稀土永磁材料高温电阻率和温度系数测量

1

作者 王顺杰 俞伟栋 +2 位作者 谢志斌 杨阳 施江焕 《中国测试》 北大核心 2024年第S2期47-51,共5页

介绍一种稀土永磁材料高温电阻率及其温度系数的测量装置和测量方法。解决变温过程中材料膨胀或收缩带来的断路问题。使用Delta测量法有效抵消线性热电势带来的测量误差,提高测量准确度。使用该方法测试得到烧结钕铁硼和烧结钐钴两种主... 介绍一种稀土永磁材料高温电阻率及其温度系数的测量装置和测量方法。解决变温过程中材料膨胀或收缩带来的断路问题。使用Delta测量法有效抵消线性热电势带来的测量误差,提高测量准确度。使用该方法测试得到烧结钕铁硼和烧结钐钴两种主要稀土永磁材料在20~150℃的电阻率和温度系数测量结果。 展开更多

关键词 稀土永磁材料 高温电阻率 温度系数 Delta测量法

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四探针Mapping自动测试仪中电阻率温度系数的规范化拟合多项式的应用 被引量：4

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作者 孙以材 孟庆浩 +2 位作者 宫云梅 赵卫萍 武建平 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1438-1441,共4页

本文回顾了单晶硅及扩散硅的电阻率温度系数(TCR)的实验结果,认为美国ASTM的TCR曲线是比较完整,确切的.利用我们开发的规范化多项式拟合方法,可将它表示成五阶多项式.将它存入具图像识别四探针定位功能自动测试系统的计算机中后,可以立... 本文回顾了单晶硅及扩散硅的电阻率温度系数(TCR)的实验结果,认为美国ASTM的TCR曲线是比较完整,确切的.利用我们开发的规范化多项式拟合方法,可将它表示成五阶多项式.将它存入具图像识别四探针定位功能自动测试系统的计算机中后,可以立即得到折合到23℃的硅单晶断面的电阻率分布.本文阐述了规范化拟合的原理,给出了单晶硅的TCR的拟合结果. 展开更多

关键词 半导体材料电阻率温度系数 电阻率分布 规范化多项式拟合 非线性函数

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金属薄膜的电阻率温度系数 被引量：6

3

作者 范平 《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS 2000年第4期33-40,共8页

利用同时考虑表面散射和晶界散射的金属薄膜电导理论 ,得到金属薄膜的电阻率温度系数与厚度的关系式 .金属Cu膜、Ag膜和Au膜的电阻率温度系数随膜厚变化的实验结果表明 ,计算曲线与实验结果符合较好 ,弥补了F S理论在较薄厚度时与实验... 利用同时考虑表面散射和晶界散射的金属薄膜电导理论 ,得到金属薄膜的电阻率温度系数与厚度的关系式 .金属Cu膜、Ag膜和Au膜的电阻率温度系数随膜厚变化的实验结果表明 ,计算曲线与实验结果符合较好 ,弥补了F S理论在较薄厚度时与实验结果不相符的缺陷 .分析得出 ,薄膜厚度较薄时马希森定律仍成立 . 展开更多

关键词 金属薄膜 电阻率 温度系数 马希森定律

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陶瓷线性电阻温度系数与瓷料合成依赖性研究

4

作者 游俊玮 任鑫 +6 位作者 刘晓曼 高丽 徐祥凯 宁宇 杨莉禹 姚政 刘溧 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2024年第6期1238-1244,共7页

采用ZnO+MgO+Al_(2)O_(3)+SiO_(2)配方体系,制备了氧化锌线性电阻。通过改变氧化锌瓷料粉末的煅烧条件以及瓷体的烧结温度,详细研究氧化锌陶瓷线性电阻的温度系数和电阻率变化规律。实验数据显示,当氧化锌煅烧温度为1000℃、瓷体烧结温... 采用ZnO+MgO+Al_(2)O_(3)+SiO_(2)配方体系,制备了氧化锌线性电阻。通过改变氧化锌瓷料粉末的煅烧条件以及瓷体的烧结温度,详细研究氧化锌陶瓷线性电阻的温度系数和电阻率变化规律。实验数据显示,当氧化锌煅烧温度为1000℃、瓷体烧结温度为1240℃时,电阻片的电阻率为1165Ω·cm。同时,在不同瓷体烧结温度下得到了不同电阻率的电阻片,当测试温度为100℃时,氧化锌线性电阻的温度系数随着电阻率增大呈现先升后降的趋势。此外,瓷料粉末中主原料氧化锌经煅烧处理后,其线性电阻的温度系数较低。其中,当氧化锌煅烧温度为800℃、瓷体烧结温度为1240℃时,电阻片的温度系数最低,达到520 ppm·℃^(-1)。 展开更多

关键词 氧化锌线性电阻 温度系数 电阻率 煅烧 烧结温度

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纳米粒子对交联聚乙烯直流电缆中绝缘电阻率温度系数的影响 被引量：2

5

作者 于凡 周垚 +3 位作者 李维康 赵孝磊 闫轰达 张翀 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2019年第10期87-93,共7页

为减少电阻率随温度的变化,采用了加入纳米填料的方法来降低交联聚乙烯绝缘料的电阻率温度系数,通过与传统纯聚乙烯绝缘料的性能对比验证纳米粒子掺杂对性能的影响。在所得电-热性能数据的基础上,模拟仿真采用低电阻率温度系数绝缘料的1... 为减少电阻率随温度的变化,采用了加入纳米填料的方法来降低交联聚乙烯绝缘料的电阻率温度系数,通过与传统纯聚乙烯绝缘料的性能对比验证纳米粒子掺杂对性能的影响。在所得电-热性能数据的基础上,模拟仿真采用低电阻率温度系数绝缘料的100 kV直流电缆绝缘层中的场强分布。结果表明:添加纳米粒子降低了交联聚乙烯对温度的敏感性,同时削弱了电缆绝缘层中的电场畸变率,说明纳米粒子对交联聚乙烯的电阻率温度系数有一定的调控作用。 展开更多

关键词 交联聚乙烯 直流电缆 电阻率温度系数 电场分布

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绝缘料电阻率对直流电缆电场分布影响及其调控 被引量：8

6

作者 周垚 刘继平 +2 位作者 赵孝磊 房晟辰 何金良 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2020年第8期155-160,共6页

直流电缆在运行过程中,由于绝缘层中温度梯度的存在和绝缘料电阻率负温度系数特性会造成绝缘层中电场分布反转,从而增加直流电缆绝缘结构设计的困难。基于100 kV直流电缆结构参数并结合理论推导,采用仿真模拟分析了绝缘层温差、绝缘料... 直流电缆在运行过程中,由于绝缘层中温度梯度的存在和绝缘料电阻率负温度系数特性会造成绝缘层中电场分布反转,从而增加直流电缆绝缘结构设计的困难。基于100 kV直流电缆结构参数并结合理论推导,采用仿真模拟分析了绝缘层温差、绝缘料电阻率温度系数和电场强度系数对直流电缆电场分布的影响。提出了基于纳米复合技术的直流电缆绝缘料电阻率温度系数调控方法。结果表明,降低绝缘料电阻率温度系数能够有效抑制直流电缆绝缘层中的电场分布反转,并降低直流电缆正常运行时的最大场强;通过纳米复合技术在纳米颗粒与绝缘基体的界面区引入深陷阱能有效抑制高温下绝缘料电阻率的下降,从而降低其电阻率温度系数。 展开更多

关键词 直流电缆 电场分布 电阻率温度系数 纳米复合技术

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正温度系数材料调控绝缘直流电场分布 被引量：2

7

作者 周文俊 滕陈源 +2 位作者 周远翔 张灵 张云霄 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2021年第14期3063-3071,共9页

绝缘材料电阻率负温度系数(NTC)效应造成直流电场畸变,增大了高压直流设备的设计难度。为了弱化电阻率对温度的依赖,该文制备正温度系数(PTC)电阻率的陶瓷材料掺杂的环氧树脂复合材料(质量分数为0~35%),并测试热导率、电阻率-温度特性... 绝缘材料电阻率负温度系数(NTC)效应造成直流电场畸变,增大了高压直流设备的设计难度。为了弱化电阻率对温度的依赖,该文制备正温度系数(PTC)电阻率的陶瓷材料掺杂的环氧树脂复合材料(质量分数为0~35%),并测试热导率、电阻率-温度特性和直流击穿场强,仿真温度梯度下绝缘内部电场和温度分布。结果表明,高掺杂比例时的电场优化效果较好;质量分数为20%掺杂的环氧树脂复合材料的热导率提高66%,径向温差减小55%;电阻率负温度效应弱化,电导活化能下降了35%;最大畸变电场降低了58%,而直流击穿场强仅下降16%。分析认为,填料的PTC效应优化了环氧树脂复合材料的电阻率-温度特性,降低了热点温度,协同抑制电场畸变。正温度系数材料可改善温度梯度下绝缘内部的直流电场分布,相关复合材料在输电设备中具有应用可能性。 展开更多

关键词 温度梯度 电阻率-温度特性 电场调控 正温度系数材料 环氧树脂

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低电阻率陶瓷基PTC材料温控特性研究 被引量：2

8

作者 桑泽康 赵锐 程文龙 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第8期2147-2153,共7页

常温居里点陶瓷基正温度系数材料在常温段热控领域具有广阔应用前景,但其存在低温区电阻率过大的问题。基于此,以Ba_(0.64)Sr_(0.36)TiO_(3)为基体并采用固相烧结工艺,研制出低温区电阻率为800Ω·cm的常温居里点PTC材料,分别利用... 常温居里点陶瓷基正温度系数材料在常温段热控领域具有广阔应用前景,但其存在低温区电阻率过大的问题。基于此,以Ba_(0.64)Sr_(0.36)TiO_(3)为基体并采用固相烧结工艺,研制出低温区电阻率为800Ω·cm的常温居里点PTC材料,分别利用实验和仿真手段对其温控性能进行研究。结果表明:在低温、低电压工况下,该材料可将受控体温度迅速维持在25.6℃附近,而其他加热元件控制温度均偏离常温。该材料热控响应时间少于其他加热元件的50%。在-5~5℃的周期性变化环境中,该材料控温波动幅度最小,只有2.1℃。在真实低温环境下,该材料能将受控体温度快速升至约22.3℃,在12 h内温度波动不到2℃,有效抑制了外界环境对热控过程的干扰。 展开更多

关键词 常温居里点 正温度系数 电阻率 热控 低温环境

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AlNi纳米合金薄膜低温电阻率的特性研究

9

作者 张莉莉 代飞 +6 位作者 孙丽俊 林伟 王凯 黄景林 易勇 张继成 雷海乐 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第10期1898-1904,共7页

通过磁控溅射制备了AlNi纳米合金薄膜,并利用自制的直排四探针低温测量系统测量了薄膜电阻率随温度(8~300K)的变化规律。结果表明:由于电子-声子和电子-磁子相互作用,纯Al和Ni纳米晶薄膜的电阻率分别呈现出正的电阻率温度系数,且电子-... 通过磁控溅射制备了AlNi纳米合金薄膜,并利用自制的直排四探针低温测量系统测量了薄膜电阻率随温度(8~300K)的变化规律。结果表明:由于电子-声子和电子-磁子相互作用,纯Al和Ni纳米晶薄膜的电阻率分别呈现出正的电阻率温度系数,且电子-磁子散射对电阻率的贡献主要体现在高温区(80~300K),在低温区(<40K)电子-晶界/表面散射对电阻率的贡献占主导地位。Ni原子掺入量的增加,诱导了纳米晶薄膜无序程度的增强,从而使Al1-xNix纳米合金薄膜逐渐由晶体的金属特性过渡到半导体特性,导致其呈现出负的电阻率温度系数。由于增强的电子极化效应,Al1-xNix纳米合金薄膜电阻率与温度的关系并不完全遵循半导体的热激发导电模型。 展开更多

关键词 Al1-xNix合金薄膜 半导体电阻率 电子-声子/磁子散射 负电阻率温度系数

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炭黑/十四醇基低居里温度PTC复合材料的热控性能

10

作者 董畅 刘欢欢 +5 位作者 李杰 王跃毅 徐玲 雷军 李忠明 鄢定祥 《塑料工业》 CAS CSCD 北大核心 2024年第9期45-51,共7页

具有正温度系数(PTC)的导电高分子复合材料组成的自控温热敏电阻,可代替普通电阻用于加热器件,在电子设备主动控温方面具有很大优势。然而,现有PTC复合材料的居里温度(>60℃)普遍较高,在常温段工作电子设备的控温方面应用受到限制。... 具有正温度系数(PTC)的导电高分子复合材料组成的自控温热敏电阻,可代替普通电阻用于加热器件,在电子设备主动控温方面具有很大优势。然而,现有PTC复合材料的居里温度(>60℃)普遍较高,在常温段工作电子设备的控温方面应用受到限制。基于此,本文以低相变温度的十四醇为相变基体,炭黑(CB)为导电粒子,乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)为骨架,通过熔融共混和模压成型方法制备了具有低居里温度(35℃)的PTC复合材料,探究了CB质量分数对复合材料电性能和PTC性能的影响。结果显示,当CB质量分数为12%时,复合材料室温电阻率为0.5Ω·m,PTC强度高达7.0,且未出现负温度系数(NTC)效应。通过扫描电子显微镜观察了复合材料微观结构,并将复合材料电性能变化与微观结构相关联,解释了复合材料获得优异PTC性能的内在机理。此外,研究了PTC复合材料的热控行为,发现与普通电阻加热器相比,PTC复合材料作为电阻加热器具有自适应控温能力,无需外部控制系统条件下可将受控器件温度控制在常温段温度范围内并保持平衡。 展开更多

关键词 正温度系数复合材料 居里温度 室温电阻率 正温度系数性能 自适应控温能力 乙烯-醋酸乙烯酯

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膜厚对多晶硅纳米薄膜压阻温度特性的影响 被引量：3

11

作者 刘晓为 潘慧艳 +2 位作者 揣荣岩 王喜莲 李金锋 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第11期2421-2425,共5页

重掺杂多晶硅纳米薄膜具有良好的压阻温度特性,用它制作高温压阻式传感器灵敏度高、成本低,具有广阔的应用前景.为优化多晶硅纳米薄膜的压阻温度特性,本文采用低压化学气相淀积(LPCVD)技术制作了不同膜厚(30～250 nm)的多晶硅薄膜,分别... 重掺杂多晶硅纳米薄膜具有良好的压阻温度特性,用它制作高温压阻式传感器灵敏度高、成本低,具有广阔的应用前景.为优化多晶硅纳米薄膜的压阻温度特性,本文采用低压化学气相淀积(LPCVD)技术制作了不同膜厚(30～250 nm)的多晶硅薄膜,分别测试了应变系数、薄膜电阻率与工作温度的关系.利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射实验(XRD)对薄膜进行了表征,在此基础上结合隧道压阻模型分析了膜厚对多晶硅薄膜压阻温度特性的影响,结果表明,对于淀积温度620℃、掺杂浓度2.3×1020 cm-3的多晶硅纳米薄膜,膜厚的最佳值在80 nm厚左右. 展开更多

关键词 多晶硅纳米膜 压阻温度特性 应变系数 电阻率温度系数(tcr) 应变系数的温度系数(TCGF)

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Nb掺杂BaTiO%_3-Bi_(0.5)K_(0.5)TiO_3陶瓷系统PTCR性能的研究 被引量：3

12

作者 韦继锋 蒲永平 毛玉琴 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B06期145-148,共4页

采用固相反应法制备了Nb2O5掺杂的(1-x)BaTiO3-xBi0.5K0.5TiO3(BT-BKT,0≤x≤0.02)系统陶瓷,研究了Nb2O5和BKT掺杂量对该系统陶瓷显微结构和电性能的影响。结果表明:BaTiO3陶瓷的晶格轴率c/a值随着BKT含量的增加而变大,陶瓷具有良好的... 采用固相反应法制备了Nb2O5掺杂的(1-x)BaTiO3-xBi0.5K0.5TiO3(BT-BKT,0≤x≤0.02)系统陶瓷,研究了Nb2O5和BKT掺杂量对该系统陶瓷显微结构和电性能的影响。结果表明:BaTiO3陶瓷的晶格轴率c/a值随着BKT含量的增加而变大,陶瓷具有良好的晶粒和明显的晶界。BT-BKT陶瓷的居里温度(Tc)也随着BKT的加入向高温移动,当x=0.01时,Tc提高到150℃,但室温电阻率(ρRT)随着BKT含量的增加也快速增大。 展开更多

关键词 BaTiO3-Bi0.5 K0.5TiO3 陶瓷 正温度系数电阻率 居里温度

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使用铝电极的BaPbO_3陶瓷的PTCR效应 被引量：2

13

作者 李井润 李志成 徐永波 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期10-14,共5页

为了研究开发具有低电阻率和正电阻温度系数 (PTCR)的高居里点陶瓷材料 ,以BaCO3和PbO为原料制备了一组La掺杂的陶瓷材料 .实验发现 ,烧结的陶瓷样品在室温下具有极低的电阻率 ,且呈现出和金属导体一样的电导体特征 ;使用铝电极的BaPbO... 为了研究开发具有低电阻率和正电阻温度系数 (PTCR)的高居里点陶瓷材料 ,以BaCO3和PbO为原料制备了一组La掺杂的陶瓷材料 .实验发现 ,烧结的陶瓷样品在室温下具有极低的电阻率 ,且呈现出和金属导体一样的电导体特征 ;使用铝电极的BaPbO3基陶瓷体表现出PTCR特性 ,并且这种特性可以通过调整掺杂物的量进行改善 .利用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对陶瓷的微观结构进行了表征 .微观结构分析表明 ,一薄层的烧结陶瓷表层为具有金属性质的正交结构BaPbO3纳米相 ,并由此使其表现出极低的电阻率 ;具有PTCR特性的陶瓷体内部是由具有畴结构的铁电相组成 ,所以除去烧结陶瓷表层后 ,喷镀铝电极的陶瓷体表现出正电阻温度效应 . 展开更多

关键词 钡铅氧化物陶瓷 电阻率 正电阻温度系数 微观结构

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玻璃助剂对厚膜NTC热敏电阻器材料特征常数的影响 被引量：1

14

作者 李亚东 朱宏 丁古巧 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期823-826,共4页

研究表明 ,玻璃助剂含量从 10增至 30wt.%时 ,厚膜NTC热敏电阻器的电阻率 ρ50 增长 86 % ,其它材料特征常数 (热敏常数B、电导激活能ΔE和电阻温度系数α50 )增长小于 1.4 %。玻璃助剂含量从 30增至 4 0wt.%时 ,电阻率 ρ50 增长 4 % ... 研究表明 ,玻璃助剂含量从 10增至 30wt.%时 ,厚膜NTC热敏电阻器的电阻率 ρ50 增长 86 % ,其它材料特征常数 (热敏常数B、电导激活能ΔE和电阻温度系数α50 )增长小于 1.4 %。玻璃助剂含量从 30增至 4 0wt.%时 ,电阻率 ρ50 增长 4 % ,其它材料特征常数增长 7.7%。厚膜烧结过程中 ,热敏相的成分改变是导致材料特征常数显著变化的主要原因 ,电阻率对热敏相成分改变更为敏感。玻璃助剂含量为 5wt.%时 ,材料特征常数发生异常增大 ,电阻率 ρ50 增长4 2 0 % ,其它常数增长 17%以上。异常增大现象主要与烧结时热敏相颗粒间难以形成良好接触和导通节点显著减少有关。 展开更多

关键词 NTC热敏电阻 助剂 材料特征 玻璃 电阻率 常数 颗粒 厚膜 电阻温度系数 导通

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预烧温度对La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3陶瓷结构及电学性能的影响 被引量：1

15

作者 金菲 陈清明 +3 位作者 陈晓惠 罗均美 杨盛安 张辉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第7期1803-1807,共5页

采用溶胶-凝胶法成功制备了La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3粉末,并通过改变预烧温度获取电学性能优异的陶瓷。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、四探针法对不同预烧温度处理后的La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3陶瓷的物相、结构、微观形貌... 采用溶胶-凝胶法成功制备了La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3粉末,并通过改变预烧温度获取电学性能优异的陶瓷。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、四探针法对不同预烧温度处理后的La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3陶瓷的物相、结构、微观形貌和电学性能进行测试,分析预烧温度对材料的晶粒尺寸和电学性能的影响,从而摸索出最佳预烧温度。实验结果表明:样品的结晶性能好物相纯,随着预烧温度的增加,晶粒尺寸、致密度、收缩率和电阻温度系数(TCR)在不断减小,电阻率先减小后增加。在300℃预烧,1450℃烧结得到的样品具有较高的TCR值达到了40.8%·K^(-1)。 展开更多

关键词 LA0.67CA0.33MNO3 预烧温度 电阻率 电阻温度系数

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MgO掺杂对ZnO基线性电阻陶瓷性能的影响 被引量：1

16

作者 何日青 杨传仁 +2 位作者 陈宏伟 张继华 赵强 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2013年第4期592-594,598,共4页

以ZnO为基添加Al2O3和MgO制备了导电陶瓷;研究了MgO掺杂含量对ZnO陶瓷电阻率、电阻温度系数和相对密度的影响;测试分析了ZnO导电陶瓷在室温小电流时的伏安特性。结果表明,ZnO-Al2O3-MgO系陶瓷具有线性的伏-安(V-I)特性;添加MgO能增大电... 以ZnO为基添加Al2O3和MgO制备了导电陶瓷;研究了MgO掺杂含量对ZnO陶瓷电阻率、电阻温度系数和相对密度的影响;测试分析了ZnO导电陶瓷在室温小电流时的伏安特性。结果表明,ZnO-Al2O3-MgO系陶瓷具有线性的伏-安(V-I)特性;添加MgO能增大电阻率且可改善电阻温度系数,当x(MgO)=5%时,小电流电阻率为178Ω.cm,电阻温度系数为-1.5×10-3/℃;适量的MgO含量有利于烧结致密化。 展开更多

关键词 线性电阻陶瓷 电阻率 电阻温度系数 伏-安(V-I)特性

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PBT/PC/GNP复合材料导电导热性能的温度依赖性 被引量：3

17

作者 张一铭 郑小磊 温变英 《工程塑料应用》 CAS CSCD 北大核心 2019年第10期18-23,共6页

以聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)和聚碳酸酯(PC)共混物为基体,石墨纳米片(GNP)为导电导热填料,通过熔融共混法制备复合材料,考察了填料含量和温度对复合材料导电、导热性能的影响。结果表明,随着GNP含量的增加,PBT/PC/GNP复合材料的导电、导... 以聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)和聚碳酸酯(PC)共混物为基体,石墨纳米片(GNP)为导电导热填料,通过熔融共混法制备复合材料,考察了填料含量和温度对复合材料导电、导热性能的影响。结果表明,随着GNP含量的增加,PBT/PC/GNP复合材料的导电、导热性能提高。当GNP体积含量为3%时,发生逾渗现象,复合材料体积电阻率从1.26×10^16Ω·cm降低到1.16×10^10Ω·cm,降低了6个数量级;当GNP体积含量为10%时,复合材料的体积电阻率仅为16Ω·cm,达到半导体水平;此时,复合材料的导热系数为0.99W/(m·K),较PBT/PC提高了294%。PBT/PC/GNP复合材料呈现正温度效应,其体积电阻率随温度升高而缓慢增加,并在PBT熔点附近发生突变,随着GNP含量增多,其正温度效应降低。随着温度的升高,复合材料的比热升高、热扩散系数下降,而导热系数变化不大。 展开更多

关键词 聚对苯二甲酸丁二酯 聚碳酸酯 石墨纳米片 温度 体积电阻率 导热系数

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Cu-7Mn-0.5Ag-0.2Ce-0.2Zr电阻合金的制备及性能研究

18

作者 徐亮亮 谭敦强 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 北大核心 2023年第3期43-46,58,共5页

通过熔炼、机械加工和热处理制备了铜锰电阻合金带材,研究了固溶温度、冷轧变形量、退火温度及退火保温时间对合金电阻率和电阻温度系数的影响。试验结果表明,最佳试验方案为固溶温度900℃、冷轧变形量90%、退火温度350℃及退火保温时间... 通过熔炼、机械加工和热处理制备了铜锰电阻合金带材,研究了固溶温度、冷轧变形量、退火温度及退火保温时间对合金电阻率和电阻温度系数的影响。试验结果表明,最佳试验方案为固溶温度900℃、冷轧变形量90%、退火温度350℃及退火保温时间1 h,获得的合金电阻率和电阻温度系数均较低,分别为24.1μΩ·cm和60×10^(-6)/℃。 展开更多

关键词 铜锰电阻合金 电阻率 电阻温度系数 正交试验 机械加工 热处理

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非晶态高稳定精密合金电阻器

19

《中国乡镇企业信息》 1995年第7期9-9,共1页

该电阻器采用新型高稳定精密电阻合金材料加工制成,其电阻温度系数达1×10~6 /℃,比目前常用的 Ni—Cr 系合金电阻低一个数量级,且高温区稳定性更佳。电阻率163.7μΩ·cm·比一收合金高出一倍以上,

关键词 电阻器 高稳定 电阻温度系数 精密电阻 电阻率 合金材料 精密合金 稳定性 非晶态 加工制

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基于键合线压降的IGBT模块内部缺陷监测研究 被引量：13

20

作者 龚灿 孙鹏菊 +3 位作者 杜雄 王海波 彭英舟 周雒维 《电源学报》 CSCD 2016年第6期153-162,共10页

为了准确地评估出IGBT模块的健康水平,及时发现并更换存在缺陷的IGBT模块,提高功率变流器的可靠性,提出了一种基于键合线压降的IGBT模块内部缺陷诊断方法。通过监测IGBT模块内部单个芯片等效键合线压降的变化,辨识出IGBT模块内键合线的... 为了准确地评估出IGBT模块的健康水平,及时发现并更换存在缺陷的IGBT模块,提高功率变流器的可靠性,提出了一种基于键合线压降的IGBT模块内部缺陷诊断方法。通过监测IGBT模块内部单个芯片等效键合线压降的变化,辨识出IGBT模块内键合线的老化状态,进而判断出IGBT模块的健康水平。实验结果表明,基于键合线压降的IGBT模块内部缺陷诊断方法能准确地辨识出模块内键合线的老化过程,与采用监测门极信号辨识模块老化状态的方法相比,所提方法不仅能辨识出单个芯片全部键合线脱落的情况,而且能辨识出部分键合线老化的情况,在辨识精度上有了很大的提高。该方法为确定合适的时机对变流器进行维护、降低系统的维护成本提供了理论依据。 展开更多

关键词 IGBT模块 可靠性 键合线 电阻率温度系数 状态监测

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