摘要
通过单相相转移法合成了胶体金纳米粒子,利用异种电荷之间的静电相互吸引作用,采用自组装技术制备了二维有序纳米金阵列。在此基础上,制备了在氧化层中内嵌纳米金颗粒的金属-氧化层-半导体（MOS）结构,并研究了其C-V特性。扫描电镜显示金粒子的直径在6~7 nm左右,C-V测量结果显示胶体金量子点浮置栅MOS结构存在3V左右的平带电压偏移。通过这种方法制备的胶体金量子点浮置栅MOS结构可以在非挥发性存储器研究方面展现巨大的应用前景。
Metal-oxide-semiconductor（MOS） capacitors with Au nanoparticles were fabricated for the application to nonvolatile memory.Au nanoparticles used in this experiment were fabricated in a single-phase system.The scanning electronic microscopy images dictates the diameter of Au nanoparticles being 6-7 nm.Capacitance-voltage measurements of MOS capacitor exhibit the large flat-band voltage shifts of 3 V,which indicates the presence of charge storage in the MOS capacitor.The present results indicate that this technique is promising for the efficient formation of metal nanoparticles inside MOS structures.
出处
《南京邮电大学学报（自然科学版）》
2010年第5期55-58,共4页
Journal of Nanjing University of Posts and Telecommunications：Natural Science Edition
基金
江苏省高校自然科学基金(09KJB510014)
南京邮电大学引进人才科研启动基金(NY208057)
南京邮电大学教学改革研究项目(JG03309JX37)资助项目
作者简介
李卫（1980-），男，江苏江阴人。南京邮电大学电子科学与工程学院讲师。2008年获南京大学微电子学与固体学博士学位。主要从事硅基纳米结构的制备及性质研究 通讯作者：李卫 电话：（025）85866131 E—mail：Liw@njupt．edu．cn
