基于物理并适用于电路仿真的多晶硅薄膜晶体管薄层电荷模型(英文) 被引量：1

1

作者 邓婉玲 郑学仁 +1 位作者 陈荣盛 吴为敬 《电子器件》 CAS 2008年第1期117-120,123,共5页

本文利用薄层电荷理论,建立了一个基于表面势的、物理的多晶硅薄膜晶体管(Polysilicon Thin-Film Transistors ,poly-Si TFTs)的电流模型,且该模型适用于电路仿真。推导了poly-Si TFTs表面势的近似解法,该求解法非迭代的计算大大地提高... 本文利用薄层电荷理论,建立了一个基于表面势的、物理的多晶硅薄膜晶体管(Polysilicon Thin-Film Transistors ,poly-Si TFTs)的电流模型,且该模型适用于电路仿真。推导了poly-Si TFTs表面势的近似解法,该求解法非迭代的计算大大地提高了计算效率,且精确度高并得到实验验证。基于物理的迁移率方程考虑了晶界势垒高度,和由于声子散射与表面粗糙散射引起的迁移率退化。基于Brews的薄层电荷模型和上述非迭代计算表面势,本电流模型同时考虑了漏致势垒降低(DIBL)效应、kink效应和沟道长度调制效应。对不同沟长的器件实验数据比较发现,提出的模型在很广的工作电压内与实验数据符合得非常好。同时本模型的所有方程都具有解析形式,电流方程光滑连续,适用于电路仿真器如SPICE。 展开更多

关键词 多晶硅薄膜晶体管 表面势 薄层电荷模型

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引入杂质激发态因素的SiC MOSFET反型层电荷模型

2

作者 戴振清 杨瑞霞 杨克武 《电子器件》 CAS 2007年第4期1164-1167,共4页

引入杂质激发态因素,建立新的SiC MOSFET反型层电荷模型.利用数值方法求解一维泊松方程,研究激发态对反型层电荷的影响.结果显示,在杂质激发态的作用下,反型层的电子面密度降低,并且杂质激发态主要影响SiC MOSFET的亚阈区特性.杂质激发... 引入杂质激发态因素,建立新的SiC MOSFET反型层电荷模型.利用数值方法求解一维泊松方程,研究激发态对反型层电荷的影响.结果显示,在杂质激发态的作用下,反型层的电子面密度降低,并且杂质激发态主要影响SiC MOSFET的亚阈区特性.杂质激发态对SiC MOSFET反型层电荷的影响依赖于温度、掺杂浓度和杂质电离能.存在激发态影响最大的温度点,且其随掺杂浓度和电离能的增加而提高. 展开更多

关键词 激发态 SIC MOSFET 反型层电荷模型

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考虑二维量子力学效应的MOSFET解析电荷模型

3

作者 张大伟 章浩 +1 位作者 余志平 田立林 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期12-15,88,共5页

在亚 5 0 nm的 MOSFET中 ,沿沟道方向上的量子力学效应对器件特性有很大的影响。基于 WKB理论 ,考虑MOSFET中该效应对垂直沟道方向上能级的影响 ,引入了其对于阈电压的修正。在此基础上 ,对沟道方向的子带作了抛物线近似 ,从而建立了一... 在亚 5 0 nm的 MOSFET中 ,沿沟道方向上的量子力学效应对器件特性有很大的影响。基于 WKB理论 ,考虑MOSFET中该效应对垂直沟道方向上能级的影响 ,引入了其对于阈电压的修正。在此基础上 ,对沟道方向的子带作了抛物线近似 ,从而建立了一个考虑二维量子力学的电荷解析模型。根据该模型 ,得到二维量子力学修正和沟道长度以及其他工艺参数的关系。与数值模拟结果的比较表明 ,该解析模型的精度令人满意 ,并且得出以下结论 :二维量子力学效应使阈电压下降 ,并且在亚 5 0 nm的 MOSFET中 ,这个修正不可忽略。 展开更多

关键词 二维量子力学效应 WKB理论 全解析电荷模型 亚50纳米 金属氧化物半导体场效应晶体管

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虚阴极的单电荷层模型 被引量：6

4

作者 叶卫民 李传胪 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期268-272,共5页

通过引入虚阴极振荡的单电荷层模型，得到了虚阴极振荡产生微波的线性色散关系。同时，分析了入射、反射、透射束流中振荡成份与虚阴极振荡的两本征模式相互作用，得到非线性色散关系，并给出了虚阴极振荡产生微波的机制。

关键词 虚阴极 单电荷层模型 微波产生机制

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电子直线加速器注入器的二维空间电荷环模型 被引量：1

5

作者 王晓敏 顾闰观 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第3期60-65,共6页

一、引言电子在直线加速器中运动不仅受到高频场、聚焦磁场等外场的作用,还始终受到自身的空间电荷场的作用。随着电子直线加速器向强流发展,空间电荷效应对电子运动的影响就愈为严重,它已经成为限制束流流强提高的主要原因之一。

关键词 直线加速器 注入器 电荷环模型

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增强型GaN绝缘栅HEMT线性电荷控制解析模型

6

作者 卢盛辉 杜江锋 +4 位作者 罗谦 于奇 周伟 夏建新 杨谟华 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期323-326,440,共5页

基于MIS理论和含极化的泊松方程,应用费米能级与二维电子气密度线性近似,并考虑计入了绝缘体/AlGaN界面的陷阱或离子电荷,导出建立了适用于增强型且兼容耗尽型AlGaN/GaN绝缘栅HEMT的线性电荷控制解析模型。研究表明,Insulator/AlGaN界... 基于MIS理论和含极化的泊松方程,应用费米能级与二维电子气密度线性近似,并考虑计入了绝缘体/AlGaN界面的陷阱或离子电荷,导出建立了适用于增强型且兼容耗尽型AlGaN/GaN绝缘栅HEMT的线性电荷控制解析模型。研究表明,Insulator/AlGaN界面陷阱密度在1013cm-2数量级;基于该模型的器件转移特性的理论结果与器件的实测转移特性数据比较符合。该模型可望用于器件性能评估和设计优化。 展开更多

关键词 线性电荷控制解析模型 增强型绝缘栅高电子迁移率晶体管 铝镓氮/氮化镓

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用电荷云模型计算氢原子和氢分子体系的能量

7

作者 刘希英 《大学化学》 CAS 1990年第1期55-57,共3页

一般原子、分子体系的能量是通过解薛定谔方程式得到的,这种方法需要高深的数学推导,对初学者来说是不好理解的.下面介绍一种计算原子、分子体系能量的简单方法——原子分子结构的电荷云模型. 一、氢原子体系的能量氢原子电荷云模型(见... 一般原子、分子体系的能量是通过解薛定谔方程式得到的,这种方法需要高深的数学推导,对初学者来说是不好理解的.下面介绍一种计算原子、分子体系能量的简单方法——原子分子结构的电荷云模型. 一、氢原子体系的能量氢原子电荷云模型(见图1)是由一个带正电的原子核和围绕着它的半径为R的电荷云组成的.电荷云的电荷分布是均匀的,即在整个球内任一点处的电荷密度ρ(r)=-q(4/3πR^3)^(-1). 展开更多

关键词 氢原子 氢分子 能量 电荷云模型

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高压气体喷出时球形空间电荷云模型的空间电荷电场的分布

8

作者 魏京花 师华 《北京建筑工程学院学报》 1998年第3期96-103,共8页

本文用球形分布模型模拟高压气体喷出时形成的空间电荷云，并计算该模型的电荷分布、电场分布和电场能量。

关键词 高压气体 空间电荷电场 空间电荷云模型

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环多肽晶体的浮动电荷极化力场模拟 被引量：4

9

作者 张强 张霞 杨忠志 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1243-1247,共5页

利用原子键电负性均衡结合分子力场方法(ABEEM/MM)对五种环多肽晶体进行了研究.与传统力场相比,该方法中的静电势包含了分子内和分子间的静电极化作用,以及分子内电荷转移影响,同时加入了化学键等非原子中心电荷位点,合理地体现了分子... 利用原子键电负性均衡结合分子力场方法(ABEEM/MM)对五种环多肽晶体进行了研究.与传统力场相比,该方法中的静电势包含了分子内和分子间的静电极化作用,以及分子内电荷转移影响,同时加入了化学键等非原子中心电荷位点,合理地体现了分子中的电荷分布.相对其他极化力场模型,具有计算量较小的特点.该模型下计算得到的环多肽分子单元相对实验测得的结构的原子位置、氢键长度和二面角的均方根偏差分别为0.009nm、0.013nm和5.16°,能够很好地重复实验结果.总体上,其结果优于或相当于其他力场模型,适用于对实际蛋白质体系的模拟和研究. 展开更多

关键词 原子键电负性均衡结合分子力场方法(ABEEM/MM) 环多肽 极化力场 浮动电荷模型 氢键

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深亚微米CMOS器件建模与BSIM模型 被引量：1

10

作者 陈志坚 郑学仁 +1 位作者 姚若河 李斌 《微纳电子技术》 CAS 2004年第6期44-48,共5页

介绍了深亚微米CMOS器件基于电荷模型、基于表面势模型和基于电导模型的建模方法及其优缺点,并以BSIM系列模型为例,讨论了BSIM系列模型特点及半导体工艺发展对CMOS器件建模方法的影响。

关键词 深亚微米 CMOS BSIM 电荷模型 表面势模型 电导模型

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HEMT器件小信号模型研究

11

作者 向兵 武慧微 赵高峰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期112-115,156,共5页

提出一种AlGaAs/GaAs HEMT器件沟道电荷新模型,该模型用一个通用解析函数中系数的不同值来描述二维电子气(2DEG)和AlGaAs层中的电子浓度。在小信号特性上,除考虑了2DEG层外,又在考虑了AlGaAs层、速度饱和、饱和区沟道长度调制效应和源... 提出一种AlGaAs/GaAs HEMT器件沟道电荷新模型,该模型用一个通用解析函数中系数的不同值来描述二维电子气(2DEG)和AlGaAs层中的电子浓度。在小信号特性上,除考虑了2DEG层外,又在考虑了AlGaAs层、速度饱和、饱和区沟道长度调制效应和源、漏串联电阻RS和RD等效应的基础上,推导出直流特性、跨导、输出电导和栅电容的解析表达式。仿真说明,在较大的栅、漏压范围内,该模型的理论值与实验结果符合良好。 展开更多

关键词 高电子迁移率晶体管 半导体器件 二维电子气 小信号参数 沟道电荷模型

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直线加速器中空间电荷束团的非线性效应

12

作者 陈银宝 《数学物理学报（A辑）》 CSCD 北大核心 1994年第S1期53-62,共10页

该文提出了在强流直线加速器中，由空间电荷束团的密度分布所引起的非线性效应．推导得到了直线加速器中几种常用的空间电荷模型的不同密度分布的空间电行场和非线性聚焦力公式．

关键词 非线性效应 空间电荷模型 密度分布

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一种改进的增强型GaNHEMT大信号模型 被引量：1

13

作者 陈秋芬 李文钧 +2 位作者 刘军 陆海燕 韩春林 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第12期904-910,共7页

提出一种改进的增强型GaN HEMT器件建模大信号模型。模型沟道电流方程和电荷方程均连续且高阶可导,栅电荷模型满足电荷守恒原则。提出的沟道电流模型可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区的直流特性。根据GaN HEMT器件特... 提出一种改进的增强型GaN HEMT器件建模大信号模型。模型沟道电流方程和电荷方程均连续且高阶可导,栅电荷模型满足电荷守恒原则。提出的沟道电流模型可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区的直流特性。根据GaN HEMT器件特有的物理结构和电学特性,器件的自热效应、电流崩塌效应以及跨导频率分布效应在模型中进行了考虑。模型采用Verilog-A语言进行描述,并编译、链接入Agilent ADS工具。验证结果表明,模型仿真和测试数据在宽的偏压和频率范围内得到很好地吻合。 展开更多

关键词 增强型GaN HEMT 大信号模型 沟道电流模型 栅电荷模型 Verilog-A语言

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一种新的MOS结构量子化效应修正模型 被引量：2

14

作者 马玉涛 刘理天 李志坚 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期237-243,共7页

从载流子在 MOS结构反型层内的经典分布和量子化后的子带结构出发 ,提出了经典的和量子化的表面有效态密度 (SL EDOS:Surface layer effective density- of- states)的概念。利用表面有效态密度的概念建立了经典理论框架和量子力学框架... 从载流子在 MOS结构反型层内的经典分布和量子化后的子带结构出发 ,提出了经典的和量子化的表面有效态密度 (SL EDOS:Surface layer effective density- of- states)的概念。利用表面有效态密度的概念建立了经典理论框架和量子力学框架内的电荷分布模型。该模型包含了强反型区表面电势的变化对载流子浓度的影响 ,具有很高的计算效率和稳定性。在模型基础上 ,研究了量子化效应对反型层载流子浓度和表面电势的影响。 展开更多

关键词 电荷分布模型 反型层电荷 量子化效应 MOS

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SEU电荷收集模式的器件级仿真 被引量：1

15

作者 汪俊 师谦 《电子质量》 2009年第11期32-34,48,共4页

文章通过计算机模拟仿真的方法对单粒子翻转(SEU)电荷收集的三种模式进行研究。模拟结果表明,在SEU的三种电荷收集模式中,浓度梯度引起的扩散电荷收集和漏斗区的漂移电荷收集对SEU影响很小,它们均只在短时间内对电荷收集有作用,所以对SE... 文章通过计算机模拟仿真的方法对单粒子翻转(SEU)电荷收集的三种模式进行研究。模拟结果表明,在SEU的三种电荷收集模式中,浓度梯度引起的扩散电荷收集和漏斗区的漂移电荷收集对SEU影响很小,它们均只在短时间内对电荷收集有作用,所以对SEU的影响不大,随着集成电路的发展,由于漏斗电场的减弱,漏斗区的漂移作用越来越小,在SEU的产生过程中,耗尽层的漂移对SEU的产生起主要作用。 展开更多

关键词 电荷漏斗模型 单粒子翻转 临界电荷

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含弹道输运模型的纳米尺寸GaAs HEMT电流方程

16

作者 朱兆旻 赵青云 于宝旗 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第9期679-683,共5页

提出了一个包含改进的准弹道输运模型的砷化镓(GaAs)高电子迁移率晶体管(HEMT)的漏电流方程。弹道输运模型是基于玻耳兹曼输运方程和迁移率的扩展定义,即单位电场中载流子在沟道中以弹道轨迹运动的平均速度。对平均速度的求解没有采用... 提出了一个包含改进的准弹道输运模型的砷化镓(GaAs)高电子迁移率晶体管(HEMT)的漏电流方程。弹道输运模型是基于玻耳兹曼输运方程和迁移率的扩展定义,即单位电场中载流子在沟道中以弹道轨迹运动的平均速度。对平均速度的求解没有采用任何近似,并采用一种平滑的拟合方程将弹道迁移率和常规迁移率整合在一起。同时还研究了纳米尺度GaAs HEMT中温度、沟道长度和沟道掺杂浓度对有效迁移率的影响。最后,把有效迁移率模型和电流方程分别与实验数据和数值仿真结果进行比较,误差小于5%。 展开更多

关键词 漏电流 弹道效应 玻耳兹曼输运方程 高电子迁移率晶体管(HEMT) 基于电荷的模型

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核电荷分布对类氢原子基态能量计算的影响（英文）

17

作者 张小景 张永慧 张现周 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期352-359,共8页

在高斯型核电荷分布模型中,分别采用基于B样条的Notre Dame(ND)和Dual-Kinetic-Balance(DKB)基组求解类氢体系的Dirac方程.通过对所得的基态能量和点电荷分布模型的结果以及实验测量值进行比较,发现核电荷分布效应对结果具有重要影响,... 在高斯型核电荷分布模型中,分别采用基于B样条的Notre Dame(ND)和Dual-Kinetic-Balance(DKB)基组求解类氢体系的Dirac方程.通过对所得的基态能量和点电荷分布模型的结果以及实验测量值进行比较,发现核电荷分布效应对结果具有重要影响,其相对修正随原子序数Z的增加而逐渐显著.当Z=100时,相对修正能达到10-3.并在近核区域给出了两种模型下计算的波函数.当Z增加时,波函数的差别也逐渐明显.不同于其他将B样条应用于电子与原子核的长程相互作用计算的工作,此工作成功地将B样条方法推广到了短程相互作用的研究. 展开更多

关键词 类氢离子 高斯电荷分布模型 能级

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基于舰船电场的目标跟踪方法研究 被引量：8

18

作者 张伽伟 喻鹏 +1 位作者 姜润翔 孙宝全 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期559-566,共8页

针对舰船电场跟踪中模型准确度与跟踪模型维度之间的矛盾,以舰船电场点电荷阵列模型为基础,结合舰船电场反演算法,分析点电荷个数、观测点水深对建模精度的影响。明确观测点位置对点电荷数量的最少需求,在保证建模精度的同时降低跟踪滤... 针对舰船电场跟踪中模型准确度与跟踪模型维度之间的矛盾,以舰船电场点电荷阵列模型为基础,结合舰船电场反演算法,分析点电荷个数、观测点水深对建模精度的影响。明确观测点位置对点电荷数量的最少需求,在保证建模精度的同时降低跟踪滤波器的维度,保证滤波算法的稳定性。设计了舰船电场跟踪渐进更新扩展卡尔曼滤波器,并进行了仿真分析和试验验证。结果表明:用少量点电荷模型代替复杂舰船电场点电荷阵列模型,在舰船电场跟踪中是可行的,具有较高的跟踪精度;渐进更新扩展卡尔曼滤波方法对少量点电荷电场模型,能够有效提高初始误差容错范围,具有很高的滤波稳定性,定位误差在500 m范围内小于10 m,且计算代价较低,适合舰船电场跟踪的工程应用。 展开更多

关键词 船舶电场 点电荷模型 建模精度 目标跟踪 渐进更新扩展卡尔曼滤波器

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金属间化物（Sm_（1－x）Y_x）_2Fe_（17）N_y中N原子占位的点电

19

作者 罗广圣 贺伦燕 +1 位作者 曾贻伟 杨伏明 《南昌大学学报（工科版）》 CAS 1995年第2期76-78,共3页

通过穆斯堡尔谱等手段研究赝三元金属间化物（Ｓｍ１－ｘＹｘ）２Ｆｅ１７Ｎｙ中的Ｎ原子占位机闭，并通过点电荷模型对Ｎ原子的占泣机制进行理论解释。由试验结果和点电荷模型结果得出以下结论：１）Ｎ原子占据９ｅ（６ｈ）和１８ｇ（... 通过穆斯堡尔谱等手段研究赝三元金属间化物（Ｓｍ１－ｘＹｘ）２Ｆｅ１７Ｎｙ中的Ｎ原子占位机闭，并通过点电荷模型对Ｎ原子的占泣机制进行理论解释。由试验结果和点电荷模型结果得出以下结论：１）Ｎ原子占据９ｅ（６ｈ）和１８ｇ（３ｂ）两个间隙品位；２）Ｎ原子的双重占位与自旋磁结构密切相关，是单轴各向异性产生的主要原因。 展开更多

关键词 金属间化合物 氮原子占位 点电荷模型

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脉冲控制忆阻模拟存储器 被引量：14

20

作者 胡小方 段书凯 +1 位作者 王丽丹 李传东 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期642-647,共6页

推导了忆阻器的电荷控制和磁通量控制数学模型,在该基础上研究了其电导状态连续可变的性质和记忆功能。提出了用脉冲控制忆阻器实现模拟信息存储的方案,通过理论分析、实验仿真验证了方案的有效性。结合交叉阵列结构,该方案有望实现大... 推导了忆阻器的电荷控制和磁通量控制数学模型,在该基础上研究了其电导状态连续可变的性质和记忆功能。提出了用脉冲控制忆阻器实现模拟信息存储的方案,通过理论分析、实验仿真验证了方案的有效性。结合交叉阵列结构,该方案有望实现大规模模拟存储阵列,推进人工神经网络和模拟式计算机的发展。 展开更多

关键词 模拟存储器 交叉阵列 电荷控制模型 磁通量控制模型 忆阻器

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