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6 GHz~18 GHz中功率放大器芯片的设计与实现
1
作者
李鑫
肖曼琳
+1 位作者
蒋明
杜鑫威
《现代雷达》
CSCD
北大核心
2024年第11期105-109,共5页
设计并实现了一款高性能的宽带中功率放大器芯片,该芯片采用0.25μm砷化镓赝调制掺杂异质结场效应晶体管工艺,并通过运用共源共栅电路结构,显著提升了放大器的增益水平。同时,引入负反馈技术,有效改善了增益的平坦度,极大地拓宽了放大...
设计并实现了一款高性能的宽带中功率放大器芯片,该芯片采用0.25μm砷化镓赝调制掺杂异质结场效应晶体管工艺,并通过运用共源共栅电路结构,显著提升了放大器的增益水平。同时,引入负反馈技术,有效改善了增益的平坦度,极大地拓宽了放大器的工作带宽范围,使其能够覆盖从6 GHz~18 GHz的广泛频段,满足多样化的无线通信及雷达系统需求。实测数据表明,该芯片在指定频段内实现了稳定的17±0.3 dB增益,输入输出回波损耗均优于-10 dB,展现出了卓越的匹配性能。在5 V工作电压下,电流消耗仅为63 mA,且1 dB压缩点输出功率高达15 dBm,确保了在高功率输出时的稳定性与可靠性。此外,芯片设计紧凑,面积仅为1.94 mm×1.08 mm,为系统集成提供了极大的便利。
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关键词
Ku波段
中功率放大器
砷化镓赝调制掺杂异质结场效应晶体管工艺
共源共栅
单片微波集成电路
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职称材料
题名
6 GHz~18 GHz中功率放大器芯片的设计与实现
1
作者
李鑫
肖曼琳
蒋明
杜鑫威
机构
上海工程技术大学城市轨道交通学院
国网湖南省电力有限公司衡阳供电分公司
出处
《现代雷达》
CSCD
北大核心
2024年第11期105-109,共5页
文摘
设计并实现了一款高性能的宽带中功率放大器芯片,该芯片采用0.25μm砷化镓赝调制掺杂异质结场效应晶体管工艺,并通过运用共源共栅电路结构,显著提升了放大器的增益水平。同时,引入负反馈技术,有效改善了增益的平坦度,极大地拓宽了放大器的工作带宽范围,使其能够覆盖从6 GHz~18 GHz的广泛频段,满足多样化的无线通信及雷达系统需求。实测数据表明,该芯片在指定频段内实现了稳定的17±0.3 dB增益,输入输出回波损耗均优于-10 dB,展现出了卓越的匹配性能。在5 V工作电压下,电流消耗仅为63 mA,且1 dB压缩点输出功率高达15 dBm,确保了在高功率输出时的稳定性与可靠性。此外,芯片设计紧凑,面积仅为1.94 mm×1.08 mm,为系统集成提供了极大的便利。
关键词
Ku波段
中功率放大器
砷化镓赝调制掺杂异质结场效应晶体管工艺
共源共栅
单片微波集成电路
Keywords
Ku band
medium power amplifier
GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor(GaAs pHEMT)process
cascode
monolithic microwave integrated circuit(MMIC)
分类号
TN722.75 [电子电信—电路与系统]
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1
6 GHz~18 GHz中功率放大器芯片的设计与实现
李鑫
肖曼琳
蒋明
杜鑫威
《现代雷达》
CSCD
北大核心
2024
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