硅-硅键合界面氧化层模型与杂质分布的模拟

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作者 陈新安 黄庆安 +1 位作者 刘肃 李伟华 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期134-138,共5页

硅-硅直接键合的硅片界面存在一层很薄的氧化层,其化学成分是非化学计量比的氧化物S iOw(0<w<2)。杂质在界面氧化层S iOw中的扩散系数与化学组成有关。文中根据建立的界面氧化层模型推导出了杂质在界面氧化层S iOw中的杂质扩散系... 硅-硅直接键合的硅片界面存在一层很薄的氧化层,其化学成分是非化学计量比的氧化物S iOw(0<w<2)。杂质在界面氧化层S iOw中的扩散系数与化学组成有关。文中根据建立的界面氧化层模型推导出了杂质在界面氧化层S iOw中的杂质扩散系数D(w)和在S i/S iOw界面处的分凝系数m(w)。最后,根据这些关系和键合界面的杂质扩散模型,对杂质分布进行了模拟并且把模拟结果与实验结果进行了比较,结果一致。这一模型和模拟结果对硅-硅直接键合设计有一定参考价值。 展开更多

关键词 硅-硅直接键合 本征氧化物 界面氧化层模型 杂质分布

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硅-硅直接键合后硅片的机械减薄过程

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作者 陈晨 杨洪星 何远东 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第6期402-405,共4页

硅-硅直接键合硅片的机械减薄工艺对器件的性能有很大的影响。采用磨削、化学腐蚀和机械/化学抛光的方法对硅-硅直接键合硅片进行减薄加工,分析了减薄过程中各个工序键合片的平整度、弯曲度和翘曲度变化,并对减薄后硅片的厚度均匀性进... 硅-硅直接键合硅片的机械减薄工艺对器件的性能有很大的影响。采用磨削、化学腐蚀和机械/化学抛光的方法对硅-硅直接键合硅片进行减薄加工,分析了减薄过程中各个工序键合片的平整度、弯曲度和翘曲度变化,并对减薄后硅片的厚度均匀性进行了考察。本次实验最终获得了几何参数良好、厚度满足要求且均匀的晶片。磨削过程会使弯曲度和翘曲度升高,可以通过化学腐蚀的方法降低弯曲度和翘曲度,化学腐蚀过程虽然使平整度升高,但可以通过机械/化学抛光的方法降低平整度。采用该减薄技术对直接键合硅片进行机械减薄具有可行性。 展开更多

关键词 硅-硅直接键合(SDB) 机械减薄 平整度 弯曲度 翘曲度

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基于外部激活表面高温状态下的硅-硅键合 被引量：1

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作者 王亚彬 王晓光 +2 位作者 郑丽 王成杨 宋尔冬 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第5期325-328,共4页

提出了一种应用于硅-硅键合过程中表面激活的新方法,采用复合激活的方式,使预键合的硅片表面分别通过化学溶液激活和UV光激活相互结合的手段获得较高的表面态。经键合机预键合后,在高温炉中完成原子轨道重叠,实现硅-硅键合。通过镜下检... 提出了一种应用于硅-硅键合过程中表面激活的新方法,采用复合激活的方式,使预键合的硅片表面分别通过化学溶液激活和UV光激活相互结合的手段获得较高的表面态。经键合机预键合后,在高温炉中完成原子轨道重叠,实现硅-硅键合。通过镜下检查和破坏性实验等方式分别对键合的效果和强度进行深入测试,并给出相应的实验效果图和测试结果。实验结果表明,采用新激活方法的键合界面无空洞且均一性良好,键合强度高,证明了新激活方法的可行性和优越性。针对高温键合工艺过程中容易产生空洞这一问题提出了新的解决方案。 展开更多

关键词 表面激活 表面态 高温退火 硅-硅直接键合(SDB) 空洞 键合强度

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用于MEMS器件芯片级封装的金-硅键合技术研究 被引量：1

4

作者 刘雪松 闫桂珍 +1 位作者 郝一龙 张海霞 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期238-240,248,共4页

MEMS器件大都含有可动的硅结构 ,在器件加工过程中 ,特别是在封装过程中极易受损 ,大大影响器件的成品率。如果能在MEMS器件可动结构完成以后 ,加上一层封盖保护 ,可以显著提高器件的成品率和可靠性。本文提出了一种用于MEMS芯片封盖保... MEMS器件大都含有可动的硅结构 ,在器件加工过程中 ,特别是在封装过程中极易受损 ,大大影响器件的成品率。如果能在MEMS器件可动结构完成以后 ,加上一层封盖保护 ,可以显著提高器件的成品率和可靠性。本文提出了一种用于MEMS芯片封盖保护的金 硅键合新结构 ,实验证明此方法简单实用 ,效果良好。该技术与器件制造工艺兼容 ,键合温度低 ,有足够的键合强度 ,不损坏器件结构 ,实现了MEMS器件的芯片级封装。 展开更多

关键词 MEMS器件 芯片级封装 金-硅键合技术 制造工艺 微电子机械系统

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基于湿法与氧自由基活化工艺的低温硅-硅键合技术 被引量：2

5

作者 张林超 李玉玲 +4 位作者 尚瑛琦 宋尔冬 马壮 陈婧 佟春雨 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第3期219-223,共5页

针对传统的低温硅-硅键合技术中,由于等离子体轰击硅片表面而导致硅面损伤、键合面积小、键合强度低等技术难题,通过研究3种不同的活化方式对粗糙度、键合面积、键合强度的影响,从而得出湿法与氧自由基相结合的活化方式是实现低温硅-硅... 针对传统的低温硅-硅键合技术中,由于等离子体轰击硅片表面而导致硅面损伤、键合面积小、键合强度低等技术难题,通过研究3种不同的活化方式对粗糙度、键合面积、键合强度的影响,从而得出湿法与氧自由基相结合的活化方式是实现低温硅-硅键合技术的最佳方式。结果表明,在双同心的环形网状电极间充入一定量的氧气,在直流电压下产生的高能氧自由基在电场作用下通过接地筛网,并以低入射角度到达硅片表面,这种活化处理的方式可以有效保护硅面免受高能粒子的损伤。键合强度可达10 MPa以上,键合面积可达98%,漏率可达1.6×10-10 Pa·cm3/s。这种低温硅-硅键合技术可应用于压力传感器、电容加速度传感器和陀螺仪等器件。 展开更多

关键词 低温硅-硅键合 等离子体 湿法 氧自由基 活化方式

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基于Si-SOI键合工艺的CMUT二维面阵研制 被引量：1

6

作者 王月 何常德 张文栋 《压电与声光》 CAS 北大核心 2021年第4期528-532,共5页

该文设计、制作并测试了一种用于实时三维超声成像的电容式微机械超声换能器(CMUT)二维面阵。根据二维面阵指向性分析,设计了中心频率1 MHz、阵元间距0.7λ(λ为波长)的16×16阵元CMUT二维面阵,并利用硅-绝缘体上硅(Si-SOI)键合工... 该文设计、制作并测试了一种用于实时三维超声成像的电容式微机械超声换能器(CMUT)二维面阵。根据二维面阵指向性分析,设计了中心频率1 MHz、阵元间距0.7λ(λ为波长)的16×16阵元CMUT二维面阵,并利用硅-绝缘体上硅(Si-SOI)键合工艺完成了CMUT二维面阵的加工。通过对CMUT二维面阵进行电容-电压(C-V)测试,发现静态电容测试值与设计值基本一致,测量了CMUT二维面阵中64个阵元的电容,测量的平均电容为26.3 pF,其标准差为4.27 pF,验证了所制造的器件具有良好的均匀性。在水中测试了CMUT二维面阵的超声发射和接收功能,得到测试距离与实际距离偏差不到1%,实验表明,不同距离下CMUT的发射和接收能力良好。 展开更多

关键词 电容式微机械超声换能器(CMUT) 二维面阵 硅-绝缘体上硅(si-soi)键合 电容-电压(C-V)测试 收发特性

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在图像传感器和存储产品中应用硅通孔工艺的300mm光刻与键合技术(英文)

7

作者 Margarete Zoberbier Stefan Lutter +2 位作者 Marc Hennemeyer Dr.-Ing. Barbara Neubert Ralph Zoberbier 《电子工业专用设备》 2009年第6期29-35,共7页

三维集成的技术优势正在延伸到大量销售的诸如消费类电子设备潜在应用的产品领域。这些新技术也在推进着当前许多生产工艺的包封能力,其中包括光刻工艺和晶圆键合。> 还需要涂胶,形成图形和刻蚀图形结构。研究了一些用于三维封装的... 三维集成的技术优势正在延伸到大量销售的诸如消费类电子设备潜在应用的产品领域。这些新技术也在推进着当前许多生产工艺的包封能力,其中包括光刻工艺和晶圆键合。> 还需要涂胶,形成图形和刻蚀图形结构。研究了一些用于三维封装的光刻和晶圆键合技术问题并将叙述全部的挑战和适用的解决方案。技术方面的处理结果将通过晶圆键合和光刻工序一起讨论。 展开更多

关键词 三维集成 硅通孔技术(TSV) 圆片级封装 键合对准 硅熔焊 铜-铜键合

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一种采用圆片级真空封装的全硅MEMS三明治电容式加速度计 被引量：4

8

作者 胡启方 李男男 +3 位作者 邢朝洋 刘宇 庄海涵 徐宇新 《中国惯性技术学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第6期804-809,共6页

全硅MEMS加速度计具有温度特性好、封装体积小、成本低的优点,从而成为小型化GNC(制导、导航与控制)系统的关键器件。给出了一种具有三层硅结构的MEMS三明治加速度计的设计、加工以及圆片级真空封装方法,其中,中间硅摆片的3D结构通过双... 全硅MEMS加速度计具有温度特性好、封装体积小、成本低的优点,从而成为小型化GNC(制导、导航与控制)系统的关键器件。给出了一种具有三层硅结构的MEMS三明治加速度计的设计、加工以及圆片级真空封装方法,其中,中间硅摆片的3D结构通过双面KOH湿法腐蚀制造,腐蚀过程中使用台阶化的SiO_2作为硬掩模。硅盖板的加工主要通过KOH各向异性腐蚀和电感耦合等离子体垂直刻蚀完成。最后,上、下硅盖板通过基于Au-Si共晶反应的全硅键合技术从两侧与硅中间摆片进行键合,并实现圆片级真空封装。三明治加速度计的腔体内封装了压力为200 Pa的高纯氮气。测试结果表明,所述加速度计的闭环输出灵敏度为0.575 V/g,零位误差为0.43 g。加速度计的-3dB带宽为278.14Hz。加速度计1 h的输出稳定性为2.23×10-4 g(1σ)。加速度计在全温范围(-40℃~60℃)内的输出漂移为45.78 mg,最大温度滞环为3.725 mg。 展开更多

关键词 MEMS 加速度计 圆片级真空封装 金-硅共晶键合

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一种控制硅深刻蚀损伤方法的研究 被引量：2

9

作者 阮勇 叶双莉 +2 位作者 张大成 任天令 刘理天 《微纳电子技术》 CAS 2007年第7期37-39,共3页

提出了提高硅深反应离子刻蚀的新方法。该方法在硅的侧壁PECVD淀积SiO2，硅的底部采用热氧化的方法形成SiO2。由于在刻蚀中硅与SiO2的刻蚀选择比为120∶1-125∶1，因此SiO2层可以抑制在硅-玻璃结构的刻蚀中出现的lag和footing效应，扫... 提出了提高硅深反应离子刻蚀的新方法。该方法在硅的侧壁PECVD淀积SiO2，硅的底部采用热氧化的方法形成SiO2。由于在刻蚀中硅与SiO2的刻蚀选择比为120∶1-125∶1，因此SiO2层可以抑制在硅-玻璃结构的刻蚀中出现的lag和footing效应，扫描电镜结果也证明，采用改进工艺后的硅结构在经过长时间的过刻蚀后仍然保持了完整性。硅陀螺测试结果也证明了改进工艺的正确性。 展开更多

关键词 微电子机械系统 硅-玻璃阳极键合 硅深刻蚀 刻蚀损伤

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晶圆键合技术与微电子机械系统新进展 被引量：4

10

作者 葛劢冲 赵晓东 《电子工业专用设备》 2004年第7期15-20,共6页

概述了晶圆键合技术穴WB雪和微电子机械系统穴MEMS雪的新进展。介绍了晶圆键合工艺、技术要求、应用选择以及对MEMS的作用;展示了MEMS制造技术和应用前景。

关键词 晶圆键合技术 绝缘体上硅 微电子机械系统 微光电子机械系统 晶圆级封装

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纳米集成电路用硅基半导体材料

11

作者 屠海令 石瑛 +1 位作者 肖清华 马通达 《中国集成电路》 2003年第46期105-110,85,共7页

随着超大规模集成电路设计线宽向纳米尺寸过渡,对半导体硅材料的性能和参数提出了更加严格的要求。本文阐述了绝缘体上硅(SOI)和锗硅(SiGe)等主要硅基半导体材料的研究进展,讨论了这些材料应用于纳米集成电路和微电子、光电子器件的经... 随着超大规模集成电路设计线宽向纳米尺寸过渡,对半导体硅材料的性能和参数提出了更加严格的要求。本文阐述了绝缘体上硅(SOI)和锗硅(SiGe)等主要硅基半导体材料的研究进展,讨论了这些材料应用于纳米集成电路和微电子、光电子器件的经济技术前景。 展开更多

关键词 纳米集成电路 硅基半导体材料 绝缘体上硅 锗硅 SIGE SOI 蓝宝石上外延硅 键合硅片

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嵌入微流道硅基转接板工艺及散热性能研究 被引量：1

12

作者 朱家昌 周悦 +3 位作者 李奇哲 张振越 王刚 吉勇 《电子产品可靠性与环境试验》 2022年第5期33-39,共7页

针对高密度三维集成微系统的高效散热需求,研究了一种新型嵌入微流道硅基转接板工艺方法及其散热性能。通过硅晶圆上二次深反应离子刻蚀技术和硅-硅低温键合技术,实现微流道侧壁光滑、垂直度好、键合强度高的嵌入微流道硅基转接板的制... 针对高密度三维集成微系统的高效散热需求,研究了一种新型嵌入微流道硅基转接板工艺方法及其散热性能。通过硅晶圆上二次深反应离子刻蚀技术和硅-硅低温键合技术,实现微流道侧壁光滑、垂直度好、键合强度高的嵌入微流道硅基转接板的制作。通过搭建嵌入微流道硅基转接板热特性测试系统,利用热阻测试仪完成电路芯片结温和微流道转接板热阻的测试。结果表明:随着输入电流的不断增加,芯片功率密度升高,芯片结温呈上升趋势;输入电流为0.5A(功率密度为50W/cm^(2))、40mL/min流量通液情况下,芯片结温与室温相当;当输入电流达到2.5A(功率密度达1254W/cm^(2))时,芯片结温为93.5℃,嵌入微流道转接板热阻为0.42℃/W,表现出优异的散热性能。研究结果为高功率高密度三维集成微系统的热管理提供了一种解决方案。 展开更多

关键词 微流道 转接板 硅-硅键合 结温 热阻

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我国第一片20cm键合SOI晶片研制成功

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《电子产品可靠性与环境试验》 2008年第6期65-65,共1页

据报道．中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员王曦领导的SOI研究小组．在上海新傲科技有限公司的研发平台上．通过技术创新．制备出我国第一片20cm（即8英寸）键合绝缘体上硅（S01）晶片，实现了SOI晶片制备技术的重要突破。

关键词 SOI晶片 键合 制备技术 绝缘体上硅 中国科学院 技术创新 研发平台 信息技术

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MEMS封装技术及标准工艺研究 被引量：17

14

作者 关荣锋 汪学方 +4 位作者 甘志银 王志勇 刘胜 张鸿海 黄德修 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期50-54,65,共6页

分析了MEMS的特点及封装工艺对MEMS的影响,给出了对MEMS封装的基本要求。研究了MEMS封装工艺中的一些关键技术,即硅-硅和硅-玻璃键合技术、清洗与引线键合技术、焊料贴片和胶粘技术以及气密封帽技术等,并给出了一些重要的研究结果。同... 分析了MEMS的特点及封装工艺对MEMS的影响,给出了对MEMS封装的基本要求。研究了MEMS封装工艺中的一些关键技术,即硅-硅和硅-玻璃键合技术、清洗与引线键合技术、焊料贴片和胶粘技术以及气密封帽技术等,并给出了一些重要的研究结果。同时也介绍对几种MEMS惯性器件的封装要求及封装方法。 展开更多

关键词 MEMS封装大才疏 金-硅键合 贴片 引线键合 封帽

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一种基于SOI技术的MEMS电容式压力传感器 被引量：6

15

作者 卞玉民 杨拥军 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第5期345-350,共6页

利用绝缘体上硅（SOI）技术研制了一种可以用于飞行高度测量、气象环境监测和医疗等领域的高精度微电子机械系统（MEMS）电容式压力传感器。利用有限元分析软件对传感器敏感结构进行了结构建模、静力和模态仿真分析。敏感结构为敏感电... 利用绝缘体上硅（SOI）技术研制了一种可以用于飞行高度测量、气象环境监测和医疗等领域的高精度微电子机械系统（MEMS）电容式压力传感器。利用有限元分析软件对传感器敏感结构进行了结构建模、静力和模态仿真分析。敏感结构为敏感电容和参考电容差动输出形式,可以有效减小温度漂移和重力误差对压力测量准确度的影响。比较了无岛和有岛两种敏感膜的性能差异。为了提高传感器性能,利用成熟的MEMS加工工艺制作了SOI敏感电容极板,并利用硅-硅键合工艺实现了真空腔体。传感器采用标准塑封封装后,采用高低温压力测量系统进行了性能测试。测试结果表明,传感器量程达到30-120 kPa,非线性0.04%-0.09%,分辨率1 Pa。 展开更多

关键词 微电子机械系统(MEMS) 电容式压力传感器 高精度 绝缘体上硅(SOI) 硅-硅键合

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薄膜SOI上大于600 V LDMOS器件的研制

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作者 王中健 夏超 +3 位作者 徐大伟 程新红 宋朝瑞 俞跃辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期254-257,共4页

针对600 V以上SOI高压器件的研制需要,分析了SOI高压器件在纵向和横向上的耐压原理。通过比较提出薄膜SOI上实现高击穿电压方案,并通过仿真预言其可行性。在埋氧层为3μm,顶层硅为1.5μm的注氧键合(Simbond)SOI衬底上开发了与CMOS工艺... 针对600 V以上SOI高压器件的研制需要,分析了SOI高压器件在纵向和横向上的耐压原理。通过比较提出薄膜SOI上实现高击穿电压方案,并通过仿真预言其可行性。在埋氧层为3μm,顶层硅为1.5μm的注氧键合(Simbond)SOI衬底上开发了与CMOS工艺兼容的制备流程。为实现均一的横向电场,设计了具有线性渐变掺杂60μm漂移区的LDMOS结构。为提高纵向耐压,利用场氧技术对硅膜进行了进一步减薄。流片实验的测试结果表明,器件关态击穿电压可达600 V以上(实测832 V),开态特性正常,阈值电压提取为1.9 V,计算开态电阻为50Ω.mm2。 展开更多

关键词 绝缘体上硅 横向扩散金属氧化物半导体 击穿电压 线性渐变掺杂 注氧键合

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双框架解耦微陀螺原理样机研制

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作者 唐海林 刘显学 +4 位作者 周浩 郑英彬 张茜梅 施志贵 吴嘉丽 《信息与电子工程》 2010年第6期716-719,共4页

为了把驱动工作模态和检测工作模态有效隔离,以减小模态间的互相干扰,设计了一种双框架解耦微机械陀螺。通过采用可工程化的鲁棒优化结构设计和工艺补偿的制造工艺,实现了工艺误差范围内的稳健设计。这种内外框架结构的微陀螺设计,包括... 为了把驱动工作模态和检测工作模态有效隔离,以减小模态间的互相干扰,设计了一种双框架解耦微机械陀螺。通过采用可工程化的鲁棒优化结构设计和工艺补偿的制造工艺,实现了工艺误差范围内的稳健设计。这种内外框架结构的微陀螺设计,包括自激闭环驱动电路和开环检测电路,对微陀螺进行测试,得到微陀螺驱动模态品质因素>2000,检测模态品质因素>800,量程为2400°/s,线性度<0.3%,灵敏度为1°/s。 展开更多

关键词 微惯性测量组合 微陀螺 鲁棒优化设计 键合-深刻蚀释放体硅工艺 驱动电路 检测电路

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MEMS压电超声换能器二维阵列的制备方法 被引量：3

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作者 富迪 陈豪 +2 位作者 杨轶 任天令 刘理天 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第8期523-527,共5页

针对超声换能器阵列中阵元密度难以提升和工艺重复性差等问题,提出了一种基于硅-硅键合技术的MEMS压电超声换能器二维阵列的制备方法,并采用该方法制备了阵元间距小至150μm的密排二维换能器阵列。阵列中每个声学单元均为由上电极、压... 针对超声换能器阵列中阵元密度难以提升和工艺重复性差等问题,提出了一种基于硅-硅键合技术的MEMS压电超声换能器二维阵列的制备方法,并采用该方法制备了阵元间距小至150μm的密排二维换能器阵列。阵列中每个声学单元均为由上电极、压电材料(PZT)层、下电极和支撑层组成的多层膜结构,并通过其弯曲振动模式实现超声波的发射和接收。制备样品的测试结果表明,采用该方法制作MEMS压电超声换能器阵列,具有阵元间距小、工艺流程可靠、成品率高、一致性好、工作频率(2.45MHz)与设计值(2.5MHz)的吻合度高等优点,适用于医学成像等高频超声成像系统。 展开更多

关键词 硅-硅键合 微机电压电超声换能器(pMUT) PZT膜 高频换能器阵列 医学超声成像

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一种新型岛膜压力传感器的研究与设计 被引量：1

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作者 余成昇 展明浩 +3 位作者 胡芳菲 李凌宇 何凯旋 许高斌 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第7期446-451,共6页

设计了一种量程为180 kPa的新型岛膜结构MEMS压阻式压力传感器,通过ANSYS仿真软件,得出了在岛宽为500μm、岛厚为40μm、梁宽为200μm、敏感薄膜厚为15μm的情况下,该结构具有较好的线性度及灵敏度。提出了一种基于两层SOI硅-硅直接键... 设计了一种量程为180 kPa的新型岛膜结构MEMS压阻式压力传感器,通过ANSYS仿真软件,得出了在岛宽为500μm、岛厚为40μm、梁宽为200μm、敏感薄膜厚为15μm的情况下,该结构具有较好的线性度及灵敏度。提出了一种基于两层SOI硅-硅直接键合的工艺加工方法,能够精确控制敏感薄膜及岛的厚度,并且全硅结构器件能够避免键合残余应力,大大提高器件性能。采用了双惠斯登电桥电路减小传感器输出的温漂效应,并设计了该电路的压敏电阻连接图。最后对该压力传感器进行了测试,结果表明,其非线性为0.64%,精度为0.74%,满足现代工业应用要求。 展开更多

关键词 微电子机械系统(MEMS) 压力传感器 岛膜结构 ANSYS仿真 硅-硅直接键合 绝缘衬底上硅(SOI)

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SOI材料片缺陷研究 被引量：1

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作者 孙建洁 吴建伟 陈海峰 《电子与封装》 2012年第4期34-37,共4页

SOI材料天然具有抗瞬时辐射的能力,文章介绍了SOI(绝缘体上硅)两类不同材料片SIMOX(注氧隔离法)SOI和Bonded Smart-Cut(智能剥离法)SOI的生产工艺流程。针对SOI材料片的特殊结构——顶层硅/埋氧绝缘层/衬底结构——对各个层次的缺陷进... SOI材料天然具有抗瞬时辐射的能力,文章介绍了SOI(绝缘体上硅)两类不同材料片SIMOX(注氧隔离法)SOI和Bonded Smart-Cut(智能剥离法)SOI的生产工艺流程。针对SOI材料片的特殊结构——顶层硅/埋氧绝缘层/衬底结构——对各个层次的缺陷进行详细的介绍,并对其在半导体工艺中产生的影响做了深入的阐述。结合目前实际工艺生产线的情况,将SOI材料片的检测分为两大类:可直接测试的表面及内部缺陷;间接的材料性能特征检测。同时提供了大量SOI材料片可行的测试原理,为工艺线SOI材料片缺陷检验提供了有效的方法。 展开更多

关键词 绝缘体上硅 缺陷 SIMOX 键合后智能剥离

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