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高电流密度Ga2O3 MOSFET器件的研制
1
作者
田秀伟
马春雷
+3 位作者
刘沛
韩婷婷
宋旭波
吕元杰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第10期740-744,786,共6页
研制了一款具有高漏源饱和电流密度的Ga2O3MOSFET器件。采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在Fe掺杂半绝缘（010） Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,n型Ga2O3沟道层Si掺杂浓度为2. 0×10^（18）cm^（-3）,n型沟道...
研制了一款具有高漏源饱和电流密度的Ga2O3MOSFET器件。采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在Fe掺杂半绝缘（010） Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,n型Ga2O3沟道层Si掺杂浓度为2. 0×10^（18）cm^（-3）,n型沟道厚度为80 nm。采用Si离子注入工艺,器件欧姆特性得到大幅改善,欧姆接触电阻降至1. 0Ω·mm。采用原子层沉积（ALD）厚度为25 nm的Hf O2作为器件的栅下绝缘介质层。测试结果表明,在栅偏压为0 V时,器件的开态导通电阻仅为65Ω·mm,漏源饱和电流密度达到173 m A/mm,器件的三端关态击穿电压达到120 V。
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关键词
氧化镓(Ga2O3)
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
漏
源
饱和
电流
密度
离子注入
击穿电压
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职称材料
大电流密度高性能AlGaN/GaN HEMT器件研制(英文)
2
作者
王丽
谭鑫
吕元杰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第12期917-920,925,共5页
在SiC衬底上制备得到了表面钝化氮化硅(SiN)的AlGaN/Ga N高电子迁移率场效应晶体管(HEMTs)。采用高电子浓度的AlGaN/GaN异质结材料、90 nm T型栅、100 nm SiN表面钝化、低欧姆接触以及较短漏源间距等方法来提升器件性能。在Vgs=4 V时器...
在SiC衬底上制备得到了表面钝化氮化硅(SiN)的AlGaN/Ga N高电子迁移率场效应晶体管(HEMTs)。采用高电子浓度的AlGaN/GaN异质结材料、90 nm T型栅、100 nm SiN表面钝化、低欧姆接触以及较短漏源间距等方法来提升器件性能。在Vgs=4 V时器件的最大漏源饱和电流密度为1.72 A/mm,最大跨导为305 m S/mm,此结果为国内报道的AlGaN/GaN HEMT器件最大漏源饱和电流密度。此外,栅长为90 nm T型栅器件的电流增益截止频率(fT)为109GHz,最大振荡频率(fmax)为144 GHz。
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关键词
A1GAN/GAN
HEMT
SiN钝化
漏
源
饱和
电流
密度
电流
增益截止频率
T型栅
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职称材料
海马区锥体神经元轴突高频电刺激对胞体的影响
被引量：
1
3
作者
徐义鹏
封洲燕
+3 位作者
袁月
胡一凡
叶翔宇
王兆祥
《生物化学与生物物理进展》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2023年第3期561-572,共12页
目的深部脑刺激(deep brain stimulation,DBS)利用持续的电脉冲高频刺激(high-frequency stimulation,HFS)调控神经元的活动,可望用于治疗更多脑疾病。为了深入了解HFS的作用机制,促进DBS的发展,本文研究轴突HFS在引起轴突阻滞期间神经...
目的深部脑刺激(deep brain stimulation,DBS)利用持续的电脉冲高频刺激(high-frequency stimulation,HFS)调控神经元的活动,可望用于治疗更多脑疾病。为了深入了解HFS的作用机制,促进DBS的发展,本文研究轴突HFS在引起轴突阻滞期间神经元胞体的改变。方法在麻醉大鼠海马CA1区的锥体神经元轴突上施加脉冲频率为100 Hz的1 min逆向高频刺激(antidromic high-frequency stimulation,A-HFS)。为了研究胞体的响应,利用线性垂直排列的多通道微电极阵列,记录刺激位点上游CA1区锥体神经元胞体附近各结构分层上的诱发电位,包括A-HFS脉冲诱发的逆向群峰电位(antidromic population spike,APS)以及A-HFS期间施加的顺向测试脉冲诱发的顺向群峰电位(orthodromic population spike,OPS),并计算诱发电位的电流源密度(current-source density,CSD),用于分析A-HFS期间锥体神经元胞体附近动作电位的生成和传导。结果锥体神经元轴突上的A-HFS会减小胞体对于逆向和顺向兴奋的传导速度。并且,这种胞体变化的发生和恢复都比A-HFS诱导的轴突阻滞要缓慢。结论轴突上的持续高频刺激可以引起胞体产生变化,这种变化可能是胞体附近细胞膜电位改变所致。此发现有助于深入揭示脑神经系统电刺激的作用机制。
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关键词
高频刺激
群峰电位
电流源密度
锥体神经元
传导速度
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职称材料
题名
高电流密度Ga2O3 MOSFET器件的研制
1
作者
田秀伟
马春雷
刘沛
韩婷婷
宋旭波
吕元杰
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
中国航天标准化与产品保证研究院
专用集成电路重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第10期740-744,786,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61674130,61306113)
文摘
研制了一款具有高漏源饱和电流密度的Ga2O3MOSFET器件。采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在Fe掺杂半绝缘（010） Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,n型Ga2O3沟道层Si掺杂浓度为2. 0×10^（18）cm^（-3）,n型沟道厚度为80 nm。采用Si离子注入工艺,器件欧姆特性得到大幅改善,欧姆接触电阻降至1. 0Ω·mm。采用原子层沉积（ALD）厚度为25 nm的Hf O2作为器件的栅下绝缘介质层。测试结果表明,在栅偏压为0 V时,器件的开态导通电阻仅为65Ω·mm,漏源饱和电流密度达到173 m A/mm,器件的三端关态击穿电压达到120 V。
关键词
氧化镓(Ga2O3)
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
漏
源
饱和
电流
密度
离子注入
击穿电压
Keywords
Ga203
metal-oxide-semiconductor field-effect transistor （MOSFET）
drain-source saturation current density
ion implantation
breakdown voltage
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
大电流密度高性能AlGaN/GaN HEMT器件研制(英文)
2
作者
王丽
谭鑫
吕元杰
机构
科技信息中心
专用集成电路重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第12期917-920,925,共5页
文摘
在SiC衬底上制备得到了表面钝化氮化硅(SiN)的AlGaN/Ga N高电子迁移率场效应晶体管(HEMTs)。采用高电子浓度的AlGaN/GaN异质结材料、90 nm T型栅、100 nm SiN表面钝化、低欧姆接触以及较短漏源间距等方法来提升器件性能。在Vgs=4 V时器件的最大漏源饱和电流密度为1.72 A/mm,最大跨导为305 m S/mm,此结果为国内报道的AlGaN/GaN HEMT器件最大漏源饱和电流密度。此外,栅长为90 nm T型栅器件的电流增益截止频率(fT)为109GHz,最大振荡频率(fmax)为144 GHz。
关键词
A1GAN/GAN
HEMT
SiN钝化
漏
源
饱和
电流
密度
电流
增益截止频率
T型栅
Keywords
A1GaN/GaN HEMT
SiN passivation
drain saturation current density
current gain cut-off fre-quency
T-shaped gate
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
海马区锥体神经元轴突高频电刺激对胞体的影响
被引量：
1
3
作者
徐义鹏
封洲燕
袁月
胡一凡
叶翔宇
王兆祥
机构
浙江大学生物医学工程与仪器科学学院
之江实验室
出处
《生物化学与生物物理进展》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2023年第3期561-572,共12页
基金
国家自然科学基金(30970753)资助项目。
文摘
目的深部脑刺激(deep brain stimulation,DBS)利用持续的电脉冲高频刺激(high-frequency stimulation,HFS)调控神经元的活动,可望用于治疗更多脑疾病。为了深入了解HFS的作用机制,促进DBS的发展,本文研究轴突HFS在引起轴突阻滞期间神经元胞体的改变。方法在麻醉大鼠海马CA1区的锥体神经元轴突上施加脉冲频率为100 Hz的1 min逆向高频刺激(antidromic high-frequency stimulation,A-HFS)。为了研究胞体的响应,利用线性垂直排列的多通道微电极阵列,记录刺激位点上游CA1区锥体神经元胞体附近各结构分层上的诱发电位,包括A-HFS脉冲诱发的逆向群峰电位(antidromic population spike,APS)以及A-HFS期间施加的顺向测试脉冲诱发的顺向群峰电位(orthodromic population spike,OPS),并计算诱发电位的电流源密度(current-source density,CSD),用于分析A-HFS期间锥体神经元胞体附近动作电位的生成和传导。结果锥体神经元轴突上的A-HFS会减小胞体对于逆向和顺向兴奋的传导速度。并且,这种胞体变化的发生和恢复都比A-HFS诱导的轴突阻滞要缓慢。结论轴突上的持续高频刺激可以引起胞体产生变化,这种变化可能是胞体附近细胞膜电位改变所致。此发现有助于深入揭示脑神经系统电刺激的作用机制。
关键词
高频刺激
群峰电位
电流源密度
锥体神经元
传导速度
Keywords
high-frequency stimulation
population spike
current source density
pyramidal neuron
propagation speed
分类号
R338 [医药卫生—人体生理学]
R318 [医药卫生—生物医学工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高电流密度Ga2O3 MOSFET器件的研制
田秀伟
马春雷
刘沛
韩婷婷
宋旭波
吕元杰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
大电流密度高性能AlGaN/GaN HEMT器件研制(英文)
王丽
谭鑫
吕元杰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
海马区锥体神经元轴突高频电刺激对胞体的影响
徐义鹏
封洲燕
袁月
胡一凡
叶翔宇
王兆祥
《生物化学与生物物理进展》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2023
1
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