检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

碳化硅MOSFET反型沟道迁移率的研究: 1; 作者姬慧莲杨银堂 +2 位作者郭中和柴常春李跃进《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2003年第4期66-69,共4页; SiCMOSFET是制作高速、低功耗开关功率器件的理想材料,然而,制作反型沟道迁移率较高的SiCMOSFET工艺尚未取得满意结果。通过在NO中高温退火可以显著地提高4H-SiCMOSFET的有效沟道迁移率;采用H2中退火制作的4H-SiCMOSFET阈值电压为3.1V,... 展开更多; 关键词碳化硅MOSFET 反型沟道迁移率阈值电压电子迁移率界面态; 在线阅读下载PDF 职称材料

沟道迁移率全球最高的碳化硅半导体在日本问世: 2; 《电子工业专用设备》 2004年第7期45-46,共2页; 日本原子能研究所与独立行政法人产业技术综合研究所(以下简称产综研)，日前成功地联合开发出了采用碳化硅半导体底板的晶体管。作为晶体管性能指标的沟道迁移率(电子活动的难易度)。; 关键词沟道迁移率晶体管碳化硅半导体性能指标; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiC/SiO_2界面的原子分辨率三维重构: 3; 作者刘培植许并社郭俊杰《电子显微学报》 CAS CSCD 2015年第5期371-376,共6页; 碳化硅(Si C)作为一种新型材料被广泛应用于高功率半导体器件中。目前的Si C基金属氧化物半导体场效应晶体管器件存在的主要问题是沟道电子迁移率低。Si C/Si O2界面处的过渡层被认为是造成沟道电子迁移率低的主要原因,但是该过渡层的... 展开更多; 关键词扫描透射显微镜变聚焦图像序列三维重构界面沟道电子迁移率; 在线阅读下载PDF 职称材料

氮退火对SiC MOSFET静态电参数的影响被引量：1: 4; 作者高秀秀柯攀戴小平《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第3期217-221,236,共6页; 为了研究栅氧化后退火工艺条件对金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)静态电参数的影响并分析实验数据,对栅氧化层采用不同温度、时间和气体进行氮退火,制备了n沟道4H-SiC双注入MOSFET(DIMOSFET)。对制备的DIMOSFET在结温25℃和175... 展开更多; 关键词 4H-SIC 双注入金属-氧化物-半导体场效应晶体管(DIMOSFET) 界面陷阱沟道迁移率库仑散射温度指数 TCAD仿真; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiO_(2)/SiC界面工艺技术研究现状及新进展被引量：2: 5; 作者刘佳霖刘英坤《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第5期346-353,共8页; 从SiO_(2)/SiC界面工艺技术角度着重介绍了其降低界面态密度、提升沟道电子迁移率及改善SiC MOSFET性能稳定性的机理,分析了国内外研究中有关SiC材料、SiC晶面、氧化层制备工艺和氧化后退火(POA)条件对SiO_(2)/SiC界面的影响,总结了近... 展开更多; 关键词 SIC 界面态密度沟道电子迁移率晶面选择氧化层制备工艺氧化后退火(POA); 在线阅读下载PDF 职称材料

题名碳化硅MOSFET反型沟道迁移率的研究: 1; 作者姬慧莲杨银堂郭中和柴常春李跃进; 机构西安电子科技大学; 出处《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2003年第4期66-69,共4页; 基金国家自然科学基金项目69776023 国教育部跨世纪人才基金资助项目; 文摘 SiCMOSFET是制作高速、低功耗开关功率器件的理想材料,然而,制作反型沟道迁移率较高的SiCMOSFET工艺尚未取得满意结果。通过在NO中高温退火可以显著地提高4H-SiCMOSFET的有效沟道迁移率;采用H2中退火制作的4H-SiCMOSFET阈值电压为3.1V,反型沟道迁移率高于100cm2/Vs的栅压的安全工作区较宽。N2O退火技术由于其的安全性而发展迅速并将取代NO。; 关键词碳化硅MOSFET 反型沟道迁移率阈值电压电子迁移率界面态; Keywords Silicon carbide,Interface state,Inversion channel mobility,Threshold voltage; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名沟道迁移率全球最高的碳化硅半导体在日本问世: 2; 出处《电子工业专用设备》 2004年第7期45-46,共2页; 文摘日本原子能研究所与独立行政法人产业技术综合研究所(以下简称产综研)，日前成功地联合开发出了采用碳化硅半导体底板的晶体管。作为晶体管性能指标的沟道迁移率(电子活动的难易度)。; 关键词沟道迁移率晶体管碳化硅半导体性能指标; 分类号 TN32 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiC/SiO_2界面的原子分辨率三维重构: 3; 作者刘培植许并社郭俊杰; 机构太原理工大学新材料工程研究中心太原理工大学教育部新材料界面与工程重点实验室; 出处《电子显微学报》 CAS CSCD 2015年第5期371-376,共6页; 基金山西省青年科技研究基金资助项目(No.2015021071) 山西省国际科技合作计划(No.2015081045); 文摘碳化硅(Si C)作为一种新型材料被广泛应用于高功率半导体器件中。目前的Si C基金属氧化物半导体场效应晶体管器件存在的主要问题是沟道电子迁移率低。Si C/Si O2界面处的过渡层被认为是造成沟道电子迁移率低的主要原因,但是该过渡层的原子结构尚不清楚。本文利用球差矫正扫描透射电子显微镜深入研究了Si C/Si O2的界面。以变聚焦序列技术得到了界面过渡层不同深度的原子分辨率断层扫描图像,用变聚焦序列图像重构了界面的原子分辨率三维结构。精确的界面原子结构表明Si C/Si O2界面处的过渡区是由于邻晶界面上台阶突起和微刻面构成的。它是界面原子尺度的粗糙度的反映。邻晶界面上的台阶突起和微刻面增加了电子在界面传输过程中的散射几率,造成了沟道电子迁移率过低。; 关键词扫描透射显微镜变聚焦图像序列三维重构界面沟道电子迁移率; Keywords STEM through-focal series 3D reconstruction interface channel electron mobility; 分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氮退火对SiC MOSFET静态电参数的影响被引量：1: 4; 作者高秀秀柯攀戴小平; 机构湖南国芯半导体科技有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第3期217-221,236,共6页; 基金湖南省科技创新计划项目(2018XK2202)。; 文摘为了研究栅氧化后退火工艺条件对金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)静态电参数的影响并分析实验数据,对栅氧化层采用不同温度、时间和气体进行氮退火,制备了n沟道4H-SiC双注入MOSFET(DIMOSFET)。对制备的DIMOSFET在结温25℃和175℃下进行了阈值电压和漏源电流的测试,并结合仿真探讨了SiC/SiO_(2)界面陷阱分布对25℃和175℃结温下阈值电压的影响以及沟道迁移率和库仑散射温度指数对漏源电流的影响。实验和仿真结果表明,随着NO退火温度的降低,漏源电流的温度系数由负转正,且沟道迁移率中库仑散射温度指数增加;高温N_(2)退火对静态电参数没有影响;界面空穴陷阱能级宽度对阈值电压的高温漂移量起主要作用;漏源电流随沟道迁移率的增加呈非线性增长。; 关键词 4H-SIC 双注入金属-氧化物-半导体场效应晶体管(DIMOSFET) 界面陷阱沟道迁移率库仑散射温度指数 TCAD仿真; Keywords 4H-SiC double implanted metal-oxide-semiconductor field effect transistor(DIMOSFET) interface trap channel mobility Coulomb scattering temperature index TCAD simulation; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiO_(2)/SiC界面工艺技术研究现状及新进展被引量：2: 5; 作者刘佳霖刘英坤; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第5期346-353,共8页; 文摘从SiO_(2)/SiC界面工艺技术角度着重介绍了其降低界面态密度、提升沟道电子迁移率及改善SiC MOSFET性能稳定性的机理,分析了国内外研究中有关SiC材料、SiC晶面、氧化层制备工艺和氧化后退火(POA)条件对SiO_(2)/SiC界面的影响,总结了近年来提升SiO_(2)/SiC界面性能的研究进展。最后分析了多种降低界面态密度的工艺方法及其优缺点,指出了未来通过结合这些工艺方法进一步改善界面质量的发展方向。; 关键词 SIC 界面态密度沟道电子迁移率晶面选择氧化层制备工艺氧化后退火(POA); Keywords SiC interface state density channel electron mobility crystal plane selection oxidation layer preparation process post-oxidation annealing(POA); 分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	碳化硅MOSFET反型沟道迁移率的研究	姬慧莲杨银堂郭中和柴常春李跃进	《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心	2003	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	沟道迁移率全球最高的碳化硅半导体在日本问世		《电子工业专用设备》	2004	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	SiC/SiO_2界面的原子分辨率三维重构	刘培植许并社郭俊杰	《电子显微学报》 CAS CSCD	2015	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	氮退火对SiC MOSFET静态电参数的影响	高秀秀柯攀戴小平	《半导体技术》 CAS 北大核心	2022	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	SiO_(2)/SiC界面工艺技术研究现状及新进展	刘佳霖刘英坤	《半导体技术》 CAS 北大核心	2022	2	在线阅读下载PDF 职称材料