玻璃-硅微结构封装过程工艺参数对键合质量的影响 被引量：2

1

作者 李嘉 郭浩 +2 位作者 郭志平 苗淑静 王景祥 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2015年第10期4-6,共3页

通过MEMS封装试验平台,对键合过程中的键合温度、键合时间等工艺参数以及试验硅片规格进行试验研究。通过改变键合温度、键合时间以及试验硅片规格等参数,进行玻璃-硅键合对比试验。计算每组对比试验的键合空隙率,分析每组对比试验空隙... 通过MEMS封装试验平台,对键合过程中的键合温度、键合时间等工艺参数以及试验硅片规格进行试验研究。通过改变键合温度、键合时间以及试验硅片规格等参数,进行玻璃-硅键合对比试验。计算每组对比试验的键合空隙率,分析每组对比试验空隙率的数据,归纳总结影响键合质量的因素以及达到键合最佳效果的键合条件。试验结果表明：键合电压为1 200 V,温度为445~455℃,键合时间为60 s时,空隙率小于5%,玻璃与硅片的键合质量达到最佳,为提高玻璃-硅键合质量提供了依据。 展开更多

关键词 MEMS 玻璃-硅键合 封装试验 空隙率

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带有Si_3N_4薄膜的玻璃-硅-玻璃三层结构的阳极键合 被引量：3

2

作者 林智鑫 王盛贵 +2 位作者 刘琦 曾毅波 郭航 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2013年第8期63-66,70,共5页

为了获得高品质的带有Si3N4薄膜三层(玻璃—硅—玻璃)的阳极键合结构,对阳极键合的相关工艺参数进行了研究;设计搭建了实验平台并采用点阴极,以实时观察键合界面是否达到同形质的黑色从而判断阳极键合质量,对键合后的样品进行拉力测试,... 为了获得高品质的带有Si3N4薄膜三层(玻璃—硅—玻璃)的阳极键合结构,对阳极键合的相关工艺参数进行了研究;设计搭建了实验平台并采用点阴极,以实时观察键合界面是否达到同形质的黑色从而判断阳极键合质量,对键合后的样品进行拉力测试,研究表明:当采用键合温度为400℃,电压为1200 V,压力为450 Pa,可获得键合面积大于90%的带有Si3N4薄膜的三层阳极键合结构。 展开更多

关键词 阳极键合 Si3N4薄膜 玻璃-硅-玻璃 三层键合

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硅-玻璃-硅阳极键合机理及力学性能 被引量：7

3

作者 陈大明 胡利方 +1 位作者 时方荣 孟庆森 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期123-127,166,共6页

采用两步法阳极键合技术成功实现了硅-玻璃-硅的连接.两次键合过程中,电流特征有明显差异,第一次键合电流先迅速增大到峰值电流,然后迅速衰减至一较小值.受先形成Na+离子耗尽层的影响,第二次键合电流从峰值电流衰减的过程中,出现二次增... 采用两步法阳极键合技术成功实现了硅-玻璃-硅的连接.两次键合过程中,电流特征有明显差异,第一次键合电流先迅速增大到峰值电流,然后迅速衰减至一较小值.受先形成Na+离子耗尽层的影响,第二次键合电流从峰值电流衰减的过程中,出现二次增大然后衰减的现象.利用扫描电镜对键合界面进行观察,结果表明玻璃两侧界面均键合良好,玻璃表面可观察到大量析出物.利用万能材料试验机对键合强度进行测试,结果表明,界面强度随着键合电压的升高而增大.断裂主要发生在玻璃基体内部靠近第二次键合界面一侧. 展开更多

关键词 阳极键合 硅-玻璃-硅 电子封装 键合强度

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Ag-In共晶键合在硅-铜封接中的应用 被引量：1

4

作者 解亚杰 常仁超 +3 位作者 王蓝陵 夏宗禹 毕海林 王旭迪 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第12期1157-1163,共7页

目前在真空领域对于硅-铜封接的常用方式为Torr-Seal胶封接和玻璃粉高温烧结方式,但因其高放气率和玻璃粉污染等问题在超高真空受到限制,因此迫切需要一种气密性好、放气率低、工艺温和的封接方法。本文提出了一种基于Ag-In合金的硅-铜... 目前在真空领域对于硅-铜封接的常用方式为Torr-Seal胶封接和玻璃粉高温烧结方式,但因其高放气率和玻璃粉污染等问题在超高真空受到限制,因此迫切需要一种气密性好、放气率低、工艺温和的封接方法。本文提出了一种基于Ag-In合金的硅-铜的新封接方法,即利用Ag-In合金中间层将硅片封接到无氧铜板支撑件上,并通过法兰连接到真空测试系统中。研究优化了无氧铜板支撑件的的结构设计并通过ANSYS Workbench验证合金层的缓冲作用,通过实验找到最佳的封接工艺参数,并使用氦质谱检漏仪测量了封接组件的本底漏率。测量结果显示,在一个大气压的上游压力下测得的最小本底漏率为7.49×10^(-12)Pa·m^(3)/s。 展开更多

关键词 硅-铜封接 共晶键合 Ag-In合金 热应力仿真

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基于Si-SOI键合工艺的CMUT二维面阵研制 被引量：2

5

作者 王月 何常德 张文栋 《压电与声光》 CAS 北大核心 2021年第4期528-532,共5页

该文设计、制作并测试了一种用于实时三维超声成像的电容式微机械超声换能器(CMUT)二维面阵。根据二维面阵指向性分析,设计了中心频率1 MHz、阵元间距0.7λ(λ为波长)的16×16阵元CMUT二维面阵,并利用硅-绝缘体上硅(Si-SOI)键合工... 该文设计、制作并测试了一种用于实时三维超声成像的电容式微机械超声换能器(CMUT)二维面阵。根据二维面阵指向性分析,设计了中心频率1 MHz、阵元间距0.7λ(λ为波长)的16×16阵元CMUT二维面阵,并利用硅-绝缘体上硅(Si-SOI)键合工艺完成了CMUT二维面阵的加工。通过对CMUT二维面阵进行电容-电压(C-V)测试,发现静态电容测试值与设计值基本一致,测量了CMUT二维面阵中64个阵元的电容,测量的平均电容为26.3 pF,其标准差为4.27 pF,验证了所制造的器件具有良好的均匀性。在水中测试了CMUT二维面阵的超声发射和接收功能,得到测试距离与实际距离偏差不到1%,实验表明,不同距离下CMUT的发射和接收能力良好。 展开更多

关键词 电容式微机械超声换能器(CMUT) 二维面阵 硅-绝缘体上硅(si-soi)键合 电容-电压(C-V)测试 收发特性

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MEMS器件用Cavity-SOI制备中的晶圆键合工艺研究

6

作者 刘福民 杨静 +3 位作者 梁德春 吴浩越 马骁 王学锋 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2022年第3期58-61,共4页

微机电系统(MEMS)器件用预埋腔体绝缘体上硅(Cavity-SOI)直接键合制备过程中,预埋腔体刻蚀后残余应力导致的衬底层变形会影响绝缘体上硅(SOI)晶圆的面形参数和键合质量。对衬底层残余应力变形与Cavity-SOI键合质量的关系进行了实验研究... 微机电系统(MEMS)器件用预埋腔体绝缘体上硅(Cavity-SOI)直接键合制备过程中,预埋腔体刻蚀后残余应力导致的衬底层变形会影响绝缘体上硅(SOI)晶圆的面形参数和键合质量。对衬底层残余应力变形与Cavity-SOI键合质量的关系进行了实验研究,分析了衬底片残余应力变形与SOI面形之间的对应关系,用破坏性剪切试验、埋氧层腐蚀等方法研究了衬底层变形对键合质量的影响。结果表明:衬底层的键合面存在一定程度的凸起变形时,Cavity-SOI片的键合质量最好。 展开更多

关键词 预埋腔体绝缘体上硅 Si-SiO_(2)直接键合 薄膜应力

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新型硅-铝-硅结构MEMS加工技术及应用

7

作者 徐永青 杨拥军 +1 位作者 郑七龙 李海军 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期422-423,共2页

提出了一种新型的硅-铝-硅结构的MEMS器件加工技术.采用了微电子工艺中的铝-硅烧结技术,将具有铝层的两个硅片键合在一起,并采用全干法深刻蚀技术在其中的一层硅片上进行MEMS器件的加工.该技术已成功应用到MEMS光开关及其他MEMS器件的... 提出了一种新型的硅-铝-硅结构的MEMS器件加工技术.采用了微电子工艺中的铝-硅烧结技术,将具有铝层的两个硅片键合在一起,并采用全干法深刻蚀技术在其中的一层硅片上进行MEMS器件的加工.该技术已成功应用到MEMS光开关及其他MEMS器件的制作中. 展开更多

关键词 MEMS 体硅工艺 硅-铝-硅(SAS) 合金 键合 光开关

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一种采用圆片级真空封装的全硅MEMS三明治电容式加速度计 被引量：4

8

作者 胡启方 李男男 +3 位作者 邢朝洋 刘宇 庄海涵 徐宇新 《中国惯性技术学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第6期804-809,共6页

全硅MEMS加速度计具有温度特性好、封装体积小、成本低的优点,从而成为小型化GNC(制导、导航与控制)系统的关键器件。给出了一种具有三层硅结构的MEMS三明治加速度计的设计、加工以及圆片级真空封装方法,其中,中间硅摆片的3D结构通过双... 全硅MEMS加速度计具有温度特性好、封装体积小、成本低的优点,从而成为小型化GNC(制导、导航与控制)系统的关键器件。给出了一种具有三层硅结构的MEMS三明治加速度计的设计、加工以及圆片级真空封装方法,其中,中间硅摆片的3D结构通过双面KOH湿法腐蚀制造,腐蚀过程中使用台阶化的SiO_2作为硬掩模。硅盖板的加工主要通过KOH各向异性腐蚀和电感耦合等离子体垂直刻蚀完成。最后,上、下硅盖板通过基于Au-Si共晶反应的全硅键合技术从两侧与硅中间摆片进行键合,并实现圆片级真空封装。三明治加速度计的腔体内封装了压力为200 Pa的高纯氮气。测试结果表明,所述加速度计的闭环输出灵敏度为0.575 V/g,零位误差为0.43 g。加速度计的-3dB带宽为278.14Hz。加速度计1 h的输出稳定性为2.23×10-4 g(1σ)。加速度计在全温范围(-40℃~60℃)内的输出漂移为45.78 mg,最大温度滞环为3.725 mg。 展开更多

关键词 MEMS 加速度计 圆片级真空封装 金-硅共晶键合

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埋氧层对SOI/玻璃键合的影响及其键合工艺的改进 被引量：2

9

作者 郑志霞 冯勇建 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1011-1015,共5页

运用阳极键合技术,对绝缘体上硅(SOI)/玻璃进行阳极键合实验,发现当埋氧层厚度超过500nm时,键合很难成功.分析了SOI埋氧层厚度对耗尽层电压降及键合静电力的影响,得出由于埋氧层的分压作用,耗尽层的压降减小,键合静电力减弱,导致键合失... 运用阳极键合技术,对绝缘体上硅(SOI)/玻璃进行阳极键合实验,发现当埋氧层厚度超过500nm时,键合很难成功.分析了SOI埋氧层厚度对耗尽层电压降及键合静电力的影响,得出由于埋氧层的分压作用,耗尽层的压降减小,键合静电力减弱,导致键合失败.通过设计高压直流和高压脉冲两种输出方式的电源系统,提高氧负离子的迁移速率从而提高键合速度.从平板式阳极引一根探针电极到SOI器件层表面,使键合电压直接加在耗尽层上,避免埋氧层厚度对键合的影响,提高键合静电力.实验表明,通过改进的键合设备能实现不同氧化层厚度的SOI片与玻璃间的键合,该设备还适用于其他异质材料间的阳极键合. 展开更多

关键词 绝缘体上硅 阳极键合 埋氧层 键合电压 脉冲电源

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SOI压阻传感器的阳极键合结合面检测

10

作者 陈立国 王挺 +1 位作者 李亚娣 潘明强 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期1382-1388,共7页

由于当前绝缘体上硅(SOI)压阻传感器芯片的封装质量仍依赖人工检测,本文提出了一种自动实现该项检测的视觉检测方法。分析了压阻传感器的工作原理,研究了芯片定位精度和结合面质量对传感器性能的影响。以传感器性能和质量为导向,提出了... 由于当前绝缘体上硅(SOI)压阻传感器芯片的封装质量仍依赖人工检测,本文提出了一种自动实现该项检测的视觉检测方法。分析了压阻传感器的工作原理,研究了芯片定位精度和结合面质量对传感器性能的影响。以传感器性能和质量为导向,提出了一种以中心定位偏差和键合面结合度为检测点的封装结合面检测方法。该方法通过对Hough圆检测效果和实际图像的分析完成定位精度的检测;基于对传感器质量影响因素的分析和气泡面积的统计实现结合面质量的检测。在传感器实际制造封装过程中对该视觉检测算法进行了实验验证。结果表明:该方法能识别的结合面上的最小气泡直径为6μm;玻璃内孔半径检测误差约为0.015mm.。本文提出的基于视觉检测的方法基本满足了压阻传感器封装对结合面检测的要求,有助于实现封装质量的自动化检测。 展开更多

关键词 绝缘体上硅(SOI) 压阻传感器 芯片 封装质量 视觉检测 阳极键合

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SOI压力传感器阳极键合残余应力研究 被引量：6

11

作者 李玉玲 王明伟 +1 位作者 张林超 吴佐飞 《传感器与微系统》 CSCD 2018年第11期18-20,共3页

绝缘体上硅(SOI)压力传感器通常采用阳极键合实现圆片级气密封装,硅片和硼硅玻璃片通过阳极键合技术在360℃左右形成可靠的结合。硅片和硼硅玻璃片的热膨胀系数不能完全匹配,降温后的硅—玻璃圆片必然会存在残余应力。残余应力直接影响... 绝缘体上硅(SOI)压力传感器通常采用阳极键合实现圆片级气密封装,硅片和硼硅玻璃片通过阳极键合技术在360℃左右形成可靠的结合。硅片和硼硅玻璃片的热膨胀系数不能完全匹配,降温后的硅—玻璃圆片必然会存在残余应力。残余应力直接影响传感器性能、稳定性和可靠性。建立了残余应力计算模型,分析了残余应力与硼硅玻璃片厚度的关系;完成了键合试验,通过测量圆片曲率半径得到了弯曲应力的量值,验证了通过调整玻璃片厚度实现应力匹配的方法。样品测试结果表明:通过应力匹配减小了工艺残余应力,有效提高了压力传感器的长期稳定性。 展开更多

关键词 绝缘体上硅压力传感器 阳极键合 残余应力 应力匹配

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圆片级叠层键合技术在SOI高温压力传感器中的应用 被引量：4

12

作者 齐虹 丁文波 +3 位作者 张松 张林超 田雷 吴佐飞 《传感器与微系统》 CSCD 2019年第2期154-156,16,共4页

针对绝缘体上硅(SOI)异质异构结构特点,提出了两次对准和两次阳极键合工艺方法,实现了圆片级SOI高温压力传感器硅敏感芯片的叠层键合。采用玻璃—硅—玻璃三层结构的SOI压力芯片具有良好的密封性和键合强度。经测试结果表明:SOI高温压... 针对绝缘体上硅(SOI)异质异构结构特点,提出了两次对准和两次阳极键合工艺方法,实现了圆片级SOI高温压力传感器硅敏感芯片的叠层键合。采用玻璃—硅—玻璃三层结构的SOI压力芯片具有良好的密封性和键合强度。经测试结果表明:SOI高温压力传感器芯片键合界面均匀平整无缺陷,漏率低于5×10^(-9)Pa·m^3/s,键合强度大于3 MPa。对芯片进行无引线封装,在500℃下测试得出传感器总精度小于0. 5%FS。 展开更多

关键词 叠层键合 绝缘体上硅 高温压力传感器 异质异构

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基于腔体SOI的CMUT工艺方法及性能研究

13

作者 曾祥铖 陈佳琪 +3 位作者 孙佳丽 王任鑫 贾利成 杨玉华 《压电与声光》 北大核心 2025年第2期343-351,共9页

针对目前水下超声检测对超声探头结构尺寸、灵敏度及可靠性等方面的更高要求,提出了一种基于腔体绝缘体上硅工艺设计并制备微小电容式微机械超声换能器(CMUT)的方法,并通过封装完成了CMUT电学性能测试以及水下性能表征。测试结果表明,... 针对目前水下超声检测对超声探头结构尺寸、灵敏度及可靠性等方面的更高要求,提出了一种基于腔体绝缘体上硅工艺设计并制备微小电容式微机械超声换能器(CMUT)的方法,并通过封装完成了CMUT电学性能测试以及水下性能表征。测试结果表明,此方法制备的CMUT具有更高的良品率与一致性,且其发送电压响应级为169.03 dB、接收灵敏度为−211.31 dB、相对带宽为121%,表现出优异的灵敏度特性与指向性(−6 dB波束宽度为8°)。这种新型的CMUT制备方法为未来CMUT高密度集成及水下超声检测提供了理论支持与依据。 展开更多

关键词 电容式微机械超声换能器 晶圆键合工艺 腔体绝缘体上硅 灵敏度 带宽 指向性

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基于SOI-MEMS工艺的谐振式压力传感器研究 被引量：1

14

作者 曹明威 陈德勇 +2 位作者 王军波 焦海龙 张健 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期801-805,共5页

提出了一种电磁激励、差分检测的谐振式MEMS压力传感器,该器件采用低电阻率的SOI器件层单晶硅制作"H"型谐振梁,并作为激励和检测电极。根据对传感器数学模型的分析,利用有限元分析方法优化了传感器结构设计。采用等离子深刻... 提出了一种电磁激励、差分检测的谐振式MEMS压力传感器,该器件采用低电阻率的SOI器件层单晶硅制作"H"型谐振梁,并作为激励和检测电极。根据对传感器数学模型的分析,利用有限元分析方法优化了传感器结构设计。采用等离子深刻蚀制作传感器结构,并用湿法腐蚀SOI二氧化硅层的方法释放。利用硅-玻璃阳极键合技术,实现了传感器的圆片级真空封装。采用开环扫描检测和闭环自激振荡方式,测定压力传感器的特性。实验结果表明:传感器一致性良好,在500 hPa～1 100 hPa的检测范围内,差分检测灵敏度为14.96 Hz/hPa,线性相关系数为0.999 996。 展开更多

关键词 微电子机械系统 谐振式压力传感器 绝缘体上硅 差分检测 阳极键合

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谐振式MEMS压力传感器的制作及圆片级真空封装 被引量：26

15

作者 陈德勇 曹明威 +2 位作者 王军波 焦海龙 张健 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期1235-1242,共8页

为了提高传感器的品质因数,有效保护谐振器,提出了一种基于绝缘体上硅(SOI)-玻璃阳极键合工艺的谐振式微电子机械系统(MEMS)压力传感器的制作及真空封装方法。该方法采用反应离子深刻蚀技术(DRIE),分别在SOI晶圆的低电阻率器件层和基底... 为了提高传感器的品质因数,有效保护谐振器,提出了一种基于绝缘体上硅(SOI)-玻璃阳极键合工艺的谐振式微电子机械系统(MEMS)压力传感器的制作及真空封装方法。该方法采用反应离子深刻蚀技术(DRIE),分别在SOI晶圆的低电阻率器件层和基底层上制作H型谐振梁与压力敏感膜;然后,通过氢氟酸缓冲液腐蚀SOI晶圆的二氧化硅层释放可动结构。最后,利用精密机械加工技术在Pyrex玻璃圆片上制作空腔和电连接通孔,通过硅-玻璃阳极键合实现谐振梁的圆片级真空封装和电连接,成功地将谐振器封装在真空参考腔中。对传感器的性能测试表明:该真空封装方案简单有效,封装气密性良好;传感器在10kPa^110kPa的差分检测灵敏度约为10.66 Hz/hPa,线性相关系数为0.99999 542。 展开更多

关键词 微电子机械系统 谐振式压力传感器 绝缘体上硅(SOI) 阳极键合 真空封装

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MEMS封装技术及标准工艺研究 被引量：17

16

作者 关荣锋 汪学方 +4 位作者 甘志银 王志勇 刘胜 张鸿海 黄德修 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期50-54,65,共6页

分析了MEMS的特点及封装工艺对MEMS的影响,给出了对MEMS封装的基本要求。研究了MEMS封装工艺中的一些关键技术,即硅-硅和硅-玻璃键合技术、清洗与引线键合技术、焊料贴片和胶粘技术以及气密封帽技术等,并给出了一些重要的研究结果。同... 分析了MEMS的特点及封装工艺对MEMS的影响,给出了对MEMS封装的基本要求。研究了MEMS封装工艺中的一些关键技术,即硅-硅和硅-玻璃键合技术、清洗与引线键合技术、焊料贴片和胶粘技术以及气密封帽技术等,并给出了一些重要的研究结果。同时也介绍对几种MEMS惯性器件的封装要求及封装方法。 展开更多

关键词 MEMS封装大才疏 金-硅键合 贴片 引线键合 封帽

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MEMS陀螺芯片的晶圆级真空封装 被引量：2

17

作者 刘福民 张乐民 +2 位作者 张树伟 刘宇 王学锋 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2022年第1期15-18,23,共5页

微机电系统(MEMS)陀螺需要真空封装以确保其检测精度,晶圆级真空封装可以使MEMS微结构避免芯片切割过程中的粘连以及颗粒污染,提高芯片的成品率。为实现MEMS陀螺芯片的晶圆级真空封装,提出了一种全硅MEMS陀螺芯片的晶圆级真空封装结构方... 微机电系统(MEMS)陀螺需要真空封装以确保其检测精度,晶圆级真空封装可以使MEMS微结构避免芯片切割过程中的粘连以及颗粒污染,提高芯片的成品率。为实现MEMS陀螺芯片的晶圆级真空封装,提出了一种全硅MEMS陀螺芯片的晶圆级真空封装结构方案,并突破了Si-SiO_(2)直接键合、吸气剂制备、金-硅(Au-Si)键合等关键技术,实现了MEMS芯片的晶圆级真空封装。Si-SiO_(2)直接键合和Au-Si共晶键合的剪切强度分别达到了56.5 MPa和35.5 MPa,表明晶圆级封装中晶圆键合强度满足晶圆级真空封装的需要。晶圆级真空封装实现陀螺仪谐振最大Q值为103879,对应的真空压力为2 Pa左右,陀螺仪芯片已达到MEMS陀螺工程化的需要。 展开更多

关键词 晶圆级真空封装 微机电系统陀螺仪 硅-二氧化硅直接键合 金-硅键合 吸气剂

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薄膜SOI上大于600 V LDMOS器件的研制

18

作者 王中健 夏超 +3 位作者 徐大伟 程新红 宋朝瑞 俞跃辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期254-257,共4页

针对600 V以上SOI高压器件的研制需要,分析了SOI高压器件在纵向和横向上的耐压原理。通过比较提出薄膜SOI上实现高击穿电压方案,并通过仿真预言其可行性。在埋氧层为3μm,顶层硅为1.5μm的注氧键合(Simbond)SOI衬底上开发了与CMOS工艺... 针对600 V以上SOI高压器件的研制需要,分析了SOI高压器件在纵向和横向上的耐压原理。通过比较提出薄膜SOI上实现高击穿电压方案,并通过仿真预言其可行性。在埋氧层为3μm,顶层硅为1.5μm的注氧键合(Simbond)SOI衬底上开发了与CMOS工艺兼容的制备流程。为实现均一的横向电场,设计了具有线性渐变掺杂60μm漂移区的LDMOS结构。为提高纵向耐压,利用场氧技术对硅膜进行了进一步减薄。流片实验的测试结果表明,器件关态击穿电压可达600 V以上(实测832 V),开态特性正常,阈值电压提取为1.9 V,计算开态电阻为50Ω.mm2。 展开更多

关键词 绝缘体上硅 横向扩散金属氧化物半导体 击穿电压 线性渐变掺杂 注氧键合

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SOI高温压力传感器无引线倒装式封装研究 被引量：9

19

作者 董志超 雷程 +3 位作者 梁庭 薛胜方 宫凯勋 武学占 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2021年第11期65-68,共4页

绝缘体上硅(SOI)压阻式压力传感器理论工作温度可达450℃,但传统的器件在高温、振动以及高腐蚀环境中电连接容易失效。开展基于无引线倒装式封装芯片方法的研究。首先,在完成SOI压力传感器芯片制备的基础上,提出了基于阳极键合工艺和玻... 绝缘体上硅(SOI)压阻式压力传感器理论工作温度可达450℃,但传统的器件在高温、振动以及高腐蚀环境中电连接容易失效。开展基于无引线倒装式封装芯片方法的研究。首先,在完成SOI压力传感器芯片制备的基础上,提出了基于阳极键合工艺和玻璃通孔填充(TGV)工艺的倒装式封装方案;其次,研究带有图形的硼硅玻璃和SOI阳极键合工艺,以及基于电镀工艺的通孔金属填充工艺,并对键合强度、键合界面、金属填充效果以及电连接性能进行测试;最后,针对封装好的芯片在常温环境下进行传感器气密性、电连接性能、线性度以及重复度等性能进行测试,进一步验证无引线倒装式封装方法的可行性和有效性。 展开更多

关键词 绝缘体上硅(SOI) 无引线倒装 阳极键合 玻璃通孔填充(TGV) 气密性

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