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SiC/SiO_2界面的原子分辨率三维重构
1
作者
刘培植
许并社
郭俊杰
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2015年第5期371-376,共6页
碳化硅(Si C)作为一种新型材料被广泛应用于高功率半导体器件中。目前的Si C基金属氧化物半导体场效应晶体管器件存在的主要问题是沟道电子迁移率低。Si C/Si O2界面处的过渡层被认为是造成沟道电子迁移率低的主要原因,但是该过渡层的...
碳化硅(Si C)作为一种新型材料被广泛应用于高功率半导体器件中。目前的Si C基金属氧化物半导体场效应晶体管器件存在的主要问题是沟道电子迁移率低。Si C/Si O2界面处的过渡层被认为是造成沟道电子迁移率低的主要原因,但是该过渡层的原子结构尚不清楚。本文利用球差矫正扫描透射电子显微镜深入研究了Si C/Si O2的界面。以变聚焦序列技术得到了界面过渡层不同深度的原子分辨率断层扫描图像,用变聚焦序列图像重构了界面的原子分辨率三维结构。精确的界面原子结构表明Si C/Si O2界面处的过渡区是由于邻晶界面上台阶突起和微刻面构成的。它是界面原子尺度的粗糙度的反映。邻晶界面上的台阶突起和微刻面增加了电子在界面传输过程中的散射几率,造成了沟道电子迁移率过低。
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关键词
扫描透射显微镜
变聚焦图像序列
三维重构
界面
沟道电子迁移率
在线阅读
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职称材料
SiO_(2)/SiC界面工艺技术研究现状及新进展
被引量：
3
2
作者
刘佳霖
刘英坤
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第5期346-353,共8页
从SiO_(2)/SiC界面工艺技术角度着重介绍了其降低界面态密度、提升沟道电子迁移率及改善SiC MOSFET性能稳定性的机理,分析了国内外研究中有关SiC材料、SiC晶面、氧化层制备工艺和氧化后退火(POA)条件对SiO_(2)/SiC界面的影响,总结了近...
从SiO_(2)/SiC界面工艺技术角度着重介绍了其降低界面态密度、提升沟道电子迁移率及改善SiC MOSFET性能稳定性的机理,分析了国内外研究中有关SiC材料、SiC晶面、氧化层制备工艺和氧化后退火(POA)条件对SiO_(2)/SiC界面的影响,总结了近年来提升SiO_(2)/SiC界面性能的研究进展。最后分析了多种降低界面态密度的工艺方法及其优缺点,指出了未来通过结合这些工艺方法进一步改善界面质量的发展方向。
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关键词
SIC
界面态密度
沟道电子迁移率
晶面选择
氧化层制备工艺
氧化后退火(POA)
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职称材料
题名
SiC/SiO_2界面的原子分辨率三维重构
1
作者
刘培植
许并社
郭俊杰
机构
太原理工大学新材料工程研究中心
太原理工大学教育部新材料界面与工程重点实验室
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2015年第5期371-376,共6页
基金
山西省青年科技研究基金资助项目(No.2015021071)
山西省国际科技合作计划(No.2015081045)
文摘
碳化硅(Si C)作为一种新型材料被广泛应用于高功率半导体器件中。目前的Si C基金属氧化物半导体场效应晶体管器件存在的主要问题是沟道电子迁移率低。Si C/Si O2界面处的过渡层被认为是造成沟道电子迁移率低的主要原因,但是该过渡层的原子结构尚不清楚。本文利用球差矫正扫描透射电子显微镜深入研究了Si C/Si O2的界面。以变聚焦序列技术得到了界面过渡层不同深度的原子分辨率断层扫描图像,用变聚焦序列图像重构了界面的原子分辨率三维结构。精确的界面原子结构表明Si C/Si O2界面处的过渡区是由于邻晶界面上台阶突起和微刻面构成的。它是界面原子尺度的粗糙度的反映。邻晶界面上的台阶突起和微刻面增加了电子在界面传输过程中的散射几率,造成了沟道电子迁移率过低。
关键词
扫描透射显微镜
变聚焦图像序列
三维重构
界面
沟道电子迁移率
Keywords
STEM
through-focal series
3D reconstruction
interface
channel electron mobility
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
SiO_(2)/SiC界面工艺技术研究现状及新进展
被引量：
3
2
作者
刘佳霖
刘英坤
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第5期346-353,共8页
文摘
从SiO_(2)/SiC界面工艺技术角度着重介绍了其降低界面态密度、提升沟道电子迁移率及改善SiC MOSFET性能稳定性的机理,分析了国内外研究中有关SiC材料、SiC晶面、氧化层制备工艺和氧化后退火(POA)条件对SiO_(2)/SiC界面的影响,总结了近年来提升SiO_(2)/SiC界面性能的研究进展。最后分析了多种降低界面态密度的工艺方法及其优缺点,指出了未来通过结合这些工艺方法进一步改善界面质量的发展方向。
关键词
SIC
界面态密度
沟道电子迁移率
晶面选择
氧化层制备工艺
氧化后退火(POA)
Keywords
SiC
interface state density
channel electron mobility
crystal plane selection
oxidation layer preparation process
post-oxidation annealing(POA)
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SiC/SiO_2界面的原子分辨率三维重构
刘培植
许并社
郭俊杰
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2015
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
SiO_(2)/SiC界面工艺技术研究现状及新进展
刘佳霖
刘英坤
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022
3
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职称材料
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