面向音频应用的改进型低电源电压灵敏度电阻-电容张弛振荡器

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作者 唐展 黄胜 《兰州大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第3期384-388,397,共6页

基于GSMC 90 nm BCD工艺,提出一种改进型低电源电压灵敏度的8 MHz高精度电阻-电容张弛振荡器,以解决传统振荡器在电源电压波动时频率稳定性不足的问题.采用低压差线性稳压器为振荡器核心电路提供稳定供电,并引入与电源电压无关的偏置电... 基于GSMC 90 nm BCD工艺,提出一种改进型低电源电压灵敏度的8 MHz高精度电阻-电容张弛振荡器,以解决传统振荡器在电源电压波动时频率稳定性不足的问题.采用低压差线性稳压器为振荡器核心电路提供稳定供电,并引入与电源电压无关的偏置电流电路,显著提升了电源的抑制能力.单比较器动态切换机制有效消除了失调电压的影响,实现了50%的功耗优化.仿真结果表明,在3.3 V电源电压下,该振荡器的典型输出频率为8.008 MHz,当电源电压在2.5~5.5 V变化时,频率偏差为±0.21%. 展开更多

关键词 电阻-电容张弛振荡器 低压差线性稳压器 电源电压补偿 低电源电压灵敏度

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局部阴影遮挡下太阳能电池-超级电容一体化阵列功率补偿及其动态阵列重构

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作者 杨洪明 刘璐雨 +2 位作者 段献忠 Archie James Johnston 杨洪朝 《高电压技术》 北大核心 2025年第7期3455-3465,I0002,I0003,共13页

针对局部阴影遮挡下太阳能电池最大输出功率降低,进一步导致光伏阵列行电流不均衡,功率-电压(P-U)输出特性曲线产生多峰值等问题,提出了太阳能电池-超级电容(solar cell-supercapacitor,SCS)一体化阵列方案,由SCS器件、动态重构拓扑与... 针对局部阴影遮挡下太阳能电池最大输出功率降低,进一步导致光伏阵列行电流不均衡,功率-电压(P-U)输出特性曲线产生多峰值等问题,提出了太阳能电池-超级电容(solar cell-supercapacitor,SCS)一体化阵列方案,由SCS器件、动态重构拓扑与常规光伏阵列相连接组成。基于SCS器件的超级电容充/放电特性,提出行电压闭环控制策略,根据光伏阵列行电压与最大功率点电压的偏差,以一体化阵列输出功率最大为控制目标,以开关矩阵连接方式为决策变量,调整SCS器件与光伏阵列连接方式,均衡光伏阵列各行电流,实现SCS器件对阴影遮挡电池进行功率补偿。搭建9×9的SCS一体化阵列仿真模型,对比分析4种典型动态云层阴影遮挡模式下,全交叉型(total-cross-tied,TCT)、静态阵列重构技术、动态阵列重构技术、SCS一体化阵列的输出特性。结果表明:SCS一体化阵列填充因子达77.4%,功率损耗约18W,优于其他3种方案。SCS一体化方案有效提高了局部阴影遮挡下光伏阵列的输出功率。 展开更多

关键词 局部阴影遮挡 太阳能电池-超级电容一体化阵列 动态重构 行电压闭环控制 功率补偿 行电流均衡

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真空断路器快速合-分闸操作10kV并联电容器的过电压机理 被引量：30

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作者 杨庆 欧阳沙 +3 位作者 司马文霞 席世友 康鸿飞 杨鸣 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期3135-3140,共6页

近年来变电站投切10 kV并联电容器时发生的断路器炸裂事故率不断上升,对此类事故进行了详细的统计后发现近50%的事故中都出现了断路器合闸后快速分闸的操作。就此,率先对并联电容器的快速合-分闸操作进行了概念定义,并对其过程中过电压... 近年来变电站投切10 kV并联电容器时发生的断路器炸裂事故率不断上升,对此类事故进行了详细的统计后发现近50%的事故中都出现了断路器合闸后快速分闸的操作。就此,率先对并联电容器的快速合-分闸操作进行了概念定义,并对其过程中过电压产生的机理进行了理论推导。同时,提出了暂态回路重构、母线对地电容突变等观点。借助ATP-EMTP软件,对快速合-分操作过电压进行了大量仿真计算。研究表明:快速合-分闸操作会在断路器负载侧产生极高的过电压;对地电容起到了重构振荡回路的作用,改变了操作暂态过程的发展;断路器触头电流高频过零后出现等效截流的现象。仿真计算操作过电压标幺值高达8.5,此操作极有可能引发断路器重燃甚至绝缘击穿。 展开更多

关键词 并联电容器 真空断路器 快速合-分闸操作 过电压 对地电容 ATP-EMTP仿真

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电容-电压法研究Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结压电极化效应(英文) 被引量：1

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作者 俞慧强 沈波 +7 位作者 周玉刚 张荣 刘杰 周慧梅 施毅 郑有炓 Someya T Arakawa Y 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期61-66,共6页

制备了基于调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结的Pt/Al0 2 2 Ga0 78N/GaN肖特基二极管。由于Al0 2 2Ga0 78N势垒层中的极化场不同 ,不同Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度的二极管的电容 电压特性显著不同。根据对样品电容 电压特性的... 制备了基于调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结的Pt/Al0 2 2 Ga0 78N/GaN肖特基二极管。由于Al0 2 2Ga0 78N势垒层中的极化场不同 ,不同Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度的二极管的电容 电压特性显著不同。根据对样品电容 电压特性的数值模拟 ,在Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度为 30nm和 4 5nm的样品中 ,异质界面的极化电荷面密度为 6 78× 1 0 12 cm-2 。在Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度为 75nm的样品中 ,极化电荷面密度降为 1 30×10 12 cm-2 。这种极化电荷面密度的降低是由于GaN上Al0 2 2 Ga0 78N势垒层由于厚度增加而产生应变的部分弛豫。本工作也提供了一种定量表征AlxGa1-xN/GaN异质结中极化电荷面密度的方法。 展开更多

关键词 压电极化 异质结 电容-电压方法

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HfO_(2)基铁电材料准静态负电容机理

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作者 尹志岗 董昊 +3 位作者 程勇 吴金良 张志伟 张兴旺 《北京工业大学学报》 北大核心 2025年第3期269-276,共8页

HfO_(2)基铁电薄膜的负电容现象提供了解决微纳电子器件功耗问题的可行策略,但其物理图像却一直饱受争议。基于Landau-Devonshire和Landau-Khalatnikov方程,对铁电HfO_(2)/介质双层体系开展了理论模拟。结果表明:根植于零场吉布斯自由... HfO_(2)基铁电薄膜的负电容现象提供了解决微纳电子器件功耗问题的可行策略,但其物理图像却一直饱受争议。基于Landau-Devonshire和Landau-Khalatnikov方程,对铁电HfO_(2)/介质双层体系开展了理论模拟。结果表明:根植于零场吉布斯自由能及准静态极化-电场曲线的准静态负电容理论,难以如实反映极化-电场动态演化轨迹。与准静态负电容理论的预言不同,HfO_(2)/介质体系的负电容强烈依赖于介质层分压效应,具有瞬态属性。回滞现象与Landau-Khalatnikov方程中的阻尼系数相关,本质上起源于热耗散过程,基于电容匹配原理很难完全消除回滞。与阻尼系数相关的热耗散随频率增大而急剧增加,因此负电容场效应晶体管并不适用于高频应用领域。该研究有助于深入理解HfO_(2)基体系中的负电容物理起源。 展开更多

关键词 负电容 极化-电压曲线 回滞 吉布斯自由能 热耗散 氧化铪基铁电材料

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4H-SiCp-i-n紫外光电探测器的电容-电压特性研究

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作者 蔡加法 陈厦平 +1 位作者 吴少雄 吴正云 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期770-774,共5页

分析并比较了4H-SiC p-i-n紫外光电探测器的电容-电压(C-V)特性随温度和偏置电压的变化情况,观测到4H-SiC p-i-n结构中的深能级缺陷。结果表明:由于近零偏压时探测器i型层已处于耗尽状态,其高频(1 MHz)C-V特性几乎不随反向偏压变化.随... 分析并比较了4H-SiC p-i-n紫外光电探测器的电容-电压(C-V)特性随温度和偏置电压的变化情况,观测到4H-SiC p-i-n结构中的深能级缺陷。结果表明:由于近零偏压时探测器i型层已处于耗尽状态,其高频(1 MHz)C-V特性几乎不随反向偏压变化.随着温度升高,被热离化的自由载流子数量增多导致高频结电容随之增大;探测器的低频(100 kHz)结电容比高频结电容具有更强的电压和温度依赖性,原因在于被深能级缺陷俘获的载流子随反向偏压增大或随温度升高而被离化,从而对结电容产生影响. 展开更多

关键词 光电子学 4H-SIC p-i-n紫外光电探测器 电容-电压 深能级缺陷

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配变-电容器组微冲击电压无功综合控制

7

作者 马洁 刘宪林 武东亚 《中国农村水利水电》 北大核心 2009年第7期125-128,共4页

作为配电网的终端,配变-电容器组的电压无功控制是一个关系供电质量、降低线损和系统电压稳定的重要问题。变压器分接头切换和补偿电容器投切的传统手段由于切换冲击及开关动作频度的限制,影响了电压无功控制的及时性。为了给配电网电... 作为配电网的终端,配变-电容器组的电压无功控制是一个关系供电质量、降低线损和系统电压稳定的重要问题。变压器分接头切换和补偿电容器投切的传统手段由于切换冲击及开关动作频度的限制,影响了电压无功控制的及时性。为了给配电网电压无功控制提供具有高频次和微冲击切换特性的控制终端,对一种配变-电容器组电压无功综合控制方案进行了研究。该方案的配变分接头切换和补偿电容器的分组投切均采用交流过零型固态继电器;电容器采用8∶4∶2∶1不等容分组方式;电压无功协调控制策略采用一种改进的"九区图"。仿真表明,该配变-电容器组电压无功控制电路和策略可以很好地实现配变分接头和补偿电容器的微冲击切换。 展开更多

关键词 配变-电容器组 微冲击 固态继电器 电压无功综合控制

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一种改进的C-V方法对向列相液晶弹性常数k_(11)、k_(33)测量的理论研究 被引量：8

8

作者 孔祥建 荆海 +2 位作者 黄霞 廖燕平 刘金娥 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期587-590,共4页

提出了一种更为准确的测量向列相液晶展曲、弯曲弹性常数的C-V方法。以正性液晶材料为例,当沿面排列的液晶分子预倾角不为零时,阈值电压值不易确定,k11的确定必定存在误差,而以前报道并未考虑到此问题。文章针对此问题给出了在强锚定条... 提出了一种更为准确的测量向列相液晶展曲、弯曲弹性常数的C-V方法。以正性液晶材料为例,当沿面排列的液晶分子预倾角不为零时,阈值电压值不易确定,k11的确定必定存在误差,而以前报道并未考虑到此问题。文章针对此问题给出了在强锚定条件下,预倾角不为零时C-V的关系式,并提出了通过曲线拟合来同时确定弹性常数k11、k33的方法。此方法对弹性常数的测量更为准确,液晶盒的制作要求降低,且测试简单、易操作。 展开更多

关键词 向列相液晶 电容-电压 弹性常数 预倾角 曲线拟合

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高性能MOS结构高频C-V特性测试仪 被引量：2

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作者 陈国杰 曹辉 谢嘉宁 《电测与仪表》 北大核心 2004年第11期22-24,共3页

MOS结构高频C-V(电容-电压)特性测量是检测MOS器件制作工艺的重要手段。本文阐述了用高频检测法测量MOS电容的原理,介绍了用变频技术和集成芯片设计MOS结构高频C-V特性测试仪的方法。该测试仪电路简单,成本低,分辨率高,测量准确,稳定性好。

关键词 MOS结构 c-v特性 高频 测试仪 MOS器件 特性测量 电容 电压 变频技术 集成芯片

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基于LTC6803-3的超级电容器组管理系统 被引量：2

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作者 曹洪奎 陈永真 关维国 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第9期1675-1677,共3页

超级电容器具有循环使用寿命长、充放电速度快、功率密度大等特点。由于单体电容量的差异,在数个充、放电循环后,单体电压差异加大,导致超级电容器组输出功率降低和老化加速。为此,提出了一种实用的基于电池组监控芯片LTC6803-3的超级... 超级电容器具有循环使用寿命长、充放电速度快、功率密度大等特点。由于单体电容量的差异,在数个充、放电循环后,单体电压差异加大,导致超级电容器组输出功率降低和老化加速。为此,提出了一种实用的基于电池组监控芯片LTC6803-3的超级电容器组管理系统,系统采用STM32F103为控制核心,主要功能包含电容器组的单体电压、温度、电流监测和电压均衡控制。介绍了系统的硬件和软件,测试了系统的动态性能和精度。测试结果验证了该方法的有效性。 展开更多

关键词 超级电容器组 管理系统 电压均衡 LTC6803-3

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电化学C-V测量AlGaInP LED外延片中载流子浓度的分布 被引量：1

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作者 文尚胜 王朝阳 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期85-87.9,共4页

在实验的基础上,总结了电化学C-V的一些测试经验,提出了一种适用于测量AIGaInP LED外延片中载流子浓度纵向分布的电解液——0.5 mol HCI溶液.综合利用平带电位值(F.B.P)、耗散因子和测量电流等3个测量判据,合理选取测量电压、腐蚀电流... 在实验的基础上,总结了电化学C-V的一些测试经验,提出了一种适用于测量AIGaInP LED外延片中载流子浓度纵向分布的电解液——0.5 mol HCI溶液.综合利用平带电位值(F.B.P)、耗散因子和测量电流等3个测量判据,合理选取测量电压、腐蚀电流等测量参数,获得了速度快、重复性好和数据准确可靠的测试效果. 展开更多

关键词 载流子浓度 ALGAINP LED外延片 电解液 电化学电容-电压测量法 平带电位值 耗散因子 发光二极管

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胶体金量子点浮置栅MOS结构的制备及其C-V特性

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作者 李卫 《南京邮电大学学报（自然科学版）》 2010年第5期55-58,共4页

通过单相相转移法合成了胶体金纳米粒子,利用异种电荷之间的静电相互吸引作用,采用自组装技术制备了二维有序纳米金阵列。在此基础上,制备了在氧化层中内嵌纳米金颗粒的金属-氧化层-半导体（MOS）结构,并研究了其C-V特性。扫描电镜显示... 通过单相相转移法合成了胶体金纳米粒子,利用异种电荷之间的静电相互吸引作用,采用自组装技术制备了二维有序纳米金阵列。在此基础上,制备了在氧化层中内嵌纳米金颗粒的金属-氧化层-半导体（MOS）结构,并研究了其C-V特性。扫描电镜显示金粒子的直径在6~7 nm左右,C-V测量结果显示胶体金量子点浮置栅MOS结构存在3V左右的平带电压偏移。通过这种方法制备的胶体金量子点浮置栅MOS结构可以在非挥发性存储器研究方面展现巨大的应用前景。 展开更多

关键词 金属-氧化层-半导体(MOS)结构 电容-电压(c-v) 纳米金颗粒 自组装

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L－B单分子膜制备的MIS结构和电容电压特性

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作者 张亮 白玉白 +2 位作者 李铁津 宋雯霞 王玉 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 1996年第2期116-120,共5页

利用Ｌ－Ｂ单分子功能膜的绝缘性制作ＭＩＳ器件．通过对它的结构和电容－电压（Ｃ－Ｕ）特性曲线的研究，发现Ｌ－Ｂ膜可以改善ＭＯＳ器件的性能和消除ＭＯＳ器件的“异常”Ｃ－Ｕ特性现象，利用Ｃ－Ｕ特性曲线可以检测Ｌ－Ｂ膜成膜质... 利用Ｌ－Ｂ单分子功能膜的绝缘性制作ＭＩＳ器件．通过对它的结构和电容－电压（Ｃ－Ｕ）特性曲线的研究，发现Ｌ－Ｂ膜可以改善ＭＯＳ器件的性能和消除ＭＯＳ器件的“异常”Ｃ－Ｕ特性现象，利用Ｃ－Ｕ特性曲线可以检测Ｌ－Ｂ膜成膜质量，利用零偏压时的电容值可以计算各成膜材料的介电常数． 展开更多

关键词 MIS器件 LB膜 单分子膜 MOS器件 电容-电压特性

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TiO2电容-压敏陶瓷制备工艺研究进展

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作者 孟凡明 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期570-572,共3页

TiO2电容-压敏陶瓷非线性伏安特性和介电性能优良，具有吸收高频噪声和过电压保护的功能。综述了TiO2电容-压敏陶瓷的粉体制备、成型、烧结工艺、烧成制度以及烧结气氛等工艺过程的研究现状，并对其进行了展望。

关键词 TiO2电容-压敏陶瓷 压敏电压 非线性系数 介电常数 工艺

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C-V法研究温度对GaN基蓝光二极管pn结的影响 被引量：3

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作者 王春安 符斯列 +3 位作者 刘柳 丁罗城 李俊贤 鲍佳怡 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第10期1417-1424,共8页

采用C-V法,根据C-2-V曲线和C-3-V曲线,并结合C-V幂律指数k,分析了T=25～-195℃温度范围内,温度变化对Ga N基蓝光发光二极管pn结类型的影响。实验结果表明:当T为25℃和-50℃时,C-2-V呈明显的线性关系,同时幂律指数k为0. 5,说明该温度范... 采用C-V法,根据C-2-V曲线和C-3-V曲线,并结合C-V幂律指数k,分析了T=25～-195℃温度范围内,温度变化对Ga N基蓝光发光二极管pn结类型的影响。实验结果表明:当T为25℃和-50℃时,C-2-V呈明显的线性关系,同时幂律指数k为0. 5,说明该温度范围内的pn结类型为严格的突变结;而温度降低至-100℃时,k值变为0. 45,说明pn结类型开始发生变化;当温度继续降低至-150℃和-195℃时,幂律指数k分别为0. 30和0. 28,说明pn结类型已经发生了变化,变为非突变非缓变结。造成这一现象的原因是低温导致的载流子冻析效应,以及晶体的缺陷和界面态形成的局域空间电荷区在低温环境下,影响了pn结原来的空间电荷分布,并改变了pn结类型。 展开更多

关键词 GaN基蓝光二极管 pn结特性 电容-电压法 幂律关系

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用阶梯状掺杂埋层对超浅结进行C-V剖面分析(英文)

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作者 徐翠芹 Popadic Milos +1 位作者 Nanver L.K. 茹国平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期39-42,89,共5页

研究了应用双边C-V法测量超浅结(如p+-n结)的掺杂分布。推导了在已知p+-n结的电容-电压(C-VR)关系、n区掺杂、以及热平衡下n区耗尽层宽度(xn0)的情况下计算p区掺杂浓度分布的公式。xn0是计算p区掺杂分布所需的一个关键参数,通过将n区掺... 研究了应用双边C-V法测量超浅结(如p+-n结)的掺杂分布。推导了在已知p+-n结的电容-电压(C-VR)关系、n区掺杂、以及热平衡下n区耗尽层宽度(xn0)的情况下计算p区掺杂浓度分布的公式。xn0是计算p区掺杂分布所需的一个关键参数,通过将n区掺杂设计成阶梯状,可实现对xn0的精确提取。用Medici对具有相同的阶梯状掺杂n区的p+-n和n-肖特基结进行器件仿真可得其C-VR关系。运用常规C-V法,由肖特基结的C-VR关系可提取出n区掺杂浓度。实现了对xn0的精确提取,其精度达1.8nm。基于精确的xn0,运用双边C-V法提取的p+区的掺杂浓度分布与Medici仿真结果非常吻合。 展开更多

关键词 双边结 电容-电压 超浅结

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时间-电压转换器的设计与实现 被引量：6

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作者 李光灿 徐庆兰 王玉 《电子测量技术》 2008年第12期18-21,共4页

本文叙述了一种新型时间间隔测量方法—时间-电压转换法的基本原理,重点介绍了时间-电压转换法数学模型的建立和关键功能电路的实现,进行了转换误差分析,时间-电压转换器适用于小时间测量范围,弥补了计数法测量小时间精确度难于提高的不... 本文叙述了一种新型时间间隔测量方法—时间-电压转换法的基本原理,重点介绍了时间-电压转换法数学模型的建立和关键功能电路的实现,进行了转换误差分析,时间-电压转换器适用于小时间测量范围,弥补了计数法测量小时间精确度难于提高的不足,用于时间测量前端处理器,具有良好的应用前景。 展开更多

关键词 时间间隔 时间-电压转换 电容器充放电 误差分析

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聚苯胺-还原氧化石墨烯复合材料的比电容及超级电容性能（英文） 被引量：1

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作者 曾向东 赵晓昱 +3 位作者 韦会鸽 王彦飞 唐娜 沙作良 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2017年第10期2035-2041,共7页

通过同步还原聚苯胺(PANI)-氧化石墨烯(GO)复合物制备得到了聚苯胺-还原氧化石墨烯(PANI-rGO)。由于复合材料中PANI提供了氧化还原反应的电荷,使得PANI-rGO复合材料具有较大的比电容。通过扫描电子显微镜(SEM),紫外-可见光谱和热重量分... 通过同步还原聚苯胺(PANI)-氧化石墨烯(GO)复合物制备得到了聚苯胺-还原氧化石墨烯(PANI-rGO)。由于复合材料中PANI提供了氧化还原反应的电荷,使得PANI-rGO复合材料具有较大的比电容。通过扫描电子显微镜(SEM),紫外-可见光谱和热重量分析法(TGA)对复合物进行了结构和形态的分析。复合材料的形态呈薄片状,聚苯胺是均匀地包裹在氧化石墨烯上的。当电流密度为20 A·g^(-1)时,PANI-rGO复合材料的比电容可高达1069 F·g^(-1)(1.71 F·cm^(-2)),是PANI-GO复合材料的五倍,这是因为复合材料中还原氧化化石墨烯的大比表面和高电导性所引起的。 展开更多

关键词 聚苯胺.还原氧化石墨烯 聚苯胺-氧化石墨烯 比电容 操作电压

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界面陷阱分布对SiC MOSFET准静态C-V特性的影响

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作者 高秀秀 王勇志 +3 位作者 胡兴豪 周维 刘洪伟 戴小平 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第4期294-300,323,共8页

为了分析4H-SiC/SiO_(2)固定电荷和界面陷阱对MOSFET准静态电容-电压(C-V)特性曲线的影响机制,对不同栅氧氮退火条件下的n沟道4H-SiC双注入MOSFET(DIMOSFET)进行了氧化层中可动离子、界面陷阱分布和准静态C-V特性曲线的测试,并结合仿真... 为了分析4H-SiC/SiO_(2)固定电荷和界面陷阱对MOSFET准静态电容-电压(C-V)特性曲线的影响机制,对不同栅氧氮退火条件下的n沟道4H-SiC双注入MOSFET(DIMOSFET)进行了氧化层中可动离子、界面陷阱分布和准静态C-V特性曲线的测试,并结合仿真探讨了测试频率、固定电荷、4H-SiC/SiO_(2)界面陷阱分布对准静态C-V特性曲线的影响。实验和仿真结果表明:电子和空穴界面陷阱分别影响准静态C-V曲线的右半部分和左半部分;界面陷阱的E0、Es、N0(E0为陷阱能级中心与导带底能级或价带顶能级之差,Es为陷阱能级分布的宽度,N0为陷阱能级分布的密度峰值)对准静态C-V曲线的影响是综合的;当E0为0 eV,Es为0.2 eV,电子和空穴捕获截面均为1×10^(-18) cm^(2),电子和空穴界面陷阱的N0分别为5×10^(12) eV^(-1)·cm^(-2)和2×10^(12) eV^(-1)·cm^(-2)时,4H-SiC DIMOSFET准静态C-V仿真曲线和实测曲线相近。 展开更多

关键词 4H-SIC 双注入MOSFET(DIMOSFET) 界面陷阱 准静态电容-电压(c-v)特性 可动离子

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交流薄膜电致发光器件的电容—电压特性

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《发光快报》 CSCD 1992年第1期7-9,共3页

关键词 电致发光 发光器件 电容-电压

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