喷雾热解法制备p型铟锡氧化物透明导电薄膜 被引量：7

1

作者 季振国 赵丽娜 +2 位作者 何作鹏 陈琛 周强 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期211-216,共6页

利用喷雾热解法制备了p型铟锡氧化物透明导电薄膜．主要研究了铟含量和热处理温度对薄膜的晶体结构、导电类型和载流子浓度以及光吸收特性等的影响．结果表明,当In／Sn 比较小时,薄膜为金红石结构的二氧化锡,导电类型为n型;当In／Sn比在... 利用喷雾热解法制备了p型铟锡氧化物透明导电薄膜．主要研究了铟含量和热处理温度对薄膜的晶体结构、导电类型和载流子浓度以及光吸收特性等的影响．结果表明,当In／Sn 比较小时,薄膜为金红石结构的二氧化锡,导电类型为n型;当In／Sn比在0．06-0．25范围内且热处理温度T≥600℃时,薄膜仍为金红石结构,但导电类型转为p型的;当In／Sn比超过 0．3时,薄膜中有立方相的In2Sn2O7-x生成,由于氧空位的存在,薄膜又转变为n型．因此要获得p型导电的铟锡氧化物薄膜,In／Sn比不宜过低,也不能过高．热处理温度对薄膜的导电类型也有影响,对于In／Sn=0．2的薄膜,温度低于550℃时薄膜为n型导电,但当热处理温度高于550℃时,由于In3+取代Sn4+,因此薄膜为p型导电．当热处理温度高于700℃时,薄膜中空穴浓度达到饱和数值为4×1018cm-3,与此同时,透射率在可见光范围内仍高达80％以上． 展开更多

关键词 铟锡氧化物 透明导电薄膜 p型导电 喷雾热解

在线阅读 下载PDF 职称材料

ITO沉积温度对ITO/Au透明导电薄膜光电性能的影响

2

作者 侯焕然 金扬利 +3 位作者 石晓飞 张运生 王衍行 祖成奎 《表面技术》 北大核心 2025年第4期233-241,261,共10页

目的研究衬底层ITO的沉积温度对ITO/Au透明导电薄膜光电性能的影响规律和机理。方法采用直流磁控溅射技术,在不同沉积温度下制备的ITO薄膜表面沉积超薄Au膜,利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、分光光度计、四探针电阻测试仪对ITO/Au薄... 目的研究衬底层ITO的沉积温度对ITO/Au透明导电薄膜光电性能的影响规律和机理。方法采用直流磁控溅射技术,在不同沉积温度下制备的ITO薄膜表面沉积超薄Au膜,利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、分光光度计、四探针电阻测试仪对ITO/Au薄膜的表面形貌、表面粗糙度、透光率及表面方阻进行表征和测试,分析ITO沉积温度对ITO/Au光电性能的影响机理。为了进一步理解超薄Au膜生长连续性改善的原因,通过几何平均法和算术平均法分别计算了ITO薄膜的表面自由能,分析了ITO薄膜表面自由能的改变对生长形貌的影响规律。结果在超薄Au膜镀制工艺相同的前提下,随着衬底层ITO薄膜沉积温度升高,ITO/Au薄膜的可见光平均透过率提升,表面方阻值降低。这是因为当沉积温度高于200℃时,ITO薄膜发生多晶化转变,多晶态的ITO相较于非结晶态具有更高的表面自由能,更有利于超薄Au膜的铺展,进而提升ITO/Au薄膜的光电性能。当ITO沉积温度提升至300℃时,ITO薄膜的表面自由能几何平均法计算结果为45.2 mJ/m^(2),算术平均法计算结果为48.1 mJ/m^(2),在其表面沉积超薄Au膜后,制备了可见光平均透过率为47.5%、表面方阻为5.65Ω/sq,高光电性能兼容的ITO/Au薄膜。结论提高衬底层ITO薄膜的沉积温度,ITO薄膜发生多晶化转变,表面自由能提升,可有效促进超薄Au膜在其表面铺展,进而提升ITO/Au薄膜的光电性能。 展开更多

关键词 沉积温度 氧化铟锡 超薄金膜 透明导电薄膜 磁控溅射 光电性能 表面自由能

在线阅读 下载PDF 职称材料

ITO导电玻璃表面直接电沉积Au的机理 被引量：9

3

作者 汤儆 田晓春 +2 位作者 周富庆 刘跃强 林建航 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第3期641-646,共6页

用循环伏安和电位阶跃法研究Au在氧化铟锡(ITO)透明导电膜玻璃表面的电沉积过程的初期阶段.发现在ITO表面Au的电沉积经历成核过程以及受[AuCl4]-扩散控制的晶核生长过程.通过改变扫描速率分析循环伏安曲线的变化,当扫描速率较快时,发现A... 用循环伏安和电位阶跃法研究Au在氧化铟锡(ITO)透明导电膜玻璃表面的电沉积过程的初期阶段.发现在ITO表面Au的电沉积经历成核过程以及受[AuCl4]-扩散控制的晶核生长过程.通过改变扫描速率分析循环伏安曲线的变化,当扫描速率较快时,发现Au在ITO表面的沉积过程经历[AuCl4]-→[AuCl2]-→Au两步进行;当扫描速率较慢时,受歧化反应作用影响而只表现为一步沉积[AuCl4]-→Au.通过电位阶跃实验,验证了Au的两步沉积过程,并求得[AuCl4]-的扩散系数为1.3×10-5cm2·s-1.将成核曲线与理论曲线对照,得出Au在ITO表面的沉积符合瞬时成核理论.通过场发射扫描电镜(FE-SEM)对Au核形貌进行分析,根据扫描电镜图可以得到阶跃时间和阶跃电位对电沉积Au的形貌的影响. 展开更多

关键词 氧化铟锡导电玻璃 金纳米粒子 电沉积 成核机理

在线阅读 下载PDF 职称材料

ITO透明导电薄膜的制备及光电特性研究 被引量：15

4

作者 陶海华 姚宁 +2 位作者 辛荣生 边超 张兵临 《郑州大学学报（理学版）》 CAS 2003年第4期37-40,共4页

论述了高温直流磁控反应溅射法制备ITO透明导电薄膜时氧分压、溅射气压和溅射电流等参数对其光电特性的影响 .当氧分压、溅射气压和溅射电流过高或过低时 ,会导致金属In ,InO ,SnO和Sn3 O4等物质以及晶体缺陷的生成 ,从而降低ITO薄膜的... 论述了高温直流磁控反应溅射法制备ITO透明导电薄膜时氧分压、溅射气压和溅射电流等参数对其光电特性的影响 .当氧分压、溅射气压和溅射电流过高或过低时 ,会导致金属In ,InO ,SnO和Sn3 O4等物质以及晶体缺陷的生成 ,从而降低ITO薄膜的导电性或可见光透过率 ,甚至同时降低其光电性能 .实验结果表明 ,当Ar流量为 4 0 2cm3 ·min-1、温度为 36 0℃和旋转溅射时间为 90min等参数保持不变时 ,ITO薄膜光电特性最佳溅射参数的氧流量为 0 4 2cm3 ·min-1,溅射气压为 0 5Pa ,溅射电流 0 3A(溅射电压约为 2 4 5V ) ,所得薄膜的方块电阻为 5 7Ω、波长为 5 5 0nm的绿光透过率达到 88 6 % (洁净玻璃基底的绿光透光率为 91 6 % ) . 展开更多

关键词 ITO透明导电薄膜 制备 光电特性 直流磁控反应溅射法 透过率 氧化铟锡

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于有机电致发光显示的透明导电膜ITO 被引量：12

5

作者 占红明 饶海波 张化福 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第5期386-390,共5页

介绍了ITO作为OLED器件阳电极时,ITO各参数对OLED整体性能,如发光亮度、效率、寿命和稳定性的影响,并以溅射ITO工艺为例,分析了制备与处理环境对ITO的方阻、透过率、表面平整度及功函数的影响。针对其成因,提出了一些改进措施。对高性... 介绍了ITO作为OLED器件阳电极时,ITO各参数对OLED整体性能,如发光亮度、效率、寿命和稳定性的影响,并以溅射ITO工艺为例,分析了制备与处理环境对ITO的方阻、透过率、表面平整度及功函数的影响。针对其成因,提出了一些改进措施。对高性能平板显示OLED器件用透明导电阳极的研制具有一定的参考价值。 展开更多

关键词 铟锡氧化物膜 有机电致发光显示 透明导电膜 荧光寿命 表面平整度 透过率

在线阅读 下载PDF 职称材料

用动态变化的电子束蒸发工艺制备优质ITO透明导电膜 被引量：5

6

作者 林揆训 林璇英 +1 位作者 符史流 陈家宜 《功能材料》 EI CAS CSCD 1993年第5期407-411,共5页

在分析用电子束蒸发制备铟锡氧化物(ITO)透明导电膜的静态工艺流程的基础上,提出了多种参数同步变化的动态工艺流程。用这种新颖的工艺流程制备了优质的ITO透明导电膜,方块电阻为5Ω时,透光率大于90％,并对静态、动态和退火工艺的实验... 在分析用电子束蒸发制备铟锡氧化物(ITO)透明导电膜的静态工艺流程的基础上,提出了多种参数同步变化的动态工艺流程。用这种新颖的工艺流程制备了优质的ITO透明导电膜,方块电阻为5Ω时,透光率大于90％,并对静态、动态和退火工艺的实验结果进行了综合分析。实验结果和理论分析表明,动态变化的电子束蒸发工艺是制备优质ITO透明导电膜的有效方法。 展开更多

关键词 铟锡氧化物 透明导电膜 电子束

在线阅读 下载PDF 职称材料

航空透明件导电膜用纳米耐磨保护涂层研究 被引量：2

7

作者 哈恩华 纪建超 +1 位作者 孙士彬 钟艳莉 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期859-863,共5页

采用磁控溅射法在涂覆有底涂层的有机玻璃上制备氧化铟锡薄膜,并将光固化纳米复合涂层涂覆薄膜表面,测试了纳米复合涂层的分散性和体积收缩率以及导电膜系的耐高低温性能、硬度和耐磨性等性能。结果表明,经过硅烷偶联剂处理的纳米二氧... 采用磁控溅射法在涂覆有底涂层的有机玻璃上制备氧化铟锡薄膜,并将光固化纳米复合涂层涂覆薄膜表面,测试了纳米复合涂层的分散性和体积收缩率以及导电膜系的耐高低温性能、硬度和耐磨性等性能。结果表明,经过硅烷偶联剂处理的纳米二氧化硅粒子在涂层中具有很好的分散性;纳米复合涂层的体积收缩率比未添加纳米粒子的基体样品降低52%;导电膜的表面涂覆该涂层后当纳米含量SiO2为5%(质量分数)时,其硬度可达到3H,耐磨性提高了67%。 展开更多

关键词 航空透明件 磁控溅射 氧化铟锡 导电膜 耐磨涂层

在线阅读 下载PDF 职称材料

高迁移率透明导电In_2O_3:Mo薄膜 被引量：11

8

作者 李喜峰 缪维娜 +3 位作者 张群 黄丽 章壮健 华中一 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期142-145,149,共5页

用直流磁控溅射法成功制备了高价态差掺钼氧化铟(IMO)透明导电薄膜。研究了氧分压,基板温度以及溅射电流对IMO薄膜结构和性能的影响。获得的IMO薄膜的最低电阻率为3.65×10-4Ω·cm,载流子迁移率高达50cm2V-1s-1,可见光区域的... 用直流磁控溅射法成功制备了高价态差掺钼氧化铟(IMO)透明导电薄膜。研究了氧分压,基板温度以及溅射电流对IMO薄膜结构和性能的影响。获得的IMO薄膜的最低电阻率为3.65×10-4Ω·cm,载流子迁移率高达50cm2V-1s-1,可见光区域的平均透射率(含玻璃基底)高于80%。X ray衍射(XRD)研究表明IMO薄膜具有良好的结晶性。分析认为IMO薄膜的载流子迁移率主要受晶界散射的控制。 展开更多

关键词 IN2O3 载流子迁移率 直流磁控溅射法 Mo 透明导电薄膜 掺钼氧化铟 结构和性能 IMO 基板温度 低电阻率 玻璃基底 可见光区 氧分压 透射率 结晶性 cm 散射

在线阅读 下载PDF 职称材料

光电子器件用透明导电膜 被引量：2

9

作者 顾培夫 刘旭 +2 位作者 郑志东 李海峰 唐晋发 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1995年第5期33-35,共3页

本文介绍了低电阻率的铟锡氧化物（ＩＴＯ）透明导电膜的机理、制备及实验结果，并对某些参数在电阻率和透射率方面的影响作了讨论。

关键词 透明导电膜 铟锡氧化物 电阻率

在线阅读 下载PDF 职称材料

臭氧在热反应蒸发法低温制备透明导电薄膜IMO中的作用 被引量：2

10

作者 孟扬 杨锡良 +4 位作者 陈华仙 沈杰 蒋益明 章壮健 华中一 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2001年第4期259-262,268,共5页

虽然采用常规的热反应蒸发法就可以在约 35 0℃的玻璃基底上制备出性能优良的In2 O3∶Mo(IMO)薄膜 ,但是随着基底温度的降低 ,IMO薄膜的电导率和可见光透射比都迅速减小。通过高频放电在反应气体中加入O3 后 ,可以在室温下将In充分氧化... 虽然采用常规的热反应蒸发法就可以在约 35 0℃的玻璃基底上制备出性能优良的In2 O3∶Mo(IMO)薄膜 ,但是随着基底温度的降低 ,IMO薄膜的电导率和可见光透射比都迅速减小。通过高频放电在反应气体中加入O3 后 ,可以在室温下将In充分氧化成In2 O3,极大地改善了IMO薄膜的透明性。而且 ,IMO薄膜的结晶程度也得到了小幅度提高 ,这有利于提高薄膜电导率。在不加热基底的情况下 (约 30℃ ) ,制备的约 40 0nm厚的IMO薄膜的电阻率小于 5× 10 - 2 Ω·cm ;在基底温度为10 0℃时电阻率可以小于 2× 10 - 3 Ω·cm ;同时它们在可见光区域的总平均透射比 (含 1 2mm厚载玻片基底 )都超过 0 8。 展开更多

关键词 透明导电薄膜 掺钼氧化铟 热反应蒸发 臭氧 制备 玻璃基底 电阻率 透射比

在线阅读 下载PDF 职称材料

柔性透明ITO导电聚酰亚胺薄膜的制备及光电性能 被引量：3

11

作者 陈琳 张宇菲 +5 位作者 冯洋 张士红 刘彦廷 朱秀慧 张焜 贾敏 《塑料工业》 CAS CSCD 北大核心 2021年第9期148-153,共6页

采用透明聚酰亚胺薄膜作为柔性衬底材料,通过射频磁控溅射法制备了不同氧化铟锡(ITO)厚度的柔性透明导电聚酰亚胺薄膜。对导电聚酰亚胺薄膜的透光率、方块电阻、禁带宽度、结晶结构及表面形貌等进行表征分析,系统研究了ITO厚度的影响规... 采用透明聚酰亚胺薄膜作为柔性衬底材料,通过射频磁控溅射法制备了不同氧化铟锡(ITO)厚度的柔性透明导电聚酰亚胺薄膜。对导电聚酰亚胺薄膜的透光率、方块电阻、禁带宽度、结晶结构及表面形貌等进行表征分析,系统研究了ITO厚度的影响规律。结果表明,柔性透明导电聚酰亚胺薄膜具有优异的表面平整性和柔韧性;ITO沉积厚度和生长机制会对导电薄膜的光电性能和结构形貌产生重要影响,且透光和导电性与结晶、表面形貌的变化密切相关。当ITO厚度为180 nm时,导电聚酰亚胺薄膜在550 nm的透过率为87.4%,方块电阻低至14.3 kΩ/□。研究结果对制备光电性能优良的柔性电极材料具有重要意义。 展开更多

关键词 导电聚酰亚胺薄膜 柔性衬底 氧化铟锡 透明性 导电性

在线阅读 下载PDF 职称材料

铟锡氧化物及其应用 被引量：22

12

作者 何小虎 韦莉 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 2003年第4期51-55,57,共6页

简述了ITO粉末、ITO靶材、ITO透明导电薄膜的生产工艺、性质及用途,并介绍了国内外有关资源储量、生产和消费市场情况。

关键词 ITO粉末 靶材 透明导电薄膜 铟锡氧化物 生产工艺

在线阅读 下载PDF 职称材料

氧化铟锡薄膜电阻温度曲线中的滞后现象

13

作者 李文杰 方辉 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期648-650,共3页

用电子束蒸发技术在玻璃衬底上制备氧化铟锡薄膜,并在500℃下氮气氛围中退火1h.将退火后的薄膜用光刻技术形成一个M型规则线图,并记录连续4轮由室温升至400℃,接着降至室温过程中样品的电阻变化.测量数据显示,电阻温度曲线在温度上升和... 用电子束蒸发技术在玻璃衬底上制备氧化铟锡薄膜,并在500℃下氮气氛围中退火1h.将退火后的薄膜用光刻技术形成一个M型规则线图,并记录连续4轮由室温升至400℃,接着降至室温过程中样品的电阻变化.测量数据显示,电阻温度曲线在温度上升和下降阶段存在滞后现象.结合半导体载流子输运理论建立模型,与降温实验数据拟合程度很好,但当用来解释升温数据时却存在明显的偏差.由降温过程的数据计算得到氧化铟锡的电阻温度系数在温度大于380℃后趋于+1.393×10-3/℃,同时给出了氧化铟锡薄膜的激活能. 展开更多

关键词 氧化铟锡 电阻温度系数 压电电阻 滞后现象 透明导电氧化物

在线阅读 下载PDF 职称材料

ITO/Al复合透明导电薄膜对紫外LED光电性能的提升 被引量：2

14

作者 王雪 崔志勇 +5 位作者 王兵 薛建凯 张向鹏 段瑞飞 曾一平 李晋闽 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第9期680-684,共5页

通过在氧化铟锡(ITO)薄膜上蒸镀金属Al,获得ITO/Al复合透明导电薄膜,研究了不同退火条件下不同Al金属层厚度的复合透明导电薄膜的方块电阻和在紫外波段的透过率。结果表明,在ITO薄膜上蒸镀2 nm厚的Al层,经550℃退火后,金属Al在ITO薄膜... 通过在氧化铟锡(ITO)薄膜上蒸镀金属Al,获得ITO/Al复合透明导电薄膜,研究了不同退火条件下不同Al金属层厚度的复合透明导电薄膜的方块电阻和在紫外波段的透过率。结果表明,在ITO薄膜上蒸镀2 nm厚的Al层,经550℃退火后,金属Al在ITO薄膜上形成粒径约为10 nm的颗粒,增加了薄膜表面的粗糙度,得到的复合透明导电薄膜的方块电阻和在紫外波段透过率的综合性能最佳,在360~410 nm波长的平均透过率大于95%,且方块电阻为22.8Ω/□。采用ITO/Al(100 nm/2 nm)复合透明导电薄膜制备了390 nm紫外发光二极管(LED)芯片(尺寸为325μm×275μm),与用ITO薄膜制备的LED芯片相比,其光电转换效率提升了约3%,饱和电流提升了15.00%,饱和光功率提升了15.04%。研究结果表明,采用ITO/Al复合透明导电薄膜可有效提升紫外LED的光电性能。 展开更多

关键词 氧化铟锡(ITO) ITO/Al 透明导电膜 紫外发光二极管(LED) 光电性能

在线阅读 下载PDF 职称材料

乐凯银盐法透明导电膜研发成功

15

《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期123-123,共1页

乐凯公司历经1年多的研究开发，利用银盐胶片制造技术，创新性地研制出一种聚酯（PET）透明导电膜，并申请了国际专利，打破了国外产品的垄断。中国工程院院士、中国乐凯胶片集团公司首席专家邹竞表示，乐凯自主研发的银盐法透明导电膜... 乐凯公司历经1年多的研究开发，利用银盐胶片制造技术，创新性地研制出一种聚酯（PET）透明导电膜，并申请了国际专利，打破了国外产品的垄断。中国工程院院士、中国乐凯胶片集团公司首席专家邹竞表示，乐凯自主研发的银盐法透明导电膜与市场主流产品铟锡氧化物（ITO）导电膜相比，节约了大量铟，因而制造成本更低，且性能更高、应用范围更广。 展开更多

关键词 透明导电膜 乐凯公司 自主研发 银盐法 中国乐凯胶片集团公司 中国工程院院士 铟锡氧化物 国外产品

在线阅读 下载PDF 职称材料

3-氨基苯硼酸-苯胺在ITO玻璃上的电聚合及对维生素C的光学响应 被引量：1

16

作者 陶建中 王爱荣 +2 位作者 姚树文 陈新娜 张裕平 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1129-1132,共4页

在硫酸介质中，以氧化铟锡（IT0）透明导电玻璃为载体，利用循环伏安法制备3-氨基苯硼酸-苯胺共聚物膜，研究了该薄膜对维生素C（AA）的光学响应。结果表明，利用电聚合方法可在ITO玻璃表面形成均匀致密的蓝色3-氨基苯硼酸-苯胺共聚物... 在硫酸介质中，以氧化铟锡（IT0）透明导电玻璃为载体，利用循环伏安法制备3-氨基苯硼酸-苯胺共聚物膜，研究了该薄膜对维生素C（AA）的光学响应。结果表明，利用电聚合方法可在ITO玻璃表面形成均匀致密的蓝色3-氨基苯硼酸-苯胺共聚物薄膜，薄膜的厚度可通过控制电位循环圈数来进行调节，薄膜使用后可用恒电位法和循环伏安法进行再生；在3％RAc介质中，在2．0—17．5mg·L-1范围内薄膜对从浓度的变化产生灵敏的光学响应，且在480-750nm波长范围内随着波长的增加响应的灵敏度增加。 展开更多

关键词 3-氨基苯硼酸 苯胺 功能材料 氧化铟锡透明导电玻璃(FTP)维生素C

在线阅读 下载PDF 职称材料

ITO玻璃在线等离子体清洗的研究 被引量：3

17

作者 吴桂初 王德苗 +1 位作者 任高潮 陈抗生 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2001年第6期499-500,共2页

通过在线等离子体清洗的玻璃基片表面沉积的ITO (或SiO2 )膜 ,不仅具有优良的光电特性 ,而且提高了膜层在基片上的附着力。与未经在线等离子体清洗的基片沉积的ITO膜相比 ,膜层附着力提高了 3.5倍。此项成果已在ITO膜透明导电玻璃连续... 通过在线等离子体清洗的玻璃基片表面沉积的ITO (或SiO2 )膜 ,不仅具有优良的光电特性 ,而且提高了膜层在基片上的附着力。与未经在线等离子体清洗的基片沉积的ITO膜相比 ,膜层附着力提高了 3.5倍。此项成果已在ITO膜透明导电玻璃连续生产线上得到应用。 展开更多

关键词 等离子体 表面处理 ITO膜 附着力 氧化铟锡膜 导电玻璃 液晶显示器 导电电极 制备

在线阅读 下载PDF 职称材料

高性能银纳米线离子液体凝胶复合柔性透明电极研究获新进展

18

《黄金科学技术》 CSCD 2016年第3期110-110,共1页

柔性透明电极在电子与光电子产业的发展中占有举足轻重的地位,是制备众多电子与光电子元器件不可缺少的光电功能材料。目前,柔性透明电极主要是在透明有机聚合物基底上,采用溶胶-凝胶、化学气相沉积、真空蒸发沉积、溅射沉积、脉冲激光... 柔性透明电极在电子与光电子产业的发展中占有举足轻重的地位,是制备众多电子与光电子元器件不可缺少的光电功能材料。目前,柔性透明电极主要是在透明有机聚合物基底上,采用溶胶-凝胶、化学气相沉积、真空蒸发沉积、溅射沉积、脉冲激光沉积等方法引入氧化铟锡（ITO）导电薄膜。但是,该方法存在致命弱点：（1）金属铟面临资源枯竭;（2）制备工艺昂贵且需要高温。 展开更多

关键词 银纳米 透明电极 化学气相沉积 溅射沉积 导电薄膜 脉冲激光沉积 有机聚合物 氧化铟锡 光电功能材料 光电子产业

在线阅读 下载PDF 职称材料

聚邻甲氧基苯胺薄膜对pH的光学响应 被引量：1

19

作者 陶建中 王爱荣 +3 位作者 许光日 汤波 徐珍 张裕平 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1241-1243,共3页

　　在盐酸介质中,应用循环伏安法通过电聚合在氧化铟锡（ITO）透明导电玻璃上形成聚邻甲氧基苯胺薄膜。用紫外可见光谱方法测定了聚合物薄膜在不同pH下的特征吸收光谱,聚邻甲氧基苯胺薄膜的λmax在557～746nm之间,作出了相应的滴定曲... 　　在盐酸介质中,应用循环伏安法通过电聚合在氧化铟锡（ITO）透明导电玻璃上形成聚邻甲氧基苯胺薄膜。用紫外可见光谱方法测定了聚合物薄膜在不同pH下的特征吸收光谱,聚邻甲氧基苯胺薄膜的λmax在557～746nm之间,作出了相应的滴定曲线。结果表明,在pH为1～12范围内聚合物薄膜对pH的变化表现了极高的光学敏感性,其表观pKa约为6.4。应用聚邻甲氧基苯胺薄膜测定了不同pH的溶液,其测定结果与精密酸度计相比误差〈±4%。 展开更多

关键词 氧化铟锡透明导电玻璃 电聚合 聚邻甲氧基苯胺 光学pH传感器

在线阅读 下载PDF 职称材料

热处理温度对ITO薄膜组织与光电性能的影响 被引量：3

20

作者 杨觉明 张康虎 +2 位作者 余申卫 余萍 张海礁 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2004年第12期26-28,共3页

采用溶胶-凝胶工艺制备出纳米晶ITO透明导电薄膜。采用XRD和SEM分析了薄膜物相和显微形貌。采用面电阻仪和分光光度计测量了薄膜方阻和透光率。实验结果表明,随热处理温度升高,晶化趋于完整,组织逐渐均匀致密,晶粒有所长大,700℃热处理... 采用溶胶-凝胶工艺制备出纳米晶ITO透明导电薄膜。采用XRD和SEM分析了薄膜物相和显微形貌。采用面电阻仪和分光光度计测量了薄膜方阻和透光率。实验结果表明,随热处理温度升高,晶化趋于完整,组织逐渐均匀致密,晶粒有所长大,700℃热处理时薄膜完全晶化。另外,随热处理温度升高,方阻减小而透光率增加。经过700℃热处理,厚度400nm的ITO膜的方阻约300Ω/□,透光率>80%。 展开更多

关键词 铟锡氧化物 溶解-凝胶工艺 透明导电膜 方阻 透光率

在线阅读 下载PDF 职称材料