真空微电子管的扫描电镜研究

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作者 胡问国 胡志华 +2 位作者 周开邻 李萍 徐晓华 《电子显微学报》 CAS CSCD 1993年第2期192-192,共1页

科学史有趣地显示,一些曾被认为是淘汰的技术,会得到一些崭新的应用。真空微电子管的出现就是一个有趣的例子。众所周知本世纪初,在1904年和1906年分别研制成功真空二极管和三极管。从此揭开了无线电电子学的历史。直到1947年出现晶体... 科学史有趣地显示,一些曾被认为是淘汰的技术,会得到一些崭新的应用。真空微电子管的出现就是一个有趣的例子。众所周知本世纪初,在1904年和1906年分别研制成功真空二极管和三极管。从此揭开了无线电电子学的历史。直到1947年出现晶体管前的半个世纪中,电子管获得了飞速的发展,出现了上万种型号的电子管,并被广泛地应用在各个领域。1947年第一只晶体管在贝尔实验室诞生后,从此开创了现代电子工业的历史。晶体管以其功耗低、寿命长、体积小等优点取代了通讯放大等电子管。1959年集成电路的出现和之后的微电子计算机的研制成功开辟了信息电子产业时代。计算机的集成化程度和运算速度都能限制和决定计算机的使用价值和应用范围,因此必须加以提高。 展开更多

关键词 STM 真空微电子管 集成化

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真空微电子管特性的计算机模拟

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作者 李志能 刘杰明 +1 位作者 陈秀峰 李翔 《真空科学与技术》 CSCD 1996年第6期433-438,共6页

应用FORTRAN77语言，编制了模拟计算真空微电子管特性的有限元程序，在计算机上模拟真空微电子管各参数变化时尖端场分布和尖端发射电流的影响。

关键词 真空微电子管 有限元 计算机模拟 电子管

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真空微电子平板显示器工艺研究 被引量：3

3

作者 皇甫鲁江 朱长纯 +3 位作者 淮永进 铁执玲 单建安 郭彩林 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第11期119-121,共3页

本文介绍了我们最近开发的真空微电子平板数码管工艺，主要包括阳极支柱（阵列）的制作和平板透明真空封装。利用上述工艺已经制成了平板数码营，其栅阴特性理想，阳阴之间也能测得明显的场致发射特性并伴有荧光激发。目前，数码管玻壳... 本文介绍了我们最近开发的真空微电子平板数码管工艺，主要包括阳极支柱（阵列）的制作和平板透明真空封装。利用上述工艺已经制成了平板数码营，其栅阴特性理想，阳阴之间也能测得明显的场致发射特性并伴有荧光激发。目前，数码管玻壳内真空度的维持等还存在问题，文章最后分析了其原因。 展开更多

关键词 场致发射 平板显示器 真空微电子器件

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在烧结氧化中Se气氛对真空微电子平板摄像管CdSe靶面性能的影响 被引量：3

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作者 吕永积 邵佑军 +2 位作者 刘光诒 施化芬 罗运良 《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第3期189-192,共4页

CdSe是研制高灵敏真空微电子平板摄像管光导靶材材料 ,在CdSe靶材的结晶过程中Se气氛对形成完整的晶格结构起了至关重要的作用。介绍了精确控制Se气氛的实验装置和Se气氛对CdSe光导靶性能影响的实验结果。

关键词 烧结氧化 Se气氛 CdSe靶 真空微电子 平板摄像管 硒气氛 六角形结构 硒化镉靶 靶面材料 晶格结构

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真空微电子微三极管特性的计算机模拟 被引量：5

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作者 杨中海 周勇 杨存宇 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期299-305,共7页

用计算机模拟方法研究了真空微电子场致发射微三极管的特性，建立了数理模型。用差分方法求解泊松方程，以福勒──诺德海姆理论处理场致发射特性。细致处理了阴极表面电场，考虑了空间电荷效应的影响，并对模拟结果进行了分析讨论。

关键词 真空微电子学 微三极管 计算机模拟

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一种新型低噪声真空微电子加速度计的接口ASIC(英文) 被引量：1

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作者 刘海涛 温志渝 +2 位作者 陈李 温中泉 贺学峰 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第7期911-916,共6页

真空微电子加速度计基于隧道效应而工作,其内部固有的低频噪声(如1/f噪声)大大降低其信噪比,而且也是影响精度和线性度的主要因素。采用混频技术和相关检测算法,本文研制和设计了一种新型低噪声接口ASIC(专用集成电路)。最后测试了加速... 真空微电子加速度计基于隧道效应而工作,其内部固有的低频噪声(如1/f噪声)大大降低其信噪比,而且也是影响精度和线性度的主要因素。采用混频技术和相关检测算法,本文研制和设计了一种新型低噪声接口ASIC(专用集成电路)。最后测试了加速度计的噪声和线性度,在0～200 Hz范围内输出信号平均噪声密度为69μV.Hz-1/2,线性度相关系数为99.99%,最大的非线性度为0.41%。通过实验结果可以看出该电路能大大改善加速度计的噪声特性和线性度,而且该电路设计思想能用于其它隧道效应加速度计。 展开更多

关键词 真空微电子 ASIC 低噪声 混频 相关检测

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硅尖阵列的制备及其在真空微电子加速度计中的应用(英文) 被引量：1

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作者 李东玲 尚正国 +1 位作者 王胜强 温志渝 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期74-78,共5页

针对微电子器件,提出了一种简单、低成本、便于批量加工的硅尖阵列制备方法。分析了各向异性和各向同性湿法腐蚀的特点,研究了不同腐蚀液中硅尖的形成机理和腐蚀速率,采用扫描电子显微镜(SEM)观测硅尖形貌。结果表明:在质量分数40%KOH... 针对微电子器件,提出了一种简单、低成本、便于批量加工的硅尖阵列制备方法。分析了各向异性和各向同性湿法腐蚀的特点,研究了不同腐蚀液中硅尖的形成机理和腐蚀速率,采用扫描电子显微镜(SEM)观测硅尖形貌。结果表明:在质量分数40%KOH腐蚀液中添加I2和KI,显著减小了削角速率,得到了呈"火箭尖"的硅尖阵列。各向同性腐蚀采用HNA腐蚀液,腐蚀的硅尖呈埃菲尔铁塔形。通过调整腐蚀液配比,氧化锐化后,硅尖尖端曲率半径小于15nm。该硅尖阵列已成功应用于真空微电子加速度计之中。 展开更多

关键词 硅尖阵列 湿法腐蚀 氧化锐化 真空微电子加速度计

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真空微电子器件发射体材料研究概况 被引量：5

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作者 刘卫东 罗恩泽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期1-4,共4页

改善真空微电子器件发射体材料的性能，有助于大大提高真空微电子器件的性能。本文概述了近年来真空微电子器件发射体材料研究状况，认为目前对金属薄膜材料、合金材料、金刚石薄膜、碳化物、硅化物等的场发射特性的研究工作，将产生一... 改善真空微电子器件发射体材料的性能，有助于大大提高真空微电子器件的性能。本文概述了近年来真空微电子器件发射体材料研究状况，认为目前对金属薄膜材料、合金材料、金刚石薄膜、碳化物、硅化物等的场发射特性的研究工作，将产生一些性能优异的发射体材料。 展开更多

关键词 真空微电子学 阴极材料 金刚石薄膜

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真空微电子器件的进展与问题 被引量：3

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作者 庄学曾 夏善红 刘光诒 《电子科学学刊》 CSCD 1997年第5期688-694,共7页

本文简要地叙述了真空微电子学的主要进展,在介绍场发射阵列FEA、场发射显示器FED、真空微电子微波毫米波器件等的发展过程中,重点叙述了有关器件对FEA的特殊要求、可能的解决办法和存在的问题,并介绍了发展真空微电子微波管的主要内容... 本文简要地叙述了真空微电子学的主要进展,在介绍场发射阵列FEA、场发射显示器FED、真空微电子微波毫米波器件等的发展过程中,重点叙述了有关器件对FEA的特殊要求、可能的解决办法和存在的问题,并介绍了发展真空微电子微波管的主要内容和意义;最后提到了有效地发展我国真空微电子器件需重视的一个问题. 展开更多

关键词 真空微电子学 场发射阵列 真空微电子器件

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真空微电子传感器研究及进展 被引量：4

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作者 夏善红 《机械强度》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期535-538,共4页

介绍真空微电子传感器的研究和发展概况 ,着重叙述了真空微电子压力传感器和真空微电子磁传感器的发展 ,并就其研究、发展和应用前景阐述了个人的观点。

关键词 传感器 真空微电子 磁传感器 压力传感器

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硅尖阵列-敏感薄膜复合型阴极真空微电子压力传感器特性的测试 被引量：1

11

作者 陈绍凤 夏善红 《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第1期34-38,共5页

封装、测试了硅尖阵列 -敏感薄膜复合型阴极的真空微电子压力传感器 ,在计算机模拟计算的基础上 ,对封装好的真空微电子压力传感器进行了实物测试 ,得出实物测试场发射电流曲线 (开启电压低 ,发射电流曲线与计算机模拟曲线一样 ,电压 45... 封装、测试了硅尖阵列 -敏感薄膜复合型阴极的真空微电子压力传感器 ,在计算机模拟计算的基础上 ,对封装好的真空微电子压力传感器进行了实物测试 ,得出实物测试场发射电流曲线 (开启电压低 ,发射电流曲线与计算机模拟曲线一样 ,电压 45V时发射电流可达到86mA ,平均每个硅尖为 2 1 μA)、压力特性曲线 (呈线性变化 ,与计算机模拟计算的曲线相近 )及灵敏度数据。电压 1 .5V即可测试并且其压力特性成线性变化 ,灵敏度为 0 .3 μA/kPa。 展开更多

关键词 真空微电子压力传感器 压力特性 测试 硅尖阵列-敏感薄膜复合型阴极 计算机模拟

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真空微电子学的研究与发展 被引量：5

12

作者 黄庆安 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第10期134-138,133,共6页

本文系统介绍了近年来真空微电子学的研究内容、达到的水平和亟待解决的问题：包括真空微电子器件的基本结构、场发射阵列、微尖结构物理、新材料和新器件的探索以及真空微电子学的主要应用。

关键词 真空微电子学 场发射 场发射阵列 平板显示

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真空微电子学的新发展 被引量：6

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作者 廖复疆 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第3期89-96,共8页

本文描述了正在兴起的一门新学科——真空微电子学——的发展概况,它的工作原理,微型真空三极管的构造及集成加工技术。详细给出了薄膜场致发射阴极的制造过程,讨论了这类器件的应用领域及需进一步研究的问题。

关键词 微电子学 真空微电子学 真空电子学

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真空微电子毫米波器件 被引量：2

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作者 庄学曾 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期295-298,共4页

介绍了真空微电子分布放大器和真空微电子微波管两类器件，对其优点和问题进行了探讨，并就我国发展真空微电子毫米波器件提出了看法．

关键词 真空微电子 毫米波器件 微波管

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新型真空微电子氢气传感器

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作者 焦正 李民强 刘锦淮 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2002年第3期7-7,16,共2页

研究了一种新型真空微电子氢气传感器 ,其原理为气体在高电压激发下发射出与其吸收光谱相同的特征光谱。用微机械加工方法在硅片上加工出密封的充满H2 的微气室 ,在一定电压下阴极发射电子 ,气体分子被电离 ,发射特征光谱。当外界H2 存... 研究了一种新型真空微电子氢气传感器 ,其原理为气体在高电压激发下发射出与其吸收光谱相同的特征光谱。用微机械加工方法在硅片上加工出密封的充满H2 的微气室 ,在一定电压下阴极发射电子 ,气体分子被电离 ,发射特征光谱。当外界H2 存在时 ,会吸收特征光谱 ,这一吸收具有高选择性。微气室中微机械加工出纳米尺寸冷阴极硅尖端 ,在低电压下就可以产生场发射。检测器可以使用普通的光电二极管。 展开更多

关键词 气体传感器 真空微电子 微机械加工 氢气传感器

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真空微电子二极管的隧道效应

16

作者 宫玉彬 王文祥 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第S1期92-95,共4页

采用许瓦兹－克里斯托福变换，求得了以椭圆锥为发射体的真空微电子二极管区域的电位分布的解析解。采用自由电子模型，运用ＷＫＢ近似，对真空微电子二极管的表面势垒和隧道电流进行了理论研究，求得了表面势垒和隧道电流的表达式，并... 采用许瓦兹－克里斯托福变换，求得了以椭圆锥为发射体的真空微电子二极管区域的电位分布的解析解。采用自由电子模型，运用ＷＫＢ近似，对真空微电子二极管的表面势垒和隧道电流进行了理论研究，求得了表面势垒和隧道电流的表达式，并进行了数值计算。 展开更多

关键词 二极管 真空微电子 保角变换 隧道效应

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真空微电子荧光平板显示器件的实验研究

17

作者 李志能 刘杰明 陈秀峰 《真空科学与技术》 CSCD 1996年第4期292-295,共4页

描述了真空微电子荧光平板显示器件的工作原理，提出了采用反应离子刻蚀法制作大规模场致发射阵列的工艺，在动态真空系统中测定了荧光平板显示器件的场发射特性，并获得了结果。

关键词 真空微电子学 荧光平板显示器 显示器件

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真空微电子传感器进展

18

作者 刘君华 《传感器技术》 CSCD 1994年第5期1-5,共5页

概述了真空微电子传感器的现状,重点介绍了力敏、光敏、磁敏真空微电子传感器的工作原理及特点。

关键词 真空微电子器件 传感器 进展

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阴极-敏感膜复合型真空微电子压力传感器研究 被引量：2

19

作者 陶新昕 夏善红 +1 位作者 苏杰 陈绍凤 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2001年第1期81-84,共4页

该文提出了“阴极-敏感薄膜复合”结构的新型真空微电子压力传感器,并研制出了“阴极-敏感薄膜复合”结构,对硅薄膜在外力作用下产生的形变及其应力分布进行了计算机模拟计算,并讨论了薄膜结构参数对其敏感特性的影响。

关键词 真空微电子 压力传感器 阴极-敏感膜

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力平衡式真空微电子加速度传感器的机电耦合特性(英文) 被引量：2

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作者 杨银川 李东玲 尚正国 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1361-1366,共6页

力平衡式真空微电子加速度传感器的惯性敏感元件不仅受弹性力的作用,同时还受静电力的作用,其总刚度为机械刚度和由静电力引入的电学刚度之和。本文利用平行板电容器模型计算发射电极间的静电力,并引入一个修正系数描述发射锥尖阵列的影... 力平衡式真空微电子加速度传感器的惯性敏感元件不仅受弹性力的作用,同时还受静电力的作用,其总刚度为机械刚度和由静电力引入的电学刚度之和。本文利用平行板电容器模型计算发射电极间的静电力,并引入一个修正系数描述发射锥尖阵列的影响,对传感器性能进行了理论分析。分析表明,提高偏置电压可以改善传感器的线性度和灵敏度,通过调节偏置电压来调整系统的刚度和阻尼比可使其具有更好的动态特性。由于静电吸合效应的影响,质量块的位移必须小于偏置电极间初始间距的1/3 ,系统才能稳定。为了获得较好的动态特性,需要确定一个由偏置电压决定的优化工作点。实验结果表明,当设置发射电压和反馈偏置电压分别为1.953 V和5.478V时,该真空加速度传感器的灵敏度达到557mV/g,非线性度为0.95%,传感器系统具有良好的性能。 展开更多

关键词 机电耦合 力平衡 真空微电子 加速度传感器

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