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题名类同轴TSV的高频电学模型与分析
被引量：2
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作者
吴伟
孙毅鹏
张兆华
王一丁
付永启
崔凯
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机构
电子科技大学物理学院
南京电子技术研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第11期926-932,共7页
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文摘
类同轴硅通孔(TSV)是射频三维(3D)集成电路(IC)中常用的垂直互连传输结构。针对该结构提出了一套通用的电阻-电感-电容-电导(RLCG)寄生参数计算公式,以及对应的高频等效电路模型。寄生参数是结构尺寸和材料特性的函数,可以方便地用于预测电学性能。使用三维全波仿真软件对所提出的模型进行了高达100 GHz的仿真验证,并分析了模型的散射参数与结构尺寸之间的关系。最后提出了特征阻抗的计算和优化方法,该方法可以为类同轴TSV的参数的确定提供参考。
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关键词
三维(3D)集成电路(IC)
硅通孔(TSV)
类同轴结构
等效电路模型
电阻-电感-电容-电导(RLCG)参数
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Keywords
three-dimensional(3D)integrated circuit(IC)
through silicon via(TSV)
coaxial-like construction
equivalent circuit model
resistance-inductance-capacitance-conductance(RLCG)parameter
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名基于硅基集成工艺的基板堆叠传输结构设计
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作者
刘慧滢
焦晓亮
王江
高艳红
岳超
岳琦
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机构
北京华航无线电测量研究所
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第6期532-537,共6页
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文摘
随着电子产品向小型化、轻量化方向发展,堆叠基板的垂直互连成为高密度电路集成的关键技术。垂直互连结构会影响跨层传输的信号质量,进而影响电路的射频性能。基于该互连结构的主要传输原理,采用多层硅基板进行堆叠,通过焊球实现上下层的信号传输,利用HFSS仿真软件建立垂直互连结构模型,分析了关键结构参数对传输性能的影响。仿真结果表明优化后的垂直互连结构在DC~20 GHz的频段内回波损耗优于15 dB,传输损耗优于0.5 dB,能够实现良好的微波传输性能。
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关键词
宽频带
垂直传输结构
类同轴结构
模型仿真
硅基板
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Keywords
wideband
vertical transmission structure
quasi⁃coaxial structure
model simulation
silicon substrate
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分类号
TN405.97
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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