稀土永磁材料高温电阻率和温度系数测量

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作者 王顺杰 俞伟栋 +2 位作者 谢志斌 杨阳 施江焕 《中国测试》 北大核心 2024年第S2期47-51,共5页

介绍一种稀土永磁材料高温电阻率及其温度系数的测量装置和测量方法。解决变温过程中材料膨胀或收缩带来的断路问题。使用Delta测量法有效抵消线性热电势带来的测量误差,提高测量准确度。使用该方法测试得到烧结钕铁硼和烧结钐钴两种主... 介绍一种稀土永磁材料高温电阻率及其温度系数的测量装置和测量方法。解决变温过程中材料膨胀或收缩带来的断路问题。使用Delta测量法有效抵消线性热电势带来的测量误差,提高测量准确度。使用该方法测试得到烧结钕铁硼和烧结钐钴两种主要稀土永磁材料在20~150℃的电阻率和温度系数测量结果。 展开更多

关键词 稀土永磁材料 高温电阻率 温度系数 Delta测量法

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四探针Mapping自动测试仪中电阻率温度系数的规范化拟合多项式的应用 被引量：4

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作者 孙以材 孟庆浩 +2 位作者 宫云梅 赵卫萍 武建平 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1438-1441,共4页

本文回顾了单晶硅及扩散硅的电阻率温度系数(TCR)的实验结果,认为美国ASTM的TCR曲线是比较完整,确切的.利用我们开发的规范化多项式拟合方法,可将它表示成五阶多项式.将它存入具图像识别四探针定位功能自动测试系统的计算机中后,可以立... 本文回顾了单晶硅及扩散硅的电阻率温度系数(TCR)的实验结果,认为美国ASTM的TCR曲线是比较完整,确切的.利用我们开发的规范化多项式拟合方法,可将它表示成五阶多项式.将它存入具图像识别四探针定位功能自动测试系统的计算机中后,可以立即得到折合到23℃的硅单晶断面的电阻率分布.本文阐述了规范化拟合的原理,给出了单晶硅的TCR的拟合结果. 展开更多

关键词 半导体材料电阻率温度系数 电阻率分布 规范化多项式拟合 非线性函数

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低温度系数的CrSi薄膜电阻的制备工艺 被引量：6

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作者 王飞 陈俊 +4 位作者 王学毅 常小宇 冉明 杨永晖 杨伟 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第5期355-359,共5页

采用磁控溅射法制备低温度系数CrSi薄膜电阻,研究了制备过程中溅射条件对CrSi薄膜电阻温度系数的影响,包括溅射功率、衬底加热温度、工艺气体体积流量和反应气体体积流量。这些条件通过改变CrSi薄膜这种不连续金属薄膜中的晶粒大小和晶... 采用磁控溅射法制备低温度系数CrSi薄膜电阻,研究了制备过程中溅射条件对CrSi薄膜电阻温度系数的影响,包括溅射功率、衬底加热温度、工艺气体体积流量和反应气体体积流量。这些条件通过改变CrSi薄膜这种不连续金属薄膜中的晶粒大小和晶粒间距,进而影响CrSi薄膜电阻的电阻率。通过优化溅射功率、衬底加热温度、工艺气体体积流量和反应气体体积流量,得到合适的晶粒大小和晶粒间距,从而得到电阻温度系数为-3.88×10-6/℃的CrSi薄膜,为CrSi薄膜电阻的集成应用提供了工艺基础。 展开更多

关键词 磁控溅射 CrSi薄膜电阻 温度系数 溅射条件 电阻率

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测定金属电阻温度系数的方法研究 被引量：17

4

作者 任丽英 《大学物理实验》 2010年第5期7-9,共3页

从金属电阻率与温度的线性关系出发,设计了测定金属电阻温度系数的实验方案。利用基本的电磁学仪器和热学仪器组合进行实验,以漆包铜线作为待测金属丝测定出铜的电阻温度系数,分析了导致系统误差产生的主要原因,并就待测金属丝的选取原... 从金属电阻率与温度的线性关系出发,设计了测定金属电阻温度系数的实验方案。利用基本的电磁学仪器和热学仪器组合进行实验,以漆包铜线作为待测金属丝测定出铜的电阻温度系数,分析了导致系统误差产生的主要原因,并就待测金属丝的选取原则、温度控制的方法进行了讨论。 展开更多

关键词 电阻 电阻率 电阻温度系数

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钙离子在复合高温负温度系数热敏电阻晶界中掺杂效应的研究 被引量：1

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作者 范保艳 苏东 +1 位作者 刘晓燕 姜胜林 《重庆科技学院学报（自然科学版）》 CAS 2019年第4期6-9,共4页

热敏电阻应用广泛,能耐受较高温度,且稳定性优异。为了深入了解其特性,利用传统固相法对复合型Y2O3-YCr0. 5Mn0. 5O3负温度系数热敏电阻复合材料的性能进行了实验研究。在保持其热敏电阻系数(B值)不变的情况下,实现了室温下对高温热敏... 热敏电阻应用广泛,能耐受较高温度,且稳定性优异。为了深入了解其特性,利用传统固相法对复合型Y2O3-YCr0. 5Mn0. 5O3负温度系数热敏电阻复合材料的性能进行了实验研究。在保持其热敏电阻系数(B值)不变的情况下,实现了室温下对高温热敏电阻在电阻率4. 35×10^3~1. 62×10^4Ω·cm范围内的调节。其中,B25/150的范围为1 585. 73~1 703. 91 K,B500/600的范围为2 954. 3~3 079. 55 K。该热敏电阻可在0~800℃的较宽温度范围内工作,作为高温热探测的探测元件极具潜力。 展开更多

关键词 钙离子 高温负温度系数热敏电阻 热敏电阻系数 室温电阻率

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精密薄膜电阻材料研究进展

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作者 王攀龙 崔光宇 田广科 《微纳电子技术》 2025年第3期68-73,共6页

精密薄膜电阻材料是制作高精度薄膜电阻元件的关键材料,衡量其性能的关键技术指标是薄膜阻值精度和电阻率温度系数(TCR)绝对值。从不同薄膜材料的TCR入手,重点综述了近10年来国内外在精密薄膜电阻材料方面的研究进展,指出了目前存在的... 精密薄膜电阻材料是制作高精度薄膜电阻元件的关键材料,衡量其性能的关键技术指标是薄膜阻值精度和电阻率温度系数(TCR)绝对值。从不同薄膜材料的TCR入手,重点综述了近10年来国内外在精密薄膜电阻材料方面的研究进展,指出了目前存在的一些问题及未来可能的发展方向,文章对于发展精密薄膜电阻材料高新技术具有一定的借鉴作用。 展开更多

关键词 精密薄膜电阻器 电阻率 电阻率温度系数(tcr) 微电子技术 磁控溅射

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AlNi纳米合金薄膜低温电阻率的特性研究

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作者 张莉莉 代飞 +6 位作者 孙丽俊 林伟 王凯 黄景林 易勇 张继成 雷海乐 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第10期1898-1904,共7页

通过磁控溅射制备了AlNi纳米合金薄膜,并利用自制的直排四探针低温测量系统测量了薄膜电阻率随温度(8~300K)的变化规律。结果表明:由于电子-声子和电子-磁子相互作用,纯Al和Ni纳米晶薄膜的电阻率分别呈现出正的电阻率温度系数,且电子-... 通过磁控溅射制备了AlNi纳米合金薄膜,并利用自制的直排四探针低温测量系统测量了薄膜电阻率随温度(8~300K)的变化规律。结果表明:由于电子-声子和电子-磁子相互作用,纯Al和Ni纳米晶薄膜的电阻率分别呈现出正的电阻率温度系数,且电子-磁子散射对电阻率的贡献主要体现在高温区(80~300K),在低温区(<40K)电子-晶界/表面散射对电阻率的贡献占主导地位。Ni原子掺入量的增加,诱导了纳米晶薄膜无序程度的增强,从而使Al1-xNix纳米合金薄膜逐渐由晶体的金属特性过渡到半导体特性,导致其呈现出负的电阻率温度系数。由于增强的电子极化效应,Al1-xNix纳米合金薄膜电阻率与温度的关系并不完全遵循半导体的热激发导电模型。 展开更多

关键词 Al1-xNix合金薄膜 半导体电阻率 电子-声子/磁子散射 负电阻率温度系数

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使用铝电极的BaPbO_3陶瓷的PTCR效应 被引量：2

8

作者 李井润 李志成 徐永波 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期10-14,共5页

为了研究开发具有低电阻率和正电阻温度系数 (PTCR)的高居里点陶瓷材料 ,以BaCO3和PbO为原料制备了一组La掺杂的陶瓷材料 .实验发现 ,烧结的陶瓷样品在室温下具有极低的电阻率 ,且呈现出和金属导体一样的电导体特征 ;使用铝电极的BaPbO... 为了研究开发具有低电阻率和正电阻温度系数 (PTCR)的高居里点陶瓷材料 ,以BaCO3和PbO为原料制备了一组La掺杂的陶瓷材料 .实验发现 ,烧结的陶瓷样品在室温下具有极低的电阻率 ,且呈现出和金属导体一样的电导体特征 ;使用铝电极的BaPbO3基陶瓷体表现出PTCR特性 ,并且这种特性可以通过调整掺杂物的量进行改善 .利用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对陶瓷的微观结构进行了表征 .微观结构分析表明 ,一薄层的烧结陶瓷表层为具有金属性质的正交结构BaPbO3纳米相 ,并由此使其表现出极低的电阻率 ;具有PTCR特性的陶瓷体内部是由具有畴结构的铁电相组成 ,所以除去烧结陶瓷表层后 ,喷镀铝电极的陶瓷体表现出正电阻温度效应 . 展开更多

关键词 钡铅氧化物陶瓷 电阻率 正电阻温度系数 微观结构

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玻璃助剂对厚膜NTC热敏电阻器材料特征常数的影响 被引量：1

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作者 李亚东 朱宏 丁古巧 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期823-826,共4页

研究表明 ,玻璃助剂含量从 10增至 30wt.%时 ,厚膜NTC热敏电阻器的电阻率 ρ50 增长 86 % ,其它材料特征常数 (热敏常数B、电导激活能ΔE和电阻温度系数α50 )增长小于 1.4 %。玻璃助剂含量从 30增至 4 0wt.%时 ,电阻率 ρ50 增长 4 % ... 研究表明 ,玻璃助剂含量从 10增至 30wt.%时 ,厚膜NTC热敏电阻器的电阻率 ρ50 增长 86 % ,其它材料特征常数 (热敏常数B、电导激活能ΔE和电阻温度系数α50 )增长小于 1.4 %。玻璃助剂含量从 30增至 4 0wt.%时 ,电阻率 ρ50 增长 4 % ,其它材料特征常数增长 7.7%。厚膜烧结过程中 ,热敏相的成分改变是导致材料特征常数显著变化的主要原因 ,电阻率对热敏相成分改变更为敏感。玻璃助剂含量为 5wt.%时 ,材料特征常数发生异常增大 ,电阻率 ρ50 增长4 2 0 % ,其它常数增长 17%以上。异常增大现象主要与烧结时热敏相颗粒间难以形成良好接触和导通节点显著减少有关。 展开更多

关键词 NTC热敏电阻 助剂 材料特征 玻璃 电阻率 常数 颗粒 厚膜 电阻温度系数 导通

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记录仪滑线电阻用有机导电膜的研究

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作者 李宏建 彭景翠 潘勇 《湘潭大学自然科学学报》 CAS CSCD 1994年第4期22-24,共3页

本文介绍了一种记录仪滑线电阻用有机导电膜的研制及其电阻率、温度系数、粘度和老化性能的测量．

关键词 有机导电膜 电阻率 温度系数 粘度 记录仪

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印制板中炭黑类埋置电阻喷墨打印油墨的制作及性能研究

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作者 周国云 何为 王守绪 《印制电路信息》 2014年第3期13-16,共4页

文章讲述了印制电路板中炭黑类埋置电阻喷墨打印油墨。制作的油墨黏度经黏度计测得0.087 Pa·s。TGA(热重分析)的分析结果显示油墨的固化条件为180℃、4 h。研究了固化后的埋置电阻油墨性能,包括电阻性能,玻璃化温度Tg,电阻温度系数... 文章讲述了印制电路板中炭黑类埋置电阻喷墨打印油墨。制作的油墨黏度经黏度计测得0.087 Pa·s。TGA(热重分析)的分析结果显示油墨的固化条件为180℃、4 h。研究了固化后的埋置电阻油墨性能,包括电阻性能,玻璃化温度Tg,电阻温度系数TCR和热膨胀系数CTE等。该性能参数说明了固化后的埋置电阻油墨能够很好地与市面上大部分的印制电路板的兼容。最后,使用扫描电镜SEM观察到了炭黑颗粒在粘接剂树脂中的分布情况。 展开更多

关键词 埋嵌电阻 喷墨打印油墨 玻璃化温度 电阻温度系数 热膨胀系数 印制电路板 Tg(Temperature of Glass) tcr(Temperature Coefifcient of Resistance) CTE(Coefifcient of Thermal Expansion ) PCB (Printed Circuit Board)

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MgO掺杂对ZnO基线性电阻陶瓷性能的影响 被引量：1

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作者 何日青 杨传仁 +2 位作者 陈宏伟 张继华 赵强 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2013年第4期592-594,598,共4页

以ZnO为基添加Al2O3和MgO制备了导电陶瓷;研究了MgO掺杂含量对ZnO陶瓷电阻率、电阻温度系数和相对密度的影响;测试分析了ZnO导电陶瓷在室温小电流时的伏安特性。结果表明,ZnO-Al2O3-MgO系陶瓷具有线性的伏-安(V-I)特性;添加MgO能增大电... 以ZnO为基添加Al2O3和MgO制备了导电陶瓷;研究了MgO掺杂含量对ZnO陶瓷电阻率、电阻温度系数和相对密度的影响;测试分析了ZnO导电陶瓷在室温小电流时的伏安特性。结果表明,ZnO-Al2O3-MgO系陶瓷具有线性的伏-安(V-I)特性;添加MgO能增大电阻率且可改善电阻温度系数,当x(MgO)=5%时,小电流电阻率为178Ω.cm,电阻温度系数为-1.5×10-3/℃;适量的MgO含量有利于烧结致密化。 展开更多

关键词 线性电阻陶瓷 电阻率 电阻温度系数 伏-安(V-I)特性

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基板表面粗糙度对电阻薄膜微观形貌及电学性能的影响 被引量：2

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作者 杨曌 李保昌 +4 位作者 王烨 罗俊尧 陆忠成 沓世我 宁洪龙 《材料研究与应用》 CAS 2022年第4期505-510,共6页

不同表面粗糙度的基板显著影响其溅射膜层的微观形貌、电阻以及残余应力,同时其本身的制备成本也相差甚远。选择表面粗糙度适合的基板,能够在保证产品性能良好、可靠性高的同时,兼顾生产成本的有效调控。基于实际生产考量,通过磁控溅射... 不同表面粗糙度的基板显著影响其溅射膜层的微观形貌、电阻以及残余应力,同时其本身的制备成本也相差甚远。选择表面粗糙度适合的基板,能够在保证产品性能良好、可靠性高的同时,兼顾生产成本的有效调控。基于实际生产考量,通过磁控溅射工艺制备两种Ti、TaN功能薄膜,系统性评估了表面粗糙度大范围梯度(R_(a)=20—1000 nm)变化的氧化铝基板对溅射膜层的影响,包括镀膜前后表面粗糙度、室温电阻率以及电阻温度系数(TCR)。结果表明:当基板表面粗糙度R_(a)<350 nm,镀膜后R_(a)无显著变化;当R_(a)>350 nm,随着基板R_(a)增加其镀膜后R_(a)显著降低;不同于R_(a),镀膜后功能薄膜层R_(z)明显低于基板值;Ti、TaN薄膜电阻率,随基板R_(a)的增加而增大;TaN功能薄膜TCR随基板R_(a)值的增加先增大后减小,负偏明显并保持在−500×10^(−6)-−550×10^(−6)℃^(−1)区间。 展开更多

关键词 表面粗糙度 电阻率 磁控溅射 电阻温度系数 功能薄膜

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LCP柔性基板的薄膜电阻制作技术 被引量：1

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作者 丁蕾 罗燕 +2 位作者 刘凯 陈韬 王立春 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2021年第2期170-176,共7页

针对液晶聚合物(LCP)柔性基板高频电子封装应用需求,采用一种薄膜溅射工艺直接在LCP柔性基板上制作TaN薄膜电阻,研究不同等离子体预处理方式对LCP表面形貌和LCP表面薄膜金属膜层附着强度的影响,进一步研究溅射气压和氮气体积分数等参数... 针对液晶聚合物(LCP)柔性基板高频电子封装应用需求,采用一种薄膜溅射工艺直接在LCP柔性基板上制作TaN薄膜电阻,研究不同等离子体预处理方式对LCP表面形貌和LCP表面薄膜金属膜层附着强度的影响,进一步研究溅射气压和氮气体积分数等参数对电阻性能的影响,考察LCP柔性基板上的TaN薄膜电阻精度及电阻温度系数(TCR),并制备出50Ω的薄膜电阻。结果表明:当射频功率为300 W的氧等离子体预处理600 s时,LCP表面的面粗糙度低,LCP基板表面薄膜金属膜层附着强度高,其值>5.0 N/mm^(2);当溅射功率为400 W、氮气体积分数为3%、溅射气压为0.2 Pa时,制备的TaN薄膜电阻的阻值精度高,阻值精度≤±4%,TCR电阻稳定性能好。 展开更多

关键词 液晶聚合物(LCP)柔性基板 TAN 薄膜电阻 电阻温度系数(tcr) 膜层附着强度 电阻精度

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浅议热敏电阻传感器及其应用 被引量：1

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作者 孙世举 《成才之路》 2007年第18期62-63,共2页

热敏电阻传感器是热电式传感器的一种,将温度变化转换为电阻变化的称热敏电阻传感器,也称半导体热电阻式传感器,简称热敏电阻。热敏电阻传感器在工业生产和科学研究工作中都已得到广泛应用。

关键词 正温度系数热敏电阻 热敏电阻传感器 负温度系数热敏电阻 温度变化 热电式传感器 热电阻 启动继电器 电阻式传感器 电阻率 非线性

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非晶态高稳定精密合金电阻器

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《中国乡镇企业信息》 1995年第7期9-9,共1页

该电阻器采用新型高稳定精密电阻合金材料加工制成,其电阻温度系数达1×10~6 /℃,比目前常用的 Ni—Cr 系合金电阻低一个数量级,且高温区稳定性更佳。电阻率163.7μΩ·cm·比一收合金高出一倍以上,

关键词 电阻器 高稳定 电阻温度系数 精密电阻 电阻率 合金材料 精密合金 稳定性 非晶态 加工制

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Vishay推出TNPU e3系列新款汽车级高精度薄膜扁平片式电阻

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《世界电子元器件》 2020年第6期42-42,共1页

汽车级产品具有更高精度,TCR低至±2 ppm/K,公差不大于±0.02%日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出温度系数(TCR)低至2 ppm/K,0603、0805和1206外形尺寸新型器件,扩充其TNPU e3系列汽车级高精度薄膜... 汽车级产品具有更高精度,TCR低至±2 ppm/K,公差不大于±0.02%日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出温度系数(TCR)低至2 ppm/K,0603、0805和1206外形尺寸新型器件,扩充其TNPU e3系列汽车级高精度薄膜扁平片式电阻。 展开更多

关键词 片式电阻 温度系数 tcr 新型器件 外形尺寸

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Vishay推出新型超高精度Z箔电阻VPR221Z

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《电子质量》 2008年第10期38-38,共1页

日前，Vishay Intertechnology，Inc．（NYSE股市代号：VSH）宣布推出新型超高精度Z箔电阻——VPR221Z。此新型器件可提供±0．05ppm／°C（当温度介于0°C至＋60°C之间及±0．2ppm／°C（当温度范隔在（55
... 日前，Vishay Intertechnology，Inc．（NYSE股市代号：VSH）宣布推出新型超高精度Z箔电阻——VPR221Z。此新型器件可提供±0．05ppm／°C（当温度介于0°C至＋60°C之间及±0．2ppm／°C（当温度范隔在（55°C至＋125°C）（参考温度为＋25°C）的工业级别绝对TCR、在＋25°C时最多8W的额定功率（符合MIL—PRF-39009规范，在自由空气中为1．5W）、±4ppm/W（典型值）的优越功率系数（“自身散热产生的R”）及±0．01％的容差。 展开更多

关键词 超高精度 箔电阻 参考温度 额定功率 功率系数 INC tcr 工业级

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Ni掺杂量对BaBiO_3基热敏陶瓷电性能的影响 被引量：2

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作者 迟云超 霍冉 刘心宇 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2017年第5期759-762,766,共5页

通过X线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和阻温特性测试仪,研究了不同NiO、Ni_2O_3掺杂量对BaNi~Ⅱ_xBi_(1-x)O_3和BaNi~Ⅱ_(x/3)Ni~Ⅲ_(2x/3)Bi_(1-x)O_3(摩尔比x=0.02~0.08)热敏陶瓷的物相、显微结构及电性能的影响。结果表明,BaNi~Ⅱ... 通过X线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和阻温特性测试仪,研究了不同NiO、Ni_2O_3掺杂量对BaNi~Ⅱ_xBi_(1-x)O_3和BaNi~Ⅱ_(x/3)Ni~Ⅲ_(2x/3)Bi_(1-x)O_3(摩尔比x=0.02~0.08)热敏陶瓷的物相、显微结构及电性能的影响。结果表明,BaNi~Ⅱ_xBi_(1-x)O_3与BaNi~Ⅱ_(x/3)Ni~Ⅲ_(2x/3)Bi_(1-x)O_3热敏陶瓷的室温电阻率ρ25及热敏常数B25~85值均随着NiO/Ni_2O_3掺杂量的增加呈现先减小后变大的趋势;试样BaNi~Ⅱ_(0.04)Bi_(0.96)O_3取得了良好的热敏性能,ρ25=2 743Ω·cm,B25~85=3 239K;BaNi~Ⅱ_(0.02)Ni~Ⅲ_(0.04)Bi_(0.94)O_3陶瓷的ρ25和B25~85的最优值分别为65Ω·cm和2 673K。 展开更多

关键词 负温度系数(NTC) 热敏陶瓷 电学性能 电阻率 B值

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原位氧化硅钝化层对氧化钒薄膜光电特性的影响 被引量：1

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作者 孔令德 方辉 +5 位作者 魏虹 刘礼 周润生 铁筱滢 杨文运 姬荣斌 《红外技术》 CSCD 北大核心 2015年第4期319-322,共4页

氧化硅(SiOx)原位钝化层对氧化钒(VOx)薄膜电学特性的影响分析旨在改善像元微桥结构的光学吸收特性,提高热敏VOx薄膜层的方阻和电阻温度系数(TCR)稳定性。采用离子束溅射沉积50 nm VOx薄膜后,紧接着沉积30 nm SiOx钝化层。通过原位残余... 氧化硅(SiOx)原位钝化层对氧化钒(VOx)薄膜电学特性的影响分析旨在改善像元微桥结构的光学吸收特性,提高热敏VOx薄膜层的方阻和电阻温度系数(TCR)稳定性。采用离子束溅射沉积50 nm VOx薄膜后,紧接着沉积30 nm SiOx钝化层。通过原位残余气体分析仪(RGA)和衬底温度控制,调节氧化钒薄膜中的氧含量,分析了VOx单层膜、SiOx/VOx双层膜的电学特性随工艺温度的变化规律,原位残余气体分析仪(RGA)和150℃加温工艺提高了VOx热敏层薄膜的方阻和电阻温度系数稳定性。 展开更多

关键词 离子束溅射沉积 SiOx/VOx双层膜 残余气体分析仪(RGA) 电阻温度系数(tcr)

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