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人工神经网络—遗传算法优化激光—等离子体化学气相沉积Si_3N_4薄膜制备工艺 被引量:2
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作者 张勤俭 吴春丽 +4 位作者 李敏 张勤河 秦勇 毕进子 张建华 《陶瓷学报》 CAS 2002年第2期116-118,共3页
应用人工神经网络建立了激光—等离子体辅助化学气相沉积 (LPCVD)工艺参数与Si3 N4薄膜显微硬度的关系。并运用遗传算法优化出了最佳工艺。
关键词 激光-等离子体辅助化学气相沉积 Si3N4薄膜 人工神经网络 遗传算法
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一种新型的激光——等离子体辅助化学气相沉积装置的研究 被引量:3
2
作者 陆宗仪 李文梅 +4 位作者 安世民 郭宝海 夏元良 徐军 梅雨 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 1997年第1期90-94,共5页
为探索用激光和等离子体共同辅助化学气相沉积(CVD)过程以实现室温沉积的可能性,设计并制造了一种新型的CVD装置,实际进行了由SiH4-NH3-N2体系制取Si3N4膜的试验。结果表明,激光和等离子体是可以相互促进、... 为探索用激光和等离子体共同辅助化学气相沉积(CVD)过程以实现室温沉积的可能性,设计并制造了一种新型的CVD装置,实际进行了由SiH4-NH3-N2体系制取Si3N4膜的试验。结果表明,激光和等离子体是可以相互促进、共同辅助CVD过程的,且两者均处于较低的能量水平;整个沉积过程在室温下进行,仅在试样表面局部区域有升温,从而可以实现保持基体原有性能的沉积和选区沉积,拓宽CVD的应用前景。 展开更多
关键词 化学沉积 激光 等离子体 氮化硅膜
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脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积TiN和TiCN薄膜摩擦磨损特性研究 被引量:24
3
作者 马胜利 马大衍 +2 位作者 王昕 徐可为 介万奇 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期179-182,共4页
对比研究了脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积TiN和TiCN薄膜的摩擦磨损特性,用扫描电子显微镜、X射线衍射仪及销-盘摩擦磨损试验机分析薄膜形貌和结合力,考察了不同沉积条件下2种薄膜的摩擦磨损过程及其影响因素.结果表明,TiCN薄膜具有... 对比研究了脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积TiN和TiCN薄膜的摩擦磨损特性,用扫描电子显微镜、X射线衍射仪及销-盘摩擦磨损试验机分析薄膜形貌和结合力,考察了不同沉积条件下2种薄膜的摩擦磨损过程及其影响因素.结果表明,TiCN薄膜具有较高硬度、良好的膜基结合力,相对于TiN薄膜而言表现出更低的摩擦系数和更好的耐磨性能.在实际使用中应注重成分和结构优化设计,以保证薄膜具有良优良的减摩性能. 展开更多
关键词 硬质薄膜 PCVD 结合力 摩擦磨损性能 脉冲直流等离子体辅助化学沉积 TIN薄膜 TiCN薄膜
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用于模具行业的等离子体辅助化学气相沉积薄膜强化技术与应用
4
作者 徐可为 《材料导报》 EI CAS CSCD 2001年第2期4-5,共2页
探索将气相沉积氮化钛技术用于工模具和精密零部件的表面力化学强化和功能优化已有近30年的历史。2000年美国金 属学会将唯一一项工程材料成就奖授予Moen公司,以表彰其卓有成效地将氮化钛基镀膜技术应用于工业和民用领域。这一事实表明... 探索将气相沉积氮化钛技术用于工模具和精密零部件的表面力化学强化和功能优化已有近30年的历史。2000年美国金 属学会将唯一一项工程材料成就奖授予Moen公司,以表彰其卓有成效地将氮化钛基镀膜技术应用于工业和民用领域。这一事实表明,气相沉积表面陶瓷化技术在当今科技界具有领先的技术优势,其在工业界所产生的经济效益和行业引领作用将成为其未来技术评估的重点。 目前氮化钛镀膜技术已在国际刀具领域形成工业化生产。基本公认的事实是,离子镀用于高速钢刀具效果最好。 展开更多
关键词 模具 氮化钛薄膜 等离子体辅助化学沉积 表面强化技术
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射频辉光放电等离子体辅助化学气相沉积法制备类金刚石碳膜工艺与性能表征 被引量:2
5
作者 陈冲 费振义 +5 位作者 亓永新 曹宁 张益博 王风 吕震 李木森 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2009年第5期7-12,共6页
使用射频辉光放电等离子体辅助化学气相沉积技术(简称RFGDPECVD)在玻璃载玻片表面沉积类金刚石薄膜。用原子力显微镜(AFM)、摩擦试验仪、划痕试验机测定了其表面形貌、耐磨性及附着性。采用X射线光电子能谱(XPS)、分光光度计对两种气源(... 使用射频辉光放电等离子体辅助化学气相沉积技术(简称RFGDPECVD)在玻璃载玻片表面沉积类金刚石薄膜。用原子力显微镜(AFM)、摩擦试验仪、划痕试验机测定了其表面形貌、耐磨性及附着性。采用X射线光电子能谱(XPS)、分光光度计对两种气源(C4H10、C2H2)制备的DLC薄膜微观组成和透光率进行了检测和对比。结果表明:DLC薄膜的表面光滑、平整,表面粗糙度随沉积时间的增加单调递增;耐磨性及附着性优良;与C4H10相比使用C2H2作为碳源气体可以得到较高sp3含量和较低sp1含量的DLC膜;C2H2制备DLC薄膜的透光率低于C4H10;同一种碳源气体,反应流量比例越小,则DLC薄膜的透光性越好。 展开更多
关键词 射频辉光放电等离子体辅助化学沉积 类金刚石薄膜 放电特性
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等离子化学气相沉积硅-硼-氮复合薄膜的组成和结构
6
作者 于翔 于俊峰 王成彪 《分析测试学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期83-85,共3页
利用X射线衍射 (XRD)和X光电子能谱 (XPS)等技术对射频 -直流 -等离子化学气相沉积 (RF -DC -PVCD)在钢基体上Si-B -N复合薄膜的组成和结构进行分析和研究 ;结果表明 ,通过给试样基体加一适当的直流负偏压 ,得到含有显著六方氮化硼 (h_... 利用X射线衍射 (XRD)和X光电子能谱 (XPS)等技术对射频 -直流 -等离子化学气相沉积 (RF -DC -PVCD)在钢基体上Si-B -N复合薄膜的组成和结构进行分析和研究 ;结果表明 ,通过给试样基体加一适当的直流负偏压 ,得到含有显著六方氮化硼 (h_BN)、立方氮化硼 (c_BN)结晶相的Si-B 展开更多
关键词 Si-B-N复合薄膜 负偏压 结构 组成 --氮复合薄膜 金属 表面处理 等离子体化学沉积
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前驱体温度对激光化学气相沉积YBa2 Cu3 O7δ超导薄膜结构及性能的影响
7
作者 张琼 赵培 +3 位作者 吴慰 戴武斌 GOTO Takashi 徐源来 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第2期9-17,共9页
采用激光化学气相沉积法在Al2O3基底上以49μm·h-1的沉积速率高速制备了c-轴取向的YBa2Cu3O 7-δ薄膜,其中,激光功率为133 W,沉积温度1103 K,腔体压强800 Pa。研究了前驱体蒸发温度及薄膜退火温度对薄膜电学性能的影响。研究表明,B... 采用激光化学气相沉积法在Al2O3基底上以49μm·h-1的沉积速率高速制备了c-轴取向的YBa2Cu3O 7-δ薄膜,其中,激光功率为133 W,沉积温度1103 K,腔体压强800 Pa。研究了前驱体蒸发温度及薄膜退火温度对薄膜电学性能的影响。研究表明,Ba、Cu、Y前驱体加热温度分别为603、478、459 K时制备的薄膜在经813 K高温热处理12 h后,临界温度可达83 K。 展开更多
关键词 激光化学沉积 YBA2 Cu3 O7-δ薄膜 高速沉积
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等离子体刻蚀辅助绝缘衬底上生长石墨烯研究
8
作者 陈鑫耀 田博 +1 位作者 彭东青 蔡伟伟 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2020年第5期100-103,共4页
石墨烯由于其优异的物理和化学性质,在材料和纳米器件等领域受到了极大的关注。但通过转移法转移的石墨烯在石墨烯基纳米器件上会引入杂质和缺陷,因此,直接在氧化硅上生长高质量的石墨烯成了一项迫切的需求。基于传统的热壁化学气相沉积... 石墨烯由于其优异的物理和化学性质,在材料和纳米器件等领域受到了极大的关注。但通过转移法转移的石墨烯在石墨烯基纳米器件上会引入杂质和缺陷,因此,直接在氧化硅上生长高质量的石墨烯成了一项迫切的需求。基于传统的热壁化学气相沉积(CVD)系统,设计了一种新的绝缘衬底生长系统,通过附加微波等离子体单元来提供额外的蚀刻和辅助效果,成为微波等离子体蚀刻和辅助CVD(MPEE-CVD)。利用此系统,成功地实现了在氧化硅和其他绝缘衬底上直接生成可控尺寸的石墨烯薄膜,并通过拉曼光谱和扫描电子显微镜表征了晶体质量。该项工作为进一步改善基于石墨烯的场效应晶体管纳米器件的性能开辟了新的道路。同时,它为在绝缘衬底上直接生长其他二维材料提供了可能的指引。 展开更多
关键词 石墨烯 等离子体刻蚀辅助化学沉积 绝缘衬底
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基底温度复合控制对化学气相沉积纳米金刚石薄膜的影响
9
作者 张湘辉 汪灵 +2 位作者 龙剑平 邓苗 冯珊 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第21期3018-3022,共5页
采用自主研制的具有基底温度开-闭环复合自动控制系统的直流弧光放电PCVD设备,当开环流量不同时,在硬质合金基体表面分别进行了纳米金刚石薄膜制备研究。并采用SEM、XRD、激光Raman光谱仪对所制备薄膜的形貌、物相和品质进行了分析。研... 采用自主研制的具有基底温度开-闭环复合自动控制系统的直流弧光放电PCVD设备,当开环流量不同时,在硬质合金基体表面分别进行了纳米金刚石薄膜制备研究。并采用SEM、XRD、激光Raman光谱仪对所制备薄膜的形貌、物相和品质进行了分析。研究结果表明,当开环流量从10→5→15→20mL/min变化时,所制备纳米金刚石薄膜的表面粗糙度及石墨成分会随之增加,金刚石晶粒转变为以(110)面生长为主,且尺寸增大;并加剧了硬质合金基体中Co相粘结剂向基体表面的扩散。温控中基底温度的波动(稳定性)是影响纳米金刚石薄膜生长性能的主要原因。 展开更多
关键词 直流弧光放电等离子体化学沉积 纳米金刚石薄膜 基底温度 -闭环复合控制
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氧等离子体对以石墨为碳源合成的CVD金刚石颗粒的影响
10
作者 姚凯丽 代兵 +5 位作者 谭小俊 杨磊 刘康 舒国阳 韩杰才 朱嘉琦 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第9期1621-1625,共5页
采用一种新型的金刚石颗粒制备方法,利用微波辅助化学气相沉积技术,向反应室内通入氢气,以固态石墨片同时作为碳源和衬底沉积金刚石颗粒。利用该方法合成的金刚石颗粒具有微米级尺寸,可用作研磨剂、抛光剂、形核剂等。但是合成的金刚石... 采用一种新型的金刚石颗粒制备方法,利用微波辅助化学气相沉积技术,向反应室内通入氢气,以固态石墨片同时作为碳源和衬底沉积金刚石颗粒。利用该方法合成的金刚石颗粒具有微米级尺寸,可用作研磨剂、抛光剂、形核剂等。但是合成的金刚石颗粒中仍含有少量的非晶碳,且合成颗粒的尺寸均匀性有待提高。为解决以上问题,本文中在反应不同阶段(初期、中期及末期)通入氧气,形成氧等离子体;研究氧等离子体对合成的金刚石颗粒形貌、尺寸、质量、纯度的影响,以及随氧等离子体添加阶段不同而产生的不同变化情况。结果表明,经氧等离子体处理的金刚石颗粒形貌略有改变,表面光滑度更好,且金刚石颗粒尺寸的一致性有所提高;经过激光粒度测试发现,金刚石颗粒的尺寸主要集中在25~29μm。添加氧等离子体有助于消除金刚石中的非晶碳,提高金刚石纯度;且在反应初期添加氧等离子体可最大程度提高金刚石颗粒质量。 展开更多
关键词 金刚石颗粒 石墨 微波辅助化学沉积 等离子体
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气相沉积制备硬质薄膜技术与应用述评 被引量:13
11
作者 马胜利 徐可为 介万奇 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期438-443,共6页
本文对气相沉积技术的发展与最新趋势给出了述评 ,重点强调了等离子体辅助化学气相沉积 (PCVD)的优势。
关键词 制备 沉积技术 硬质薄膜 PCVD 等离子体辅助化学沉积
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电介质表面金属功能图案激光加工技术研究进展
12
作者 肖荣诗 魏佳硕 +1 位作者 崔梦雅 黄婷 《航空制造技术》 北大核心 2025年第1期22-35,共14页
电介质表面金属功能图案在航空航天、消费电子、柔性传感等领域的需求日益增长。激光加工作为一种无需掩膜的柔性制造技术,具有加工精度高、非接触式加工、制造效率高等优点,可以在多种电介质表面实现金属功能图案的直接制造,近年来发... 电介质表面金属功能图案在航空航天、消费电子、柔性传感等领域的需求日益增长。激光加工作为一种无需掩膜的柔性制造技术,具有加工精度高、非接触式加工、制造效率高等优点,可以在多种电介质表面实现金属功能图案的直接制造,近年来发展迅速。按照自上而下和自下而上的技术路线,分别概述激光刻蚀、选择性激光烧结、脉冲激光沉积、激光诱导化学液相沉积、激光诱导化学气相沉积、激光辅助化学镀6种激光加工技术的原理和优势,及它们在电介质表面加工金属功能图案的最新研究进展,并总结相应的技术瓶颈和未来发展趋势。 展开更多
关键词 激光加工 金属功能图案 激光刻蚀 选择性激光烧结(SLS) 脉冲激光沉积(PLD) 激光诱导化学沉积(LCLD) 激光诱导化学沉积(LCVD) 激光辅助化学镀(LEP)
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纳米α-Al_2O_3化学合成技术研究进展 被引量:1
13
作者 宋晓岚 曲鹏 +2 位作者 王海波 吴雪兰 邱冠周 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期14-16,共3页
纳米α-Al_2O_3粉体因其用于高强材料、电子陶瓷以及催化剂等而具有广泛的应用潜力,然而经高温煅烧难于获得真正纳米粒径的α-Al_2O_3粉体。综述了近年来国外合成纳米α-Al_2O_3粉末的2种工艺:一种为高温化学合成工艺。包括气相沉积法... 纳米α-Al_2O_3粉体因其用于高强材料、电子陶瓷以及催化剂等而具有广泛的应用潜力,然而经高温煅烧难于获得真正纳米粒径的α-Al_2O_3粉体。综述了近年来国外合成纳米α-Al_2O_3粉末的2种工艺:一种为高温化学合成工艺。包括气相沉积法、激光烧蚀法、电弧等离子体法和水热法等;另一种为低温化学合成工艺,包括机械球磨法和溶胶-凝胶法等。进一步展望了我国纳米α-Al_2O_3研究发展的趋势。 展开更多
关键词 纳米Α-AL2O3 技术研究进展 化学合成 AL2O3粉体 Al2O3粉末 电弧等离子体 溶胶一凝胶法 合成工艺 沉积 激光烧蚀法 机械球磨法 高强材料 应用潜力 电子陶瓷 高温煅烧 研究发展 催化剂 水热法
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EA-HFCVD沉积纳米金刚石膜的光致发光分析(英文)
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作者 祝雪丰 王林军 +4 位作者 胡广 刘健敏 黄健 徐金勇 夏义本 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期529-534,共6页
采用电子辅助-热丝化学气相沉积法(EA-HFCVD)在硅片上沉积出晶粒尺寸为30nm的均匀金刚石膜。生长过程中,预先加6A偏流生长1h,然后在0.8kPa条件下,无偏流生长3h。光致发光谱中存在4个发光中心分别位于1.682eV,1,564eV,1,518eV和1.512eV... 采用电子辅助-热丝化学气相沉积法(EA-HFCVD)在硅片上沉积出晶粒尺寸为30nm的均匀金刚石膜。生长过程中,预先加6A偏流生长1h,然后在0.8kPa条件下,无偏流生长3h。光致发光谱中存在4个发光中心分别位于1.682eV,1,564eV,1,518eV和1.512eV的发光峰。1.682eV处发光峰源于衬底硅原子掺杂于膜中引起的缺陷;其他发光峰源于金刚石晶格振动声子。光致发光强度越大对应的缺陷密度越大,从而降低了场发射域值电场强度,其关键可能源于金刚石膜电导型晶界。 展开更多
关键词 光致发光 纳米金刚石膜 电子辅助-热丝化学沉积
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温度与气压对脉冲PECVD沉积氧化铝薄膜的影响 被引量:4
15
作者 胡蝶 陈强 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期662-668,共7页
在有机基体表面等离子体增强化学气相沉积(PECVD)Al2O3薄膜是提高其阻隔性能的有效方法,而高品质的Al2O3薄膜是提高阻隔性的关键因素之一。脉冲射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)可以实现比热化学气相沉积技术更宽的气体工作压力... 在有机基体表面等离子体增强化学气相沉积(PECVD)Al2O3薄膜是提高其阻隔性能的有效方法,而高品质的Al2O3薄膜是提高阻隔性的关键因素之一。脉冲射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)可以实现比热化学气相沉积技术更宽的气体工作压力、更多的单体选择和更好的薄膜性能,适合于制备高质量的薄膜。本文报道采用脉冲RF-PECVD氧化铝薄膜,且对影响薄膜结构和性能的工艺参数进行研究。通过椭圆偏振仪测量Al2O3的生长速率和折射率;利用红外光谱、扫描电镜和原子力显微镜对沉积的Al2O3薄膜进行成分、结构、表面粗糙度和形貌分析、测量和表征;采用透湿仪测量在有机聚酯薄膜表面沉积Al2O3层的阻隔性能。结果表明:薄膜沉积过程中的工作气压和沉积温度对脉冲RF-PECVD薄膜性能影响较大,在一定的沉积温度范围内,沉积的Al2O3薄膜为无色、透明、表面结构平滑致密;在温度相同的条件下,工作气压越高,纳米膜生长速率越快;而在相同工作气压下,沉积温度越低,薄膜生长速率越快。 展开更多
关键词 脉冲等离子体辅助化学沉积 氧化铝 工作压和沉积温度 水蒸汽透过率
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衬底材料对μc-Si:H薄膜结构特性的影响 被引量:4
16
作者 陈永生 杨仕娥 +2 位作者 卢景霄 王海燕 李瑞 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期116-120,共5页
对在不锈钢和玻璃衬底上沉积的μc-Si:H薄膜进行了拉曼光谱和扫描电子显微(SEM)分析。拉曼分析显示在相同的工艺参数下,玻璃衬底上沉积的μc-Si:H薄膜的晶化率高于不锈钢衬底上沉积的薄膜,这可能是由于衬底与等离子体之间的电势差不... 对在不锈钢和玻璃衬底上沉积的μc-Si:H薄膜进行了拉曼光谱和扫描电子显微(SEM)分析。拉曼分析显示在相同的工艺参数下,玻璃衬底上沉积的μc-Si:H薄膜的晶化率高于不锈钢衬底上沉积的薄膜,这可能是由于衬底与等离子体之间的电势差不同和衬底表面形貌两方面所致。SEM观察表明玻璃衬底上沉积的μc-Si:H薄膜由尺寸介于200~100nm的团簇构成。 展开更多
关键词 等离子体辅助化学沉积 拉曼散射谱 晶化率 团簇
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无机-有机复合膜的制备技术进展 被引量:4
17
作者 吴翠明 徐铜文 杨伟华 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期641-648,共8页
介绍了近年来发展较快的无机-有机复合膜的研究情况,结合国内外近年来发表的相关论文;对其制备技术进行了综述.
关键词 无机-有机复合膜 制备 技术进展 溶胶-凝胶 等离子体 有机聚合物 化学沉积 部分热解 纳米共聚
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辅助方法对热丝CVD金刚石生长速率的影响 被引量:3
18
作者 孙心瑗 周灵平 +3 位作者 李绍禄 李德意 张刚 陈本敬 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期393-397,共5页
在热丝化学气相沉积金刚石系统中 ,通过双灯丝间的热阴极放电产生等离子体 ,对衬底施加正负偏压形成电子促进 ,比较分析了它们及其组合的各种辅助方法对金刚石生长速率的影响。结果表明 ,在以丙酮为碳源、灯丝总功率不变的情况下 ,等离... 在热丝化学气相沉积金刚石系统中 ,通过双灯丝间的热阴极放电产生等离子体 ,对衬底施加正负偏压形成电子促进 ,比较分析了它们及其组合的各种辅助方法对金刚石生长速率的影响。结果表明 ,在以丙酮为碳源、灯丝总功率不变的情况下 ,等离子体可明显增强金刚石的生长 ,其生长速率约为纯热丝法的三倍 ;而正偏压对等离子体辅助沉积金刚石不仅没有增强形核作用 ,而且抑制金刚石的生长 ;电子促进法可以显著提高金刚石的成核密度 ,但并不能提高金刚石生长速率。 展开更多
关键词 辅助方法 热丝 金刚石膜 金刚石多晶球 生长速率 等离子体增强 偏压 热丝化学沉积 成核密度
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脉冲微波表面波PECVD在有机PET表面沉积DLC薄膜的阻隔性研究 被引量:7
19
作者 周美丽 岳蕾 陈强 《包装工程》 CAS 北大核心 2019年第17期72-80,共9页
目的探讨使用脉冲微波表面波等离子体辅助化学气相沉积技术在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)材料表面沉积类金刚石薄膜作为阻隔层的可行性。方法以C2H2为单体,氩(Ar)为放电气体,采用脉冲微波表面波等离子体化学气相沉积(PECVD)技术在有机PE... 目的探讨使用脉冲微波表面波等离子体辅助化学气相沉积技术在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)材料表面沉积类金刚石薄膜作为阻隔层的可行性。方法以C2H2为单体,氩(Ar)为放电气体,采用脉冲微波表面波等离子体化学气相沉积(PECVD)技术在有机PET材料表面沉积类金刚石(Diamond-like Carbon,DLC)薄膜。研究工艺参数,如脉冲微波放电功率、工作气压、单体与工作气体的体积比等,对DLC薄膜沉积速率和阻隔性能的影响。通过傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、原子力显微镜(AFM)、氧气和水蒸气透过率测试仪等对薄膜结构与性能进行表征。结果DLC薄膜的结构和成分随着等离子体放电工艺参数的变化而改变,造成其阻隔性能也随之发生变化。PET表面沉积纳米级DLC薄膜后,氧气透过率和水蒸气透过率可以分别降至0.58 mL/(m^2·d)和2.5 g/(m^2·d)。结论DLC薄膜对氧气和水蒸气都表现出良好的阻隔性,可以应用于食品、药品的阻隔包装。 展开更多
关键词 微波表面波 等离子体辅助化学沉积 类金刚石薄膜 高阻隔聚酯 乙炔
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纳米粉体的激光制备方法
20
作者 李保家 周明 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第F11期20-23,共4页
总结了激光技术制备纳米粉末的特点,介绍了激光诱导化学气相沉积法、激光烧蚀法、激光诱导液-固界面反应法以及激光-感应复合加热法等的基本原理、装置及特点,综述了目前纳米粉体激光制备技术的应用研究现状,指出了其今后的研究方向... 总结了激光技术制备纳米粉末的特点,介绍了激光诱导化学气相沉积法、激光烧蚀法、激光诱导液-固界面反应法以及激光-感应复合加热法等的基本原理、装置及特点,综述了目前纳米粉体激光制备技术的应用研究现状,指出了其今后的研究方向和应用前景。 展开更多
关键词 纳米粉体 激光 制备 激光诱导化学沉积 激光烧蚀法 激光诱导液-固界面反应法 激光-感应复合加热法
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