检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

高性能MOS结构高频C-V特性测试仪被引量：2: 1; 作者陈国杰曹辉谢嘉宁《电测与仪表》北大核心 2004年第11期22-24,共3页; MOS结构高频C-V(电容-电压)特性测量是检测MOS器件制作工艺的重要手段。本文阐述了用高频检测法测量MOS电容的原理,介绍了用变频技术和集成芯片设计MOS结构高频C-V特性测试仪的方法。该测试仪电路简单,成本低,分辨率高,测量准确,稳定性好。; 关键词 MOS结构 c-v特性高频测试仪 MOS器件特性测量电容电压变频技术集成芯片; 在线阅读下载PDF 职称材料

胶体金量子点浮置栅MOS结构的制备及其C-V特性: 2; 作者李卫《南京邮电大学学报（自然科学版）》 2010年第5期55-58,共4页; 通过单相相转移法合成了胶体金纳米粒子,利用异种电荷之间的静电相互吸引作用,采用自组装技术制备了二维有序纳米金阵列。在此基础上,制备了在氧化层中内嵌纳米金颗粒的金属-氧化层-半导体（MOS）结构,并研究了其C-V特性。扫描电镜显示... 展开更多; 关键词金属-氧化层-半导体(MOS)结构电容-电压(c-v) 纳米金颗粒自组装; 在线阅读下载PDF 职称材料

界面陷阱分布对SiC MOSFET准静态C-V特性的影响: 3; 作者高秀秀王勇志 +3 位作者胡兴豪周维刘洪伟戴小平《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第4期294-300,323,共8页; 为了分析4H-SiC/SiO_(2)固定电荷和界面陷阱对MOSFET准静态电容-电压(C-V)特性曲线的影响机制,对不同栅氧氮退火条件下的n沟道4H-SiC双注入MOSFET(DIMOSFET)进行了氧化层中可动离子、界面陷阱分布和准静态C-V特性曲线的测试,并结合仿真... 展开更多; 关键词 4H-SIC 双注入MOSFET(DIMOSFET) 界面陷阱准静态电容-电压(c-v)特性可动离子; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于Si-SOI键合工艺的CMUT二维面阵研制被引量：2: 4; 作者王月何常德张文栋《压电与声光》 CAS 北大核心 2021年第4期528-532,共5页; 该文设计、制作并测试了一种用于实时三维超声成像的电容式微机械超声换能器(CMUT)二维面阵。根据二维面阵指向性分析,设计了中心频率1 MHz、阵元间距0.7λ(λ为波长)的16×16阵元CMUT二维面阵,并利用硅-绝缘体上硅(Si-SOI)键合工... 展开更多; 关键词电容式微机械超声换能器(CMUT) 二维面阵硅-绝缘体上硅(Si-SOI)键合电容-电压(c-v)测试收发特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

吉时利推出4200-SCS升级版: 5; 《电子测量技术》 2009年第4期176-176,共1页; 关键词 4200-SCS 吉时利仪器公司升级版电气测试仪器太阳能电池交互式软件电容-电压软件升级; 在线阅读下载PDF 职称材料

MOD法制备掺钐钛酸铋铁电薄膜被引量：2: 6; 作者韩辉王民 +2 位作者王弘王卓许效红《压电与声光》 CSCD 北大核心 2004年第5期408-410,共3页; 利用 MOD法在电阻率为 5～ 6Ω· cm的 n- Si(10 0 )衬底采用旋转甩膜工艺制备了 Sm0 .85Bi3.1 5Ti3O1 2(SBT- 0 .85 )铁电薄膜 ,研究了薄膜的结晶性能和电学性能。结果表明 ,在 70 0°C下退火 1h得到的 Sm0 .85Bi3.1 5Ti3O1 2... 展开更多; 关键词 MOD 电容-电压(c-v)曲线旋转甩膜铁电薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

对低温下制得的CdS薄膜电学性质的研究被引量：2: 7; 作者陈婷婷王瑞林 +3 位作者姜春萍赵北君朱世富王育伟《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期746-748,共3页; 采用化学水浴沉积法研究在低温条件下以及硫尿浓度不同的溶液中生长出的硫化镉薄膜的电学性质。采用X-射线衍射(XRD)仪确定退火后的样品是六方相,在(002)、(112)和(004)方向优势生长;使用紫外-可见分光光度计发现各样品的光学性质符合... 展开更多; 关键词 CDS薄膜化学水浴沉积法(CBD) 电容-电压测试; 在线阅读下载PDF 职称材料

Ta、Nb掺杂Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)陶瓷铁电介电性能研究被引量：1: 8; 作者王宁章容世龙刘世丰《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期271-274,共4页; 采用传统固相烧结工艺制备了掺杂Ta、Nb的Bi3.15Nd0.85Ti3O12材料,构成Bi3.15Nd0.85Ti3-2x TaxNbxO12(x=0,0.02,0.04,0.06)铁电陶瓷。研究了Ta、Nb掺杂对Bi3.15Nd0.85Ti3O12陶瓷晶体结构和铁电性能的影响。结果表明,Ta、Nb掺杂未改变Bi3... 展开更多; 关键词固相烧结铁电陶瓷钙钛矿结构电滞回线剩余极化电容-电压(c-v)曲线; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高性能MOS结构高频C-V特性测试仪被引量：2: 1; 作者陈国杰曹辉谢嘉宁; 机构佛山大学理学院; 出处《电测与仪表》北大核心 2004年第11期22-24,共3页; 基金广东省教育厅自然科学基金资助项目(Z02069); 文摘 MOS结构高频C-V(电容-电压)特性测量是检测MOS器件制作工艺的重要手段。本文阐述了用高频检测法测量MOS电容的原理,介绍了用变频技术和集成芯片设计MOS结构高频C-V特性测试仪的方法。该测试仪电路简单,成本低,分辨率高,测量准确,稳定性好。; 关键词 MOS结构 c-v特性高频测试仪 MOS器件特性测量电容电压变频技术集成芯片; Keywords MOS capacitor frequency conversion amplifier tester; 分类号 TH132.414 [机械工程—机械制造及自动化] TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名胶体金量子点浮置栅MOS结构的制备及其C-V特性: 2; 作者李卫; 机构南京邮电大学电子科学与工程学院; 出处《南京邮电大学学报（自然科学版）》 2010年第5期55-58,共4页; 基金江苏省高校自然科学基金(09KJB510014) 南京邮电大学引进人才科研启动基金(NY208057) 南京邮电大学教学改革研究项目(JG03309JX37)资助项目; 文摘通过单相相转移法合成了胶体金纳米粒子,利用异种电荷之间的静电相互吸引作用,采用自组装技术制备了二维有序纳米金阵列。在此基础上,制备了在氧化层中内嵌纳米金颗粒的金属-氧化层-半导体（MOS）结构,并研究了其C-V特性。扫描电镜显示金粒子的直径在6~7 nm左右,C-V测量结果显示胶体金量子点浮置栅MOS结构存在3V左右的平带电压偏移。通过这种方法制备的胶体金量子点浮置栅MOS结构可以在非挥发性存储器研究方面展现巨大的应用前景。; 关键词金属-氧化层-半导体(MOS)结构电容-电压(c-v) 纳米金颗粒自组装; Keywords Metal-oxide-semiconductor（MOS） structure Capacitance-voltage（c-v） Au nanoparticles Self-assembly; 分类号 O472.4 [理学—半导体物理] O484.42 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名界面陷阱分布对SiC MOSFET准静态C-V特性的影响: 3; 作者高秀秀王勇志胡兴豪周维刘洪伟戴小平; 机构湖南国芯半导体科技有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第4期294-300,323,共8页; 基金国家科技助力经济2020重点专项(2020YFF0426582)。; 文摘为了分析4H-SiC/SiO_(2)固定电荷和界面陷阱对MOSFET准静态电容-电压(C-V)特性曲线的影响机制,对不同栅氧氮退火条件下的n沟道4H-SiC双注入MOSFET(DIMOSFET)进行了氧化层中可动离子、界面陷阱分布和准静态C-V特性曲线的测试,并结合仿真探讨了测试频率、固定电荷、4H-SiC/SiO_(2)界面陷阱分布对准静态C-V特性曲线的影响。实验和仿真结果表明:电子和空穴界面陷阱分别影响准静态C-V曲线的右半部分和左半部分;界面陷阱的E0、Es、N0(E0为陷阱能级中心与导带底能级或价带顶能级之差,Es为陷阱能级分布的宽度,N0为陷阱能级分布的密度峰值)对准静态C-V曲线的影响是综合的;当E0为0 eV,Es为0.2 eV,电子和空穴捕获截面均为1×10^(-18) cm^(2),电子和空穴界面陷阱的N0分别为5×10^(12) eV^(-1)·cm^(-2)和2×10^(12) eV^(-1)·cm^(-2)时,4H-SiC DIMOSFET准静态C-V仿真曲线和实测曲线相近。; 关键词 4H-SIC 双注入MOSFET(DIMOSFET) 界面陷阱准静态电容-电压(c-v)特性可动离子; Keywords 4H-SiC double implant MOSFET(DIMOSFET) interface trap quasi-static c-v characteristic mobile ion; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于Si-SOI键合工艺的CMUT二维面阵研制被引量：2: 4; 作者王月何常德张文栋; 机构中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室; 出处《压电与声光》 CAS 北大核心 2021年第4期528-532,共5页; 基金国家重点研发计划基金资助项目(2018YFF01010500) 国家重点研发计划基金资助项目(2016YFC0105000) +2 种基金山西省“1331工程”重点学科建设计划基金资助项目。; 文摘该文设计、制作并测试了一种用于实时三维超声成像的电容式微机械超声换能器(CMUT)二维面阵。根据二维面阵指向性分析,设计了中心频率1 MHz、阵元间距0.7λ(λ为波长)的16×16阵元CMUT二维面阵,并利用硅-绝缘体上硅(Si-SOI)键合工艺完成了CMUT二维面阵的加工。通过对CMUT二维面阵进行电容-电压(C-V)测试,发现静态电容测试值与设计值基本一致,测量了CMUT二维面阵中64个阵元的电容,测量的平均电容为26.3 pF,其标准差为4.27 pF,验证了所制造的器件具有良好的均匀性。在水中测试了CMUT二维面阵的超声发射和接收功能,得到测试距离与实际距离偏差不到1%,实验表明,不同距离下CMUT的发射和接收能力良好。; 关键词电容式微机械超声换能器(CMUT) 二维面阵硅-绝缘体上硅(Si-SOI)键合电容-电压(c-v)测试收发特性; Keywords CMUT 2D array Si-SOI bonding c-v test transceiver characteristic; 分类号 TN305 [电子电信—物理电子学] TB552 [理学—声学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名吉时利推出4200-SCS升级版: 5; 出处《电子测量技术》 2009年第4期176-176,共1页; 关键词 4200-SCS 吉时利仪器公司升级版电气测试仪器太阳能电池交互式软件电容-电压软件升级; 分类号 TN307 [电子电信—物理电子学] TN312.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MOD法制备掺钐钛酸铋铁电薄膜被引量：2: 6; 作者韩辉王民王弘王卓许效红; 机构山东大学晶体材料国家重点实验室山东大学化学院; 出处《压电与声光》 CSCD 北大核心 2004年第5期408-410,共3页; 文摘利用 MOD法在电阻率为 5～ 6Ω· cm的 n- Si(10 0 )衬底采用旋转甩膜工艺制备了 Sm0 .85Bi3.1 5Ti3O1 2(SBT- 0 .85 )铁电薄膜 ,研究了薄膜的结晶性能和电学性能。结果表明 ,在 70 0°C下退火 1h得到的 Sm0 .85Bi3.1 5Ti3O1 2 薄膜具有良好的铁电、介电和绝缘性能。在± 5 V的范围内 ,电容 -电压 (C- V)曲线记忆窗口宽度为 3.6 V;在室温 10 0 0 k Hz下 ,其介电常数为 4 5 ,介电损耗为 0 .0 4 ;在 3V电压下 ,薄膜的漏电流为 3× 10 - 8A。; 关键词 MOD 电容-电压(c-v)曲线旋转甩膜铁电薄膜; Keywords MOD c-v curve spin-coating ferroelectric thin films; 分类号 TB43 [一般工业技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名对低温下制得的CdS薄膜电学性质的研究被引量：2: 7; 作者陈婷婷王瑞林姜春萍赵北君朱世富王育伟; 机构四川大学材料科学与工程学院材料科学系新能源研究室; 出处《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期746-748,共3页; 基金科技部"八六三"基金资助项目(2006AA05Z102) 教育部新世纪优秀人才基金资助项目(NECT-04-0878) +1 种基金教育部留学基金委资助项目(JH20041291627591); 文摘采用化学水浴沉积法研究在低温条件下以及硫尿浓度不同的溶液中生长出的硫化镉薄膜的电学性质。采用X-射线衍射(XRD)仪确定退火后的样品是六方相,在(002)、(112)和(004)方向优势生长;使用紫外-可见分光光度计发现各样品的光学性质符合硫化镉作为窗口材料的要求;利用原子力显微镜发现各样品的晶粒形状、均匀性和致密性差异较大;利用化学工作站进行样品的电容-电压测试发现,各样品的掺杂浓度差异很大,其中有的样品掺杂浓度为1.2×1017cm-3,这样的掺杂浓度适合制造光电器件。; 关键词 CDS薄膜化学水浴沉积法(CBD) 电容-电压测试; Keywords CdS thin films chemical bath deposition （CBD） capacitance-voltage measurement; 分类号 TN304.25 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Ta、Nb掺杂Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)陶瓷铁电介电性能研究被引量：1: 8; 作者王宁章容世龙刘世丰; 机构广西大学计算机与电子信息学院广西大学材料科学与工程学院; 出处《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期271-274,共4页; 基金广西科学研究与技术开发计划基金资助项目(桂科攻0330003-6); 文摘采用传统固相烧结工艺制备了掺杂Ta、Nb的Bi3.15Nd0.85Ti3O12材料,构成Bi3.15Nd0.85Ti3-2x TaxNbxO12(x=0,0.02,0.04,0.06)铁电陶瓷。研究了Ta、Nb掺杂对Bi3.15Nd0.85Ti3O12陶瓷晶体结构和铁电性能的影响。结果表明,Ta、Nb掺杂未改变Bi3.15Nd0.85Ti3O12陶瓷的钙钛矿晶体结构,剩余极化值提高,具有较好电滞回线(Pr-Ec)。在电压为45 V、测试频率为0.1kHz下,Bi3.15Nd0.85Ti3-2xTaxNbxO12铁电陶瓷的剩余极化强度(2Pr)及矫顽场强(2Ec)可分别达到25.07μC/cm2和31.1kV/cm,电容-电压(C-V)曲线呈标准的蝴蝶形。; 关键词固相烧结铁电陶瓷钙钛矿结构电滞回线剩余极化电容-电压(c-v)曲线; Keywords solid phase sintering ferroelectric ceramics perovskite structure electric hysteresis loop residual polarization c-vcurve; 分类号 TN381 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	高性能MOS结构高频C-V特性测试仪	陈国杰曹辉谢嘉宁	《电测与仪表》北大核心	2004	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	胶体金量子点浮置栅MOS结构的制备及其C-V特性	李卫	《南京邮电大学学报（自然科学版）》	2010	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	界面陷阱分布对SiC MOSFET准静态C-V特性的影响	高秀秀王勇志胡兴豪周维刘洪伟戴小平	《半导体技术》 CAS 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于Si-SOI键合工艺的CMUT二维面阵研制	王月何常德张文栋	《压电与声光》 CAS 北大核心	2021	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	吉时利推出4200-SCS升级版		《电子测量技术》	2009	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	MOD法制备掺钐钛酸铋铁电薄膜	韩辉王民王弘王卓许效红	《压电与声光》 CSCD 北大核心	2004	2	在线阅读下载PDF 职称材料
7	对低温下制得的CdS薄膜电学性质的研究	陈婷婷王瑞林姜春萍赵北君朱世富王育伟	《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心	2007	2	在线阅读下载PDF 职称材料
8	Ta、Nb掺杂Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)陶瓷铁电介电性能研究	王宁章容世龙刘世丰	《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心	2016	1	在线阅读下载PDF 职称材料