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基于Bi_(2)O_(3)/g-C_(3)N_(4)复合材料的自供能紫外探测器的制备及性能研究 被引量：1
1
作者 方向明 周起成 +3 位作者 郭庄鹏 朱恩科 郝瑜睿 高世勇 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期107-115,共9页
为了获得高性能的自供能紫外探测器,结合热聚法和溶液法成功制备了Bi_(2)O_(3)/g-C_(3)N_(4)复合材料,并对其微观形貌、晶体结构、元素组成及价态进行了表征。结果表明,Bi_(2)O_(3)呈蜂窝状结构的块体,其附着在具有层状结构的g-C_(3)N_... 为了获得高性能的自供能紫外探测器,结合热聚法和溶液法成功制备了Bi_(2)O_(3)/g-C_(3)N_(4)复合材料,并对其微观形貌、晶体结构、元素组成及价态进行了表征。结果表明,Bi_(2)O_(3)呈蜂窝状结构的块体,其附着在具有层状结构的g-C_(3)N_(4)纳米片上。基于该异质结制备了无需外加偏压即能工作的紫外探测器。在紫外光照射下,Bi_(2)O_(3)/g-C_(3)N_(4)光电探测器能够立即产生光电流并达到最大稳定值约0.43μA,相比于Bi_(2)O_(3)纳米块紫外探测器,其光电流提升了约1.05倍。值得注意的是,Bi_(2)O_(3)/g-C_(3)N_(4)紫外探测器还展现出了快的响应速度(约181.7 ms),并且其光电流与入射光强也具有良好的线性关系,表明该器件对不同强度的紫外光均能实现快速且稳定的探测。 展开更多
关键词 紫外探测器 自供能 Bi_(2)O_(3)纳米块 g-C_(3)N_(4)纳米片 异质结
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Ag/Bi_(2)O_(3)纳米块自供能紫外探测器的制备及性能
2
作者 方向明 周起成 +3 位作者 孙宇 乔志铭 耿秋丹 高世勇 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期653-660,共8页
为了实现在无外部供能下对紫外光的有效探测,基于Ag修饰的Bi_(2)O_(3)纳米块(Ag/Bi_(2)O_(3))纳米块制备了自供能紫外探测器。通过煅烧法制备Bi_(2)O_(3)纳米块,随后采用室温溶液法在其表面沉积Ag纳米粒子,进而成功制备了Ag/Bi_(2)O_(3... 为了实现在无外部供能下对紫外光的有效探测,基于Ag修饰的Bi_(2)O_(3)纳米块(Ag/Bi_(2)O_(3))纳米块制备了自供能紫外探测器。通过煅烧法制备Bi_(2)O_(3)纳米块,随后采用室温溶液法在其表面沉积Ag纳米粒子,进而成功制备了Ag/Bi_(2)O_(3)纳米块,且对所制备样品的晶体结构和微观形貌等进行了表征。结果表明,Ag/Bi_(2)O_(3)纳米块的平均尺寸约为1μm,且Ag纳米粒子随机分布在Bi_(2)O_(3)纳米块表面。将涂覆Ag/Bi_(2)O_(3)纳米块的FTO作为工作电极,并进一步构建了自供能紫外探测器。在365 nm的紫外光照射下,Ag/Bi_(2)O_(3)纳米块紫外探测器能在零偏压下实现对紫外光的快速检测,这证实其具有自供能特性。相比于Bi_(2)O_(3)纳米块紫外探测器,Ag/Bi_(2)O_(3)纳米块紫外探测器的光电流得到明显提升,上升和下降时间分别缩短至29.1 ms和40.2 ms,并具有良好的循环稳定性。 展开更多
关键词 紫外探测器 Bi_(2)O_(3)纳米块 AG纳米粒子 自供能探测
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PEN衬底氧化镓基柔性紫外探测器的制备与性能研究(特邀) 被引量：2
3
作者 丁悦 皇甫倩倩 +6 位作者 左清源 梁金龙 弭伟 王迪 张兴成 刘振 何林安 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期49-57,共9页
针对传统硬性衬底无法弯折的问题,采用聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)衬底制备柔性紫外光电探测器。柔性衬底具有的抗曲折性,能够提升探测器的鲁棒性,并且能让其适用于各种复杂形态的应用场景,同时减少占用空间,有助于整个电路的集成化。实验... 针对传统硬性衬底无法弯折的问题,采用聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)衬底制备柔性紫外光电探测器。柔性衬底具有的抗曲折性,能够提升探测器的鲁棒性,并且能让其适用于各种复杂形态的应用场景,同时减少占用空间,有助于整个电路的集成化。实验使用磁控溅射镀膜工艺首先在PEN衬底上生长氧化镓薄膜,并在氧化镓薄膜上生长氧化铟锡电极,在室温下成功制备柔性氧化镓紫外光电探测器,器件响应波长处于小于280 nm的深紫外区。将器件弯折20000次后其暗电流无显著变化,光电流增大,保持了良好的紫外光探测性能,探测器上升时间和衰减时间分别为0.24 s/0.74 s和0.10 s/0.71 s,其电流-时间特性曲线呈现周期性稳定,表明即使经过多次弯折,柔性氧化镓紫外探测器仍然具有良好的光电探测性能。 展开更多
关键词 半导体光电探测器 柔性紫外探测器 射频磁控溅射 氧化镓 聚萘二甲酸乙二醇酯 氧化铟锡
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基于石墨电极的硅基金刚石日盲紫外探测器
4
作者 王增将 王孝秋 +6 位作者 朱剑锋 任檬檬 吴国光 张宝林 邓高强 董鑫 张源涛 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期630-636,共7页
金刚石优异的材料特性使其在日盲紫外探测领域有很大的应用潜力。本文采用微波等离子体化学气相沉积设备在(111)晶面单晶硅衬底上沉积金刚石薄膜,并基于该薄膜采用光刻胶热解法制备石墨材料平面叉指电极MSM结构金刚石日盲紫外探测器,为... 金刚石优异的材料特性使其在日盲紫外探测领域有很大的应用潜力。本文采用微波等离子体化学气相沉积设备在(111)晶面单晶硅衬底上沉积金刚石薄膜,并基于该薄膜采用光刻胶热解法制备石墨材料平面叉指电极MSM结构金刚石日盲紫外探测器,为全碳金刚石探测器的实现提供了新方法。结果表明,该硅基金刚石薄膜为高取向多晶薄膜,(111)晶面的XRD 2θ扫描半峰宽为0.093°,拉曼光谱金刚石特征峰峰位1332 cm^(-1),半峰宽为4 cm^(-1),薄膜晶体质量较高;石墨电极紫外探测器在5 V偏置电压下的暗电流为2.07×10^(-8) A,光暗电流比为77,开关特性良好,并且石墨电极探测器具有优异的时间响应,上升时间为30 ms,下降时间为430 ms。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 石墨电极 日盲紫外探测器
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GaN基紫外探测器及其研究进展 被引量：45
5
作者 李向阳 许金通 +5 位作者 汤英文 李雪 张燕 龚海梅 赵德刚 杨辉 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第3期276-280,共5页
宽禁带半导体材料的研究和突破,带动了各种器件的发展和应用。GaN基紫外探测器具有通过调整材料的配比可以调节器件响应的截止波长的优点,可以制备日盲型紫外探测器。对GaN基宽禁带紫外探测器材料体系的研究进展进行了回顾,重点介绍了p... 宽禁带半导体材料的研究和突破,带动了各种器件的发展和应用。GaN基紫外探测器具有通过调整材料的配比可以调节器件响应的截止波长的优点,可以制备日盲型紫外探测器。对GaN基宽禁带紫外探测器材料体系的研究进展进行了回顾,重点介绍了p型材料的制备、金属半导体接触、材料的蚀刻等。最后,对国内外近期的紫外探测器特别是紫外焦平面器件的研究进展及初步获得的32×32紫外焦平面探测器进行了简单介绍。 展开更多
关键词 紫外探测器 氮化镓 铝镓氮 紫外焦平面器件
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ZnO光电导紫外探测器的制备和特性研究 被引量：33
6
作者 叶志镇 张银珠 +4 位作者 陈汉鸿 何乐年 邹璐 黄靖云 吕建国 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1605-1607,共3页
以Si(111)衬底 ,用脉冲激光沉积 (PLD)法制得C轴高度择优取向的ZnO薄膜 ,并利用剥离技术制备了ZnO光导型紫外探测器 .Al叉指状电极是由平面磁控溅射技术沉积得到的 .对Al/ZnO/Al的伏安特性和紫外光响应的研究表明 ,金属铝和ZnO能形成很... 以Si(111)衬底 ,用脉冲激光沉积 (PLD)法制得C轴高度择优取向的ZnO薄膜 ,并利用剥离技术制备了ZnO光导型紫外探测器 .Al叉指状电极是由平面磁控溅射技术沉积得到的 .对Al/ZnO/Al的伏安特性和紫外光响应的研究表明 ,金属铝和ZnO能形成很好的欧姆接触 ,紫外探测器的电阻值在 10 0KΩ左右 .在紫外区域 ,其 5V偏压下的光响应度为0 .5A/W . 展开更多
关键词 ZNO薄膜 光电导紫外探测器 欧姆接触 光响应度
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Ⅲ族氮化物紫外探测器及其研究进展 被引量：14
7
作者 龚海梅 李向阳 +6 位作者 亢勇 许金通 汤英文 李雪 张燕 赵德刚 杨辉 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期812-816,共5页
文中简单介绍了紫外波段光电探测的基本特点,包括各波段特点、大气吸收等,并粗略介绍了紫外探测的部分应用。然后对Ⅲ族氮化物宽禁带紫外探测器材料体系的研究进展进行了回顾,重点介绍了包括P型材料的制备、金属半导体接触、材料的蚀刻... 文中简单介绍了紫外波段光电探测的基本特点,包括各波段特点、大气吸收等,并粗略介绍了紫外探测的部分应用。然后对Ⅲ族氮化物宽禁带紫外探测器材料体系的研究进展进行了回顾,重点介绍了包括P型材料的制备、金属半导体接触、材料的蚀刻等方面;最后,对国内外近期的紫外探测器特别是紫外焦平面器件的研究进展作了一些评述。 展开更多
关键词 紫外探测器 氮化镓 铝镓氮 紫外焦平面器件
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背入射Au/ZnO/Al结构肖特基紫外探测器 被引量：13
8
作者 赵延民 张吉英 +7 位作者 张希艳 单崇新 姚斌 赵东旭 张振中 李炳辉 申德振 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期527-530,共4页
设计制作了一种Au/ZnO/Al结构的紫外探测器,光的入射方式采用背入射式。ZnO薄膜是用磁控溅射在蓝宝石衬底上制备的。I-V测试表明：Au与ZnO形成了肖特基接触。得到探测器的光响应峰值在352nm,截止边为382nm,可见抑制比达一个量级。由于... 设计制作了一种Au/ZnO/Al结构的紫外探测器,光的入射方式采用背入射式。ZnO薄膜是用磁控溅射在蓝宝石衬底上制备的。I-V测试表明：Au与ZnO形成了肖特基接触。得到探测器的光响应峰值在352nm,截止边为382nm,可见抑制比达一个量级。由于该探测器是一种垂直结构器件,对于进一步实现ZnO紫外探测器阵列及单光子探测有很好的研究价值。 展开更多
关键词 紫外探测器 背入射 Au/ZnO/Al垂直结构
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高性能背照式GaN/AlGaN p-i-n紫外探测器的制备与性能 被引量：7
9
作者 陈亮 张燕 +3 位作者 陈俊 郭丽伟 李向阳 龚海梅 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第6期928-931,共4页
研究了GaN/AlGaN异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。GaN/AlGaN外延材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长,衬底为双面抛光的蓝宝石,缓冲层为AlN,n型层采用厚度为0.8μm的Si掺杂Al0.3Ga0.7N形成窗口层,i型层为0... 研究了GaN/AlGaN异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。GaN/AlGaN外延材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长,衬底为双面抛光的蓝宝石,缓冲层为AlN,n型层采用厚度为0.8μm的Si掺杂Al0.3Ga0.7N形成窗口层,i型层为0.18μm的非故意掺杂的GaN,p型层为0.15μm的Mg掺杂GaN。采用Cl2、Ar和BCl3感应耦合等离子体刻蚀定义台面,光敏面面积为1.96×10-3 cm2。可见盲紫外探测器展示了窄的紫外响应波段,响应区域为310～365 nm,在360 nm处响应率最大,为0.21 A/W,在考虑表面反射时,内量子效率达到82%;优质因子R0A为2.00×108Ω.cm2,对应的探测率D=2.31×1013 cm.Hz1/2.W-1;且零偏压下的暗电流为5.20×10-13 A。 展开更多
关键词 GaN/AIGaN P-I-N 紫外探测器 响应光谱
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紫外探测器的辐射定标及标准传递 被引量：6
10
作者 陈健 王伟国 +3 位作者 高慧斌 刘廷霞 吉桐伯 于洪君 《中国光学》 EI CAS 2012年第4期423-429,共7页
针对定量化遥感的深入研究和探测器测量精度的提高,本文对紫外波段探测器的标定方法和标准的传递进行了研究。介绍了紫外探测器低温辐射计的工作原理、标准建立过程及发展现状,探讨了美国国家标准研究院(NIST)传递标准探测器的选取和标... 针对定量化遥感的深入研究和探测器测量精度的提高,本文对紫外波段探测器的标定方法和标准的传递进行了研究。介绍了紫外探测器低温辐射计的工作原理、标准建立过程及发展现状,探讨了美国国家标准研究院(NIST)传递标准探测器的选取和标准传递过程。文中的研究为探测器定标方法的研究提供了理论基础,对提高标准探测器定标精度,促进其工程化应用具有借鉴意义。 展开更多
关键词 紫外探测器 低温辐射计 辐射定标 标准传递
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ZnO基紫外探测器的制作与研究 被引量：7
11
作者 杨晓天 刘博阳 +7 位作者 马艳 赵佰军 张源涛 杨天鹏 杨洪军 李万程 刘大力 杜国同 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期156-158,共3页
利用新型的等离子体辅助金属有机化学气相沉积(P-MOCVD)系统在蓝宝石、硅等衬底上生长出具有单一c轴取向、高阻的ZnO薄膜,利用添加的等离子体发生装置,进行氮掺杂获得高阻ZnO薄膜。利用ZnO的宽禁带与高光电导特性,结合MSM(金属-半导体-... 利用新型的等离子体辅助金属有机化学气相沉积(P-MOCVD)系统在蓝宝石、硅等衬底上生长出具有单一c轴取向、高阻的ZnO薄膜,利用添加的等离子体发生装置,进行氮掺杂获得高阻ZnO薄膜。利用ZnO的宽禁带与高光电导特性,结合MSM(金属-半导体-金属)结构器件响应度高、速度快、随偏压变化小、工艺简单、易于单片集成等优点,制作了ZnO基紫外探测器,器件规格为80 μm×100μm,电极为叉指式电极。测试中采用500 W的氙灯做测试光源,探测器的Ⅰ-Ⅴ特性曲线显示;正向偏压下探测器的暗电流及光照电流与外加偏压呈线性增长。不同波长下的响应曲线显示:探测器对紫外波段有响应,响应峰值在375nm附近。 展开更多
关键词 等离子体辅助金属有机化学气相沉积法 氧化锌薄膜 紫外探测器 半导体材料 禁带宽度
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退火处理对ZnO纳米线紫外探测器性能的改善 被引量：6
12
作者 郭亮 赵东旭 +3 位作者 张振中 李炳辉 张吉英 申德振 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期844-847,共4页
通过介电泳方法定向排列了ZnO纳米线,制作了自组装有序的纳米线紫外探测器。为了适合在金叉指电极上排列,用水热方法设计生长了超长的ZnO纳米线,并通过700℃的热退火处理,使得可利用的表面缺陷增多。通过研究器件的光致发光光谱和光响应... 通过介电泳方法定向排列了ZnO纳米线,制作了自组装有序的纳米线紫外探测器。为了适合在金叉指电极上排列,用水热方法设计生长了超长的ZnO纳米线,并通过700℃的热退火处理,使得可利用的表面缺陷增多。通过研究器件的光致发光光谱和光响应,发现光、暗电流比和响应恢复时间有显著提高,并分析了其中可能的机理。 展开更多
关键词 ZNO纳米线 介电泳 纳米器件 紫外探测器
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283nm背照射p-i-n型AlGaN日盲紫外探测器 被引量：8
13
作者 王晓勇 种明 +1 位作者 赵德刚 苏艳梅 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2013年第4期1011-1014,共4页
实验中使用在蓝宝石衬底上用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的AlGaN基p-i-n结构材料,通过对工艺流程的优化设计,制作了背照射p-i-n型AlGaN日盲紫外探测器,获得了较高的外量子效率。材料中p区和i区的Al组分为40%,n区Al组分为65%。... 实验中使用在蓝宝石衬底上用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的AlGaN基p-i-n结构材料,通过对工艺流程的优化设计,制作了背照射p-i-n型AlGaN日盲紫外探测器,获得了较高的外量子效率。材料中p区和i区的Al组分为40%,n区Al组分为65%。探测器为直径500μm的圆形,光谱响应起止波长为260~310 nm,峰值响应波长283 nm。零偏压下,暗电流密度为2.7×10-10Acm-2,对应的R0A参数为3.8×108Ωcm2,峰值响应率为13 mA/W,对应的峰值探测率为1.97×1012cmHz1/2W-1。其在-7 V偏压下,峰值响应率达到148 mA/W,对应的外量子效率达到63%。 展开更多
关键词 紫外探测器 ALGAN 日盲 量子效率
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高精度紫外探测器辐射定标系统 被引量：27
14
作者 王锐 宋克非 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期469-474,共6页
为了对紫外探测器进行高精度定标,满足紫外遥感定量化的需求,构建了一套高精度紫外探测器辐射定标系统。以NIST(美国国家标准技术研究院)紫外标准探测器为基准,在200～400nm波段对响应度未知的紫外硅探测器,紫外增强型光电倍增管和日盲... 为了对紫外探测器进行高精度定标,满足紫外遥感定量化的需求,构建了一套高精度紫外探测器辐射定标系统。以NIST(美国国家标准技术研究院)紫外标准探测器为基准,在200～400nm波段对响应度未知的紫外硅探测器,紫外增强型光电倍增管和日盲型紫外光电倍增管进行了绝对标准的传递和光谱响应度、量子效率的标定,并在350nm对紫外硅探测器的空间均匀性进行了标定。按照国际通用不确定度评估规范,对测量结果进行了不确定度分析和评估。结果表明,总的传递不确定度<2%。实验证明了以标准探测器为基准,运用替代法建立高精度紫外探测器定标系统的可行性。 展开更多
关键词 辐射定标 紫外探测器 标准探测器 绝对标准
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背照式高量子效率AlGaN日盲紫外探测器设计 被引量：5
15
作者 赵文伯 周勋 +2 位作者 李艳炯 申志辉 罗木昌 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2013年第12期3358-3362,共5页
高量子效率、高UV/VIS抑制比、宽的光谱响应范围、快的响应速度是AlGaN紫外探测器设计追求的主要目标。为了获得适宜于紫外焦平面阵列的探测器结构，结合MOCVD外延材料生长的特点，采用模拟计算与实验相结合的方法，设计了背照式高量子... 高量子效率、高UV/VIS抑制比、宽的光谱响应范围、快的响应速度是AlGaN紫外探测器设计追求的主要目标。为了获得适宜于紫外焦平面阵列的探测器结构，结合MOCVD外延材料生长的特点，采用模拟计算与实验相结合的方法，设计了背照式高量子效率AlGaN日盲探测器。详细介绍了背照式AlxGa1-xN-pin紫外探测器结构参数设计的依据和设计过程，并给出了设计结果，通过工艺实验，对设计结果进行了优化。应用设计结果进行了器件试制，经测试试制器件，其峰值响应波长为270 nm，光谱响应范围为250～282 nm，峰值量子效率达到了57%（0 V），实验表明取得了比较理想的设计结果。 展开更多
关键词 高量子效率 ALGAN 日盲紫外探测器
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两种结构GaN基太阳盲紫外探测器 被引量：4
16
作者 李雪 陈俊 +3 位作者 何政 赵德刚 龚海梅 方家熊 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1040-1042,共3页
分别在金属有机化学汽相沉积（MOCVD）生长的i-Al0.33Ga0.67N／AlN／n-GaN和p-Al0.45Ga0．55N／i—Al0.45Ga0.55N／n＋-Al0.65Ga0.35N的异质结构上，成功研制了太阳盲区的肖特基型和PIN型紫外探测器。研究结果表明，Au与i—Al0.33Ga0.67... 分别在金属有机化学汽相沉积（MOCVD）生长的i-Al0.33Ga0.67N／AlN／n-GaN和p-Al0.45Ga0．55N／i—Al0.45Ga0.55N／n＋-Al0.65Ga0.35N的异质结构上，成功研制了太阳盲区的肖特基型和PIN型紫外探测器。研究结果表明，Au与i—Al0.33Ga0.67N形成了较好的肖特基结，响应波长从250—290nm，峰值（286nm）响应率约为0．08A／W；PIN型紫外探测器的响应波长从230～275nm，峰值（246nm）响应率约为0．02A／W。 展开更多
关键词 太阳盲区 肖特基 PIN 紫外探测器
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ZnO基紫外探测器的研究进展与关键技术 被引量：4
17
作者 韦敏 邓宏 +1 位作者 王培利 李阳 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1-5,共5页
近年来,ZnO基紫外探测器由于其优异的光电特性,已成为紫外探测领域研究中的新热点之一。介绍了近年来国内外不同结构类型的ZnO基紫外探测器的研究状况,并对影响探测器性能的ZnO的光电导特性、薄膜微结构、掺杂、金半接触等关键技术进行... 近年来,ZnO基紫外探测器由于其优异的光电特性,已成为紫外探测领域研究中的新热点之一。介绍了近年来国内外不同结构类型的ZnO基紫外探测器的研究状况,并对影响探测器性能的ZnO的光电导特性、薄膜微结构、掺杂、金半接触等关键技术进行了探讨,指出推动ZnO紫外探测器实用化进程的关键在于制备高质量的掺杂薄膜以及进一步提高器件的量子效率。 展开更多
关键词 ZNO 紫外探测器 MSM 光响应度 量子效率
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GaN基紫外探测器发展概况 被引量：12
18
作者 刘万金 胡小燕 喻松林 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2012年第11期1210-1214,共5页
基于宽禁带半导体材料的GaN基紫外探测器由于具有探测波长可调、工艺兼容性好、结构可多型化等优点,已成为近年来的研究热点。介绍了四种不同结构类型的紫外探测器:光导型、肖特基势垒、金属-半导体-金属、p-i-n结,并回顾了GaN基紫外探... 基于宽禁带半导体材料的GaN基紫外探测器由于具有探测波长可调、工艺兼容性好、结构可多型化等优点,已成为近年来的研究热点。介绍了四种不同结构类型的紫外探测器:光导型、肖特基势垒、金属-半导体-金属、p-i-n结,并回顾了GaN基紫外探测器的的研究历程。 展开更多
关键词 GAN 紫外探测器 光电二极管
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退火对ZnO薄膜特性的影响与紫外探测器的研制 被引量：4
19
作者 吴跃波 杨启耀 +1 位作者 雷声 吴孙桃 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期585-588,共4页
利用射频磁控溅射技术在SiO2/n-Si和石英玻璃衬底上制备了具有C轴择优取向的ZnO薄膜,研究了退火对ZnO薄膜特性的影响,并在以SiO2/n-Si为衬底、退火温度为900℃的薄膜上制作了Ag-ZnO-Ag肖特基型和Au-ZnO-Au光电导型MSM叉指结构的紫外探... 利用射频磁控溅射技术在SiO2/n-Si和石英玻璃衬底上制备了具有C轴择优取向的ZnO薄膜,研究了退火对ZnO薄膜特性的影响,并在以SiO2/n-Si为衬底、退火温度为900℃的薄膜上制作了Ag-ZnO-Ag肖特基型和Au-ZnO-Au光电导型MSM叉指结构的紫外探测器。所制作的两种MSM紫外探测器在350 nm波长紫外光照下电流增加,在紫外波段有较高的响应度,光响应度峰值在370 nm附近。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 磁控溅射 肖特基 光电导 紫外探测器
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基于宽禁带半导体氧化物微纳材料的紫外探测器研究进展 被引量：8
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作者 陈星 周畅 +1 位作者 刘可为 申德振 《中国光学（中英文）》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期912-928,共17页
紫外探测技术是继红外探测与激光探测技术之后的又一项军民两用探测技术,有广阔的应用前景。真空光电倍增管和Si基光电二极管是常见的商品化紫外探测器,但是真空光电倍增管易受高温和电磁辐射干扰,需要在高压下工作;而Si基光电二极管需... 紫外探测技术是继红外探测与激光探测技术之后的又一项军民两用探测技术,有广阔的应用前景。真空光电倍增管和Si基光电二极管是常见的商品化紫外探测器,但是真空光电倍增管易受高温和电磁辐射干扰,需要在高压下工作;而Si基光电二极管需要昂贵的滤光片。宽禁带半导体紫外探测器克服了上述两种器件面临的一些问题,成为紫外探测器研究的热点。其中宽禁带氧化物材料,具有易于制备高响应高增益器件、有丰富的微纳结构、易于制备微纳器件的特点,引起了人们的广泛关注。本文对宽禁带半导体氧化物材料的微纳结构器件进行梳理,对近年来的一些相关研究进行了综述。其中涉及的氧化物材料包括ZnO,Ga_(2)O_(3),SnO_(2),TiO_(2)等,涉及的器件结构包括金属-半导体-金属型器件,肖特基结型器件,异质结型器件等。 展开更多
关键词 宽禁带半导体 氧化物半导体 微纳结构 紫外探测器
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