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1
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GaAs－InP复合材料的外延生长方法及金属半导体场效应晶体管器件制备 |
陈松岩
李玉东
王本忠
张玉贤
刘式墉
刘悦
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《高技术通讯》
CAS
CSCD
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1995 |
0 |
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2
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高迁移率金属氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展 |
李强
葛春桥
陈露
钟威平
梁齐莹
柳春锡
丁金铎
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《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
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2024 |
3
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3
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金属氧化物半导体场效应晶体管中总剂量效应导致的阈值电压漂移研究现状 |
刘一宁
王任泽
杨亚鹏
王宁
冯宗洋
贾林胜
张建岗
李国强
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《辐射防护》
CAS
CSCD
北大核心
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2020 |
0 |
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4
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窄禁带源漏区金属氧化物半导体场效应晶体管 |
文争
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《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2003 |
0 |
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5
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电子束光刻制造亚微米栅长GaAs金属半导体场效应管(英文) |
张炬
尼尔森本
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《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
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1990 |
0 |
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6
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抑制碳化硅MOSFET阈值电压漂移的驱动电路 |
赵柯
蒋华平
汤磊
钟笑寒
谢宇庭
胡浩伟
肖念磊
黄诣涵
刘立
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《重庆大学学报》
北大核心
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2025 |
0 |
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7
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部分耗尽异质环栅场效应晶体管阈值电压模型 |
李尊朝
罗诚
王闯
苗治聪
张莉丽
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《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
1
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8
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基于二维半导体的模拟电路最新进展 |
卢文栋
杨冠华
卢年端
李泠
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《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
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2021 |
1
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9
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超宽禁带半导体金刚石功率电子学研究的新进展(续) |
赵正平
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2021 |
1
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10
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英飞凌和博世签订功率半导体合作协议 |
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《现代电子技术》
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2009 |
0 |
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11
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碳化硅MOSFET电路模型及其应用 |
周郁明
刘航志
杨婷婷
王兵
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《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2018 |
5
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12
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SiC MOSFET的质子单粒子效应 |
史慧琳
郭刚
张峥
李府唐
刘翠翠
张艳文
殷倩
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2024 |
0 |
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13
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基于POD热网络模型的SiC MOSFET浪涌安全工作区评估 |
赵耀
刘征
王志强
王进君
李国锋
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《中国电机工程学报》
北大核心
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2025 |
0 |
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14
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基于中压混合器件的ANPC母排绝缘与寄生参数优化设计 |
赵一平
董晓博
靳浩源
王淦
王来利
张虹
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《电力工程技术》
北大核心
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2025 |
0 |
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15
|
先进工艺对MOS器件总剂量辐射效应的影响 |
刘远
恩云飞
李斌
师谦
何玉娟
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2006 |
4
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16
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一种基于等效栅极电阻控制的SiC MOSFET结温波动抑制方法 |
王若隐
郑宏
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《中国电机工程学报》
北大核心
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2025 |
0 |
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17
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SiC MOSFET结温监测与控制技术综述 |
张擎昊
郑大勇
张品佳
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《中国电机工程学报》
北大核心
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2025 |
4
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18
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提高SiC MESFET栅金属平坦性的方法 |
霍玉柱
商庆杰
杨霏
潘宏菽
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2010 |
2
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19
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降低金属与n型Ge接触电阻方法的研究进展 |
周志文
沈晓霞
李世国
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2016 |
0 |
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20
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基于低频噪声的65nm工艺NMOS器件热载流子注入效应分析 |
何玉娟
刘远
章晓文
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2019 |
4
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