通过激光诱导化学气相沉积来制造微碳柱的研究 被引量：7

1

作者 温宗胤 李宝灵 周健 《矿冶工程》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期79-82,共4页

使用氩离子激光作为光源，乙烷（C2H6）作为工作气体，在激光功率0．5—4．5W，气体压力0．03—0．09MPa的变化范围内，进行激光诱导化学气相沉积形成微结构。试验研究了激光功率、气体压力对碳柱直径和生长长度的影响，讨论了碳柱平均... 使用氩离子激光作为光源，乙烷（C2H6）作为工作气体，在激光功率0．5—4．5W，气体压力0．03—0．09MPa的变化范围内，进行激光诱导化学气相沉积形成微结构。试验研究了激光功率、气体压力对碳柱直径和生长长度的影响，讨论了碳柱平均生长率随照射时间、焦点移动速度的变化规律。根据实验数据，使用焦距移动方法，生成长径比超过500的微碳柱。 展开更多

关键词 激光诱导化学气相沉积 生长速度 直径 微碳柱

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激光诱导化学气相沉积制膜技术 被引量：11

2

作者 葛柏青 王豫 《安徽工业大学学报（自然科学版）》 CAS 2004年第1期7-10,22,共5页

综述了LCVD制备薄膜的原理和特性,国内外对LCVD的研究应用情况及目前最新的研究方向。阐明了LCVD技术在制备薄膜过程中的生长低温化及高精度膜厚的可控制性能等特点。分析了激光功率、反应室气压及基材预处理等参数对薄膜质量的影响。

关键词 激光诱导化学气相沉积 薄膜性能 工艺参数 lcvd技术 表面改性 薄膜制备

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激光诱导化学气相沉积纳米硅的红外光谱 被引量：1

3

作者 王卫乡 刘颂豪 +1 位作者 李道火 刘宗才 《量子电子学》 CAS CSCD 1996年第1期67-73,共7页

对激光化学气相沉积纳米硅的红外光谱进行了研究，结合红外光声光谱考察了退火处理对其红外光谱吸收峰位置的影响，对纳米硅的红外吸收峰进行了标识和讨论。

关键词 红外光谱 纳米硅 激光 化学气相沉积

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激光诱导化学气相沉积法制备纳米晶硅的制备参数和退火工艺的研究

4

作者 梁礼正 张海燕 +3 位作者 何艳阳 陈可心 王卫乡 刘颂豪 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期48-51,共4页

用CO2 红外激光诱导化学气相沉积的方法制备纳米Si,激光强度越大 ,则SiH4受热温度越高 ,纳米Si的成核率越高 ,纳米Si核的密度越大 ,每一个核生长所吸收的Si原子数目越少 ,从而所得的纳米Si粒小而均匀。当激光强度减小到一个低限阈值 ,则... 用CO2 红外激光诱导化学气相沉积的方法制备纳米Si,激光强度越大 ,则SiH4受热温度越高 ,纳米Si的成核率越高 ,纳米Si核的密度越大 ,每一个核生长所吸收的Si原子数目越少 ,从而所得的纳米Si粒小而均匀。当激光强度减小到一个低限阈值 ,则SiH4温度太低 ,不能裂解。SiH4的流速越快 ,则纳米Si成核后生长期越短 ,纳米Si粒也小而均匀。当SiH4流速快到一个高限阈值 ,则SiH4受热时间太短 ,升不到裂解所需的高温。以上 2个产生纳米Si的阈值正相关。纳米Si制取后退火脱H ,344 0cm-1光谱带红移并增强 ,2 15 0cm-1光谱带形状变化 ,110 0cm-1光谱带由低频处蓝移而来并展宽。这都表明含O键在纳米Si很大的表面上出现。为了减轻含O键出现 ,纳米Si应在Ar气氛中而不是在空气中 ,从低于 30 展开更多

关键词 激光诱导 化学气相沉积法 制备 纳米晶硅 制备参数 退火工艺 红外吸收光谱 集成电路

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制备参数和退火对激光诱导化学汽相沉积合成纳米硅的粒径和红外光谱的影响 被引量：10

5

作者 梁礼正 张海燕 +3 位作者 何艳阳 陈可心 王卫乡 刘颂豪 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2001年第5期382-386,共5页

用激光诱导化学汽相沉积 (LICVD)法制备纳米硅 ,发现 :激光强度存在低限阈值 ,SiH4的流速存在着高限阈值 ,二者正相关 ,以维持SiH4 裂解所需的高温。为了使纳米硅粒小而均匀 ,应加大激光强度 ,并相应加快SiH4 的流速 ,以提高纳米硅粒的... 用激光诱导化学汽相沉积 (LICVD)法制备纳米硅 ,发现 :激光强度存在低限阈值 ,SiH4的流速存在着高限阈值 ,二者正相关 ,以维持SiH4 裂解所需的高温。为了使纳米硅粒小而均匀 ,应加大激光强度 ,并相应加快SiH4 的流速 ,以提高纳米硅粒的成核率 ,减少每一个纳米硅核所吸收的硅原子数 ,并缩短每一个纳米硅核的生长期。纳米硅制取后退火脱H ,纳米硅的红外吸收光谱发生变化 :4条特征吸收带的位置、强度和形状各有改变。这是因为纳米硅的表面积很大 ,表面氧化使组态改变。为了减轻这样的氧化 ,纳米硅应在Ar气氛中而不是在空气中退火 ,并且开始退火的温度低于 30 0℃。 展开更多

关键词 激光诱导 化学汽相沉积 纳米硅粉 红外光谱 粒径 退火

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一种新型的激光——等离子体辅助化学气相沉积装置的研究 被引量：3

6

作者 陆宗仪 李文梅 +4 位作者 安世民 郭宝海 夏元良 徐军 梅雨 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 1997年第1期90-94,共5页

为探索用激光和等离子体共同辅助化学气相沉积（ＣＶＤ）过程以实现室温沉积的可能性，设计并制造了一种新型的ＣＶＤ装置，实际进行了由ＳｉＨ４－ＮＨ３－Ｎ２体系制取Ｓｉ３Ｎ４膜的试验。结果表明，激光和等离子体是可以相互促进、... 为探索用激光和等离子体共同辅助化学气相沉积（ＣＶＤ）过程以实现室温沉积的可能性，设计并制造了一种新型的ＣＶＤ装置，实际进行了由ＳｉＨ４－ＮＨ３－Ｎ２体系制取Ｓｉ３Ｎ４膜的试验。结果表明，激光和等离子体是可以相互促进、共同辅助ＣＶＤ过程的，且两者均处于较低的能量水平；整个沉积过程在室温下进行，仅在试样表面局部区域有升温，从而可以实现保持基体原有性能的沉积和选区沉积，拓宽ＣＶＤ的应用前景。 展开更多

关键词 化学气相沉积 激光 等离子体 氮化硅膜

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TiN类薄膜的激光化学气相沉积 被引量：7

7

作者 张鸿俭 冯钟潮 张鹤 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期41-44,共4页

研究了激光化学气相沉积的方法在Ｔｉ和Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ基材上沉积ＴｉＮ、ＴｉＣ、 Ｔｉ（Ｃｎ、Ｎｍ）薄膜的工艺方法，并获得了良好膜层的最佳工艺。在低压下用激光化学气相沉积 （ＬＣＶＤ）方法制备成功的ＴｉＮ类薄膜颜色金黄... 研究了激光化学气相沉积的方法在Ｔｉ和Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ基材上沉积ＴｉＮ、ＴｉＣ、 Ｔｉ（Ｃｎ、Ｎｍ）薄膜的工艺方法，并获得了良好膜层的最佳工艺。在低压下用激光化学气相沉积 （ＬＣＶＤ）方法制备成功的ＴｉＮ类薄膜颜色金黄，成份均匀，其平均显微硬度为ＨＫ２５００，耐磨 性比基材提高了六倍。 展开更多

关键词 TiN类薄膜 钛合金 激光化学气相沉积

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铀上激光辅助化学气相沉积镍薄膜研究 被引量：1

8

作者 张永彬 陈志磊 +3 位作者 宾韧 郎定木 蒲朕 刘柯钊 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期411-417,共7页

为防止金属铀的腐蚀,本文采用激光辅助化学气相沉积(LACVD)方法在铀上制备了镍薄膜。采用SEM、XRD分析了薄膜的形貌、物相以及界面特性,采用黏胶拉伸测试表征了膜-基结合性能,采用电化学极化法分析了薄膜的抗腐蚀性能。结果表明:压力和... 为防止金属铀的腐蚀,本文采用激光辅助化学气相沉积(LACVD)方法在铀上制备了镍薄膜。采用SEM、XRD分析了薄膜的形貌、物相以及界面特性,采用黏胶拉伸测试表征了膜-基结合性能,采用电化学极化法分析了薄膜的抗腐蚀性能。结果表明:压力和温度对化学气相沉积(CVD)方法制备镍薄膜的质量有较大的影响。随着基底温度和沉积气压的降低,薄膜变得致密、平整,质量提高。在优化的工艺条件165℃、3Pa下,CVD方法所得镍薄膜非常致密。采用LACVD方法时,激光能量为200mJ时所制得的薄膜致密,300mJ时膜变得粗糙。无激光辅助时,CVD方法所制得的薄膜较易剥落,激光辅助下所得薄膜的膜-基结合力较好。LACVD方法大幅提高了薄膜的抗腐蚀性能,抗腐蚀性能的提高主要源于激光辅助使薄膜致密化,提高了薄膜与基底的结合力。 展开更多

关键词 激光 化学气相沉积 防腐蚀 镍薄膜

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CO_2激光化学气相沉积a-Si:H薄膜

9

作者 袁加勇 陈钰清 王颖 《激光技术》 CAS CSCD 1991年第3期166-171,共6页

用输出功率为50W的CW CO_2激光照射纯硅烷(SiH_4)气体得到了a-Si:H薄膜。沉积速率达到200 /min。用电子衍射方法测定了所沉积的薄膜是非晶态的。测量了薄膜的光电导率和暗电导率,其比值达10~4量级。用紫外可见光谱分析了薄膜的光学性质... 用输出功率为50W的CW CO_2激光照射纯硅烷(SiH_4)气体得到了a-Si:H薄膜。沉积速率达到200 /min。用电子衍射方法测定了所沉积的薄膜是非晶态的。测量了薄膜的光电导率和暗电导率,其比值达10~4量级。用紫外可见光谱分析了薄膜的光学性质,计算出光能隙为1.44～2.0eV。得到了沉积速率、光电导率、暗电导率、光学能隙随基片温度变化的关系曲线。阐述了CO_2激光化学气相沉积a-Si:H薄膜的机理。 展开更多

关键词 CO2激光 化学气相沉积 α-Si:H

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激光化学气相沉积非晶硅

10

作者 袁加勇 陈钰清 +1 位作者 陈曾济 王颖 《浙江大学学报（自然科学版）》 CSCD 1990年第3期424-427,共4页

本文报道了CO_2激光化学气相沉积非晶硅的实验结果,硅薄膜的沉积速率与硅烷气压、基片温度和激光光强密切有关。 利用不同方法测量了硅薄膜样品的各种特性,证实了薄膜确为非晶硅。 作者也研究了激光化学沉积非晶硅的机理,并给出了理论... 本文报道了CO_2激光化学气相沉积非晶硅的实验结果,硅薄膜的沉积速率与硅烷气压、基片温度和激光光强密切有关。 利用不同方法测量了硅薄膜样品的各种特性,证实了薄膜确为非晶硅。 作者也研究了激光化学沉积非晶硅的机理,并给出了理论讨论以解释实验结果。 展开更多

关键词 非晶硅 薄膜 激光 化学气相沉积

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激光诱导化学气相淀积初始过程的研究

11

作者 张贵银 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2000年第6期55-57,共3页

分析了激光诱导化学气相淀积过程中激光对气体的激发机理 ,采用半经典近似的方法 ,推导出气体吸收系数的数学表达式 ,以此为基础讨论了实验参量———激光强度、频率、气体压强对气体吸收过程的影响。

关键词 化学气相淀积 激光诱导 薄膜 制备工艺

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激光诱导化学气相合成纳米微粉的物理化学模型

12

作者 刘军 《沈阳大学学报》 CAS 2007年第2期1-4,共4页

针对激光低压化学气相合成纳米微粉材料的过程建立了物理化学统一模型,其中包括气体分子动力学、化学反应热力学和流体动力学三部分.分别介绍了模型的基本假设、基本公式及主要结论.描述了反应物分子的热运动状态,提出了激光强度阈值的... 针对激光低压化学气相合成纳米微粉材料的过程建立了物理化学统一模型,其中包括气体分子动力学、化学反应热力学和流体动力学三部分.分别介绍了模型的基本假设、基本公式及主要结论.描述了反应物分子的热运动状态,提出了激光强度阈值的预测方法,给出了生成物颗粒的成核速率、生长速率和最终粒径.模型对进一步揭示纳米微粉生成过程的物理化学机制,寻找宏观工艺参量对微观合成过程及所制备纳米微粉性质的影响规律有实际意义. 展开更多

关键词 纳米微粉 激光诱导 化学气相合成技术 物理化学模型

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激光化学气相沉积技术在掩模版修复中的应用 被引量：3

13

作者 黄河 朱晓 +4 位作者 朱长虹 朱广志 李跃松 张沛 万承华 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期330-332,共3页

为了对光掩模版亮场缺陷进行修补,采用激光化学气相沉积的方法,利用功率密度为1.3×108W/cm2的355nm紫外激光诱导Cr(CO)6分解,在1.5 s内获得了光掩模亮场区域附着力强、消光比高的金属Cr膜。结果表明,在开放的环境下,采用高功率密... 为了对光掩模版亮场缺陷进行修补,采用激光化学气相沉积的方法,利用功率密度为1.3×108W/cm2的355nm紫外激光诱导Cr(CO)6分解,在1.5 s内获得了光掩模亮场区域附着力强、消光比高的金属Cr膜。结果表明,在开放的环境下,采用高功率密度、短作用时间的方法能够得到高质量的沉积薄膜,满足了微电子行业中对掩模版修复的要求。 展开更多

关键词 激光技术 光化学 光掩模修复 激光化学气相沉积 开放式

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激光化学气相沉积法制备多层氧化铈缓冲层薄膜 被引量：6

14

作者 陈志杰 潘天宇 +1 位作者 徐源来 赵培 《武汉工程大学学报》 CAS 2022年第1期42-47,共6页

为了增强第二代高温超导薄膜的载流性能,通过激光化学气相沉积法在镀有LaMnO_(3)/MgO/Gd_(2)Zr_(2)O_(7)复合涂层的哈氏C276合金基板上制备了2、3、4、5和6层氧化铈缓冲层薄膜。研究了氧化铈薄膜层数对薄膜相组成、结晶度、薄膜微观形... 为了增强第二代高温超导薄膜的载流性能,通过激光化学气相沉积法在镀有LaMnO_(3)/MgO/Gd_(2)Zr_(2)O_(7)复合涂层的哈氏C276合金基板上制备了2、3、4、5和6层氧化铈缓冲层薄膜。研究了氧化铈薄膜层数对薄膜相组成、结晶度、薄膜微观形貌和晶粒尺寸的影响。实验结果表明,制备出了单相(100)氧化铈薄膜。随着薄膜层数的增加,其面内取向变好。薄膜结晶度在2层时最低,在5层时最高。随着氧化铈薄膜层数从2层增加到6层,氧化铈薄膜的平均晶粒尺寸从28.98 nm增加到86.10 nm。氧化铈晶粒形状从大部分正方金字塔形变为相互正交的矩形棱台形并且晶粒间出现10~50 nm的孔洞。通过引入激光加速前驱体分解,2层氧化铈薄膜的厚度达到136 nm,薄膜沉积速率高达2.45μm·h^(-1)。 展开更多

关键词 氧化铈缓冲层薄膜 激光化学气相沉积 晶粒尺寸 多层薄膜

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激光辅助化学气相沉积研究进展 被引量：9

15

作者 范丽莎 刘帆 +2 位作者 吴国龙 Volodymyr S.Kovalenko 姚建华 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2022年第2期1-29,共29页

激光化学气相沉积技术(LCVD)相较于传统化学气相沉积技术具有低沉积温度、高膜层纯度、高沉积效率等特点,在各类功能薄膜材料制备上有着巨大的应用前景。围绕激光化学气相沉积技术,本文详细阐述了激光热解离、激光光解离与激光共振激发... 激光化学气相沉积技术(LCVD)相较于传统化学气相沉积技术具有低沉积温度、高膜层纯度、高沉积效率等特点,在各类功能薄膜材料制备上有着巨大的应用前景。围绕激光化学气相沉积技术,本文详细阐述了激光热解离、激光光解离与激光共振激发解离作用机制,同时介绍了各类LCVD的常用设备,着重总结了LCVD在金属材料、碳基材料、氧化物材料以及半导体材料等各类材料制备应用上的最新研究进展,特别介绍了LCVD制备过程中常用的检测与分析方法,最后讨论了激光化学气相沉积技术目前所面临的挑战与机遇,并展望了该技术的发展前景。 展开更多

关键词 激光化学气相沉积 薄膜制备 热解离 光解离 共振激发解离

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前驱体温度对激光化学气相沉积YBa2 Cu3 O7δ超导薄膜结构及性能的影响

16

作者 张琼 赵培 +3 位作者 吴慰 戴武斌 GOTO Takashi 徐源来 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第2期9-17,共9页

采用激光化学气相沉积法在Al2O3基底上以49μm·h-1的沉积速率高速制备了c-轴取向的YBa2Cu3O 7-δ薄膜,其中,激光功率为133 W,沉积温度1103 K,腔体压强800 Pa。研究了前驱体蒸发温度及薄膜退火温度对薄膜电学性能的影响。研究表明,B... 采用激光化学气相沉积法在Al2O3基底上以49μm·h-1的沉积速率高速制备了c-轴取向的YBa2Cu3O 7-δ薄膜,其中,激光功率为133 W,沉积温度1103 K,腔体压强800 Pa。研究了前驱体蒸发温度及薄膜退火温度对薄膜电学性能的影响。研究表明,Ba、Cu、Y前驱体加热温度分别为603、478、459 K时制备的薄膜在经813 K高温热处理12 h后,临界温度可达83 K。 展开更多

关键词 激光化学气相沉积 YBA2 Cu3 O7-δ薄膜 高速沉积

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激光化学气相沉积法在TFT-LCD电路缺陷维修中的应用 被引量：5

17

作者 张伟 陈小英 +6 位作者 马永生 付婉霞 王磊 周贺 徐智俊 王博 阮毅松 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2019年第8期755-763,共9页

为了维修TFT-LCD电路缺陷,利用激光化学气相沉积法(LCVD)沉积钨薄膜,讨论成膜参数对基底损伤、钨薄膜电阻率的影响。在空气氛围下,波长为351nm的脉冲激光诱导W(CO)6裂解成膜,通过聚焦离子束-扫描电子显微镜(FIB-SEM)观察薄膜横截面研究... 为了维修TFT-LCD电路缺陷,利用激光化学气相沉积法(LCVD)沉积钨薄膜,讨论成膜参数对基底损伤、钨薄膜电阻率的影响。在空气氛围下,波长为351nm的脉冲激光诱导W(CO)6裂解成膜,通过聚焦离子束-扫描电子显微镜(FIB-SEM)观察薄膜横截面研究成膜参数对基底损伤的影响,再用高精度的电参数测试仪(EPM)测试不同参数下钨薄膜电阻。控制变量法表明,激光功率或激光束光斑尺寸越大,薄膜基底损伤越大,但电阻率越小,且不沉积薄膜时高功率激光辐射也不会造成基底损伤;激光辐射速度越大,基底损伤越小,但电阻率越大。通过平衡工艺参数,得到了电阻率为0.96Ω/μm、对基底无损伤的钨薄膜,成分分析表明此时W(CO)6已经完全裂解。 展开更多

关键词 TFT-LCD 激光化学气相沉积法 缺陷维修 W(CO)6 电阻率

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激光化学气相沉积法制备铜膜的性能与形态分析

18

作者 茅敦民 连志睿 +1 位作者 金忠 秦启宗 《量子电子学》 CSCD 1995年第2期169-173,共5页

本文对以二（乙酸丙酮根）合铜（Ⅱ）和二（三甲基乙酰三氟代丙酮根）合铜（Ⅱ）为母体的化合物，用１０．６μｍ和２８０ｎｍ激光气相沉积法生成铜膜的形态及性能采用探针轮廓仪、扫描电子显微镜和四探针法进行了分析，观察到紫外激光... 本文对以二（乙酸丙酮根）合铜（Ⅱ）和二（三甲基乙酰三氟代丙酮根）合铜（Ⅱ）为母体的化合物，用１０．６μｍ和２８０ｎｍ激光气相沉积法生成铜膜的形态及性能采用探针轮廓仪、扫描电子显微镜和四探针法进行了分析，观察到紫外激光生成铜膜中具有环状周期性图案的现象。 展开更多

关键词 激光 化学气相沉积 铜膜 金属有机化合物

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激光在化学气相沉积陶瓷膜中的应用

19

作者 孙红 《材料导报》 EI CAS CSCD 1991年第12期27-29,共3页

激光化学气相沉积(LCVD)是八十年代才兴起的表面镀膜技术,它将激光技术与化学气相沉积结合成一个整体,开拓了新的低温快速沉积领域。LCVD具有下述特点: 1)低温化。激光激活反应物分子,可在低温选定波长切断材料气体分子健,有选择地进行... 激光化学气相沉积(LCVD)是八十年代才兴起的表面镀膜技术,它将激光技术与化学气相沉积结合成一个整体,开拓了新的低温快速沉积领域。LCVD具有下述特点: 1)低温化。激光激活反应物分子,可在低温选定波长切断材料气体分子健,有选择地进行化学反应。为微电子器件提供了变革性工艺,扩大了CVD的应用范围。2)节能化。通常化学反应中,粒子与粒子间进行无规则的碰撞。 展开更多

关键词 激光 化学气相沉积 陶瓷膜 薄膜

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激光化学气相沉积法制备YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导薄膜 被引量：2

20

作者 吴慰 张琼 +1 位作者 苏轼 赵培 《武汉工程大学学报》 CAS 2018年第5期514-523,共10页

采用激光化学气相沉积法在(100)取向Al_2O_3衬底上制备了第二代高温超导YBa_2Cu_3O_(7-δ)(YBCO)薄膜,研究了前驱体Y(DPM)3、Ba(DPM)2、Cu(DPM)2的蒸发温度对YBCO薄膜成分的影响规律。通过X射线衍射、扫描电子显微镜、背散射电子显微镜... 采用激光化学气相沉积法在(100)取向Al_2O_3衬底上制备了第二代高温超导YBa_2Cu_3O_(7-δ)(YBCO)薄膜,研究了前驱体Y(DPM)3、Ba(DPM)2、Cu(DPM)2的蒸发温度对YBCO薄膜成分的影响规律。通过X射线衍射、扫描电子显微镜、背散射电子显微镜对薄膜进行了表征。结果表明:制备的YBCO薄膜样品成分中含有以下化合物:YBCO、CuYO_2、Cu_2O、Cu_4O_3、Y_2O_3、CuO、CuBaO_2、BaY2O_4、Ba_2Cu_3O_x。在激光功率为130 W,沉积温度为1 123 K,腔体压强为1 kPa,前驱体蒸发温度分别为TY=453 K、TBa=603 K和TCu=453 K的条件下制得成分较单一的c-轴取向YBCO薄膜。同时结果表明载流气Ar气的流速对薄膜成分存在一定影响。 展开更多

关键词 激光化学气相沉积法 YBA2CU3O7-Δ 超导薄膜 显微结构

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