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一种基于多目机器视觉技术的硅片搬运机构研究
1
作者 邓乐 樊坤 《太阳能》 2024年第1期83-88,共6页
在太阳电池生产过程中,传统的硅片搬运机构存在搬运效率低、容易产生硅片搭边不良、吸盘印不良的问题,且无法在线检测硅片搭边不良。研究了一种基于多目机器视觉技术的硅片搬运机构,在对传统硅片搬运机构的机械结构和动作流程分析的基础... 在太阳电池生产过程中,传统的硅片搬运机构存在搬运效率低、容易产生硅片搭边不良、吸盘印不良的问题,且无法在线检测硅片搭边不良。研究了一种基于多目机器视觉技术的硅片搬运机构,在对传统硅片搬运机构的机械结构和动作流程分析的基础上,介绍了基于多目机器视觉技术的硅片搬运机构的动作流程、机械结构及特性,并重点分析了其使用多目机器视觉技术实现硅片位置检测及硅片搭边不良在线检测的原理,提出了该机构与传统的硅片搬运机构相比所具有的优势,其创新性在于引入了多目机器视觉技术和独特的动作流程,从而解决了硅片搬运过程中会产生吸盘印、划伤、隐裂等缺陷的问题。研究结果为多目机器视觉技术在光伏自动化设备中的应用开拓了思路,该新型硅片搬运机构在物理气相沉积(PVD)自动化设备的实际应用中,生产效率与良率均达到了全球领先水平。 展开更多
关键词 多目机器视觉技术 光伏行业 太阳电池 硅片搬运 硅片搭边不良 自动化设备 物理气相沉积
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半导体硅片生产形势的分析 被引量：1
2
作者 梁骏吾 郑敏政 +1 位作者 袁桐 闻瑞梅 《中国集成电路》 2003年第44期34-37,共4页
半导体器件支撑着庞大的信息产业,而半导体器件93%以上是硅器件,它们以硅片为基础材料。本文将叙述半导体器件和硅片在世界与国内的生产状况和需求量,并对我国硅材料企业满足市场能力进行分析。2001年世界半导体器件生产低落,
关键词 半导体 硅片生产 市场 中国 发展战略 外延硅片 集成电路 硅片
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半导体硅片清洗工艺发展方向 被引量：15
3
作者 闫志瑞 《电子工业专用设备》 2004年第9期23-26,共4页
对半导体硅片传统的RCA清洗办法中各种清洗液的清洗原理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响进行了详细的论述,同时在此基础上,对新的清洗办法(改进的RCA清洗办法)进行了一定的说明,指出了硅片清洗工艺的发展方向。
关键词 硅片 RCA清洗 硅片清洗 硅片表面
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烷基糖苷对硅片化学机械抛光腐蚀缺陷的影响
4
作者 杨啸 王辰伟 +4 位作者 王雪洁 王海英 陈志博 杨云点 盛媛慧 《微纳电子技术》 CAS 2024年第11期147-154,共8页
针对化学机械抛光(CMP)后硅片表面出现腐蚀缺陷的问题,研究了烷基糖苷(APG)对硅片表面腐蚀缺陷的影响。结果表明APG对硅片的抛光速率和静态腐蚀速率都有抑制效果,当APG质量浓度为0.8 mg/L时能获得较快的抛光速率(836 nm/min)、较低的静... 针对化学机械抛光(CMP)后硅片表面出现腐蚀缺陷的问题,研究了烷基糖苷(APG)对硅片表面腐蚀缺陷的影响。结果表明APG对硅片的抛光速率和静态腐蚀速率都有抑制效果,当APG质量浓度为0.8 mg/L时能获得较快的抛光速率(836 nm/min)、较低的静态腐蚀速率(3 nm/min)。经过不含APG的抛光液抛光后,硅片表面缺陷数目344个,采用扫描电子显微镜发现缺陷类型主要是腐蚀缺陷,此时硅片表面粗糙度0.58 nm。当抛光液中加入0.8 mg/L的APG时,缺陷数目下降到43个,表面粗糙度下降到0.28 nm。接触角和Langmuir吸附计算结果证明,APG主要依靠其亲水端的羟基和醚键在硅片表面物理吸附成膜,从而隔绝了抛光液中有机碱对硅片表面的腐蚀。 展开更多
关键词 化学机械抛光(CMP) 硅片 腐蚀缺陷 烷基糖苷(APG) 去除速率
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大尺寸硅片背面磨削技术的应用与发展 被引量：27
5
作者 康仁科 郭东明 +1 位作者 霍风伟 金洙吉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第9期33-38,51,共7页
集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展,为满足IC封装要求,图形硅片的背面减薄成为半导体后半制程中的重要工序。随着大直径硅片的应用,硅片的厚度相应增大,而先进的封装技术则要求更薄的芯片,超精密磨削作为硅片背面减... 集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展,为满足IC封装要求,图形硅片的背面减薄成为半导体后半制程中的重要工序。随着大直径硅片的应用,硅片的厚度相应增大,而先进的封装技术则要求更薄的芯片,超精密磨削作为硅片背面减薄主要工艺得到广泛应用。本文分析了几种常用的硅片背面减薄技术,论述了的基于自旋转磨削法的硅片背面磨削的加工原理、工艺特点和关键技术,介绍了硅片背面磨削技术面临的挑战和取得的新进展。 展开更多
关键词 图形硅片 磨削技术 IC封装 硅片背面 减薄技术 加工原理
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硅片双面研磨过程数学模拟及分析
6
作者 吴建光 《电子工业专用设备》 2024年第4期41-44,共4页
建立了双面研磨过程中硅片表面上的一点相对于研磨盘的运动模型;利用数学软件,模拟出不同速度下的运动轨迹。轨迹和实验结果表明,在其他双面研磨工艺不变的情况下,改变研磨机4个部分(游轮片的公转速度ωh、研磨大盘的转速ωp、内齿轮转... 建立了双面研磨过程中硅片表面上的一点相对于研磨盘的运动模型;利用数学软件,模拟出不同速度下的运动轨迹。轨迹和实验结果表明,在其他双面研磨工艺不变的情况下,改变研磨机4个部分(游轮片的公转速度ωh、研磨大盘的转速ωp、内齿轮转速ωs和外齿轮转速ωr)的转速,对硅片表面的平整度有很大的影响,特别是边缘部分的局部平整度。优化4个转速,可以显著改善硅片表面的平整度和局部平整度。 展开更多
关键词 硅片 双面研磨 数学模拟 轨迹
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初始硅片产能6GW/年!德国NexWafe公司计划进军美国光伏市场
7
《世界电子元器件》 2024年第2期25-25,共1页
近日,德国太阳能硅片生产商NexWafe表示,公司已成立美国子公司,用以评估在美国开发建设数GW级太阳能硅片生产设施的可行性,计划的硅片初始产能目标是6GW,美国硅片厂的建设地点和相关的区域激励措施还未确定。NexWafe将把EpiNex生产技术... 近日,德国太阳能硅片生产商NexWafe表示,公司已成立美国子公司,用以评估在美国开发建设数GW级太阳能硅片生产设施的可行性,计划的硅片初始产能目标是6GW,美国硅片厂的建设地点和相关的区域激励措施还未确定。NexWafe将把EpiNex生产技术应用到美国硅片制造计划中,该技术也将在NexWafe位于德国比特费尔德的工厂中使用,目前德国工厂正在建设中,计划年产量250MW。NexWafe北美业务开发副总裁Jonathan Pickering表示:“多家顶级太阳能公司已致力于在美国进行数吉瓦规模的先进光伏电池和组件制造,但现在,我们看到国内硅片来源的供应链存在重大瓶颈,我们突破性的EpiNex直接‘气体-晶圆’制造工艺正是瞄准了这个机会。我们正在开发一个千兆瓦级的工厂,用于制造高性能、美国制造的薄硅片,为我们的美国客户提供服务。与当今的技术相比,我们可以在实现这一目标的同时将碳足迹减少60%。” 展开更多
关键词 副总裁 激励措施 供应链 太阳能公司 太阳能硅片 建设地点 光伏电池 光伏市场
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硅片线切割机HCT-B5半载工艺研究
8
作者 韦建德 潘再峰 +1 位作者 刘浩 刘亚兰 《能源与环境》 2016年第2期47-48,52,共3页
太阳能硅片切割加工质量的好坏将直接影响到后续的太阳能光伏电池加工效率和成品率。硅片切片作为硅片加工工艺流程的关键工序,其加工效率和加工质量直接关系到整个硅片生产的全局。研究太阳能硅片线切割机HCT-B5半载工艺改进,进一步提... 太阳能硅片切割加工质量的好坏将直接影响到后续的太阳能光伏电池加工效率和成品率。硅片切片作为硅片加工工艺流程的关键工序,其加工效率和加工质量直接关系到整个硅片生产的全局。研究太阳能硅片线切割机HCT-B5半载工艺改进,进一步提高完善工艺及切割方式,使用再回收砂浆切割能应用于负载过大的HCT-B5机床,降低了硅片生产成本,提高了硅片外观质量,硅片质量满足行业标准。 展开更多
关键词 太阳能光伏电池 太阳能硅片 硅片切片
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化学机械抛光中的硅片夹持技术 被引量：18
9
作者 孙禹辉 康仁科 +2 位作者 郭东明 金洙吉 苏建修 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期10-14,共5页
目前半导体制造技术已经进入0.13mm时代,化学机械抛光(CMP)已经成为IC制造中不可缺少的技术。本文描述了下一代IC对大尺寸硅片(≥300mm)局部和全局平坦化精度的要求,介绍了目前工业发达国家在化学机械抛光加工中硅片夹持技术方面的研究... 目前半导体制造技术已经进入0.13mm时代,化学机械抛光(CMP)已经成为IC制造中不可缺少的技术。本文描述了下一代IC对大尺寸硅片(≥300mm)局部和全局平坦化精度的要求,介绍了目前工业发达国家在化学机械抛光加工中硅片夹持技术方面的研究现状,分析了当前硅片夹持技术中存在的问题,并指出了未来大尺寸硅片超精密平坦化加工中夹持与定位技术的发展趋势。 展开更多
关键词 化学机械抛光 集成电路 硅片夹持 超精密平坦化
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直接键合硅片的亲水处理及其表征 被引量：16
10
作者 何进 陈星弼 +1 位作者 杨传仁 王新 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期23-25,29,共4页
硅片直接键合（ＳＤＢ） 技术的关键在于硅片表面的亲水处理， 本文分析了亲水处理之微观机理。从界（表） 面物理化学角度讨论了接触角对硅片表面亲水性的表征及其准确测量方法，
关键词 硅片直接键合 亲水处理 接触角 SDB技术 硅
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硅片清洗研究进展 被引量：22
11
作者 储佳 马向阳 +1 位作者 杨德仁 阙端麟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期17-19,34,共4页
综述了清洗液的组成、特点、清洗机理、对硅片表面质量的影响以及清洗技术和理论的发展：着重指出了，改进的ＲＣＡ１对颗粒度、微粗糙度和金属沾污作用的机理，讨论了它与清洗顺序的关系；极度稀释的ＲＣＡ２能使金属沾污降至１０１０... 综述了清洗液的组成、特点、清洗机理、对硅片表面质量的影响以及清洗技术和理论的发展：着重指出了，改进的ＲＣＡ１对颗粒度、微粗糙度和金属沾污作用的机理，讨论了它与清洗顺序的关系；极度稀释的ＲＣＡ２能使金属沾污降至１０１０原子／ｃｍ２以下，且不易使颗粒重新沉淀；最后介绍了清洗工艺的最新进展。 展开更多
关键词 抛光硅片 超大规格集成电路 清洗
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300mm硅片化学机械抛光技术分析 被引量：18
12
作者 闫志瑞 鲁进军 +2 位作者 李耀东 王继 林霖 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第8期561-564,共4页
化学机械抛光是单晶硅衬底和集成电路制造中的关键技术之一,然而,传统的化学机械抛光技术还存在一定的缺点或局限性,为了得到更好的硅片平整度和表面洁净度,在300mm硅片的生产中采用了双面化学机械抛光技术。对双面化学机械抛光的优点... 化学机械抛光是单晶硅衬底和集成电路制造中的关键技术之一,然而,传统的化学机械抛光技术还存在一定的缺点或局限性,为了得到更好的硅片平整度和表面洁净度,在300mm硅片的生产中采用了双面化学机械抛光技术。对双面化学机械抛光的优点以及系统变量对抛光速度和抛光质量的影响进行了详细地分析。 展开更多
关键词 化学机械抛光 超大规模集成电路 硅片 双面抛光
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HF／O_3在300mm硅片清洗中的应用 被引量：10
13
作者 闫志瑞 李俊峰 +2 位作者 刘红艳 张静 李莉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期108-111,共4页
随着半导体技术的不断发展,集成电路的线宽在不断减小,对硅抛光片表面质量的要求也越来越高,传统的RAC清洗方法已不能满足其需求,因此,必须发展新的清洗方法。本文对传统的RCA清洗方法进行了简单的介绍,分析了其中的不足之处,在此基础上... 随着半导体技术的不断发展,集成电路的线宽在不断减小,对硅抛光片表面质量的要求也越来越高,传统的RAC清洗方法已不能满足其需求,因此,必须发展新的清洗方法。本文对传统的RCA清洗方法进行了简单的介绍,分析了其中的不足之处,在此基础上,对新发展的HF／O3槽式清洗法和HF／O3 单片清洗法进行了详细的说明,从而对300mm硅片清洗方法的未来发展方向进行了简单论述。 展开更多
关键词 硅片 RCA清洗 兆声波 HF/O3
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硅片研磨表面状态的改善和研磨液的改进 被引量：7
14
作者 张伟 周建伟 +1 位作者 刘玉岭 刘承霖 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第10期758-761,765,共5页
在硅片研磨过程中,由于应力的积累和剧烈的机械作用,硅片表面损伤严重,碎片率增加。介绍了一种改进的研磨液,不但把剧烈的机械作用转变为比较缓和的化学-机械作用,还能起到其他较好的辅助作用并对其各成分作用,进行了理论分析。硅片表... 在硅片研磨过程中,由于应力的积累和剧烈的机械作用,硅片表面损伤严重,碎片率增加。介绍了一种改进的研磨液,不但把剧烈的机械作用转变为比较缓和的化学-机械作用,还能起到其他较好的辅助作用并对其各成分作用,进行了理论分析。硅片表面状态得到了一定程度的改善,提高了生产效率。 展开更多
关键词 硅片 研磨 研磨液 应力
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准分子激光直接清洗硅片上油脂的实验研究 被引量：8
15
作者 谭东晖 陆冬生 +2 位作者 宋文栋 范永昌 安承武 《激光技术》 CAS CSCD 1995年第5期319-320,共2页
本文报道了采用输出激光波长为３０８ｎｍ，脉冲宽度为２８ｎｓ的准分子激光直接清洗硅片上油脂的实验研究，通过改变光束大小或调节激光输出能量来改变基片表面上的激光能量密度，研究激光能量密度对激光清洗效果的影响。从实验中得到... 本文报道了采用输出激光波长为３０８ｎｍ，脉冲宽度为２８ｎｓ的准分子激光直接清洗硅片上油脂的实验研究，通过改变光束大小或调节激光输出能量来改变基片表面上的激光能量密度，研究激光能量密度对激光清洗效果的影响。从实验中得到硅片的激光清洗阈值为０．２Ｊ／ｃｍ￣２，损伤阈值为１．２Ｊ／ｃｍ￣２。 展开更多
关键词 准分子激光 表面清洗 油脂 硅片
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高温退火对铸造多晶硅片中位错密度的影响 被引量：4
16
作者 辛超 周剑 +4 位作者 周潘兵 魏秀琴 周浪 张运锋 张美霞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期378-381,共4页
对铸造多晶硅片进行了1 000~1 400℃的高温退火和不同方式冷却实验,用显微观察法对退火硅片及其相邻姊妹片位错密度进行了测量统计。研究了退火温度和冷却方式对铸造多晶硅片中位错密度的影响。结果证实：当退火温度在1 100℃及以下时,... 对铸造多晶硅片进行了1 000~1 400℃的高温退火和不同方式冷却实验,用显微观察法对退火硅片及其相邻姊妹片位错密度进行了测量统计。研究了退火温度和冷却方式对铸造多晶硅片中位错密度的影响。结果证实：当退火温度在1 100℃及以下时,硅片的位错密度并没有降低反而增加了;当退火温度在1 320℃及以上时,硅片的位错密度明显降低,其幅度随温度提高增大;但退火后如断电随炉冷却而不控制冷却速率,位错密度又会提高。 展开更多
关键词 多晶硅 硅片 位错 退火 冷却
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太阳能硅片电火花电解复合切割制绒机理研究 被引量：6
17
作者 刘志东 汪炜 +2 位作者 邱明波 田宗军 黄因慧 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期619-623,共5页
提出了一种基于复合工作液的以电火花电解复合加工技术对太阳能硅片进行切割及制绒一体化的新方法。试验表明高速走丝电火花线切割(WEDM-HS)对太阳能硅片切割具有效率高、厚度薄、切缝窄、表面可直接形成绒面结构,表面无明显微裂纹且切... 提出了一种基于复合工作液的以电火花电解复合加工技术对太阳能硅片进行切割及制绒一体化的新方法。试验表明高速走丝电火花线切割(WEDM-HS)对太阳能硅片切割具有效率高、厚度薄、切缝窄、表面可直接形成绒面结构,表面无明显微裂纹且切割表面不存在电极丝金属残余;在硅表面放电凹坑内由于高温电解复合作用会形成密集、壁面光滑且高深径比的微孔洞结构;绒面结构不受硅材料特别是多晶硅各向同性的影响,且获得的表面反射率略低于目前制绒方法的表面等特性。 展开更多
关键词 太阳能硅片 电火花电解复合加工 切割制绒一体化 复合工作液
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基于高精度预对准的硅片传输控制系统 被引量：4
18
作者 宋亦旭 杨泽红 +1 位作者 李世昌 赵雁南 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期116-120,共5页
高精度的预对准是设计现代光刻机硅片传输系统需要解决的核心问题之一。首先介绍了预对准单元的设计及实现:预对准机构包括旋转台、对心台和升降台,采用线阵CCD作为传感器进行硅片边缘检测,采用圆拟合方法进行硅片圆心和缺口的定位,对... 高精度的预对准是设计现代光刻机硅片传输系统需要解决的核心问题之一。首先介绍了预对准单元的设计及实现:预对准机构包括旋转台、对心台和升降台,采用线阵CCD作为传感器进行硅片边缘检测,采用圆拟合方法进行硅片圆心和缺口的定位,对预对准方法的有效性进行了试验验证。然后,给出了硅片传输系统的构成和控制流程,并对系统定位另一个关键部分计算硅片偏心的重定位环节进行了简要介绍。最后,给出了输片重复精度的试验结果。试验结果表明,在此预对准单元基础上实现的硅片传输系统可以有效提高输片精度。 展开更多
关键词 预对准 硅片传输 控制系统
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利用表面活性剂有效去除ULSI衬底硅片表面吸附颗粒 被引量：3
19
作者 李薇薇 刘玉岭 +2 位作者 檀柏梅 周建伟 王娟 《电子器件》 EI CAS 2005年第2期283-285,共3页
甚大规模集成电路(ULSI)对衬底硅片表面洁净度的要求越来越高。抑制颗粒在衬底表面的沉积,应使衬底表面与颗粒表面必须具有相同的ξ-电势。表面活性剂具有润湿作用,能够降低表面张力,可以控制颗粒在硅片表面的吸附状态。实验证实在清洗... 甚大规模集成电路(ULSI)对衬底硅片表面洁净度的要求越来越高。抑制颗粒在衬底表面的沉积,应使衬底表面与颗粒表面必须具有相同的ξ-电势。表面活性剂具有润湿作用,能够降低表面张力,可以控制颗粒在硅片表面的吸附状态。实验证实在清洗液中加入适当的表面活性剂能够达到较好的去除颗粒的效果,实现工业应用。 展开更多
关键词 ULSI 硅片 吸附 颗粒 活性剂
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用多晶硅吸杂和SiO_2背封工艺提高硅片质量 被引量：5
20
作者 沈天慧 李积和 +2 位作者 何莲萍 陈青松 汪师俊 《微电子学与计算机》 EI CSCD 北大核心 1997年第2期17-19,共3页
我们对多晶硅吸荣和SiO_2背封二种工艺进行了系统的深入的实用性研究，解决了VLSI用外延片衬底的关键技术，提高了硅片质量并实现产业化。多晶硅每炉可生长约100mm（4英寸）硅片150～300片，SiO^2每炉生长100片。由于硅片质量好，工艺... 我们对多晶硅吸荣和SiO_2背封二种工艺进行了系统的深入的实用性研究，解决了VLSI用外延片衬底的关键技术，提高了硅片质量并实现产业化。多晶硅每炉可生长约100mm（4英寸）硅片150～300片，SiO^2每炉生长100片。由于硅片质量好，工艺稳定，硅片已远销国外。 展开更多
关键词 吸杂 二氧化硅 硅片 多晶硅 MOS电路
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