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AZO晶种层对ZnO纳米线生长及紫外光电导性能的影响
1
作者
曹东
蒋向东
+1 位作者
李大伟
孙继伟
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第20期81-85,共5页
采用溶液化学法实现了在Zn(NO3)2/C6H12N4混合溶液中ZnO纳米线在AZO薄膜修饰过衬底上生长。AZO薄膜由射频磁控溅射法制备,通过溅射时间和基底温度的变化改变薄膜形态,重点研究了不同薄膜形态对ZnO纳米线形貌和结构的影响,最终在溅射2h...
采用溶液化学法实现了在Zn(NO3)2/C6H12N4混合溶液中ZnO纳米线在AZO薄膜修饰过衬底上生长。AZO薄膜由射频磁控溅射法制备,通过溅射时间和基底温度的变化改变薄膜形态,重点研究了不同薄膜形态对ZnO纳米线形貌和结构的影响,最终在溅射2h、基底温度250℃晶种上得到垂直于衬底、高度平行取向的ZnO纳米线阵列。在此基础上研究了不同形貌ZnO纳米线阵列的紫外光电导性能差异。结果表明,垂直生长的纳米线较倒伏纳米线紫外响应迅速,分析认为是紫外光照下曝光面积不同造成的。
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关键词
AZO
ZNO纳米线
溶液化学法
紫外光电导性能
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职称材料
题名
AZO晶种层对ZnO纳米线生长及紫外光电导性能的影响
1
作者
曹东
蒋向东
李大伟
孙继伟
机构
电子科技大学光电信息学院
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第20期81-85,共5页
基金
四川省应用基础项目(07JY029-087)
文摘
采用溶液化学法实现了在Zn(NO3)2/C6H12N4混合溶液中ZnO纳米线在AZO薄膜修饰过衬底上生长。AZO薄膜由射频磁控溅射法制备,通过溅射时间和基底温度的变化改变薄膜形态,重点研究了不同薄膜形态对ZnO纳米线形貌和结构的影响,最终在溅射2h、基底温度250℃晶种上得到垂直于衬底、高度平行取向的ZnO纳米线阵列。在此基础上研究了不同形貌ZnO纳米线阵列的紫外光电导性能差异。结果表明,垂直生长的纳米线较倒伏纳米线紫外响应迅速,分析认为是紫外光照下曝光面积不同造成的。
关键词
AZO
ZNO纳米线
溶液化学法
紫外光电导性能
Keywords
AZO, ZnO nanowire, solution chemical method, UV photoconductive property
分类号
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
AZO晶种层对ZnO纳米线生长及紫外光电导性能的影响
曹东
蒋向东
李大伟
孙继伟
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
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