速度高于同类 CMOS产品的 1 3倍以上 。 展开更多

关键词 施密特触发器 BICMOS 全摆幅输出 双极互补金属氧化物半导体器件 延时—功耗积 超大规模集成电路

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2.45 GHz全集成CMOS功率放大器设计 被引量：2

13

作者 徐国栋 朱丽军 兰盛昌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期62-64,81,共4页

在一个RF收发机系统中,功率放大器的集成问题一直是难点之一。首先简要介绍开关模式功率放大器及其提高效率的理论基础,然后采用0.18μm CMOS工艺给出了工作在2.45GHz的全集成单片功率放大器的设计,并采用ADS仿真软件验证了设计的正确性。

关键词 互补金属氧化物半导体 功率放大器 射频 集成电路

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高速低压低功耗BiCMOS逻辑电路及工艺技术 被引量：17

14

作者 成立 李彦旭 +1 位作者 董素玲 汪洋 《电子工艺技术》 2002年第1期24-27,共4页

介绍了几种高开关速度、低电源电压等级、低功耗的 Bi CMOS逻辑门电路 ,并分析了它们的工作原理及其工艺技术情况。结果表明 ,这些电路的电源电压可达到 2 .0 V以下 ,而且信号传输延迟较小 ,有的还实现了全摆幅输出 ,因而它们可用于便... 介绍了几种高开关速度、低电源电压等级、低功耗的 Bi CMOS逻辑门电路 ,并分析了它们的工作原理及其工艺技术情况。结果表明 ,这些电路的电源电压可达到 2 .0 V以下 ,而且信号传输延迟较小 ,有的还实现了全摆幅输出 ,因而它们可用于便携式电子设备和其它 VLSI和 展开更多

关键词 BICMOS电路 双极互补金属氧化物半导体 集成电路 逻辑电路

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一种高度集成化的仿生偏振导航传感器 被引量：1

15

作者 褚金奎 关传泷 +2 位作者 刘泽 田文慧 张然 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第3期193-197,共5页

模仿昆虫复眼中的偏振敏感神经结构,利用四方向金属纳米光栅、互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器和微控制器(MCU)设计了高度集成化的仿生偏振导航传感器。首先,利用纳米压印工艺将四方向金属纳米光栅直接集成在CMOS上,各偏振化单元... 模仿昆虫复眼中的偏振敏感神经结构,利用四方向金属纳米光栅、互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器和微控制器(MCU)设计了高度集成化的仿生偏振导航传感器。首先,利用纳米压印工艺将四方向金属纳米光栅直接集成在CMOS上,各偏振化单元角度精确,没有分立器件带来的装配误差。MCU采集含有偏振信息的图片,对原始图像进行预处理后,提取各偏振区域的光强值,计算偏振方位角并通过串口输出。最后,在室内积分球下对光栅局部缺陷和光学特性参数进行校正,标定后的传感器测量角度误差不超过±0.2°。提出的传感器具有集成度高、体积小、鲁棒性好等优点,依靠大气中稳定的偏振分布模式可以实现自主导航。 展开更多

关键词 偏振导航 集成化传感器 偏振传感器 金属纳米光栅 互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器

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中间电平对CMOS数字电路的影响 被引量：1

16

作者 李兴鸿 赵俊萍 +2 位作者 赵春荣 林建京 梁云 《电子产品可靠性与环境试验》 2013年第6期13-16,共4页

很多情况都可以导致CMOS数字集成电路产生大的电源电流,但以CMOS的输入处于Vilmax与Vihmin之间的转折区而产生的大电流最为常见;而且其影响很重要,甚至会导致闩锁效应而对电路造成损坏。转折区的危险电平由管脚浮空、误操作、输入脉冲... 很多情况都可以导致CMOS数字集成电路产生大的电源电流,但以CMOS的输入处于Vilmax与Vihmin之间的转折区而产生的大电流最为常见;而且其影响很重要,甚至会导致闩锁效应而对电路造成损坏。转折区的危险电平由管脚浮空、误操作、输入脉冲的上下沿和双向I/O这几种状态所产生。对每一种状态的影响及其原因进行了详细的分析,给出了解决的方法。对电路设计、试验、测试和分析具有一定的参考价值。 展开更多

关键词 互补金属氧化物半导体 数字集成电路 中间电平 大电流 影响

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基于RTD与CMOS的新型数字电路设计

17

作者 马龙 王良臣 +1 位作者 黄应龙 杨富华 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期295-299,共5页

纳米电子器件RTD与CMOS电路结合,这种新型电路不仅保持了CMOS动态电路的所有优点,而且在工作速度、功耗、集成度以及电路噪声免疫性方面都得到了不同程度的改善和提高。文中对数字电路中比较典型的可编程逻辑门、全加器电路进行了设计... 纳米电子器件RTD与CMOS电路结合,这种新型电路不仅保持了CMOS动态电路的所有优点,而且在工作速度、功耗、集成度以及电路噪声免疫性方面都得到了不同程度的改善和提高。文中对数字电路中比较典型的可编程逻辑门、全加器电路进行了设计与模拟,并在此基础上对4×4阵列纳米流水线乘法器进行了结构设计。同时讨论了在目前硅基RTD器件较低的PVCR值情况下实现相应电路的可行性。 展开更多

关键词 共振隧穿二极管 互补金属氧化物半导体 可编程逻辑门 纳米流水线 全加器 乘法器

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一种CMOS混合信号电路衬底噪声耦合模型

18

作者 朱樟明 杨银堂 付晓东 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期519-523,共5页

利用二维器件模拟器MEDICI提取出重掺杂外延型衬底的电阻宏简化模型,所需的6个参数均可通过器件模拟得到,能够精确表征混合信号集成电路中的衬底噪声特性。基于0.25μm CMOS工艺所建立的电阻宏模型,设计了简单的混合信号电路进行应用验... 利用二维器件模拟器MEDICI提取出重掺杂外延型衬底的电阻宏简化模型,所需的6个参数均可通过器件模拟得到,能够精确表征混合信号集成电路中的衬底噪声特性。基于0.25μm CMOS工艺所建立的电阻宏模型,设计了简单的混合信号电路进行应用验证,证明了该模型能够有效表征混合信号集成电路的衬底噪声。 展开更多

关键词 衬底噪声 混合信号集成电路 电阻宏模型互补 金属氧化物半导体

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CMOS工艺下的温度检测电路的设计 被引量：3

19

作者 陈良生 洪志良 +1 位作者 闵昊 李联 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期231-234,共4页

介绍一种在CMOS工艺条件下,温度检测电路的实现方案,对温度检测的原理进行了深入分析,通过具体的电路设计验证了实现方案的可行性。电路在HHNECCZ6H工艺上流片。测试结果表明电路性能稳定可靠,提出的方案切实可行。电路可在-50°C到... 介绍一种在CMOS工艺条件下,温度检测电路的实现方案,对温度检测的原理进行了深入分析,通过具体的电路设计验证了实现方案的可行性。电路在HHNECCZ6H工艺上流片。测试结果表明电路性能稳定可靠,提出的方案切实可行。电路可在-50°C到100°C范围内测温,精度可达正负3°C。 展开更多

关键词 互补金属氧化物半导体 温度检测 集成电路设计

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2.4GHz CMOS全集成低噪声放大器的设计

20

作者 尹玉军 《中国新通信》 2008年第23期68-70,共3页

应用台积电(TSMC)0.18μ m CMOS工艺模型,设计了一种2.4GHz全集成低噪声放大器。通过ADS(Ad-vanced Design System)软件对电路进行了优化设计,仿真结果表明在1.8V电源电压下,工作电流约为6mA,输入输出匹配良好,在2.45GHz的中心频率下,... 应用台积电(TSMC)0.18μ m CMOS工艺模型,设计了一种2.4GHz全集成低噪声放大器。通过ADS(Ad-vanced Design System)软件对电路进行了优化设计,仿真结果表明在1.8V电源电压下,工作电流约为6mA,输入输出匹配良好,在2.45GHz的中心频率下,它的噪声系数(NF)为2.605dB,增益(S21)为20.120dB。 展开更多

关键词 射频集成电路 低噪声放大器 互补金属氧化物半导体

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