锰气相催化多晶金刚石表面原位石墨烯构筑研究

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作者 吴国栋 张文 +4 位作者 伏鑫 刘辉强 汪建 王兵 熊鹰 《材料导报》 北大核心 2025年第5期122-125,共4页

金刚石和石墨烯均具有十分优异的物化性质,结合形成的石墨烯-金刚石异质结可充分发挥二者优异性能,引起了广泛的关注。在制备石墨烯-金刚石异质结器件时,传统转移法、金属原位催化法等制备方法都存在步骤复杂、成本较高、石墨烯层覆盖... 金刚石和石墨烯均具有十分优异的物化性质,结合形成的石墨烯-金刚石异质结可充分发挥二者优异性能,引起了广泛的关注。在制备石墨烯-金刚石异质结器件时,传统转移法、金属原位催化法等制备方法都存在步骤复杂、成本较高、石墨烯层覆盖率低且结晶质量较差等缺点,严重妨碍了这种全碳器件的应用。本工作开发了一种金刚石表面原位石墨烯构筑的新方法,采用金属锰气相催化多晶金刚石,实现了金刚石表面原位石墨烯生长。研究结果表明:金属锰气相状态对多晶金刚石具有较强的催化效果,生成的石墨烯层覆盖率高、表面均匀。这种新型的金属锰气相催化法步骤简单,成本较低,可一步完成。本文的研究为在金刚石表面原位生长高质量石墨烯提供了新的技术路线,为制备高性能石墨烯-金刚石异质结全碳器件提供了新思路。 展开更多

关键词 石墨烯-金刚石异质结 全碳器件 锰气相催化 原位生长

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石墨烯-硼烯共面异质结结构和性质计算研究

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作者 刘会彬 刘品妍 +3 位作者 陈思雨 李昕玥 张震 张孟 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2025年第1期75-80,共6页

采用密度泛函理论系统研究了石墨烯和χ_(3)硼烯构造共面异质结的可行性、结构和性质.通过对体系能量的计算,找到了稳定的石墨烯-χ_(3)硼烯共面二维异质结体系,并对构造方式、电学和光学性质进行了详细地分析与讨论.研究发现异质结体... 采用密度泛函理论系统研究了石墨烯和χ_(3)硼烯构造共面异质结的可行性、结构和性质.通过对体系能量的计算,找到了稳定的石墨烯-χ_(3)硼烯共面二维异质结体系,并对构造方式、电学和光学性质进行了详细地分析与讨论.研究发现异质结体系界面处以碳六元环和硼五元环头对头相连接.对电荷转移和态密度分析得出石墨烯与硼烯之间形成稳定共价键.该体系具有零带隙和金属性的性质,且可见光波段吸收性能优异,具有潜在应用价值. 展开更多

关键词 硼烯 石墨烯 异质结 密度泛函理论

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g-ZnO/石墨烯异质结光电性质的第一性原理计算

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作者 黄保瑞 张嘉芮 《延安大学学报（自然科学版）》 2023年第3期13-17,24,共6页

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了g-ZnO/石墨烯异质结的几何结构、稳定性、电子结构和光学性质。结果表明,g-ZnO/石墨烯异质结的晶格失配率为0.4%,层间距为0.339 nm,结合能为-1 347 eV,形成的是范德瓦尔斯异质结。进一步研究... 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了g-ZnO/石墨烯异质结的几何结构、稳定性、电子结构和光学性质。结果表明,g-ZnO/石墨烯异质结的晶格失配率为0.4%,层间距为0.339 nm,结合能为-1 347 eV,形成的是范德瓦尔斯异质结。进一步研究g-ZnO/石墨烯异质结的能带结构发现g-Zn O的能带曲线几乎没有变化,石墨烯的零带隙结构被打开,产生0.064 eV的直接带隙。此外,g-Zn O/石墨烯异质结在低能区有高的吸收系数和光电导率,是制造光伏器件和光探测器的优异材料。 展开更多

关键词 g-ZnO 石墨烯 异质结 第一性原理 电子结构 光学性质

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石墨烯负载硫化锌/硫化铜异质结的制备及光催化性能 被引量：4

4

作者 曾斌 陈小华 汪次荣 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第12期99-105,共7页

采用微波辅助加热方法制备石墨烯负载硫化锌纳米颗粒,在其基础上,通过离子交换反应形成石墨烯负载硫化锌/硫化铜异质结的复合物(rGO-ZnS/CuS)。通过SEM,TEM,XRD等手段对样品进行形貌观察和物相分析,并分别讨论氧化石墨烯含量、不同硫源... 采用微波辅助加热方法制备石墨烯负载硫化锌纳米颗粒,在其基础上,通过离子交换反应形成石墨烯负载硫化锌/硫化铜异质结的复合物(rGO-ZnS/CuS)。通过SEM,TEM,XRD等手段对样品进行形貌观察和物相分析,并分别讨论氧化石墨烯含量、不同硫源和微波加热时间对复合物形貌和光催化性能的影响。结果表明:硫代乙酰胺为硫源,微波反应时间为30min,氧化石墨烯质量分数为10%时,能够在石墨烯表面获得均匀分布的硫化锌/硫化铜异质纳米结的复合物,在可见光照射下,150min内降解水中81.2%的甲基橙,显示出优异的光催化效果,异质结内形成的界面电子转移现象以及石墨烯作为电子受体进一步促进内部光生电子空穴的分离是提高光催化效果的原因。 展开更多

关键词 还原氧化石墨烯 异质结 光催化性能

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石墨烯/二硫化钼异质结的研制 被引量：2

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作者 史永胜 李晓明 +2 位作者 刘丹妮 姜佳敏 伍媛婷 《陕西科技大学学报（自然科学版）》 2015年第3期63-67,104,共6页

应用两种结构类似的二维纳米薄膜材料石墨烯和MoS2纳米片设计了一种新型异质结器件.首先利用磁控溅射方法制备出MoS2薄膜,然后在MoS2薄膜上利用化学气相沉积法(CVD)法制备石墨烯;进而采用磁控溅射法沉积铜(Cu)接触电极,并进行表征与测试... 应用两种结构类似的二维纳米薄膜材料石墨烯和MoS2纳米片设计了一种新型异质结器件.首先利用磁控溅射方法制备出MoS2薄膜,然后在MoS2薄膜上利用化学气相沉积法(CVD)法制备石墨烯;进而采用磁控溅射法沉积铜(Cu)接触电极,并进行表征与测试.在适当的工艺条件下,石墨烯和MoS2结合能够形成具有线性伏安特征的异质结. 展开更多

关键词 石墨烯薄膜 MOS2薄膜 异质结 磁控溅射

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ZnO纳米棒/石墨烯异质结构的应用研究进展

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作者 范海波 王旋 +4 位作者 周晨露 陈武军 郑新亮 姚合宝 刘生忠 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第15期30-36,共7页

ZnO纳米棒具有优异的光学性质,石墨烯具有优良的电学性质并且可变形,制备出高质量ZnO纳米棒/石墨烯异质结构能够发挥两者协同效应,有望在高性能光电子器件中实现重要应用。综述了近几年来国内外关于ZnO纳米棒/石墨烯异质结构的最新研究... ZnO纳米棒具有优异的光学性质,石墨烯具有优良的电学性质并且可变形,制备出高质量ZnO纳米棒/石墨烯异质结构能够发挥两者协同效应,有望在高性能光电子器件中实现重要应用。综述了近几年来国内外关于ZnO纳米棒/石墨烯异质结构的最新研究进展,重点包括该结构的各种制备技术及特点,该结构在发光器件、太阳能电池器件、光电探测器以及光催化剂等方面的应用研究进展,最后展望了其未来发展趋势和研究重点。 展开更多

关键词 ZNO纳米棒 石墨烯 异质结

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二维材料异质结的能带结构及电学性能研究

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作者 胥文慧 郝东凤 《造纸装备及材料》 2025年第2期70-72,共3页

文章探讨了二维材料的基本性质,以此为基础分析了二维材料异质结的分类与制备方法,并特别关注石墨烯与硫化钼和硒化钨构成的异质结,分析了它们的能带结构、电学性能。研究表明,这些异质结不仅继承了各自材料的独特性质,还产生了新的物... 文章探讨了二维材料的基本性质,以此为基础分析了二维材料异质结的分类与制备方法,并特别关注石墨烯与硫化钼和硒化钨构成的异质结,分析了它们的能带结构、电学性能。研究表明,这些异质结不仅继承了各自材料的独特性质,还产生了新的物理现象,为能带工程和电子输运提供了新的途径;石墨烯/硫化钼和石墨烯/硒化钨异质结展现出优异的电学性能,包括高电流输出、低接触电阻、高载流子迁移率和良好的整流行为,为高性能电子器件的开发提供了新的方向。 展开更多

关键词 二维材料异质结 石墨烯 能带结构 电学性能

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基于石墨烯/铟砷量子点/砷化镓异质结新型光电探测器（英文） 被引量：2

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作者 胡之厅 甘桃 +7 位作者 杜磊 张家振 徐煌 韩赛垒 徐鹤靓 刘锋 陈永平 陈刚 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期269-274,289,共7页

研究了一种石墨烯/铟砷量子点/砷化镓界面形成的异质结探测器的暗电流特性以及光电响应性质.虽然石墨烯具有很高的电子迁移率,但受限于较低的光子吸收率,使其在光电探测领域的应用受到了限制.而半导体量子点具有量子效率高,光吸收能力... 研究了一种石墨烯/铟砷量子点/砷化镓界面形成的异质结探测器的暗电流特性以及光电响应性质.虽然石墨烯具有很高的电子迁移率,但受限于较低的光子吸收率,使其在光电探测领域的应用受到了限制.而半导体量子点具有量子效率高,光吸收能力强等独特优点.于是利用石墨烯-砷化铟量子点-砷化镓异质结结构制备了一种新型光电探测器.并对该探测器的响应率、I-V 特性曲线、暗电流特性、探测率、开关比等关键性能进行了研究.其在637 nm 入射光情况下的响应率、探测率以及开关比可分别达到为17. 0 mA/W、2. 3 × 1010cmHz1 /2 W- 1 和1 × 103 .而当入射光为近红外波段的940 纳米时,响应率进一步增加到了207 mA/W.同时,还证实了该器件的暗电流、肖特基势垒高度和理想因子对温度的都具有较高的依赖性都较强. 展开更多

关键词 石墨烯 砷化镓 量子点 异质结构 肖特基结

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石墨烯异质结及其光电器件的研究进展 被引量：4

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作者 韩天亮 唐利斌 +2 位作者 左文彬 姬荣斌 项金钟 《红外技术》 CSCD 北大核心 2021年第12期1141-1157,共17页

石墨烯是具有高迁移率、高热导率、高比表面积、高透过率及良好的机械强度等特性的二维材料,在光电子器件领域被广泛用作透明电极及电荷传输层等。但由于石墨烯是零带隙材料,为半金属性,限制了其在半导体光电子器件领域的应用。为更加... 石墨烯是具有高迁移率、高热导率、高比表面积、高透过率及良好的机械强度等特性的二维材料,在光电子器件领域被广泛用作透明电极及电荷传输层等。但由于石墨烯是零带隙材料,为半金属性,限制了其在半导体光电子器件领域的应用。为更加切合半导体产业应用的要求,构建异质结已经成为相关领域实现应用的重要途径。国际上已有较多团队开展了石墨烯异质结相关研究,目前已有较多报道。本文从石墨烯的性质出发,讲述了石墨烯异质结的发展历程,制备方法,并从材料制备与器件结构的角度总结了基于石墨烯异质结光电子器件的研究进展。最后,对石墨烯异质结在光电子器件领域的发展进行了展望。 展开更多

关键词 石墨烯 异质结 光电子器件

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石墨烯基二维垂直异质结的制备及光电子器件 被引量：1

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作者 戴明金 高峰 +2 位作者 杨慧慧 胡云霞 胡平安 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期1-12,共12页

石墨烯和类石墨烯二维半导体材料因其独特的物理化学性质受到研究人员的广泛关注,将二者结合组成的石墨烯基二维垂直异质结近年来备受研究者的青睐.本文简要介绍了石墨烯基二维垂直异质结的基本概念和性质,综述了石墨烯基二维垂直异质... 石墨烯和类石墨烯二维半导体材料因其独特的物理化学性质受到研究人员的广泛关注,将二者结合组成的石墨烯基二维垂直异质结近年来备受研究者的青睐.本文简要介绍了石墨烯基二维垂直异质结的基本概念和性质,综述了石墨烯基二维垂直异质结制备技术的最新进展情况,对比分析了不同制备方法各自的优缺点,总结了石墨烯基二维垂直异质结在光电子学器件应用的最新进展.最后对石墨烯基二维垂直异质结的研究和发展方向做了展望. 展开更多

关键词 石墨烯 二维材料 异质结 光电子

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石墨烯-硅肖特基结太阳电池的仿真研究 被引量：1

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作者 孔鑫燚 宋雪梅 +3 位作者 张林睿 高红丽 张永哲 严辉 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期190-195,共6页

石墨烯-硅肖特基结太阳电池的开路电压、短路电流密度较低,其主要是受到本征石墨烯较小的功函数及较大的薄膜电阻的影响。针对这些问题,该文基于实验报道的石墨烯和晶硅电学参数,利用AFORS-HET软件对石墨烯-硅肖特基结太阳电池进行仿真... 石墨烯-硅肖特基结太阳电池的开路电压、短路电流密度较低,其主要是受到本征石墨烯较小的功函数及较大的薄膜电阻的影响。针对这些问题,该文基于实验报道的石墨烯和晶硅电学参数,利用AFORS-HET软件对石墨烯-硅肖特基结太阳电池进行仿真模拟。模拟结果表明,石墨烯层中的受主浓度、功函数、及禁带宽度的增加都能提高开路电压。而晶硅层施主浓度的提升则会使开路电压下降,随着晶硅施主浓度的增加,开路电压从494.1 mV下降到386.6 mV。最后对晶硅及石墨烯层的厚度优化,电池效率达到11.92%,为目前报道此种结构电池的模拟最高值。 展开更多

关键词 肖特基结太阳电池 AFORS-HET 开路电压 电流密度 石墨烯-硅

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基于石墨烯/硅微米孔阵列异质结的高性能近红外光探测器 被引量：3

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作者 何峰 徐波 +2 位作者 蓝镇立 宋轶佶 曾庆平 《红外技术》 CSCD 北大核心 2022年第11期1236-1242,共7页

本文报道了一种由石墨烯和硅微米孔阵列构筑的异质结探测器,具备高性能近红外光探测能力。通过光刻和反应离子刻蚀技术制备的硅微米孔阵列具有整齐光滑的表面,保证了较低的表面载流子复合速率。同时,孔阵列结构能有效地抑制入射光的反射... 本文报道了一种由石墨烯和硅微米孔阵列构筑的异质结探测器,具备高性能近红外光探测能力。通过光刻和反应离子刻蚀技术制备的硅微米孔阵列具有整齐光滑的表面,保证了较低的表面载流子复合速率。同时,孔阵列结构能有效地抑制入射光的反射,增加了有效光照面积,提高了石墨烯/硅异质结的吸收效率,从而提高了器件的光响应度。器件在±3 V偏压下表现出明显的电流整流特性,整流比为4.30×10^(5),在功率密度为4.25 m W/cm^(2)的810 nm入射光照射下器件的开关比达到了9.20×10^(5)。在入射光强为118.00μW/cm^(2)的810 nm光照下,光探测器的电流响应度可达到679.70mA/W,探测率为3.40×10^(12)Jones;入射光强为7.00μW/cm^(2)电压响应度为1.79×10^(6)V/W。更重要的是,该器件具有20.00/21.30μs的升/降响应速度。相比于商业化硅光电二极管,石墨烯/硅微米孔阵列光电探测器结构简单、制备工艺简便,有望大幅降低制备成本。研究结果显示了石墨烯/硅微米孔阵列异质结探测器在未来低成本、稳定和高效近红外光探测应用方面的巨大潜力。 展开更多

关键词 石墨烯 硅 近红外光探测器 异质结 微结构

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石墨烯/硅异质结光电导型探测器光电响应及噪声 被引量：1

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作者 李云杰 付津滔 +3 位作者 聂长斌 包军林 李兆成 伍俊 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2022年第8期732-741,共10页

设计并制备了石墨烯/硅异质结光电导型光电探测器,重点分析了光电响应与噪声性能。相比纯硅光电导探测器,石墨烯/硅异质结光电导探测器对635 nm波长激光的净光电流从20μA提升至260μA,与此同时,其1 Hz噪声幅值从3.2×10^(-17) A^(2... 设计并制备了石墨烯/硅异质结光电导型光电探测器,重点分析了光电响应与噪声性能。相比纯硅光电导探测器,石墨烯/硅异质结光电导探测器对635 nm波长激光的净光电流从20μA提升至260μA,与此同时,其1 Hz噪声幅值从3.2×10^(-17) A^(2)/Hz增加至2.1×10^(-16) A^(2)/Hz。进一步比较两种探测器的相对信噪比(净光电流/1 Hz噪声幅值),发现石墨烯/硅异质结探测器的相对信噪比(1.2×10^(18))优于纯硅探测器的(6.3×10^(17))。此外,探究了石墨烯条带尺寸对于光电响应及噪声的影响,发现随着石墨烯条带长度的增加,探测器的光电响应与噪声呈下降趋势;随着石墨烯条带宽度的增加,探测器的光电响应与噪声呈上升趋势。进一步比较了不同石墨烯条带长宽比探测器的净光电流与相对信噪比,发现净光电流随着长宽比的增大而减小,而相对信噪比随着长宽比的增大而增加。此外,通过沉积Al_(2)O_(3)对探测器的噪声进行了抑制。最后,利用栅压调制对探测器的综合性能进行了优化。上述结果对石墨烯基光电探测器的研究具有一定参考价值。 展开更多

关键词 光电探测器 石墨烯/硅异质结 石墨烯条带 光电响应 噪声 相对信噪比

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有机小分子石墨烯异质结的制备及应用进展

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作者 任雪 高仕谦 +3 位作者 朱紫燕 刘忻 王振峰 张占恩 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2022年第10期41-46,51,共7页

有机小分子石墨烯(RGO)异质结是极具潜能的功能化材料,在具备石墨烯高比表面积特征的同时,良好的物理化学性能也得到了针对性的优化,从而在更多领域得以应用,因此有机小分子石墨烯异质结备受关注。综述了3种有机小分子石墨烯异质结的制... 有机小分子石墨烯(RGO)异质结是极具潜能的功能化材料,在具备石墨烯高比表面积特征的同时,良好的物理化学性能也得到了针对性的优化,从而在更多领域得以应用,因此有机小分子石墨烯异质结备受关注。综述了3种有机小分子石墨烯异质结的制备方法,包括羧基化石墨烯(G-COOH,CG)、磷酸化石墨烯(PG)及磺酸化石墨烯(G-SO_(3)H,SG)。简要介绍了有机小分子石墨烯异质结材料在吸附、催化、防腐涂层、燃料电池等领域的应用近况,对有机小分子石墨烯异质结的发展方向进行了展望。 展开更多

关键词 异质结 石墨烯 制备方法 应用

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一种高质量石墨烯/氮化硼异质结制备工艺研究

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作者 赵世亮 李仰军 +1 位作者 王俊强 李孟委 《中北大学学报（自然科学版）》 CAS 2019年第2期186-192,共7页

针对目前石墨烯器件的纳米薄膜由于转移工艺导致质量及一致性差的现状,本文基于常规的RCA清洗工艺对纳米薄膜湿法转移工艺进行了改进,完成了高质量石墨烯/氮化硼(BN)异质结的制备.本工艺在原有转移工艺中加入了清洗工艺,利用稀盐酸溶液... 针对目前石墨烯器件的纳米薄膜由于转移工艺导致质量及一致性差的现状,本文基于常规的RCA清洗工艺对纳米薄膜湿法转移工艺进行了改进,完成了高质量石墨烯/氮化硼(BN)异质结的制备.本工艺在原有转移工艺中加入了清洗工艺,利用稀盐酸溶液和稀氨水分别去除薄膜转移过程中产生的重金属污染物和有机污染物,并通过稀HF溶液对衬底表面进行了预处理,提高纳米薄膜的平整度、减少褶皱,进一步提高石墨烯/BN异质结的质量.通过对常规工艺及改进转移工艺制备的异质结SEM扫描结果、电学性能及拉曼光谱的对比,改进后的转移工艺制备完成的异质结褶皱与污染物明显减少,电阻增大,2D/G峰强度比提升至3.23,异质结的质量有明显提高. 展开更多

关键词 石墨烯 氮化硼 异质结 工艺优化

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一种氮化硼/石墨烯/氮化硼异质结制备工艺研究

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作者 吴承根 李孟委 +1 位作者 王俊强 赵世亮 《中北大学学报（自然科学版）》 CAS 2018年第3期344-349,共6页

针对目前石墨烯类器件核心敏感结质量不高的现状,基于石墨烯和氮化硼的转移工艺设计了一种高质量的氮化硼/石墨烯/氮化硼异质结制备工艺.本工艺应用垂直气象干燥法、热合成以及纳米薄膜图形化等单步工艺优化了石墨烯和氮化硼的湿法转移... 针对目前石墨烯类器件核心敏感结质量不高的现状,基于石墨烯和氮化硼的转移工艺设计了一种高质量的氮化硼/石墨烯/氮化硼异质结制备工艺.本工艺应用垂直气象干燥法、热合成以及纳米薄膜图形化等单步工艺优化了石墨烯和氮化硼的湿法转移技术,减少了转移过程中外部环境对石墨烯的影响,最终达到提高转移质量的目的.SEM扫描图显示异质结制备成功,拉曼光谱仪的测试结果表明氮化硼/石墨烯/氮化硼异质结的G峰位置为1 586cm^(-1),2D峰位置为2 683cm^(-1),强度比为5.34,异质结具有较高的质量. 展开更多

关键词 石墨烯 氮化硼 异质结 制备工艺

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高性能石墨烯/金字塔硅异质结近红外光探测器 被引量：1

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作者 周国方 蓝镇立 +1 位作者 余浪 何峰 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2022年第4期552-558,共7页

石墨烯具有优异的光学性质和电学性质,在快速宽光谱光电探测方面有极大的潜力。本文设计并制备一种高性能石墨烯/n型金字塔硅异质结近红外光探测器。高质量石墨烯是采用化学气相沉积法制备的,通过湿法转移将其转移到n型金字塔硅表面,从... 石墨烯具有优异的光学性质和电学性质,在快速宽光谱光电探测方面有极大的潜力。本文设计并制备一种高性能石墨烯/n型金字塔硅异质结近红外光探测器。高质量石墨烯是采用化学气相沉积法制备的,通过湿法转移将其转移到n型金字塔硅表面,从而获得具有垂直结构的石墨烯/金字塔硅异质结器件。测试结果表明,在无光照条件下,器件的整流比达到了6.9×10^(5);在970 nm近红外光的照射下,电流开关比高达5.3×10^(4),电流响应度、外量子效率、光电压响应度和比探测率分别可达577.6 mA·W^(-1)、73.97%、1.26×10^(6)V·W^(-1)和4.92×10^(12)Jones。此外,器件具有快的响应速度,上升和下降时间分别为22μs和14.5μs。最后,还对器件稳定性进行研究,在空气环境中放置3个月后,光电流基本没有衰减,表明了器件具有优异的空气稳定性。 展开更多

关键词 石墨烯 近红外光电探测器 金字塔硅 异质结

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飞秒激光调控的石墨烯异质结薄膜晶体管

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作者 郝彦雪 陈耿旭 郭太良 《光电子技术》 CAS 2023年第4期293-297,共5页

介绍了一种利用飞秒激光技术制备的石墨烯异质结薄膜晶体管(GHTFT)。基于还原氧化石墨烯制备石墨烯的原理,该晶体管利用飞秒激光直接在硅基底上制备石墨烯,最终获得了3.05×102的电流开关比。相较于以前报道的石墨烯晶体管,该值提升... 介绍了一种利用飞秒激光技术制备的石墨烯异质结薄膜晶体管(GHTFT)。基于还原氧化石墨烯制备石墨烯的原理,该晶体管利用飞秒激光直接在硅基底上制备石墨烯,最终获得了3.05×102的电流开关比。相较于以前报道的石墨烯晶体管,该值提升了102。同时还研究了不同还原程度的氧化石墨烯对GHTFT电流开关比的影响,结果表明氧化石墨烯的还原程度越高,GHTFT的电流开关比越大,这说明飞秒激光能够有效调节GHTFT的电学性能。除此之外,鉴于当前石墨烯制备的困难,提出的方法能够有效避免转移过程和化学过程,同时飞秒激光的高效率提高了石墨烯晶体管的制备效率。 展开更多

关键词 石墨烯异质结薄膜晶体管 还原氧化石墨烯 飞秒激光

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对二维Graphene/VS_(2)/BN范德华多层异质结构作为LIBs的阳极材料的相关研究

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作者 伍虎 唐贵平 +1 位作者 肖事成 范志强 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期1543-1552,共10页

通过范德华尔斯作用将单层石墨烯(Graphene)、单层二硫化钒(VS2)和单层氮化硼(BN)构建成Graphene/VS2/BN范德华三层异质结构,并将其与不同数量的锂结合,研究了其作为锂离子电池(Li-Ion Batterys,LIBs)中阳极电极材料的可行性.Graphene/V... 通过范德华尔斯作用将单层石墨烯(Graphene)、单层二硫化钒(VS2)和单层氮化硼(BN)构建成Graphene/VS2/BN范德华三层异质结构,并将其与不同数量的锂结合,研究了其作为锂离子电池(Li-Ion Batterys,LIBs)中阳极电极材料的可行性.Graphene/VS_(2)/BN范德华三层异质结构具有-0.33 e V/A2的形成能,具有较强的稳定性,理论上可实现合成.同时,计算了Graphene/VS_(2)/BN范德华异质结构的平面内刚度,得出的杨氏模量(Y)为886.88 N/m,高于单层VS_(2)的Y(82.5 N/m),具有较好的力学性能.Graphene/VS_(2)/BN范德华三层异质结构表面和界面上吸附Li的吸附能(-5~-2 e V)远大于相应单层的吸附能,表明其对Li具有较好的吸附性能.Li在Graphene/VS_(2)/BN范德华三层异质结构的不同表面和界面处迁移时的扩散势垒非常小(0.3~0.6 e V),对电池速率性能极为有利.Graphene/VS_(2)/BN范德华三层异质结构在LIBs的阳极电极材料方面的应用具有广泛的前景. 展开更多

关键词 石墨烯 异质结 吸附能 开路电压 能带 锂离子电池

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混合相二氧化钛石墨烯复合物的制备及光催化性能（英文） 被引量：5

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作者 于建华 范闽光 +2 位作者 李斌 董丽辉 张飞跃 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2015年第3期519-526,共8页

采用水热法制备了一系列混合相二氧化钛-石墨烯(Tr G)的复合物,并考察了石墨烯的用量对降解污染物甲基蓝的影响.采用X射线衍射(XRD),傅里叶变换红外(FTIR)光谱,高分辨透射电镜(HRTEM),拉曼光谱,紫外-可见漫反射吸收光谱(UV-Vis DRS),X... 采用水热法制备了一系列混合相二氧化钛-石墨烯(Tr G)的复合物,并考察了石墨烯的用量对降解污染物甲基蓝的影响.采用X射线衍射(XRD),傅里叶变换红外(FTIR)光谱,高分辨透射电镜(HRTEM),拉曼光谱,紫外-可见漫反射吸收光谱(UV-Vis DRS),X射线光电子能谱(XPS)和比表面积(BET)等测试手段对复合材料进行表征.结果表明,复合材料中Ti O2为棒状的混合相,且均匀分散在石墨烯表面.由于石墨烯良好的吸光性能,混合相中的异质结和复合物的良好光电子传递能力以及高比表面积,复合材料具有较高的光催化活性.所制备的Tr G复合材料在紫外光下降解甲基蓝的催化活性均高于纯Ti O2,且当氧化石墨烯负载量为0.8%(质量分数,w)时,复合材料Tr G具有较好的光催化效果. 展开更多

关键词 混合相TiO2 异质结 石墨烯 光电子传递 水热法 光催化

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