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半导体激光器
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《中国光学》 EI CAS 2001年第1期28-31,共4页
TN248.4 2001010188硅基键合激光器的研究进展=Research advances inlasers bonded on silicon substrates[刊,中]/韩伟华,余金中,王启明(中科院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室.北京(100083))∥半导体光电.-2000,21(2).-77... TN248.4 2001010188硅基键合激光器的研究进展=Research advances inlasers bonded on silicon substrates[刊,中]/韩伟华,余金中,王启明(中科院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室.北京(100083))∥半导体光电.-2000,21(2).-77-79,84硅基的光电子集成以及光集成将满足未来信息传输处理的要求。目前制作硅基激光器的方法主要分为两类,异质结外延生长和异质材料键合。键合方法克服了异质结外延生长不可避免的晶格失配和材料热膨胀系数非共容性的缺点。 展开更多
关键词 光纤光栅外腔半导体激光 集成光电子学 外延生长 垂直腔面发射激光 异质结 微腔半导体激光 材料热膨胀系数 可见光半导体激光 光电子集成 国家重点实验室
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氧气后处理对氧化锌薄膜紫外发射性质的影响 被引量:3
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作者 林碧霞 傅竹西 廖桂红 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期129-133,共5页
为了提高ZnO光发射效率和制备p型ZnO,对热处理的氧分压对薄膜的结构、形貌、光致光发射和ZnO/Si异质结的Ⅰ-Ⅴ特性的影响进行了研究。用直流反应溅射法在p型硅衬底上生长ZnO薄膜形成n-ZnO/P-Si异质结。在1000℃下用不同比例的氧和氨热处... 为了提高ZnO光发射效率和制备p型ZnO,对热处理的氧分压对薄膜的结构、形貌、光致光发射和ZnO/Si异质结的Ⅰ-Ⅴ特性的影响进行了研究。用直流反应溅射法在p型硅衬底上生长ZnO薄膜形成n-ZnO/P-Si异质结。在1000℃下用不同比例的氧和氨热处理,我们发现,在纯氮气中得到的样品有强的紫外发射(390nm),随氧气比例增大,紫外增强,同时绿光也产生并随之增强。但过大的氧分压反而产生多的受主缺陷,使越来越多的激发能量转移到发射能量低的绿光中心,从而使紫外减弱。在纯氧和无氧条件下热处理的俄歇谱表明纯氧下氧过量,而无氧下锌大大过量。ZnO/p-Si异质结的Ⅰ-Ⅴ特性表明,无氧热处理表现为典型的n-ZnO/p-Si异质结;而在纯氧气氛中处理后所得Ⅰ-Ⅴ曲线反向,这表明在高氧压下受主缺陷的产生,表明ZnO薄膜有可能由于高氧压热处理由n型转为p型。 展开更多
关键词 氧化锌薄膜 氧气后处理 紫外发射 光致发光谱 缺陷 化学计量 半导体材料
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纳米微晶结构ZnO及其紫外激光 被引量:27
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作者 许小亮 施朝淑 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2000年第4期356-369,共14页
本文介绍了近年来研制Ⅱ Ⅵ族半导体激光器的一个新的途径———ZnO的纳米微晶结构。它分为两大类别 :即六角柱形蜂巢状结构和粉末状颗粒结构。都已在近紫外波段实现了室温下光泵激发的受激发射。它将是继Ⅱ Ⅵ族硒化物和Ⅲ Ⅴ族氮化... 本文介绍了近年来研制Ⅱ Ⅵ族半导体激光器的一个新的途径———ZnO的纳米微晶结构。它分为两大类别 :即六角柱形蜂巢状结构和粉末状颗粒结构。都已在近紫外波段实现了室温下光泵激发的受激发射。它将是继Ⅱ Ⅵ族硒化物和Ⅲ Ⅴ族氮化物之后的新型半导体激光器材料。 展开更多
关键词 纳米微晶结构 紫外激光 氧化锌 半导体 激光材料
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紫外激光器及其在微加工中的应用 被引量:21
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作者 聂世琳 管迎春 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2017年第12期1169-1179,共11页
紫外激光以其波长短、加工精度高、冷加工等特性,在微细制造中具有独特优势,能够有效提高制造品质。近年来,随着现代电子产业的快速发展,其对生产制造的要求不断提高,紫外激光的应用和发展也受到人们的广泛关注。紫外激光在微加工过程... 紫外激光以其波长短、加工精度高、冷加工等特性,在微细制造中具有独特优势,能够有效提高制造品质。近年来,随着现代电子产业的快速发展,其对生产制造的要求不断提高,紫外激光的应用和发展也受到人们的广泛关注。紫外激光在微加工过程中对材料尺寸形状要求小,加工过程灵活可变,产生的热影响区小,能够实现精密复杂结构的加工。本文介绍了紫外激光器的发展过程,并对目前主要用于微加工的两类紫外激光器:准分子激光器和全固态激光器的工作原理和技术特点进行了简要的概述。重点讨论紫外激光在半导体、光学元件和聚合物等领域的技术发展和应用现状,并进一步对未来研究方向进行预测和展望。 展开更多
关键词 紫外激光 激光微加工 半导体材料 微光学元件 聚合物
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氮化物垂直腔面发射激光器的发展与挑战(特邀) 被引量:3
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作者 王玉坤 郑重明 +2 位作者 龙浩 梅洋 张保平 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期29-52,共24页
垂直腔面发射激光器凭借阈值低、发散角小、调制速率高以及输出光束呈圆斑对称等特点,迅速成为当下半导体激光器的研究热点。氮化镓(GaN)材料是制造紫外到绿光波段光电子器件的理想材料,经过四十余年的研究,蓝光和绿光LED在照明、显示... 垂直腔面发射激光器凭借阈值低、发散角小、调制速率高以及输出光束呈圆斑对称等特点,迅速成为当下半导体激光器的研究热点。氮化镓(GaN)材料是制造紫外到绿光波段光电子器件的理想材料,经过四十余年的研究,蓝光和绿光LED在照明、显示等领域得到广泛应用。技术含量更高的激光器件也已进入了应用的快车道,即将覆盖照明、通信、投影显示、光存储、医疗、微型原子钟及传感器等场景。铝镓氮(AlGaN)是GaN基半导体材料的重要代表之一,其禁带宽度可在3.4 eV(GaN)到6.2 eV(AlN)范围内连续可调,对应波长可覆盖200~365 nm波段,是制造从近紫外波段到深紫外波段紫外垂直腔面发射激光器的理想材料。而铝镓氮(AlGaN)垂直腔面发射激光器经过近20年来的发展,如今已成为半导体激光器的研究热点之一。首先回顾了GaN基垂直腔面发射激光器的发展历史,简要介绍了其在各个波段的主要应用场景;然后介绍蓝光、绿光及紫外垂直腔面发射激光器的研究进展;最后分析了光注入和电注入紫外垂直腔面发射激光器发展过程中的挑战和困难,并介绍了改进和优化的策略。 展开更多
关键词 半导体器件与技术 垂直腔面发射激光 氮化物 紫外 光电子器件 激光 ALGAN
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福建物构所发现新型无铍深紫外非线性光学晶体材料
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《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期710-710,共1页
深紫外激光由于波长短、加工精度高的优点,在半导体光刻、激光光电子能谱仪和激光切割等方面具有重要应用。目前,KBe2BO3F2(KBBF)是唯一能实际输出深紫外激光的非线性光学(NLO)晶体,但是,KBBF含剧毒铍元素且其晶体层状生长习性严重。因... 深紫外激光由于波长短、加工精度高的优点,在半导体光刻、激光光电子能谱仪和激光切割等方面具有重要应用。目前,KBe2BO3F2(KBBF)是唯一能实际输出深紫外激光的非线性光学(NLO)晶体,但是,KBBF含剧毒铍元素且其晶体层状生长习性严重。因此,急需探索新型深紫外NLO晶体材料。 展开更多
关键词 非线性光学晶体 紫外激光 晶体材料 物质结构研究 半导体光刻 激光切割 光电子能谱仪 生长习性 光电材料 军华
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新型无铍深紫外非线性光学晶体材料
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《中国光学》 EI CAS CSCD 2015年第5期883-884,共2页
深紫外激光由于波长短、能进行更高精度加工的优点,在半导体光刻、激光光电子能谱仪和激光切割上具有重要的应用。目前,KBe2BO3F2(KBBF)是唯一能实际输出深紫外激光的非线性光学(NLO)晶体,但是,KBBF含剧毒铍元素且其晶体层状生长特... 深紫外激光由于波长短、能进行更高精度加工的优点,在半导体光刻、激光光电子能谱仪和激光切割上具有重要的应用。目前,KBe2BO3F2(KBBF)是唯一能实际输出深紫外激光的非线性光学(NLO)晶体,但是,KBBF含剧毒铍元素且其晶体层状生长特严重,因此,急需探索新型深紫外NLO晶体材料。 展开更多
关键词 非线性光学晶体 紫外激光 晶体材料 半导体光刻 激光切割 高精度加工 光电子能谱仪 于波 相位匹配 对角线规则
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福建物构所发现新型无铍深紫外非线性光学晶体材料
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《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期2313-2313,共1页
深紫外激光由于波长短、能进行更高精度加工的优点,在半导体光刻、激光光电子能谱仪和激光切割上具有重要的应用。目前,KBe2BO3F2(KBBF)是唯一能实际输出深紫外激光的非线性光学(NLO)晶体,但是,KBBF含剧毒铍元素且其晶体层状生长习... 深紫外激光由于波长短、能进行更高精度加工的优点,在半导体光刻、激光光电子能谱仪和激光切割上具有重要的应用。目前,KBe2BO3F2(KBBF)是唯一能实际输出深紫外激光的非线性光学(NLO)晶体,但是,KBBF含剧毒铍元素且其晶体层状生长习性严重,因此,急需探索新型深紫外NLO晶体材料。 展开更多
关键词 紫外激光 非线性光学 晶体材料 铍元素 福建 光电子能谱仪 高精度加工 半导体光刻
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激光工作物质
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《中国光学》 EI CAS 1996年第6期12-12,共1页
TN244 96063587MOCVD生长带有MQB的量子阱激光器材料=MOCVD grown quantum well laser materialswith MQB[刊,中]/章其麟,关兴国,刘英斌,张亚德,张荣桂(电子部第13研究所.四川,重庆(632163))//半导体情报.-1995,32(4).-1-7用MOCV... TN244 96063587MOCVD生长带有MQB的量子阱激光器材料=MOCVD grown quantum well laser materialswith MQB[刊,中]/章其麟,关兴国,刘英斌,张亚德,张荣桂(电子部第13研究所.四川,重庆(632163))//半导体情报.-1995,32(4).-1-7用MOCVD生长发射波长为808 nm的Al-GaAs/GaAs量子阱激光材料。通过在激光器材料的波导中加入多量子势垒层,有效地限制电子在阱内的复合以及高能电子溢出阱外,从而降低了激光器的阈值电流,提出了它的特征温度。增加了MQB后,器件的阈值电流密度I<sub>th</sub>从原来的400-600A/cm<sup>2</sup>下降到300-400A/cm<sup>2</sup>,特征温度从160K提高到210K。图10表3参5(吴淑珍)TN244 96063588NaF及其掺杂晶体F<sub>2</sub>心的二向色性研究=Thedichromatic properties of F<sub>2</sub> centers in NaFand doped crystals[刊,中]/冯志萍,王存达。 展开更多
关键词 特征温度 量子阱激光 二向色性 量子势垒 激光材料 高能电子 掺杂晶体 发射波长 生长带 半导体
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水热法制备高度取向的氧化锌纳米棒阵列 被引量:28
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作者 郭敏 刁鹏 蔡生民 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期345-347,共3页
By using a simply and low-temperature hydrothermal method, ZnO nanorod array films with narrow size distribution and high orientation consistence were successfully prepared on ITO substrates, which were pre-treated wi... By using a simply and low-temperature hydrothermal method, ZnO nanorod array films with narrow size distribution and high orientation consistence were successfully prepared on ITO substrates, which were pre-treated with ZnO colloid solution. The obtained ZnO nanostructure was characterized by XRD and SEM. The results of characterization indicate that the nanorods are high-quality single crystals growing along (001) direction with a high consistent orientation perpendicular to the substrate. SEM images show that the nanorods have a very narrow size distribution of 20—50 nm with the average diameter about 40 nm. The room temperature photoluminescence of the as-prepared ZnO films exhibits a strong UV emission at about 390 nm and a weak emission at about 460 nm. The ease of fabricating high-quality ZnO nanorod arrays in large scales will greatly promote the fundamental research and practical applications of the ordered one-dimention ZnO structure in various fields of nanoscale science and technology. 展开更多
关键词 氧化锌 纳米棒阵列薄膜 制备 水热法 紫外半导体激光发射材料
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发射光谱
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作者 楼立人 金周哲 《发光学报》 EI CAS 1973年第5期31-36,共6页
发射光谱是发光材料的一个重要性能。无论是材料性能检验、发光分析还是在发光研究中都广泛地涉及到发射光谱的测量问题。发射光谱的测量已有很长的历史。早在十七世纪中期,牛顿第一次用棱镜把太阳光分解为光谱,这实际上就是发射光谱测... 发射光谱是发光材料的一个重要性能。无论是材料性能检验、发光分析还是在发光研究中都广泛地涉及到发射光谱的测量问题。发射光谱的测量已有很长的历史。早在十七世纪中期,牛顿第一次用棱镜把太阳光分解为光谱,这实际上就是发射光谱测量的开端。在十九世纪末,人们围绕热辐射问题的大量研究工作为发射光谱的测量奠定了基础。随着生产发展的需要和科学技术的发展,发射光谱的测量技术也不断完善和提高。 展开更多
关键词 量子计数器 发光材料 量子效率 紫外 光学材料 激光效率 单色仪 光谱分布 光谱灵敏度 发射光谱
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固相热分解法合成非晶ZnO及其表征
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作者 王志军 王之建 +2 位作者 李守春 李玉琴 元金山 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期497-500,共4页
通过固相热分解法合成了ZnO粉末,通过XPS,TEM,XRD及红外光谱分析表明,所合成的物质为非晶ZnO,其基本结构为ZnO·H2O。测量了非晶ZnO的光致发光(PL)光谱,观测到非常强的紫外发射,几乎没有可见发射,说明通过固相热分解法合成的非晶Zn... 通过固相热分解法合成了ZnO粉末,通过XPS,TEM,XRD及红外光谱分析表明,所合成的物质为非晶ZnO,其基本结构为ZnO·H2O。测量了非晶ZnO的光致发光(PL)光谱,观测到非常强的紫外发射,几乎没有可见发射,说明通过固相热分解法合成的非晶ZnO是一种非常有研究价值和研究意义的新型紫外半导体材料。 展开更多
关键词 固相热分解 氧化锌 非晶态 光致发光 紫外发射 紫外半导体材料 结构分析
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