低压差线性电压调整器应用广泛,电源纹波抑制比是反映其性能指标的关键参数之一。为解决传统电源纹波抑制比测试方法测量频率范围较小、测试效率低、难以满足高电源纹波抑制比测试等不足,提出基于功率分配器和低频网络分析仪相结合的电...低压差线性电压调整器应用广泛,电源纹波抑制比是反映其性能指标的关键参数之一。为解决传统电源纹波抑制比测试方法测量频率范围较小、测试效率低、难以满足高电源纹波抑制比测试等不足,提出基于功率分配器和低频网络分析仪相结合的电源纹波抑制比测试方法,并采用典型低压差线性电压调整器对基于功率分配器和基于电感电容总和节点法的两种测试方法进行测试验证。实验结果表明:基于功率分配器的电源纹波抑制比测试方法最低测试频率可达30 Hz,可满足70 d B以上电源纹波抑制比的测试需求,具有频率测量范围更宽、测试效率高等特点。展开更多
基于0.18μm CMOS工艺设计了一种低噪声、高电源电压抑制比(PSRR)的新型带隙基准源(BGR)。使用低噪声的垂直双极结型晶体管取代MOS晶体管作为运算放大器输入,削减了低频闪烁噪声;通过引入三输入的运算放大器将电源扰动传递到电流管的栅...基于0.18μm CMOS工艺设计了一种低噪声、高电源电压抑制比(PSRR)的新型带隙基准源(BGR)。使用低噪声的垂直双极结型晶体管取代MOS晶体管作为运算放大器输入,削减了低频闪烁噪声;通过引入三输入的运算放大器将电源扰动传递到电流管的栅极,极大程度地降低了电源纹波对输出基准电压的干扰;并通过RC低通滤波器进一步改善噪声和PSRR性能;利用修调电路修调工艺偏差,实现了良好的温度特性。实测结果表明,该BGR的PSRR在57.7 Hz下为-108 d B,与仿真结果基本一致(-102.3 d B@50 Hz);输出电压噪声在10 Hz时为42.20 n V/√Hz,通过新提出的测试方法在0.1~1 k Hz测得总噪声电压有效值低于0.503 5μV;在-40~125℃,基准电压温度系数可以修调至20×10^(-6)/℃以下,最小值仅14.09×10^(-6)/℃;BGR面积为254.1μm×370.0μm,功耗约为8.6μA@3 V。展开更多
介绍了一种超低功耗、无片上电阻、无双极型晶体管（BJT）的基于亚阈值CMOS特性的基准电压源,该带隙基准源主要用于低功耗型专用集成电路（ASIC）。采用Oguey电流源结构来减小静态电流,以降低功耗。通过使用工作在线性区的MOS管代替传...介绍了一种超低功耗、无片上电阻、无双极型晶体管（BJT）的基于亚阈值CMOS特性的基准电压源,该带隙基准源主要用于低功耗型专用集成电路（ASIC）。采用Oguey电流源结构来减小静态电流,以降低功耗。通过使用工作在线性区的MOS管代替传统结构中的电阻消除迁移率和电流的温度影响,同时减小芯片面积;采用共源共栅电流镜以降低电源电压抑制比和电压调整率。电路基于SMIC 0.18μm CMOS工艺进行仿真。仿真结果表明,在-45~130℃内,温漂系数为29.1×10-6/℃,电源电压范围为0.8~3.3 V时,电压调整率为0.056%,在100 Hz时,电源电压抑制比为-53 d B。电路功耗仅为235 n W,芯片面积为0.01 mm2。展开更多
文摘低压差线性电压调整器应用广泛,电源纹波抑制比是反映其性能指标的关键参数之一。为解决传统电源纹波抑制比测试方法测量频率范围较小、测试效率低、难以满足高电源纹波抑制比测试等不足,提出基于功率分配器和低频网络分析仪相结合的电源纹波抑制比测试方法,并采用典型低压差线性电压调整器对基于功率分配器和基于电感电容总和节点法的两种测试方法进行测试验证。实验结果表明:基于功率分配器的电源纹波抑制比测试方法最低测试频率可达30 Hz,可满足70 d B以上电源纹波抑制比的测试需求,具有频率测量范围更宽、测试效率高等特点。
文摘基于0.18μm CMOS工艺设计了一种低噪声、高电源电压抑制比(PSRR)的新型带隙基准源(BGR)。使用低噪声的垂直双极结型晶体管取代MOS晶体管作为运算放大器输入,削减了低频闪烁噪声;通过引入三输入的运算放大器将电源扰动传递到电流管的栅极,极大程度地降低了电源纹波对输出基准电压的干扰;并通过RC低通滤波器进一步改善噪声和PSRR性能;利用修调电路修调工艺偏差,实现了良好的温度特性。实测结果表明,该BGR的PSRR在57.7 Hz下为-108 d B,与仿真结果基本一致(-102.3 d B@50 Hz);输出电压噪声在10 Hz时为42.20 n V/√Hz,通过新提出的测试方法在0.1~1 k Hz测得总噪声电压有效值低于0.503 5μV;在-40~125℃,基准电压温度系数可以修调至20×10^(-6)/℃以下,最小值仅14.09×10^(-6)/℃;BGR面积为254.1μm×370.0μm,功耗约为8.6μA@3 V。
文摘介绍了一种超低功耗、无片上电阻、无双极型晶体管（BJT）的基于亚阈值CMOS特性的基准电压源,该带隙基准源主要用于低功耗型专用集成电路（ASIC）。采用Oguey电流源结构来减小静态电流,以降低功耗。通过使用工作在线性区的MOS管代替传统结构中的电阻消除迁移率和电流的温度影响,同时减小芯片面积;采用共源共栅电流镜以降低电源电压抑制比和电压调整率。电路基于SMIC 0.18μm CMOS工艺进行仿真。仿真结果表明,在-45~130℃内,温漂系数为29.1×10-6/℃,电源电压范围为0.8~3.3 V时,电压调整率为0.056%,在100 Hz时,电源电压抑制比为-53 d B。电路功耗仅为235 n W,芯片面积为0.01 mm2。
