提出了一种提高微波宽带压控振荡器（VCO）稳定性的方法。压控振荡器采用了从谐振电路输出的结构,并与后级缓冲放大电路之间加入了一个匹配电路,从而可有效提高宽带振荡器的稳定性,改善振荡器的温度特性。基于此电路结构,采用Ga As HBT...提出了一种提高微波宽带压控振荡器（VCO）稳定性的方法。压控振荡器采用了从谐振电路输出的结构,并与后级缓冲放大电路之间加入了一个匹配电路,从而可有效提高宽带振荡器的稳定性,改善振荡器的温度特性。基于此电路结构,采用Ga As HBT工艺设计了一款微波宽带压控振荡器芯片。为拓宽振荡器的工作频带和降低相位噪声,使用片外Ga As超突变结、高Q值变容二极管。该宽带压控振荡器芯片实测结果显示,在调谐电压为1.5~15 V内,可实现输出频率覆盖13~19 GHz,调谐线性度≤2.5∶1,调谐电压8 V时相位噪声为-89 d Bc/Hz@100 k Hz。该压控振荡器工作电压为5 V,工作电流为65 m A,19 GHz频率点处输出功率在85℃环境温度下比在25℃环境温度下仅下降2 d B,具有良好的温度稳定性。展开更多
面向微波毫米波低噪声放大电路对高性能低噪声放大器件的需求,进行0.15μm栅长GaAs PHEMT低噪声器件制备工艺的开发,在制备工艺中采用了欧姆特性优异的复合帽层欧姆接触、低寄生电容的介质空洞栅结构以及高击穿电压的双槽结构。在此基...面向微波毫米波低噪声放大电路对高性能低噪声放大器件的需求,进行0.15μm栅长GaAs PHEMT低噪声器件制备工艺的开发,在制备工艺中采用了欧姆特性优异的复合帽层欧姆接触、低寄生电容的介质空洞栅结构以及高击穿电压的双槽结构。在此基础上实现了一款性能优异的Ku波段低噪声放大电路,电路在Ku频段全频带(14~18 GHz)内实现了优良的性能,其噪声系数小于1.3 d B,增益大于17 d B。电路采用5 V电源供电,功耗为250 m W,芯片面积为2 mm×1.6 mm;这款性能优异的Ku频段低噪声放大器特别适用于高信噪比要求的卫星通信等应用。展开更多
文摘使用<511>取向Ga As籽晶,在直径2英寸的p BN坩埚中生长了2.5%Bi掺杂的Ga As晶体。能量分散谱仪(EDS)和透过光谱均有Bi相关谱峰的存在,说明Bi原子已掺杂到Ga As晶体中。X射线双摇摆曲线测得半高峰宽值为42″。与未掺杂Ga As晶体相比,所得晶体的禁带宽度出现红移,从1.43 e V移至近1.39 e V。扫面式电子显微镜(SEM)显示晶体中存在少量富Bi包裹物,晶体质量有待进一步改进。
文摘提出了一种提高微波宽带压控振荡器（VCO）稳定性的方法。压控振荡器采用了从谐振电路输出的结构,并与后级缓冲放大电路之间加入了一个匹配电路,从而可有效提高宽带振荡器的稳定性,改善振荡器的温度特性。基于此电路结构,采用Ga As HBT工艺设计了一款微波宽带压控振荡器芯片。为拓宽振荡器的工作频带和降低相位噪声,使用片外Ga As超突变结、高Q值变容二极管。该宽带压控振荡器芯片实测结果显示,在调谐电压为1.5~15 V内,可实现输出频率覆盖13~19 GHz,调谐线性度≤2.5∶1,调谐电压8 V时相位噪声为-89 d Bc/Hz@100 k Hz。该压控振荡器工作电压为5 V,工作电流为65 m A,19 GHz频率点处输出功率在85℃环境温度下比在25℃环境温度下仅下降2 d B,具有良好的温度稳定性。
文摘面向微波毫米波低噪声放大电路对高性能低噪声放大器件的需求,进行0.15μm栅长GaAs PHEMT低噪声器件制备工艺的开发,在制备工艺中采用了欧姆特性优异的复合帽层欧姆接触、低寄生电容的介质空洞栅结构以及高击穿电压的双槽结构。在此基础上实现了一款性能优异的Ku波段低噪声放大电路,电路在Ku频段全频带(14~18 GHz)内实现了优良的性能,其噪声系数小于1.3 d B,增益大于17 d B。电路采用5 V电源供电,功耗为250 m W,芯片面积为2 mm×1.6 mm;这款性能优异的Ku频段低噪声放大器特别适用于高信噪比要求的卫星通信等应用。
