HPLC级二氧化硅微球的制备及其功能化 被引量：1

1

作者 包建民 王惠柳 李优鑫 《精细化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期1457-1465,共9页

采用酸．碱催化的溶胶一凝胶法制备二氧化硅微球，系统探索了水用量、乙醇用量、旋蒸温度、搅拌速度和致孔剂种类对二氧化硅微球形态和粒径分布的影响。将制得的二氧化硅微球经简单沉降筛分及功能化后，获得了C18键合硅胶、亲水C18键合... 采用酸．碱催化的溶胶一凝胶法制备二氧化硅微球，系统探索了水用量、乙醇用量、旋蒸温度、搅拌速度和致孔剂种类对二氧化硅微球形态和粒径分布的影响。将制得的二氧化硅微球经简单沉降筛分及功能化后，获得了C18键合硅胶、亲水C18键合硅胶、氨丙基键合硅胶、乙二胺．Ⅳ．丙基键合硅胶4种键合硅胶。结果表明：最佳的二氧化硅微球制备条件为，n（H20）：n[正硅酸乙酯（TEOS）]=6：4，V（EtOH）：V（TEOS）=3：5，旋蒸温度为57℃，搅拌速度为2190r／min，致孔剂为N,N-二甲基甲酰胺（DMF）。所制二氧化硅微球球形度好、粒径分布为3～10μm、比表面积为464．11m2／g、孔体积为1．14m3/g、平均孔径为9．81nm，且孔径分布窄、硅羟基含量高达0．5450mmol／g。C18键合硅胶和亲水C18键合硅胶的柱效分别为53474／m和86984／m（以甲苯计），且对分析物的分离良好。氨丙基键合硅胶和乙二胺-N-丙基键合硅胶的离子交换容量分别为1．44和1．22mmol／g，对甲苯磺酸吸附量分别为240．8和217．6mg／g。 展开更多

关键词 溶胶-凝胶法 二氧化硅微球 C18键合硅胶 亲水C18键合硅胶 氨丙基键合硅胶 乙二胺-N-丙基键合硅胶

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硅-硅直接键合界面上SiO_2的非稳定性 被引量：2

2

作者 何进 王新 陈星弼 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期494-497,共4页

对硅一硅直接健合界面上的SiO2进行了研究。借助高真空的AES和高分辨率的SEM显微分析观察到界面上的SiO2化学组成为非化学计量比的SiO1.5，以类球形小岛状均匀分布于键合界面上，平均半径远大于界面自然氧化层。对界面SiO2的理论分析表... 对硅一硅直接健合界面上的SiO2进行了研究。借助高真空的AES和高分辨率的SEM显微分析观察到界面上的SiO2化学组成为非化学计量比的SiO1.5，以类球形小岛状均匀分布于键合界面上，平均半径远大于界面自然氧化层。对界面SiO2的理论分析表明，为了降低界面自由能，界面SiO2必然最大限度地减少其表面积，从而以类球形小岛分布于界面上，其平均半径至少大于自然氧化层的1.5倍。假定平衡界面因子为12时，同时考虑氧扩散引起的SiO2融解和界面自由能减小引起的成核长大效应，理论计算与实验结果相吻合。 展开更多

关键词 硅片直接键合 二氧化硅 界面自由能 非稳定性

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硅基钽酸锂异质晶圆键合工艺研究 被引量：3

3

作者 陈哲明 丁雨憧 +3 位作者 邹少红 龙勇 石自彬 马晋毅 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第4期634-640,共7页

5G移动通信的发展对声表面波滤波器提出了高频、小型化、集成化的要求。相较于传统压电体单晶材料,采用硅基压电单晶薄膜材料制备的声表面波滤波器具有高频、低插入损耗、高温稳定性等优势,是高性能声表面波器件发展的核心基础材料。Sma... 5G移动通信的发展对声表面波滤波器提出了高频、小型化、集成化的要求。相较于传统压电体单晶材料,采用硅基压电单晶薄膜材料制备的声表面波滤波器具有高频、低插入损耗、高温稳定性等优势,是高性能声表面波器件发展的核心基础材料。Smart-Cut^(TM)是制备硅基压电单晶薄膜材料的主要方法,键合工艺是其中的核心工序,键合质量决定了硅基压电单晶薄膜晶圆材料的质量,并影响器件性能。本文通过低温直接键合工艺,对等离子活化、兆声清洗、预键合、键合加固四道工序展开优化,最终实现了键合强度高达1.84 J/m^(2)、键合面积超过99.9%的高质量硅基钽酸锂异质晶圆键合。 展开更多

关键词 硅基钽酸锂 低温直接键合 等离子活化 兆声清洗 预键合 键合加固 声表面波滤波器

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直接键合硅片的亲水处理及其表征 被引量：16

4

作者 何进 陈星弼 +1 位作者 杨传仁 王新 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期23-25,29,共4页

硅片直接键合（ＳＤＢ） 技术的关键在于硅片表面的亲水处理， 本文分析了亲水处理之微观机理。从界（表） 面物理化学角度讨论了接触角对硅片表面亲水性的表征及其准确测量方法，

关键词 硅片直接键合 亲水处理 接触角 SDB技术 硅

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硅/硅直接键合(SDB)平面型高反压大功率晶体管研究 被引量：4

5

作者 詹娟 刘光廷 孔德平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第5期48-50,47,共4页

本文介绍了近年新发展起来的硅片直接键合(SDB)技术,并利用该技术制造了性能良好的平面型高反压大功率晶体管,SDB技术比起常规的三重扩散和厚外延两种技术具有更吸引人的长处:①温度低、时间短;②高阻区厚度任意选择;③高阻区掺杂浓度... 本文介绍了近年新发展起来的硅片直接键合(SDB)技术,并利用该技术制造了性能良好的平面型高反压大功率晶体管,SDB技术比起常规的三重扩散和厚外延两种技术具有更吸引人的长处:①温度低、时间短;②高阻区厚度任意选择;③高阻区掺杂浓度也可以任意选择(由任意选择晶片电阻率而定)。 展开更多

关键词 功率晶体管 直接键合 SDB 硅/硅

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几种手性醇在纤维素键合的SBA-15基手性固定相上的直接拆分 被引量：5

6

作者 杜明霞 钱先华 +2 位作者 王利平 邵鑫 李文智 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期902-907,共6页

在强酸性条件下,以三嵌段聚醚P123为模板,合成了孔径大且粒径均匀的SBA-15介孔二氧化硅微球.将含有少量三乙氧硅丙基氨基甲酸酯残基的纤维素-三(3,5-二甲基苯基氨基甲酸酯)通过分子间缩聚作用固载到氨丙基化的SBA-15微球上,制得手性固定... 在强酸性条件下,以三嵌段聚醚P123为模板,合成了孔径大且粒径均匀的SBA-15介孔二氧化硅微球.将含有少量三乙氧硅丙基氨基甲酸酯残基的纤维素-三(3,5-二甲基苯基氨基甲酸酯)通过分子间缩聚作用固载到氨丙基化的SBA-15微球上,制得手性固定相;采用常规和非常规的流动相模式,对一些芳香醇的消旋体进行了手性拆分.实验结果表明,所制备的SBA-15微球不仅分散性良好,具有规则的二维六方孔道结构,而且消除了微孔;所制备的键合手性固定相不仅固载手性选择剂的量大,而且经六甲基二硅胺烷封端后可有效改善拖尾现象,对实验选用的手性醇具有较高的拆分能力;与大孔硅胶为基质的同类纤维素键合手性固定相相比,该固定相对同种手性消旋体的分离因子明显提高. 展开更多

关键词 介孔SBA-15二氧化硅微球 纤维素-三(3 5-二甲基苯基氨基甲酸酯) 键合手性固定相 手性分离

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玻璃-硅微结构封装过程工艺参数对键合质量的影响 被引量：2

7

作者 李嘉 郭浩 +2 位作者 郭志平 苗淑静 王景祥 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2015年第10期4-6,共3页

通过MEMS封装试验平台,对键合过程中的键合温度、键合时间等工艺参数以及试验硅片规格进行试验研究。通过改变键合温度、键合时间以及试验硅片规格等参数,进行玻璃-硅键合对比试验。计算每组对比试验的键合空隙率,分析每组对比试验空隙... 通过MEMS封装试验平台,对键合过程中的键合温度、键合时间等工艺参数以及试验硅片规格进行试验研究。通过改变键合温度、键合时间以及试验硅片规格等参数,进行玻璃-硅键合对比试验。计算每组对比试验的键合空隙率,分析每组对比试验空隙率的数据,归纳总结影响键合质量的因素以及达到键合最佳效果的键合条件。试验结果表明：键合电压为1 200 V,温度为445~455℃,键合时间为60 s时,空隙率小于5%,玻璃与硅片的键合质量达到最佳,为提高玻璃-硅键合质量提供了依据。 展开更多

关键词 MEMS 玻璃-硅键合 封装试验 空隙率

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硅/硅直接键合界面的AES分析 被引量：2

8

作者 刘光廷 詹娟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第2期24-26,共3页

本文应用AES分析的方法,对硅/硅直接键合界面进行了研究,给出了实验结果,并对实验结果进行了分析论证。

关键词 硅 直接键合 界面 AES分析 外延

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硅/硅直接键合制造双极型静电感应晶体管 被引量：1

9

作者 李思渊 桑保生 +1 位作者 刘肃 杨建红 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第6期15-16,共2页

用硅/硅直接键合片(SDB)代替了高阻外延片成功地制造了新型电力器件双极型静电感应晶体管(BSIT),正向阻断电压800V以上,漏极输出电流2A,展示了SDB片广阔的应用前景。

关键词 双极晶体管 制造 硅/硅 直接键合片

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硅片直接键合的微观动力学研究 被引量：1

10

作者 何进 陈星弼 王新 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第6期33-35,共3页

基于直接键合硅片表面能与退火温度的关系曲线， 定量讨论了键合时键合界面上的微观动力学变化过程。首次提出五阶段键合模型计算值与实测表面能曲线相一致，初步确定了键合过程中界面发生的微观反应机理。

关键词 硅片直接键合 微观动力学 硅微结构

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直接键合硅片的亲水处理 被引量：4

11

作者 詹娟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第6期54-56,共3页

硅片直接键合技术的关键是硅片表面的亲水处理。本文研究了亲水处理的微观过程，处理溶液的选择条件及处理的方法。指出只要具有氧化剂的硅片清洗液都可以做亲水处理液。

关键词 硅 直接键合 亲水处理 微观过程

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硅直接键合局部应变的X—射线双晶衍射研究 被引量：1

12

作者 黄庆安 张会珍 +1 位作者 陈军宁 童勤义 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期184-186,共3页

硅直接键合工艺(SDB)自1986年Shimbo提出以来,日益受到国内外的重视。SDB与IC工艺兼容且具灵活的优点,为硅传感器提供了一种新的加工手段。对力学量传感器而言,传感原理是通过外加负载在硅中产生应变,而硅直接键合工艺是否引入新的应变。

关键词 硅传感器 硅直接键合 X线双晶衍射

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硅／硅直接键合SDB硅片的减薄研究

13

作者 陈军宁 傅兴华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第1期40-43,共4页

研究了硅／硅直接键合ＳＤＢ硅片的精密机械／化学抛光减薄方法，进行了实验，分析了减薄后工作硅膜的平整性和膜厚的均匀性等重要技术指标，讨论了影响这些技术指标的因素。

关键词 抛光 减薄 硅/硅直接键合 硅片

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带有Si_3N_4薄膜的玻璃-硅-玻璃三层结构的阳极键合 被引量：3

14

作者 林智鑫 王盛贵 +2 位作者 刘琦 曾毅波 郭航 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2013年第8期63-66,70,共5页

为了获得高品质的带有Si3N4薄膜三层(玻璃—硅—玻璃)的阳极键合结构,对阳极键合的相关工艺参数进行了研究;设计搭建了实验平台并采用点阴极,以实时观察键合界面是否达到同形质的黑色从而判断阳极键合质量,对键合后的样品进行拉力测试,... 为了获得高品质的带有Si3N4薄膜三层(玻璃—硅—玻璃)的阳极键合结构,对阳极键合的相关工艺参数进行了研究;设计搭建了实验平台并采用点阴极,以实时观察键合界面是否达到同形质的黑色从而判断阳极键合质量,对键合后的样品进行拉力测试,研究表明:当采用键合温度为400℃,电压为1200 V,压力为450 Pa,可获得键合面积大于90%的带有Si3N4薄膜的三层阳极键合结构。 展开更多

关键词 阳极键合 Si3N4薄膜 玻璃-硅-玻璃 三层键合

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基于硅硅低温直接键合的MEMS打印喷头制作工艺 被引量：2

15

作者 翟彦昭 蔡安江 +2 位作者 张栋鹏 韩超 李力 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期1220-1226,共7页

针对一种MEMS压电式集成打印喷头复杂腔室结构的加工,提出了一套基于ICP刻蚀结合硅硅低温直接键合的制作工艺。首先通过ICP体硅干法刻蚀工艺分别制作了打印喷头的上下腔室结构,然后将带有上下腔室结构的两硅片进行低温直接键合,形成完... 针对一种MEMS压电式集成打印喷头复杂腔室结构的加工,提出了一套基于ICP刻蚀结合硅硅低温直接键合的制作工艺。首先通过ICP体硅干法刻蚀工艺分别制作了打印喷头的上下腔室结构,然后将带有上下腔室结构的两硅片进行低温直接键合,形成完整的打印喷头腔室。通过对打印喷头上下腔室结构的键合实验研究,进一步探索并验证了硅硅低温直接键合的机理,重点研究了不同活化方法和退火时间对复杂腔室结构键合质量的影响,优化了低温直接键合工艺,为带有复杂三维结构的MEMS器件的制作奠定了工艺基础。测试结果表明,制作完成的MEMS打印喷头具有较高的键合强度,且其腔室流道的完整性和密封性良好。 展开更多

关键词 MEMS 低温直接键合 硅 活化 界面 打印喷头 加工制造

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硅-玻璃-硅阳极键合机理及力学性能 被引量：7

16

作者 陈大明 胡利方 +1 位作者 时方荣 孟庆森 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期123-127,166,共6页

采用两步法阳极键合技术成功实现了硅-玻璃-硅的连接.两次键合过程中,电流特征有明显差异,第一次键合电流先迅速增大到峰值电流,然后迅速衰减至一较小值.受先形成Na+离子耗尽层的影响,第二次键合电流从峰值电流衰减的过程中,出现二次增... 采用两步法阳极键合技术成功实现了硅-玻璃-硅的连接.两次键合过程中,电流特征有明显差异,第一次键合电流先迅速增大到峰值电流,然后迅速衰减至一较小值.受先形成Na+离子耗尽层的影响,第二次键合电流从峰值电流衰减的过程中,出现二次增大然后衰减的现象.利用扫描电镜对键合界面进行观察,结果表明玻璃两侧界面均键合良好,玻璃表面可观察到大量析出物.利用万能材料试验机对键合强度进行测试,结果表明,界面强度随着键合电压的升高而增大.断裂主要发生在玻璃基体内部靠近第二次键合界面一侧. 展开更多

关键词 阳极键合 硅-玻璃-硅 电子封装 键合强度

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Ag-In共晶键合在硅-铜封接中的应用 被引量：1

17

作者 解亚杰 常仁超 +3 位作者 王蓝陵 夏宗禹 毕海林 王旭迪 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第12期1157-1163,共7页

目前在真空领域对于硅-铜封接的常用方式为Torr-Seal胶封接和玻璃粉高温烧结方式,但因其高放气率和玻璃粉污染等问题在超高真空受到限制,因此迫切需要一种气密性好、放气率低、工艺温和的封接方法。本文提出了一种基于Ag-In合金的硅-铜... 目前在真空领域对于硅-铜封接的常用方式为Torr-Seal胶封接和玻璃粉高温烧结方式,但因其高放气率和玻璃粉污染等问题在超高真空受到限制,因此迫切需要一种气密性好、放气率低、工艺温和的封接方法。本文提出了一种基于Ag-In合金的硅-铜的新封接方法,即利用Ag-In合金中间层将硅片封接到无氧铜板支撑件上,并通过法兰连接到真空测试系统中。研究优化了无氧铜板支撑件的的结构设计并通过ANSYS Workbench验证合金层的缓冲作用,通过实验找到最佳的封接工艺参数,并使用氦质谱检漏仪测量了封接组件的本底漏率。测量结果显示,在一个大气压的上游压力下测得的最小本底漏率为7.49×10^(-12)Pa·m^(3)/s。 展开更多

关键词 硅-铜封接 共晶键合 Ag-In合金 热应力仿真

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MEMS器件用Cavity-SOI制备中的晶圆键合工艺研究

18

作者 刘福民 杨静 +3 位作者 梁德春 吴浩越 马骁 王学锋 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2022年第3期58-61,共4页

微机电系统(MEMS)器件用预埋腔体绝缘体上硅(Cavity-SOI)直接键合制备过程中,预埋腔体刻蚀后残余应力导致的衬底层变形会影响绝缘体上硅(SOI)晶圆的面形参数和键合质量。对衬底层残余应力变形与Cavity-SOI键合质量的关系进行了实验研究... 微机电系统(MEMS)器件用预埋腔体绝缘体上硅(Cavity-SOI)直接键合制备过程中,预埋腔体刻蚀后残余应力导致的衬底层变形会影响绝缘体上硅(SOI)晶圆的面形参数和键合质量。对衬底层残余应力变形与Cavity-SOI键合质量的关系进行了实验研究,分析了衬底片残余应力变形与SOI面形之间的对应关系,用破坏性剪切试验、埋氧层腐蚀等方法研究了衬底层变形对键合质量的影响。结果表明:衬底层的键合面存在一定程度的凸起变形时,Cavity-SOI片的键合质量最好。 展开更多

关键词 预埋腔体绝缘体上硅 Si-SiO_(2)直接键合 薄膜应力

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基于硅波导分布布拉格取样光栅的四通道Ⅲ-V/Si激光器阵列

19

作者 贾艳青 王海玲 +2 位作者 孟然哲 张建心 周旭彦 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第11期104-114,共11页

提出了一种波长间隔0.8 nm的四通道Ⅲ-V/Si激光器阵列。在四通道硅波导表面设计了两组分布布拉格取样光栅,分别作为前反射镜和后反射镜,形成Ⅲ-V/Si激光器的谐振腔。优化设计分布布拉格取样光栅的参数,选择四个通道的取样光栅的一阶子... 提出了一种波长间隔0.8 nm的四通道Ⅲ-V/Si激光器阵列。在四通道硅波导表面设计了两组分布布拉格取样光栅,分别作为前反射镜和后反射镜,形成Ⅲ-V/Si激光器的谐振腔。优化设计分布布拉格取样光栅的参数,选择四个通道的取样光栅的一阶子光栅对应的波长进行振荡和输出。采用直接晶片键合技术,将图案化的绝缘体上硅晶片和Ⅲ-V外延晶片非集成在一起,实现了Ⅲ-V波导与硅波导的自对准和高效倏逝波耦合。在室温下连续波条件下,制备的四通道Ⅲ-V/Si激光器阵列的硅波导输出功率均大于0.7 mW@60 mA,阈值电流均小于25 mA,激射波长分别为1 569.64 nm、1 570.45 nm、1 571.27 nm和1 572.08 nm,波长间距为0.8 nm±0.2 nm。这种四通道Ⅲ-V/Si激光器阵列经优化后可应用于密集波分复用硅光学系统。 展开更多

关键词 取样光栅 分布布拉格反射 直接晶片键合 硅基激光器阵列 异质集成 倏逝波耦合

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铟封接和硅硅键合技术制作微通道型固定流导元件 被引量：1

20

作者 姜彪 于振华 +5 位作者 甘婧 王永健 孟冬辉 李明利 孙立臣 王旭迪 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期345-349,共5页

提出了一种制作微通道型固定流导元件的方法,即基于硅硅直接键合将刻蚀深度约为1pim的沟槽结构密封成微通道,利用钢熔融封接技术使其与金属法兰结合构成通道型固定流导组件,使用氮质谱检漏仪对其漏率测试。测量结果表明,固定流导元件的... 提出了一种制作微通道型固定流导元件的方法,即基于硅硅直接键合将刻蚀深度约为1pim的沟槽结构密封成微通道,利用钢熔融封接技术使其与金属法兰结合构成通道型固定流导组件,使用氮质谱检漏仪对其漏率测试。测量结果表明,固定流导元件的流导测量值与理论计算值接近,相对误差不超过22.2%。氮气作为测量气体时,固定流导元件能够从高真空到30000Pa压强下实现分子流状态,即流导恒定。 展开更多

关键词 固定流导元件 微通道 硅直接键合 铟封接 分子流

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