辉光放电质谱(GD-MS)法测定高纯砷中16种杂质元素

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作者 邹琳 栾海光 +1 位作者 王凌燕 徐萌琳 《中国无机分析化学》 北大核心 2025年第4期576-581,共6页

高新技术产业发展迅猛,半导体行业热度也越来越高,对于高纯砷的需求量相应不断增加,对于其纯度的要求也越来越高,尤其是在合成化合物半导体材料时。因此,对于高纯砷中杂质元素的检测也成为不容忽视的一部分。通过对制样方法、样品的处... 高新技术产业发展迅猛,半导体行业热度也越来越高,对于高纯砷的需求量相应不断增加,对于其纯度的要求也越来越高,尤其是在合成化合物半导体材料时。因此,对于高纯砷中杂质元素的检测也成为不容忽视的一部分。通过对制样方法、样品的处理方法、仪器的参数条件、积分时间的选择、优化数据处理以及如何避免污染等方面进行研究,建立了辉光放电质谱(GD-MS)法测定高纯砷中钠、镁、铝、钾、钙、铬、铁、镍等16种杂质元素的方法。通过对辉光放电质谱仪(GD-MS)测定杂质元素特点的研究,最终选择压片法进行样品制备;通过调节氩气流量、电流、电压、积分时间等使仪器达到最佳分析状态;通过建立相对灵敏度因子校正分析结果,并与电感耦合等离子体质谱仪的分析结果进行对比,结果均在误差范围之内。辉光放电质谱法操作便捷,结果准确可靠且精密度高。 展开更多

关键词 辉光放电质谱仪 高纯砷 质谱干扰 相对灵敏度因子

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直流辉光放电质谱法测定氧化铝中的杂质元素 被引量：12

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作者 胡芳菲 王长华 李继东 《质谱学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期335-340,共6页

为了探索采用直流辉光放电质谱法（dc-GDMS）测定非导体样品中的杂质含量,建立了de-GDMS法测定α-Al2O3粉末中杂质元素的方法.以Cu粉作为导电介质,与α-Al2O3粉末混合均匀,压片,考察辉光放电条件（放电电流、放电气体流量、离子源温度... 为了探索采用直流辉光放电质谱法（dc-GDMS）测定非导体样品中的杂质含量,建立了de-GDMS法测定α-Al2O3粉末中杂质元素的方法.以Cu粉作为导电介质,与α-Al2O3粉末混合均匀,压片,考察辉光放电条件（放电电流、放电气体流量、离子源温度）和压片条件（两种粉末的混合比例、压片机压力等因素）对放电稳定性和灵敏度的影响,同时优化了实验条件.尝试将Al、O、Cu的总信号归一化进行计算,并用差减法计算了Al2O3粉末中的杂质含量.方法精密度在54％以内,元素检出限为0.005～0.57 μg/g.该方法的测定结果与直流电弧发射光谱法的测定结果基本吻合. 展开更多

关键词 直流辉光放电质谱法(dc-gdms) 氧化铝粉末 压片 归一化 杂质元素

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低气压直流氩气辉光放电的数值模拟研究 被引量：5

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作者 邵先军 马跃 +2 位作者 李娅西 张增辉 张冠军 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期50-54,共5页

建立了一维氩气直流辉光放电自洽流体模型,采用对流与扩散方程来描述带电粒子在间隙中迁移、扩散以及电子的能量变化过程,并考虑了空间电荷对电场的影响以及离子撞击阴极产生的二次电子发射作用.采用有限元法对放电模型进行数值求解,得... 建立了一维氩气直流辉光放电自洽流体模型,采用对流与扩散方程来描述带电粒子在间隙中迁移、扩散以及电子的能量变化过程,并考虑了空间电荷对电场的影响以及离子撞击阴极产生的二次电子发射作用.采用有限元法对放电模型进行数值求解,得到了放电电流随时间的演化波形,以及放电稳定后带电粒子的浓度与总通量密度的空间分布,同时也求得了电子能量与电场的空间分布.计算结果表明:加压25μs后,放电逐渐趋于稳定状态;当放电稳定后,在阴极位降区附近,离子密度比电子密度高几个数量级,在正柱区附近两者浓度几乎相等;电子能量在阴极位降区内达到峰值29 eV,而在负辉区及正柱区几乎保持不变;放电电流密度在阴极位降区主要由流向阴极的氩离子及其产生的二次电子所贡献,而在负辉区和正柱区,电子成了放电电流密度的主要贡献者. 展开更多

关键词 直流辉光放电 低温等离子体 电子能量 数值模拟

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用发射光谱法测量氮气直流辉光放电的转动温度 被引量：7

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作者 刘莉莹 张家良 +1 位作者 马腾才 邓新绿 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期1013-1018,共6页

本文报道了氮气气压分别为 10和 2 0Pa时 ,对直流辉光放电的发射光谱进行测量和分析的结果。选择的研究对象为N2 放电中形成的N+2 B2 Σ+u →X2 Σ+g 跃迁的Δν=ν′-ν″ =0谱带系中ν′=0→ν″=0谱带的R支。在阴极背面辉光区、阴极... 本文报道了氮气气压分别为 10和 2 0Pa时 ,对直流辉光放电的发射光谱进行测量和分析的结果。选择的研究对象为N2 放电中形成的N+2 B2 Σ+u →X2 Σ+g 跃迁的Δν=ν′-ν″ =0谱带系中ν′=0→ν″=0谱带的R支。在阴极背面辉光区、阴极鞘层区、正柱区以及阳极辉光区中分别选择一点进行了转动分辨的发射光谱的测量。利用自己编写的光谱拟合程序 ,获得了相应的实验条件下N+ 2 的转动温度 ,给出了转动温度随放电电压的变化趋势 ,其结果可以用直流放电的帕邢定律得到很好的解释。在 10和 2 0Pa气压下 ,放电的阴极鞘层区、正柱区、阳极辉光区中的转动温度都随放电电压呈现出了不同的变化趋势 ,甚至是完全相反的变化趋势。我们认为这是由于气压不同时 ,放电状态不同所致 :气压为 10Pa时的放电是正常辉光放电 ,而气压为时 2 0Pa的放电为反常辉光放电。 展开更多

关键词 发射光谱法 测量 氮气 直流辉光放电 转动温度 等离子体 温度测量

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瞬短脉冲辉光放电飞行时间质谱仪 被引量：5

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作者 杭纬 杨芃原 +3 位作者 杨成隆 苏永选 王小如 黄本立 《质谱学报》 EI CAS CSCD 1995年第3期9-14,共6页

本文介绍了本实验室研制的瞬短脉冲辉光放电飞行时间质谱仪（Ｍｉｃｒｏ－ｓｅｃｏｎｄＰｕｌｓｅｄＧｌｏｗＤｉｓｃｈａｒｇｅＴｉｍｅ－ｏｆ－ＦｌｉｇｈｔＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）。其中，辉光放电离子源具有离子产额高、工作稳... 本文介绍了本实验室研制的瞬短脉冲辉光放电飞行时间质谱仪（Ｍｉｃｒｏ－ｓｅｃｏｎｄＰｕｌｓｅｄＧｌｏｗＤｉｓｃｈａｒｇｅＴｉｍｅ－ｏｆ－ＦｌｉｇｈｔＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）。其中，辉光放电离子源具有离子产额高、工作稳定可靠等特点，可用于对金属（合金）样品的直接分析。该仪器为国内首台自制的常压（低真空）等离子体飞行时间质谱仪，亦为国际上首台瞬短脉冲辉光放电质谱仪，为研究眸短脉冲辉光放电及其应用这一新兴领域打下了基础。仪器的分辨本领优于５００。 展开更多

关键词 脉冲辉光放电 飞行时间质谱仪 质谱

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辉光放电质谱仪的历史现状与未来 被引量：3

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作者 杭纬 杨成隆 +3 位作者 苏永选 杨芃原 王小如 黄本立 《质谱学报》 EI CAS CSCD 1996年第2期8-14,共7页

本文介绍辉光放电（ＧｌｏｗＤｉｓｃｈａｒｇｅ，ＧＤ）作为质谱仪离子源的发展过程，叙述了多种形式的辉光放电离子源的特性及应用，并就辉光放电质谱仪做为分析手段与其他分析方法进行了比较，对该领域的杰出人士及辉光放电商品仪器... 本文介绍辉光放电（ＧｌｏｗＤｉｓｃｈａｒｇｅ，ＧＤ）作为质谱仪离子源的发展过程，叙述了多种形式的辉光放电离子源的特性及应用，并就辉光放电质谱仪做为分析手段与其他分析方法进行了比较，对该领域的杰出人士及辉光放电商品仪器进行了介绍，最后根据专家们的分析，探讨了辉光放电质谱仪的未来工作方向。 展开更多

关键词 辉光放电质谱仪 离子源 原子光谱仪 辉光放电

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辉光放电质谱仪测定超纯锗中23种痕量杂质元素 被引量：14

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作者 普朝光 肖绍泽 张震 《质谱学报》 EI CAS CSCD 1997年第4期67-70,共4页

本文报导了一种用辉光放电质谱仪VG9000在无标准样品的情况下对超纯半导体材料锗中23种痕量杂质元素的直接而快速的定量测定方法。该方法具有10ppt量级的检测极限，是鉴定起统金属或半导体材料纯度（8N）的理想手段。

关键词 辉光放电质谱仪 痕量杂质 锗半导体 纯度

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直流辉光和磁控增强放电等离子体的空间分辨发射光谱技术 被引量：3

8

作者 于红 张家良 +2 位作者 任春生 王友年 马腾才 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期255-259,共5页

光学发射光谱 (OES)方法是等离子体诊断的有力工具之一 ,可以定量地给出等离子体的多种重要参数 ,如等离子体中的物种成分、粒子能态分布、激发温度、粒子相对密度等。本文介绍了一种用于电子回旋共振 (ECR)微波等离子体磁控溅射靶附近... 光学发射光谱 (OES)方法是等离子体诊断的有力工具之一 ,可以定量地给出等离子体的多种重要参数 ,如等离子体中的物种成分、粒子能态分布、激发温度、粒子相对密度等。本文介绍了一种用于电子回旋共振 (ECR)微波等离子体磁控溅射靶附近的增强放电和直流辉光放电等离子体空间分辨诊断的发射光谱装置。其特点是光学收集系统的位置可以水平精细移动 ,因而可以对放电区域进行空间分辨发射光谱测量。作者利用这套装置对氩气的ECR微波等离子体和直流辉光放电等离子体进行诊断。在ECR微波等离子体的下游区内氩离子谱线的发射强度很弱 ,主要是高激发态原子的辐射。在磁共振增强放电区 ,离子谱线强度有所增加但仍比原子谱线弱 ,类似于直流辉光放电正柱区的光发射特性。 展开更多

关键词 发射光谱 直流辉光放电 激发态原子 激发温度 类似 行空间 微波等离子体 空间分辨 光发射 电子回旋共振

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辉光放电质谱仪直接测定超高纯镉中的痕量杂质元素 被引量：5

9

作者 普朝光 张震 肖绍泽 《红外与激光工程》 EI CSCD 1997年第3期40-43,共4页

首次在国内报道了一种在无标准样品存在时，用辉光放电质谱仪VG9000（英国VG公司）直接且快捷地定量测定超高纯金属镉中痕量杂质元素的方法。该方法可获得用其它仪器分析无法达到的技术参数，也可应用于冶金或半导体工业中超高纯金属和... 首次在国内报道了一种在无标准样品存在时，用辉光放电质谱仪VG9000（英国VG公司）直接且快捷地定量测定超高纯金属镉中痕量杂质元素的方法。该方法可获得用其它仪器分析无法达到的技术参数，也可应用于冶金或半导体工业中超高纯金属和半导体材料中痕量杂质元素的定量分析。 展开更多

关键词 辉光放电 质谱仪 镉 痕量元素 测定

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直流辉光放电CVD法均匀生长纳米金刚石薄膜的研究 被引量：1

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作者 游志恒 满卫东 +5 位作者 吕继磊 阳硕 何莲 徐群峰 白华 江南 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期2746-2750,共5页

采用直流辉光放电化学气相沉积设备,以H2/CH4/Ar混合气体为工作气体,在2英寸硅片沉积出了晶粒尺寸为20~40 nm的纳米金刚石薄膜。采用SEM、Raman、微摩擦试验机等分析了不同CH4浓度、Ar浓度对NCD薄膜生长特性的影响。研究结果表明：金刚... 采用直流辉光放电化学气相沉积设备,以H2/CH4/Ar混合气体为工作气体,在2英寸硅片沉积出了晶粒尺寸为20~40 nm的纳米金刚石薄膜。采用SEM、Raman、微摩擦试验机等分析了不同CH4浓度、Ar浓度对NCD薄膜生长特性的影响。研究结果表明：金刚石薄膜的晶粒尺寸随着CH4浓度的增加而减小,但是过高的CH4浓度会导致石墨相大量生成;随着Ar浓度的增加,金刚石薄膜的晶粒尺寸逐渐细化,但过量Ar的掺入会降低金刚石薄膜的质量;在合适的工艺参数下,薄膜摩擦系数最低可以降低到0.12,NCD薄膜的最大沉积直径为140 mm。 展开更多

关键词 直流辉光放电 化学气相沉积 纳米金刚石 摩擦系数

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氮直流辉光放电活性粒子(N^+,N)的产生率 被引量：3

11

作者 张连珠 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期113-118,共6页

在氮直流辉光放电等离子体中采用快电子和离子(N+2,N+)混合的蒙特卡罗模型,模拟研究了e+N2→N+ N+N+2e e和N+2+N2→N++N+N2过程中粒子(N+,N)产生率的轴向分布随放电参数(工作气压、放电电压和温度)的变化规律。结果表明:两种离解过程中... 在氮直流辉光放电等离子体中采用快电子和离子(N+2,N+)混合的蒙特卡罗模型,模拟研究了e+N2→N+ N+N+2e e和N+2+N2→N++N+N2过程中粒子(N+,N)产生率的轴向分布随放电参数(工作气压、放电电压和温度)的变化规律。结果表明:两种离解过程中氮活性粒子(N+,N)的产生率都随气压和电压的增加而增大,随放电气体温度的升高而降低;但N+2-N2离解碰撞主要发生在阴极附近。电压较高时,阴极处的离子N+主要由N+2-N2离解过程产生;电压较低时,N+2-N2离解过程可忽略。中性原子N主要由电子碰撞离解过程产生。 展开更多

关键词 氮直流辉光放电 活性粒子 产生率 蒙特卡罗模拟 轴向分布 放电参数 氮化物薄膜 等离子体

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直流辉光放电等离子体增强化学气相法制备金刚石及氮化碳薄膜

12

作者 于威 王淑芳 +4 位作者 丁学成 韩理 刘志强 张连水 傅广生 《河北大学学报（自然科学版）》 CAS 2000年第1期78-82,共5页

采用直流辉光放电等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术方法 ,在Si(100)衬底上制备了金刚石薄膜 。

关键词 直流辉光放电 化学气相沉积 金刚石 氮化碳

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直流辉光放电氮原子离子的Monte Carlo模拟研究

13

作者 张连珠 何琪 《吉林大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期77-80,共4页

采用氮直流辉光放电等离子体中快电子和离子(N+2,N+)混合的蒙特卡罗模型,模拟研究了e-+N2N++N+2e和N+2+N2N++N+N2过程离子N+的产生率轴向分布随放电参数的变化规律及其轰击阴极的能量分布.结果表明,两种离解过程中氮原子离子(N+)的产生... 采用氮直流辉光放电等离子体中快电子和离子(N+2,N+)混合的蒙特卡罗模型,模拟研究了e-+N2N++N+2e和N+2+N2N++N+N2过程离子N+的产生率轴向分布随放电参数的变化规律及其轰击阴极的能量分布.结果表明,两种离解过程中氮原子离子(N+)的产生率均随气压和电压的增加而增大,随放电气体温度的升高而降低;但N+2-N2离解碰撞主要发生在阴极附近.在电压较高时,阴极处的N+主要由N+2-N2离解过程产生;在电压较低时,N+2-N2离解过程可忽略. 展开更多

关键词 氮直流辉光放电 氮原子离子 MONTECARLO模拟 蒙特卡罗模拟方法 离解碰撞 等离子体

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直流电压下Ar气中微空心阴极类辉光放电特性

14

作者 黄世龙 朱雷 +1 位作者 刘云鹏 CORMAC Corr 《华北电力大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2021年第6期9-13,23,共6页

为研究微空心阴极放电类辉光现象,在气压100 Torr、空心半径100μm和阴极表面施加电压-600 V条件下,建立了二维轴对称流体计算模型,包括控制方程、边界条件及化学反应,并进行了数值模拟。结果表明,在类辉光放电模式下,放电电压约为-95V... 为研究微空心阴极放电类辉光现象,在气压100 Torr、空心半径100μm和阴极表面施加电压-600 V条件下,建立了二维轴对称流体计算模型,包括控制方程、边界条件及化学反应,并进行了数值模拟。结果表明,在类辉光放电模式下,放电电压约为-95V,在空心内阴极附近出现一个清晰的环形鞘层结构,鞘层厚度沿阴极外表面随着半径的增加而增加;带电粒子数密度约为10^(19) m^(-3),阴极鞘层和等离子体区域内电子温度近似约为10.2 eV和1.5 eV;基态电离和彭宁电离反应速率峰值约分别为1.2×10^(3)、2.7×10^(3) mol/(m^(3)·s);电子的整体净体积产生率约为2.4×10^(27) L/(m^(3)·s),主要产生在空心阴极区,同时在阴极侧孔外和平坦的外阴极区域鞘层边缘也有少量电子产生。 展开更多

关键词 微空心阴极 直流电压 类辉光放电 二维轴对称模型

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孔阳极大气压直流辉光放电研究 被引量：2

15

作者 王晓臣 王宁会 李国锋 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期50-54,共5页

为得到一种简单可靠的大气压直流辉光放电方式,并提高直流辉光放电在织物表面处理领域的实用性,提出了一种孔阳极辅以轴向气流的直流大气压辉光放电装置。实验并记录和讨论了放电图像和放电电流波形,还根据约化伏安特性曲线确定了辉光... 为得到一种简单可靠的大气压直流辉光放电方式,并提高直流辉光放电在织物表面处理领域的实用性,提出了一种孔阳极辅以轴向气流的直流大气压辉光放电装置。实验并记录和讨论了放电图像和放电电流波形,还根据约化伏安特性曲线确定了辉光转化的阈值电压。结果表明孔阳极与轴向气流配合可有效消除辉光放电的不稳定性,产生稳定的大气压直流辉光。另外,考察了放电发射光谱和电极轴线上的光强分布,并确认光强分布具有典型的辉光特征。 展开更多

关键词 孔阳极 大气压直流辉光放电 织物表面改性 轴向气流 轴向光强分布

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直流辉光放电质谱法测定高纯α-Al 2 O 3颗粒中16种杂质元素 被引量：4

16

作者 谭秀珍 李江霖 +2 位作者 李瑶 邓育宁 朱刘 《中国无机分析化学》 CAS 北大核心 2023年第7期755-760,共6页

采用高纯Ga作为辅助电极,通过考察取样量、放电参数对基体信号强度、信号稳定性、基体和Ga的信号比值的影响,建立了直流辉光放电质谱法(dc-GDMS)测定高纯α-Al_(2)O_(3)颗粒中的Li、Be、Na、Mg等16种杂质元素含量的分析方法。当选取3颗2... 采用高纯Ga作为辅助电极,通过考察取样量、放电参数对基体信号强度、信号稳定性、基体和Ga的信号比值的影响,建立了直流辉光放电质谱法(dc-GDMS)测定高纯α-Al_(2)O_(3)颗粒中的Li、Be、Na、Mg等16种杂质元素含量的分析方法。当选取3颗2 mm左右大小的α-Al_(2)O_(3)颗粒用Ga包裹,在1.6 mA/950 V的放电参数下,基体27 Al信号稳定,强度为3.2×10^(8) cps,Al、Ga的信号比约为1∶270。采用实验方法对α-Al_(2)O_(3)颗粒独立测定5次,相对标准偏差均在30%以内。为了验证Ga对α-Al_(2)O_(3)颗粒测定结果的影响,分别采用电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)和dc-GDMS法对易于消解的γ-Al_(2)O_(3)粉进行测定。对于dc-GDMS法,选择压在Ga上的γ-Al_(2)O_(3)粉直径约为4~5 mm,在同样的放电参数下,27 Al的信号强度为3.0×10^(9) cps,Al、Ga的信号比约为1∶29。γ-Al_(2)O_(3)粉的GDMS测定结果和ICP-OES基本一致。采用Ga作辅助电极测定α-Al_(2)O_(3)颗粒和γ-Al_(2)O_(3)粉的检出限均可达ng/g。 展开更多

关键词 直流辉光放电质谱仪(dc-gdms) 高纯Ga 高纯α-Al 2 O 3颗粒 杂质元素

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直流辉光放电质谱法测定高纯二氧化锗中的16种杂质元素及其相对灵敏度因子的求取 被引量：8

17

作者 谭秀珍 李瑶 +2 位作者 林乾彬 朱刘 邓育宁 《理化检验（化学分册）》 CAS CSCD 北大核心 2019年第7期859-864,共6页

取高纯GeO2粉末5.00g(颗粒度小于30μm)5份,其中一份作为空白,其余4份中依次加入Li、Be、Mg、Al、Ti、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu、Zn、Sn、Sb、Tl、Pb等16种元素的标准溶液,使其浓度梯度为0,0.4,1.0,2.0,5.0μg·g^-1,于烘箱中100℃烘... 取高纯GeO2粉末5.00g(颗粒度小于30μm)5份,其中一份作为空白,其余4份中依次加入Li、Be、Mg、Al、Ti、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu、Zn、Sn、Sb、Tl、Pb等16种元素的标准溶液,使其浓度梯度为0,0.4,1.0,2.0,5.0μg·g^-1,于烘箱中100℃烘干。充分研磨混匀后制得GeO2粉末中含16种杂质元素的控制样品。取高纯铟按方法规定压制成直径约为15mm的In薄片。取5片铟薄片,取适量上述5个GeO2控制样品分别置于铟薄片上,盖上数层称量纸后用手动压紧压实,使铟薄片上的控制样品的直径约为4mm,并分别进行直流辉光放电质谱法(dc-GD-MS)测定。选择放电电流为1.8mA,放电电压为850V,采用电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定控制样品中各杂质元素的含量,并将这些测定值作为标准值。将ICP-MS测定所得待测元素和基体元素的离子束强度比值为横坐标,以与其对应的信号强度为纵坐标绘制校准曲线,曲线的斜率即为各元素的相对灵敏度因子(RSF)值。所得16种元素的校准RSF(calRSF)值和仪器自带的标准RSF(stdRSF)值之间存在显著的差异,其比值大都在2~3之间。由此可见制备的一组GeO2粉末控制样品不仅建立了各元素的工作曲线,而且获得了与基体相匹配的RSF值,解决了用GD-MS测定高纯GeO2中16种杂质元素的问题。 展开更多

关键词 直流辉光放电质谱法 高纯二氧化锗粉末 控制样品 相对灵敏度因子

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直流辉光放电质谱法半定量分析金属镝中73种杂质元素 被引量：4

18

作者 李爱嫦 墨淑敏 +3 位作者 潘元海 邱长丹 祝利红 董超波 《理化检验（化学分册）》 CAS CSCD 北大核心 2021年第12期1067-1073,共7页

建立了直流辉光放电质谱法(DC-GDMS)半定量分析金属镝中73种杂质元素的方法。取金属镝样品(25 mm×10 mm)分析,采用合适的质量数和分辨率将待测元素峰和干扰峰完全分离,从而消除质谱干扰,在放电气体流量为450 mL·min^(-1),放... 建立了直流辉光放电质谱法(DC-GDMS)半定量分析金属镝中73种杂质元素的方法。取金属镝样品(25 mm×10 mm)分析,采用合适的质量数和分辨率将待测元素峰和干扰峰完全分离,从而消除质谱干扰,在放电气体流量为450 mL·min^(-1),放电电流为45 mA,预溅射时间为15 min的条件下,利用仪器自带"典型相对灵敏度因子(RSF)"校正结果,测定金属镝中73种杂质元素。结果表明:在没有标准物质的情况下,可实现对金属镝中73种杂质元素的半定量分析;重复测定样品11次,测定值的相对标准偏差(RSD)均小于2.0%;将该方法与国家标准方法(GB/T 12690.5-2017中的电感耦合等离子体原子发射光谱法和GB/T 18115.9-2006中的电感耦合等离子体质谱法)进行比对,所得结果基本一致。 展开更多

关键词 直流辉光放电质谱法 金属镝 半定量分析 杂质元素

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辉光放电质谱仪期间核查控制图在实验室质量控制中的应用 被引量：3

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作者 甘建壮 马媛 +1 位作者 李玉萍 杨晓滔 《中国无机分析化学》 CAS 2019年第1期67-70,共4页

仪器设备的期间核查是实验室管理及实验室认证认可的一项基本要求,辉光放电质谱仪主要应用于高纯金属材料的分析,标样研制较为困难,使用高纯标准物质进行质量控制及期间核查的方法难以实现。对用液氮低温冷却离子源型的辉光放电质谱仪,... 仪器设备的期间核查是实验室管理及实验室认证认可的一项基本要求,辉光放电质谱仪主要应用于高纯金属材料的分析,标样研制较为困难,使用高纯标准物质进行质量控制及期间核查的方法难以实现。对用液氮低温冷却离子源型的辉光放电质谱仪,使用纯钽片在进行日常仪器调试信号时得到的钨元素含量数据,用于绘制平均值-极差控制图作为实验室质量控制及期间核查的判定依据,以此评价仪器日常工作的性能状态,以保证检测结果的正确性和可靠性。 展开更多

关键词 辉光放电质谱仪 期间核查 质量控制

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利用直流辉光放电的细长金属管内表面常温注氮方法

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《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2008年第10期4-4,共1页

本发明属于低温等离子体技术领域中材料表面改性技术，公开了一种利用直流辉先放电等离子体的细长金属管内表面常温注氮方法，其特征是：采用同轴电极结构、在氩气和氮气或氨气保护下，利用几千伏的直流恒定高电压在细长金属管内产生稳... 本发明属于低温等离子体技术领域中材料表面改性技术，公开了一种利用直流辉先放电等离子体的细长金属管内表面常温注氮方法，其特征是：采用同轴电极结构、在氩气和氮气或氨气保护下，利用几千伏的直流恒定高电压在细长金属管内产生稳定的圆筒状直流辉光等离子体，管内产生的圆筒状直流辉光等离子体的长度通过电压源电压进行控制，无需对待处理金属管加热或散热， 展开更多

关键词 直流辉光放电 金属管 内表面 常温注氮 直流辉光等离子体 低温等离子体技术 表面改性技术

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