双极电压比较器LM311电离总剂量与单粒子瞬态协同效应研究 被引量：3

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作者 王利斌 姚帅 +7 位作者 陆妩 王信 于新 李小龙 刘默寒 孙静 席善学 郭旗 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第8期1635-1640,共6页

本文研究了高、低电平输出偏置条件下双极电压比较器LM311的电离总剂量(Total Ionizing Dose,TID)—单粒子瞬态(Single Event Transient,SET)的协同效应.实验结果表明,高电平输出偏置条件下累积总剂量后的LM311的SET会受到明显抑制,主... 本文研究了高、低电平输出偏置条件下双极电压比较器LM311的电离总剂量(Total Ionizing Dose,TID)—单粒子瞬态(Single Event Transient,SET)的协同效应.实验结果表明,高电平输出偏置条件下累积总剂量后的LM311的SET会受到明显抑制,主要表现为瞬态脉冲宽度减小,SET幅值变小.低电平输出偏置条件下累积总剂量后的LM311的SET有促进作用,主要表现为瞬态脉冲宽度增大,SET幅值变大.与高电平输出偏置条件相比,LM311在低电平输出偏置条件下对SET不敏感.发现TID诱发的界面态陷阱电荷和氧化物陷阱电荷是TID-SET协同抑制效应出现的根本原因. 展开更多

关键词 电离总剂量 单粒子瞬态 协同效应 双极电压比较器

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130 nm 7T SOI SRAM总剂量与单粒子协和效应研究

2

作者 肖舒颜 郭刚 +7 位作者 王林飞 张峥 陈启明 高林春 王春林 张付强 赵树勇 刘建成 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期506-512,共7页

为进一步阐明SOI器件中总剂量效应(TID)与单粒子效应(SEE)间的协和效应,本文基于SOI工艺特征尺寸为130 nm的国产7T结构SRAM进行了相关研究。通过对4组SOI SRAM开展了不同TID辐照后的SEE实验,得到器件单粒子翻转(SEU)截面随TID的变化规律... 为进一步阐明SOI器件中总剂量效应(TID)与单粒子效应(SEE)间的协和效应,本文基于SOI工艺特征尺寸为130 nm的国产7T结构SRAM进行了相关研究。通过对4组SOI SRAM开展了不同TID辐照后的SEE实验,得到器件单粒子翻转(SEU)截面随TID的变化规律。SOI SRAM的SEU截面在TID辐照后呈现明显的降低,最大在750 krad(Si)剂量辐照后下降80.5%。器件的饱和截面呈现随剂量增加而下降的趋势,最大下降19.5%,研究中未发现SEU阈值的明显变化。分析认为,延迟晶体管N5的等效关态电阻因为TID辐照而增加,该现象会造成N5的延迟作用增强,是该款器件SEU截面下降的主要原因。采用这种7T结构的SOI SRAM的抗SEE性能会随其在轨累积剂量的增加而逐渐增强,这为今后电子器件的抗辐射加固提供了启示。 展开更多

关键词 总剂量效应 单粒子效应 协和效应 单粒子翻转 静态随机存储器

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模拟数字转换器AD574总剂量和单粒子翻转的协合效应 被引量：1

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作者 相传峰 姚帅 +8 位作者 于新 李小龙 陆妩 王信 刘默寒 孙静 郭旗 蔡娇 杨圣 《辐射研究与辐射工艺学报》 CAS CSCD 2021年第4期91-96,共6页

以美国亚德诺半导体技术有限公司bipolar/I2L工艺的1^(2)位模拟数字转换器AD574为研究对象,在^(60)Coγ辐照条件下累积400 Gy(Si)的电离剂量(Totalionizingdose,TID),对累积总剂量前后的样品进行激光单粒子翻转(Single-event upset,SEU... 以美国亚德诺半导体技术有限公司bipolar/I2L工艺的1^(2)位模拟数字转换器AD574为研究对象,在^(60)Coγ辐照条件下累积400 Gy(Si)的电离剂量(Totalionizingdose,TID),对累积总剂量前后的样品进行激光单粒子翻转(Single-event upset,SEU)试验,获得了0 V、1 V、2.5 V输入信号条件下的输出码值翻转。结果显示:累积400 Gy(Si)电离剂量后,AD574输出码值的翻转向中心码值右侧偏移,同时造成翻转次数的改变。本文初步分析了AD574的TID-SEU协合效应作用机制,认为该现象与模拟/数字转换器内部比较器单粒子瞬态的敏感性有关。累积总剂量后,比较器单粒子瞬态的幅值和宽度显著增大,会导致AD574输出码值翻转分布及次数的变化。该TID-SEU协合效应研究对宇航元器件的抗辐射加固保障提供了有益参考。 展开更多

关键词 模拟数字转换器 总剂量效应 单粒子翻转 协合效应

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Cu_xSi_yO阻变存储器单粒子和总剂量辐照效应

4

作者 周晓羽 薛晓勇 +1 位作者 杨建国 林殷茵 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期464-467,共4页

对CuxSiyO结构的阻变存储器(RRAM)进行了总剂量(TID)以及单粒子辐照(SEE)实验。总剂量实验中,1T1R样品分别接受总剂量为1,2和3 k Gy(Si O2)的60Coγ射线辐射。样品中没有出现低阻在辐照后翻转的现象。单粒子辐照实验中,16 kbit RRAM阵... 对CuxSiyO结构的阻变存储器(RRAM)进行了总剂量(TID)以及单粒子辐照(SEE)实验。总剂量实验中,1T1R样品分别接受总剂量为1,2和3 k Gy(Si O2)的60Coγ射线辐射。样品中没有出现低阻在辐照后翻转的现象。单粒子辐照实验中,16 kbit RRAM阵列样品分别接受线性能量转移(LET)值最高达75 Me V的4种离子束的辐射。样品中没有出现低阻在辐照后翻转的现象。除一组无翻转外,存储单元的高阻到低阻的翻转率皆在0.06%左右。实验结果证实了RRAM中已经形成的导电通道不会受辐照影响,因此不存在低阻翻转为高阻的现象。 展开更多

关键词 阻变存储器(RRAM) 抗辐照 总剂量效应(TID) 单粒子效应(SEE) 地面辐照实验

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总剂量与单粒子协合效应对SRAM单粒子翻转敏感性影响的仿真研究 被引量：1

5

作者 刘艳 曹荣幸 +6 位作者 李红霞 赵琳 韩丹 刘洋 郑澍 曾祥华 薛玉雄 《航天器环境工程》 CSCD 北大核心 2023年第2期170-178,共9页

静态随机存储器(SRAM)在空间环境中可能会受到总电离剂量(TID)效应和单粒子效应(SEE)协合作用的影响,导致器件单粒子翻转(SEU)的敏感性发生改变。文章针对90 nm的SRAM器件,通过器件级和电路级的综合仿真手段,利用计算机辅助设计(TCAD)... 静态随机存储器(SRAM)在空间环境中可能会受到总电离剂量(TID)效应和单粒子效应(SEE)协合作用的影响,导致器件单粒子翻转(SEU)的敏感性发生改变。文章针对90 nm的SRAM器件,通过器件级和电路级的综合仿真手段,利用计算机辅助设计(TCAD)和集成电路模拟程序(SPICE)软件研究TID和SEE的协合作用对SRAM器件SEU敏感性的影响机制。发现:当TID和SEE作用在器件相反工作阶段(即存储相反数据)时,SEU敏感性随着总剂量的增加而增强;当TID和SEE作用在器件相同工作阶段(即存储相同数据)时,SEU敏感性随着总剂量的增加而减弱。其原因主要是SRAM的一个下拉NMOS管受到总剂量辐照发生损伤后,引起电路恢复时间和反馈时间的改变,并且恢复过程和反馈过程对SEU敏感性的贡献程度不同。以上模拟结果可为存储器件的抗辐射加固设计提供参考。 展开更多

关键词 静态随机存储器 总电离剂量 单粒子效应 单粒子翻转 协合效应 仿真研究

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FinFET工艺器件总剂量和单粒子效应研究进展 被引量：1

6

作者 陶伟 魏轶聃 +1 位作者 刘国柱 魏敬和 《中国电子科学研究院学报》 北大核心 2022年第3期270-281,共12页

为实现航天器减重增效的目的,FinFET工艺制造的半导体器件因制程小、功耗低和性能佳等优势,成为宇航级集成电路内部功能单元的有力竞争者。空间辐射环境诱发的半导体器件总剂量和单粒子效应是限制航天器在轨寿命的关键因素,FinFET器件... 为实现航天器减重增效的目的,FinFET工艺制造的半导体器件因制程小、功耗低和性能佳等优势,成为宇航级集成电路内部功能单元的有力竞争者。空间辐射环境诱发的半导体器件总剂量和单粒子效应是限制航天器在轨寿命的关键因素,FinFET器件的抗辐射性能与工艺参数密切相关,文中从不同工艺参数下FinFET器件的辐射性能退化着手,比较了掺杂浓度、鳍尺寸和材料种类对总剂量和单粒子效应的影响,详细分析了FinFET器件的辐射损伤行为和性能演化规律,为FinFET器件的抗辐射加固提供了科学依据。 展开更多

关键词 FINFET 总剂量效应 单粒子效应 尺寸 浓度

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应变Si NMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响

7

作者 张倩 郝敏如 《电子科技》 2019年第6期22-25,30,共5页

针对应变SiNMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响机制,采用计算机TCAD仿真进行研究。通过对比实验结果,构建50nm应变SiNMOS器件的TCAD仿真模型,并使用该模型研究处于截至态(Vds=1V)的NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应。实验结果表明... 针对应变SiNMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响机制,采用计算机TCAD仿真进行研究。通过对比实验结果,构建50nm应变SiNMOS器件的TCAD仿真模型,并使用该模型研究处于截至态(Vds=1V)的NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应。实验结果表明,总剂量辐照引入的氧化层陷阱正电荷使得体区电势升高,加剧了NMOS器件的单粒子效应。在2kGy总剂量辐照下,漏极瞬态电流增加4.88%,而漏极收集电荷增量高达29.15%,表明总剂量辐射对单粒子效应的影响主要体现在漏极收集电荷的大幅增加方面。 展开更多

关键词 应变SI NMOS器件 总剂量辐射 单粒子效应 漏极瞬态电流 漏极收集电荷

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中小规模逻辑电路单粒子效应实验研究 被引量：2

8

作者 敬辉 曹洲 +1 位作者 杨兆铭 李志常 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期267-271,共5页

介绍了中小规模逻辑电路的单粒子效应实验。单粒子效应实验是在中国原子能科学研究院核物理国家实验室的ＨＩ－１３型串列加速器上完成的。用６０Ｃｏγ射线辐照至一定剂量后再用重离子轰击，在不同总吸收剂量下获得了σ－ＬＥＴ曲线。... 介绍了中小规模逻辑电路的单粒子效应实验。单粒子效应实验是在中国原子能科学研究院核物理国家实验室的ＨＩ－１３型串列加速器上完成的。用６０Ｃｏγ射线辐照至一定剂量后再用重离子轰击，在不同总吸收剂量下获得了σ－ＬＥＴ曲线。对实验结果进行了讨论并得出中小规模逻辑电路的单粒子效应不容忽视的结论。 展开更多

关键词 单粒子效应 总吸收剂量 航天器 逻辑电路

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浮栅器件的单粒子翻转效应

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作者 琚安安 郭红霞 +7 位作者 丁李利 刘建成 张凤祁 张鸿 柳奕天 顾朝桥 刘晔 冯亚辉 《太赫兹科学与电子信息学报》 2022年第9期877-883,914,共8页

基于中国原子能科学研究院的HI-13加速器,利用不同线性能量传输(LET)值的重离子束流对4款来自不同厂家的90 nm特征尺寸NOR型Flash存储器进行了重离子单粒子效应试验研究,对这些器件的单粒子翻转(SEU)效应进行了评估。试验中分别对这些... 基于中国原子能科学研究院的HI-13加速器,利用不同线性能量传输(LET)值的重离子束流对4款来自不同厂家的90 nm特征尺寸NOR型Flash存储器进行了重离子单粒子效应试验研究,对这些器件的单粒子翻转(SEU)效应进行了评估。试验中分别对这些器件进行了静态和动态测试,得到了它们在不同LET值下的SEU截面。结果表明高容量器件的SEU截面略大于低容量的器件;是否加偏置对器件的翻转截面几乎无影响;两款国产替代器件的SEU截面比国外商用器件高。国产替代器件SEU效应的LET阈值在12.9 MeV·cm^(2)/mg附近,而国外商用器件SEU效应的LET阈值处于12.9~32.5 MeV·cm^(2)/mg之间。此外,针对单粒子和总剂量效应对试验器件的协同作用也开展了试验研究,试验结果表明总剂量累积会增加Flash存储器的SEU效应敏感性,分析认为总剂量效应产生的电离作用导致了浮栅上结构中的电子丢失和晶体管阈值电压的漂移,在总剂量效应作用的基础上SEU更容易发生。 展开更多

关键词 NOR型Flash存储器 重离子 单粒子效应 总剂量效应 协同效应

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SRAM FPGA电离辐射效应试验研究 被引量：7

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作者 于庆奎 张大宇 +3 位作者 张海明 唐民 文亮 施蕾 《航天器环境工程》 2009年第3期229-231,198,共3页

针对sramfpga空间应用日益增多,以100万门sramfpga为样品,进行了单粒子效应和电离总剂量效应辐照试验.单粒子试验结果是:试验用粒子最小let为1.66mev·cm2/mg,出现seu(单粒子翻转);let为4.17 mev·cm2/mg,出现sefi(单粒子功能中... 针对sramfpga空间应用日益增多,以100万门sramfpga为样品,进行了单粒子效应和电离总剂量效应辐照试验.单粒子试验结果是:试验用粒子最小let为1.66mev·cm2/mg,出现seu(单粒子翻转);let为4.17 mev·cm2/mg,出现sefi(单粒子功能中断),通过重新配置,样品功能恢复正常;let在1.66～64.8mev·cm2/mg范围内,未出现sel(单粒子锁定);试验发现,随seu数量的累积,样品功耗电流会随之增加,对样品进行重新配置,电流恢复正常.电离总剂量辐照试验结果是:辐照总剂量75krad(si)时,2只样品功能正常,功耗电流未见明显变化.辐照到87 krad(si)时,样品出现功能失效.试验表明sram fpga属于seu敏感的器件,且存在sefi.seu和sefi会破坏器件功能,导致系统故障.空间应用sram fpga必须进行抗单粒子加固设计,推荐的加固方法是三模冗余(tmr)配合定时重新配置(scrubbing).关键部位如控制系统慎用sram fpga. 展开更多

关键词 专用集成电路 单粒子效应 总剂量效应 辐照试验 抗辐射加固

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地球辐射带槽区粒子环境动态变化对中轨卫星辐射效应的影响 被引量：2

11

作者 呼延奇 蔡震波 《航天器环境工程》 北大核心 2021年第3期333-343,共11页

中轨卫星运行于地球辐射带槽区,而槽区粒子辐射环境可能存在显著涨落,增加卫星抗辐射设计输入的不确定性。文章利用典型地球辐射带模型,对中轨卫星累积性辐射效应的主要来源进行深入分析,再结合槽区粒子辐射环境动态变化特征,初步量化... 中轨卫星运行于地球辐射带槽区,而槽区粒子辐射环境可能存在显著涨落,增加卫星抗辐射设计输入的不确定性。文章利用典型地球辐射带模型,对中轨卫星累积性辐射效应的主要来源进行深入分析,再结合槽区粒子辐射环境动态变化特征,初步量化分析其对中轨卫星遭遇辐射效应的影响。结果表明:槽区粒子辐射环境的动态变化对星表材料及太阳电池辐射损伤的附加影响较小;槽区质子填充事件对8000 km以上高度轨道的电离总剂量有明显影响(但此类事件遭遇概率很低);槽区电子填充事件使10000 km以上高度轨道的电离总剂量明显增大,这点必须在相应的卫星抗辐射设计要求中予以考虑。 展开更多

关键词 地球辐射带 槽区 中轨卫星 带电粒子环境 辐射带模型 电离总剂量 辐射效应

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面向空间应用的GaN功率器件及其辐射效应

12

作者 毕津顺 沈立志 +3 位作者 梅博 曹爽 孙毅 于庆奎 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期149-159,共11页

研究氮化镓(GaN)功率器件及其辐射效应对于解决空间应用需求、促进新一代航天器建设具有重大意义。介绍了GaN功率器件的主要结构及工作原理,综述了近年来国内外在GaN功率器件的总剂量效应和单粒子效应两方面的研究进展,并对辐射效应在Ga... 研究氮化镓(GaN)功率器件及其辐射效应对于解决空间应用需求、促进新一代航天器建设具有重大意义。介绍了GaN功率器件的主要结构及工作原理,综述了近年来国内外在GaN功率器件的总剂量效应和单粒子效应两方面的研究进展,并对辐射效应在GaN功率器件中造成的退化和损伤机制进行分析与讨论。研究结果显示:GaN功率器件具有较强的抗总剂量能力,但是抗单粒子能力较弱,易发生漏电和单粒子烧毁,且烧毁点多发生在栅极边缘的漏侧。对GaN功率器件辐照损伤机理的研究缺乏权威理论,有待进一步探索,为其空间应用提供理论支撑。目前,平面结构的GaN功率器件是主流的技术方案,单片集成及高频小型化是GaN功率器件未来发展的方向。 展开更多

关键词 GaN功率器件 总剂量效应 单粒子效应 空间应用

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锗硅异质结双极晶体管空间辐射效应研究进展 被引量：5

13

作者 李培 贺朝会 +3 位作者 郭红霞 张晋新 魏佳男 刘默寒 《太赫兹科学与电子信息学报》 2022年第6期523-534,共12页

异质结带隙渐变使锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBT)具有良好的温度特性,可承受-180~+200℃的极端温度,在空间极端环境领域具有诱人的应用前景。然而,SiGeHBT器件由于材料和工艺结构的新特征,其空间辐射效应表现出不同于体硅器件的复杂特... 异质结带隙渐变使锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBT)具有良好的温度特性,可承受-180~+200℃的极端温度,在空间极端环境领域具有诱人的应用前景。然而,SiGeHBT器件由于材料和工艺结构的新特征,其空间辐射效应表现出不同于体硅器件的复杂特征。本文详述了SiGeHBT的空间辐射效应研究现状,重点介绍了国产工艺SiGeHBT的单粒子效应、总剂量效应、低剂量率辐射损伤增强效应以及辐射协同效应的研究进展。研究表明,SiGeHBT作为双极晶体管的重要类型,普遍具有较好的抗总剂量和位移损伤效应的能力,但单粒子效应是制约其空间应用的瓶颈问题。由于工艺的不同,国产SiGeHBT还表现出显著的低剂量率辐射损伤增强效应响应和辐射协同效应。 展开更多

关键词 锗硅异质结双极晶体管 单粒子效应 总剂量效应 低剂量率辐射损伤增强效应 电离总剂量/单粒子效应协同效应 电离总剂量/位移损伤协同效应

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浮栅ROM与SRAM的辐射效应比较分析 被引量：13

14

作者 贺朝会 耿斌 +3 位作者 杨海亮 陈晓华 李国政 王燕萍 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期1260-1262,共3页

比较了浮栅ROM和SRAM的中子、质子和γ辐射效应的异同 ,分析了其不同的原因 .与SRAM相比 ,浮栅ROM器件出错时的 14MeV中子注量阈值高 5个量级 ;31.9MeV质子注量阈值高 4个量级 ;总剂量损伤阈值相差不大 ,都在 10 4rad(Si)量级左右 .这... 比较了浮栅ROM和SRAM的中子、质子和γ辐射效应的异同 ,分析了其不同的原因 .与SRAM相比 ,浮栅ROM器件出错时的 14MeV中子注量阈值高 5个量级 ;31.9MeV质子注量阈值高 4个量级 ;总剂量损伤阈值相差不大 ,都在 10 4rad(Si)量级左右 .这些都是由二者存储单元的结构和辐射效应机制决定的 .在空间辐射环境中 ,不需经常擦写数据的情况下 ,应该选用浮栅ROM器件 . 展开更多

关键词 FLASH ROM EEPROM SRAM 单粒子效应 总剂量效应

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大容量Flash存储器空间辐射效应试验研究 被引量：4

15

作者 张洪伟 于庆奎 +2 位作者 张大宇 孟猛 唐民 《航天器工程》 2011年第6期130-134,共5页

分析了商用Flash存储器应用于航天器时应考虑的空间辐射效应和机理,并利用钴-60γ射线和重离子加速器对韩国三星公司生产的大容量Flash存储器K9XXG08UXA系列进行了抗电离总剂量试验和抗单粒子试验,以评估其空间应用可行性。试验结果显示... 分析了商用Flash存储器应用于航天器时应考虑的空间辐射效应和机理,并利用钴-60γ射线和重离子加速器对韩国三星公司生产的大容量Flash存储器K9XXG08UXA系列进行了抗电离总剂量试验和抗单粒子试验,以评估其空间应用可行性。试验结果显示:这一系列存储器的累积电离总剂量为50krad(Si)时,器件部分数据丢失,重新配置刷新后,功能正常;在线性能量传递值小于38MeV.cm2/mg时,未发生单粒子锁定和功能中断现象。空间辐射环境采用AD-AMS 90%最坏情况模型,太阳同步轨道高度965km,存储单元单粒子翻转率计算值为2×10-2次/(天.器件)。 展开更多

关键词 航天器 FLASH存储器 辐射效应 电离总剂量 单粒子效应

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空间辐射效应对SRAM型FPGA的影响 被引量：11

16

作者 邢克飞 杨俊 季金明 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2006年第12期107-110,共4页

以Xilinx的FPGA为例,结合相关试验数据,分析了空间总剂量效应、单粒子翻转、单粒子闩锁、单粒子功能中断、单粒子烧毁、单粒子瞬态脉冲和位移损伤等辐射效应对SRAMFPGA器件的漏极电流、阈值电压、逻辑功能等影响,分析了辐射效应的机理以... 以Xilinx的FPGA为例,结合相关试验数据,分析了空间总剂量效应、单粒子翻转、单粒子闩锁、单粒子功能中断、单粒子烧毁、单粒子瞬态脉冲和位移损伤等辐射效应对SRAMFPGA器件的漏极电流、阈值电压、逻辑功能等影响,分析了辐射效应的机理以及FPGA的失效模式。文章可以为SRAM型FPGA在航天领域中的应用提供参考。 展开更多

关键词 总剂量效应 单粒子效应 位移损伤 SRAM型FPGA

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基于半导体集成电路辐射效应的空间辐射环境探测器 被引量：2

17

作者 张庆祥 侯明东 甄红楼 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期374-376,共3页

空间辐射环境能够引起半导体集成电路发生的总剂量效应、单粒子效应等辐射效应 ,可以被用来进行空间辐射环境监测。在一定条件下 ,基于此原理的探测器具有常规的面垒型探测器以及 PIN型探测器等所不具备的优点。尤其适合航天器舱内带电... 空间辐射环境能够引起半导体集成电路发生的总剂量效应、单粒子效应等辐射效应 ,可以被用来进行空间辐射环境监测。在一定条件下 ,基于此原理的探测器具有常规的面垒型探测器以及 PIN型探测器等所不具备的优点。尤其适合航天器舱内带电离子探测和用于航天医学的个人辐射剂量探测。介绍了三种基于半导体器件辐射效应的探测器。 展开更多

关键词 半导体集成电路 辐射效应 总剂量效应 单粒子效应 空间环境探测器 空间辐射环境

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变温辐照对双极电压比较器LM2903在不同偏置状态下的单粒子瞬态影响 被引量：2

18

作者 姚帅 陆妩 +8 位作者 于新 李小龙 王信 刘默寒 孙静 常耀东 席善学 何承发 郭旗 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期1122-1126,共5页

利用变温辐照方法模拟了低剂量率辐照,研究了双极电压比较器LM2903的电离总剂量(TID)-单粒子瞬态(SET)的协同效应。结果表明,高电平工作状态偏置时,TID对LM2903的SET具有抑制作用;低电平工作状态偏置时,TID对LM2903的SET具有促进作用。... 利用变温辐照方法模拟了低剂量率辐照,研究了双极电压比较器LM2903的电离总剂量(TID)-单粒子瞬态(SET)的协同效应。结果表明,高电平工作状态偏置时,TID对LM2903的SET具有抑制作用;低电平工作状态偏置时,TID对LM2903的SET具有促进作用。电离辐照诱发的界面态缺陷电荷是TID-SET协同效应产生的根本原因,电压比较器的输出级结构导致了偏置状态对TID-SET协同效应的不同影响。 展开更多

关键词 变温辐照方法 双极电压比较器 电离总剂量 单粒子瞬态 偏置状态 协同效应

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航天器空间辐射效应分析技术现状与思考 被引量：5

19

作者 王会斌 呼延奇 +1 位作者 郑悦 王华 《航天器环境工程》 北大核心 2022年第4期427-435,共9页

文章梳理了面向航天器总体设计的空间辐射效应分析技术现状,重点归纳了航天器空间辐射效应分析中需关注的总剂量效应、位移损伤效应、单粒子效应分析的要素、分析方法及软件工具,并结合近年来国际上空间辐射环境模型的最新进展,就辐射... 文章梳理了面向航天器总体设计的空间辐射效应分析技术现状,重点归纳了航天器空间辐射效应分析中需关注的总剂量效应、位移损伤效应、单粒子效应分析的要素、分析方法及软件工具,并结合近年来国际上空间辐射环境模型的最新进展,就辐射环境动态变化认知、在轨辐射风险表征、陌生轨道区域辐射环境影响分析等方面提出国内空间辐射效应分析技术的不足及后续发展建议。 展开更多

关键词 空间辐射环境 辐射环境模型 总剂量效应 位移损伤效应 单粒子效应

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可重复使用航天器空间辐射效应评价关键问题及解决方法 被引量：3

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作者 韩金鹏 高著秀 《装备环境工程》 CAS 2020年第3期21-26,共6页

介绍了可重复使用航天器及其应用需求,分析了其在太空遭遇的空间辐射环境及效应,探讨了可重复使用航天器的空间辐射效应评价在元器件退火效应研究及工程化、地面模拟试验设施及评价技术、地面检测维护及评价、抗辐射设计规范等方面存在... 介绍了可重复使用航天器及其应用需求,分析了其在太空遭遇的空间辐射环境及效应,探讨了可重复使用航天器的空间辐射效应评价在元器件退火效应研究及工程化、地面模拟试验设施及评价技术、地面检测维护及评价、抗辐射设计规范等方面存在的问题,提出了深入开展元器件空间环境效应及退火效应机理研究,给出适合可重复使用航天器的指标和评价体系;搭建多功能的综合环境效应地面模拟试验装置,加强多因素环境协同效应机理研究,建立空间多因素环境协同效应试验方法;开展空间环境多因素协同效应仿真,加强可重复使用航天器辐射效应预示方法的深入研究等解决途径。 展开更多

关键词 可重复使用 空间辐射环境 电离总剂量 单粒子

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