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1
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高迁移率金属氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展 |
李强
葛春桥
陈露
钟威平
梁齐莹
柳春锡
丁金铎
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《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
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2024 |
3
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2
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金属氧化物半导体场效应晶体管中总剂量效应导致的阈值电压漂移研究现状 |
刘一宁
王任泽
杨亚鹏
王宁
冯宗洋
贾林胜
张建岗
李国强
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《辐射防护》
CAS
CSCD
北大核心
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2020 |
0 |
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3
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窄禁带源漏区金属氧化物半导体场效应晶体管 |
文争
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《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2003 |
0 |
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4
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大功率射频Si-VDMOS功率晶体管研制 |
刘洪军
王琪
赵杨杨
王佃利
杨勇
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《现代雷达》
CSCD
北大核心
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2024 |
0 |
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5
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部分耗尽异质环栅场效应晶体管阈值电压模型 |
李尊朝
罗诚
王闯
苗治聪
张莉丽
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《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
1
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6
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英飞凌和博世签订功率半导体合作协议 |
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《现代电子技术》
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2009 |
0 |
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7
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碳化硅MOSFET电路模型及其应用 |
周郁明
刘航志
杨婷婷
王兵
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《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2018 |
5
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8
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SiC MOSFET的质子单粒子效应 |
史慧琳
郭刚
张峥
李府唐
刘翠翠
张艳文
殷倩
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2024 |
0 |
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9
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一种基于等效栅极电阻控制的SiC MOSFET结温波动抑制方法 |
王若隐
郑宏
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《中国电机工程学报》
北大核心
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2025 |
0 |
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10
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SiC-MOSFET与Si-IGBT混合开关车载双向充电器中线桥臂设计及控制 |
付永升
任海鹏
李翰山
石磊
雷鸣
闫克丁
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《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
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2020 |
8
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11
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先进工艺对MOS器件总剂量辐射效应的影响 |
刘远
恩云飞
李斌
师谦
何玉娟
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2006 |
4
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12
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基于中压混合器件的ANPC母排绝缘与寄生参数优化设计 |
赵一平
董晓博
靳浩源
王淦
王来利
张虹
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《电力工程技术》
北大核心
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2025 |
0 |
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13
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4H-SiC MESFET高频小信号特性的模拟与分析 |
王雷
张义门
张玉明
盛立志
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《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2004 |
3
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14
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4H-SiC MESFET大信号非线性特性分析 |
吕红亮
车勇
张义门
张玉明
郭辉
张林
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《微波学报》
CSCD
北大核心
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2009 |
2
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15
|
提高SiC MESFET栅金属平坦性的方法 |
霍玉柱
商庆杰
杨霏
潘宏菽
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2010 |
2
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16
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SiC MOSFET结温监测与控制技术综述 |
张擎昊
郑大勇
张品佳
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《中国电机工程学报》
北大核心
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2025 |
2
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17
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n沟6H-SiC MOSFET直流特性和小信号参数解析模型 |
王平
杨银堂
杨燕
贾护军
屈汉章
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《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2005 |
1
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18
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基于SiC和Si器件的燃料电池汽车DC-DC变换器的性能 |
周晓敏
马后成
高大威
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《汽车安全与节能学报》
CAS
CSCD
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2017 |
3
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19
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基于Savitzky-Golay滤波器的MOSFET阈值电压提取技术 |
杨红官
朱坤顺
朱晓君
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《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
2
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20
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利用背面Ar^+轰击改善n-MOSFET饱和区特性 |
陈平
黄美浅
李旭
李观启
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《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2005 |
0 |
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