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电压衬度像技术在IC失效分析中的应用 被引量:4
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作者 陈琳 汪辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第7期581-584,共4页
电压衬度像(PVC)技术是用于定位集成电路不可见缺陷的一种有效的失效分析方法,结合聚焦离子束(FIB)精准的微切割技术,可将PVC技术应用于长金属互连线的缺陷定位。主要介绍了PVC技术及其原理,概述了如何在SEM和FIB中应用其工作原理有效... 电压衬度像(PVC)技术是用于定位集成电路不可见缺陷的一种有效的失效分析方法,结合聚焦离子束(FIB)精准的微切割技术,可将PVC技术应用于长金属互连线的缺陷定位。主要介绍了PVC技术及其原理,概述了如何在SEM和FIB中应用其工作原理有效地定位IC缺陷位置,并就接触孔/通孔缺陷以及规则长金属导线的失效实例展开讨论和分析。 展开更多
关键词 电压衬度像 扫描电子显微镜 聚焦离子束 失效分析
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扫描电镜电压衬度像方法在失效分析中的应用
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作者 王全 胡斌 +1 位作者 孙静 胡会能 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z1期328-329,共2页
阐述了利用扫描电子显微镜获取电压衬度像的机理,并对样品充电现象进行了解释.通过引用两例失效分析案例,描述了利用样品的充电现象确定元器件内部开路位置的方法.
关键词 电压衬度像 充电现象 开路
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扫描电镜电压衬度像和束感生电流像技术及其在失效分析中的应用研究
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作者 何涛 雷祖圣 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 1994年第5期39-42,共4页
本文简要介绍了扫描电镜电压衬度像和束感生电流像(EBIC)技术的原理、发展、现状以及在半导体器件失效分析中的一些应用研究和典型案例。
关键词 扫描电镜 电压 束感生电流像 失效分析
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时序逻辑电路失效分析 被引量:4
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作者 龚欣 王旭 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第10期974-977,共4页
利用液晶热点定位和电压衬度像等技术手段,准确定位了一时序逻辑电路的失效部位,结合电路原理分析以及芯片版图,详细解释了器件失效模式与失效现象的关系,并对其失效原因进行了实验验证。结果显示,电压衬度技术可以直观地显示逻辑电路... 利用液晶热点定位和电压衬度像等技术手段,准确定位了一时序逻辑电路的失效部位,结合电路原理分析以及芯片版图,详细解释了器件失效模式与失效现象的关系,并对其失效原因进行了实验验证。结果显示,电压衬度技术可以直观地显示逻辑电路内部某点的逻辑状态,在失效定位以及失效模式确认方面起重要作用;时序逻辑电路失效后存在电势竞争现象,本失效案例表明,当电路中某点出现"1"和"0"的电势竞争时,该点表现为"1"。 展开更多
关键词 时序逻辑电路 失效分析 电压衬度像 电势竞争
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集成电路失效定位技术现状和发展趋势 被引量:5
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作者 陈选龙 王有亮 +2 位作者 方建明 林晓玲 倪毅强 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第5期329-337,370,共10页
集成电路(IC)失效分析包含了不同的分析流程,但所有的步骤都是以失效定位和故障隔离作为第一步工作。失效定位指的是不断地缩小半导体器件故障范围直至可以进行破坏性物理分析的过程。根据IC的结构特点和分析思路,将整个失效分析流程中... 集成电路(IC)失效分析包含了不同的分析流程,但所有的步骤都是以失效定位和故障隔离作为第一步工作。失效定位指的是不断地缩小半导体器件故障范围直至可以进行破坏性物理分析的过程。根据IC的结构特点和分析思路,将整个失效分析流程中失效定位分为封装级失效定位、器件级失效定位和物理分析失效定位。通过定位技术结合案例分析的形式,重点介绍了时域反射、X射线断层扫描、扫描声学分析、锁相红外成像、光发射分析、激光激发技术和电压衬度等关键的失效定位技术原理和方法。总结了不同失效定位技术的适用范围和面临的挑战。同时,也对未来失效分析技术发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 集成电路(IC)失效定位 物理失效分析 电压 光发射显微镜 热激光激发
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基于栅氧化层损伤EEPROM的失效分析 被引量:3
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作者 赵扬 陈燕宁 +1 位作者 单书珊 赵明敏 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第1期72-76,共5页
随着超大规模集成(VLSI)电路的发展,芯片结构及工艺变得日益复杂,同时给失效分析工作带来了挑战。内嵌式存储器作为片上系统(SOC)内部模块的重要组成部分,其具有结构复杂、密度高等特点,常规的失效分析手段难以准确定位其失效模式和机... 随着超大规模集成(VLSI)电路的发展,芯片结构及工艺变得日益复杂,同时给失效分析工作带来了挑战。内嵌式存储器作为片上系统(SOC)内部模块的重要组成部分,其具有结构复杂、密度高等特点,常规的失效分析手段难以准确定位其失效模式和机理。介绍了红外发光显微镜(EMMI)、电压衬度(VC)、去层、聚焦离子束(FIB)的分析原理及组合失效分析技术。针对传统分析手段的不足及局限性,提出了采用一种选择性刻蚀方法对栅氧化层的微小缺陷进行定位与分析。研究结果表明,该方法对分析栅氧化层击穿等缺陷损伤具有明显的优势,可以减少分析时间并提高失效分析成功率。 展开更多
关键词 电可擦可编程只读存储器(EEPROM) 失效分析 电压(VC) 聚焦离子束(FIB) 栅氧化层 缺陷
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电子束吸收电流表征方法在芯片失效分析中的应用 被引量:1
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作者 虞勤琴 庞凌华 于会生 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第3期244-248,共5页
随着集成电路芯片关键尺寸和金属连线线宽越来越小,传统的失效点定位方法,如微光显微镜或光束诱导电阻变化等,由于分辨率的限制不能精确地定位故障点。电压衬度分析方法虽然在一些开路、短路失效分析中能快速地定位失效点,但是其局限于... 随着集成电路芯片关键尺寸和金属连线线宽越来越小,传统的失效点定位方法,如微光显微镜或光束诱导电阻变化等,由于分辨率的限制不能精确地定位故障点。电压衬度分析方法虽然在一些开路、短路失效分析中能快速地定位失效点,但是其局限于芯片同层分析。电子束吸收电流(EBAC)表征方法由于其定位精准且不局限于同层分析被越来越多地应用于先进制程芯片的失效分析。通过对开路、高阻和短路失效样品的分析,体现了EBAC方法在集成电路芯片失效分析中的独特优势,在涉及多层金属层的失效定位分析时,EBAC方法更加简便精确,可保证分析的成功率并缩短分析周期。 展开更多
关键词 电子束吸收电流(EBAC) 失效分析 芯片 电压 微光显微镜
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场发射扫描电镜在半导体中的若干应用
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作者 葛玉如 《电子显微学报》 CAS 1982年第2期61-65,85-86,共7页
本文简要说明场发射扫描电镜(FESEW)的特点及其在半导体中的若干应用。
关键词 加速电压 形貌 FESEM 电压 电子枪 场发射扫描电镜 半导体材料 电工材料
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