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氢稀释对nc-Si∶H薄膜结构和光致发光的影响被引量：3: 1; 作者张一轲郝惠莲 +1 位作者吴兆坤于潇洋《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第11期717-723,共7页; 基于X射线衍射仪、喇曼散射、光致发光(PL)和傅里叶红外吸收光谱等技术,详细研究了氢稀释比对纳米晶硅(nc-Si∶H)薄膜结构和光致发光性能的影响。随着氢稀释比的增加,所沉积薄膜的纳米晶硅尺寸单调减小,而晶化率提高。键合结构分析表明... 展开更多; 关键词氢化纳米晶硅薄膜氢稀释比微观结构光致发光(PL) 晶化率量子限制效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

燃料电池系统氢稀释器的结构设计与仿真: 2; 作者李亚超何雍 +1 位作者吴兵王鸿鹄《上海汽车》 2012年第10期3-6,共4页; 间歇式排氢法能有效地解决燃料电池电堆内部的堵水问题,但会导致尾排气体中氢浓度超标。具有前低后高挡板式内部结构的氢稀释器采用纯物理方法进行氢气稀释,具有效果明显、安全可靠、占用空间小等优点。基于CFD的氢稀释器三维仿真模型... 展开更多; 关键词氢稀释器间歇排氢燃料电池汽车; 在线阅读下载PDF 职称材料

氢稀释制备的非晶碳膜的绿光和蓝光发射: 3; 作者黄晓辉徐骏 +2 位作者李伟王立陈坤基《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期334-338,共5页; 在电容耦合式ＰＥＣＶＤ系统中，以ＣＨ４和Ｈ２为气源，通过控制Ｈ２的流量制备了一系列氢化非晶碳膜（ａ－Ｃ：Ｈ）样品。利用傅里叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）、光致发光谱（ＰＬ）和吸收谱对ａ－Ｃ：Ｈ膜的结构及光学性质进行了... 展开更多; 关键词氢稀释非晶碳光致发光制备薄膜绿光发射蓝光发射; 在线阅读下载PDF 职称材料

H_2稀释在PECVD法制备微晶硅薄膜中的影响被引量：3: 4; 作者王生钊卢景霄 +5 位作者王红娟刘萍陈永生张丽伟杨仕娥郜小勇《可再生能源》 CAS 2006年第4期18-20,共3页; 利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术,研究了H稀释度D=H 2/(H 2+SiH 4)对在玻璃和不锈钢衬底上低温制备微晶硅薄膜的晶化率、晶粒尺寸、薄膜质量等的影响。结果表明,随着硅烷浓度的降低,样品的晶化率、晶粒尺寸有所改变。当D=99%时,... 展开更多; 关键词 PECVD 氢稀释微晶硅薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

H_2稀释比对RF-PECVD制备a-Si:H/nc-Si:H薄膜的光电特性的影响被引量：3: 5; 作者程自亮蒋向东 +2 位作者王继岷刘韦颖连雪艳《电子器件》 CAS 北大核心 2015年第3期485-488,共4页; 研究了H2稀释比对a-Si:H/nc-Si:H薄膜光电特性及微结构的影响。采用RF-PECVD法,以高纯Si H4及H2/Si H4混合气体为反应气源交替反应制备样品,并通过紫外-可见光分光光度计、椭偏仪及Keithley 4200、XRD对样品进行分析测试。实验表明:在... 展开更多; 关键词 a-Si:H/nc-Si:H 氢稀释 RF-PECVD(射频等离子体化学气相沉积) 光电性能生长机理; 在线阅读下载PDF 职称材料

氢化非晶碳膜的低阈值场发射: 6; 作者黄晓辉徐骏 +3 位作者李伟王立徐岭陈坤基《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期473-475,共3页; 在等离子增强气相化学沉积 (PECVD)系统中 ,利用氢稀释方法制备了氢化非晶碳 (a-C∶ H)薄膜样品。在高真空腔中测量了样品的场发射特性。与用纯甲烷 (CH4 )制备的 a-C∶H薄膜样品相比 ,经过氢稀释处理的样品场发射开启电场明显下降 ,达... 展开更多; 关键词场发射非晶碳氢稀释; 在线阅读下载PDF 职称材料

双纳米硅p层优化非晶硅太阳能电池被引量：3: 7; 作者刘石勇曾湘波 +5 位作者彭文博姚文杰谢小兵杨萍王超王占国《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期5-7,13,共4页; 采用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)技术在高功率密度、高反应气压和低衬底温度下制备出不同氢稀释比RH的硅薄膜。高分辨透射电镜(High-Resolution Transmission ElectronMicroscopy,HRTEM... 展开更多; 关键词纳米硅氢稀释比光学带隙; 在线阅读下载PDF 职称材料

PECVD法制备纳米晶硅薄膜的研究进展: 8; 作者何佳邱海宁郑祺《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第7期478-482,共5页; 简要介绍了纳米晶硅薄膜的微结构表征方法,重点讨论了PECVD制备方法中工艺参数对薄膜结构的影响,并探讨了氢在薄膜形成和生长中的作用。通过优化氢稀释率、衬底温度、反应气压、激励功率和激发频率等工艺参数可提高纳米晶硅薄膜的晶化... 展开更多; 关键词纳米晶硅薄膜等离子体化学气相沉积(PECVD) 微结构高氢稀释晶化率; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氢稀释对nc-Si∶H薄膜结构和光致发光的影响被引量：3: 1; 作者张一轲郝惠莲吴兆坤于潇洋; 机构上海工程技术大学材料工程学院; 出处《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第11期717-723,共7页; 基金上海市大学生创新训练项目(csl305009); 文摘基于X射线衍射仪、喇曼散射、光致发光(PL)和傅里叶红外吸收光谱等技术,详细研究了氢稀释比对纳米晶硅(nc-Si∶H)薄膜结构和光致发光性能的影响。随着氢稀释比的增加,所沉积薄膜的纳米晶硅尺寸单调减小,而晶化率提高。键合结构分析表明,随着氢稀释比增加,nc-Si∶H薄膜中氢含量和Si—H键密度均减小。综合在不同氢稀释比下纳米晶硅尺寸变化、PL峰位移动及PL峰强度变化等特征,nc-Si∶H室温PL光谱被归因于纳米晶硅的量子限制效应。当氢稀释比由96%增大至97%时,氢的钝化作用使PL峰强度升高;当进一步增加氢稀释比至98.5%时,由于H2的生成,使氢的钝化效果显著降低,导致PL峰强度降低。; 关键词氢化纳米晶硅薄膜氢稀释比微观结构光致发光(PL) 晶化率量子限制效应; Keywords nc-Si ： H thin film hydrogen dilution ratio microstructure photoluminescence （PL） crystallization rate quantum confinement effect; 分类号 O472.3 [理学—半导体物理] O482.31 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名燃料电池系统氢稀释器的结构设计与仿真: 2; 作者李亚超何雍吴兵王鸿鹄; 机构上海汽车集团股份有限公司; 出处《上海汽车》 2012年第10期3-6,共4页; 文摘间歇式排氢法能有效地解决燃料电池电堆内部的堵水问题,但会导致尾排气体中氢浓度超标。具有前低后高挡板式内部结构的氢稀释器采用纯物理方法进行氢气稀释,具有效果明显、安全可靠、占用空间小等优点。基于CFD的氢稀释器三维仿真模型结果表明,该稀释器能够成功达到降低尾气中氢浓度的要求,为实际的工程应用提供了理论指导。; 关键词氢稀释器间歇排氢燃料电池汽车; 分类号 TM911.4 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氢稀释制备的非晶碳膜的绿光和蓝光发射: 3; 作者黄晓辉徐骏李伟王立陈坤基; 机构南京大学物理系固体微结构国家重点实验室; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期334-338,共5页; 基金国家自然科学基金(59802004) 江苏省自然科学基金(BK99047)资助项目; 文摘在电容耦合式ＰＥＣＶＤ系统中，以ＣＨ４和Ｈ２为气源，通过控制Ｈ２的流量制备了一系列氢化非晶碳膜（ａ－Ｃ：Ｈ）样品。利用傅里叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）、光致发光谱（ＰＬ）和吸收谱对ａ－Ｃ：Ｈ膜的结构及光学性质进行了研究。结果表明：氢稀释可以在一定程度上减少碳的ｓｐ２团簇的形成，增大它的光学带隙，并改变薄膜的微结构。与此同时，光致发光峰随着光学带隙的增大而蓝移；当光学带隙增大２．７２ｅＶ时，出现了２．４ｅＶ（绿光）和２．９７ｅＶ（蓝光）组成的发光峰。; 关键词氢稀释非晶碳光致发光制备薄膜绿光发射蓝光发射; Keywords hydrogen dilution amorphous carbon photoluminescence; 分类号 O484.41 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名H_2稀释在PECVD法制备微晶硅薄膜中的影响被引量：3: 4; 作者王生钊卢景霄王红娟刘萍陈永生张丽伟杨仕娥郜小勇; 机构郑州大学教育部材料物理重点实验室; 出处《可再生能源》 CAS 2006年第4期18-20,共3页; 文摘利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术,研究了H稀释度D=H 2/(H 2+SiH 4)对在玻璃和不锈钢衬底上低温制备微晶硅薄膜的晶化率、晶粒尺寸、薄膜质量等的影响。结果表明,随着硅烷浓度的降低,样品的晶化率、晶粒尺寸有所改变。当D=99%时,晶粒突然变大,晶化率显著提高。因此,我们认为此时的硅薄膜由非晶硅转化为微晶硅。; 关键词 PECVD 氢稀释微晶硅薄膜; Keywords plasma enhanced chemical vapor deposition （PECVD） H2 dilution microcrystalline silicon; 分类号 TM914.42 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名H_2稀释比对RF-PECVD制备a-Si:H/nc-Si:H薄膜的光电特性的影响被引量：3: 5; 作者程自亮蒋向东王继岷刘韦颖连雪艳; 机构电子科技大学光电信息学院; 出处《电子器件》 CAS 北大核心 2015年第3期485-488,共4页; 文摘研究了H2稀释比对a-Si:H/nc-Si:H薄膜光电特性及微结构的影响。采用RF-PECVD法,以高纯Si H4及H2/Si H4混合气体为反应气源交替反应制备样品,并通过紫外-可见光分光光度计、椭偏仪及Keithley 4200、XRD对样品进行分析测试。实验表明:在纳米级厚度的a-Si:H薄膜基础上,随着第二反应气H2/Si H4混合气中H2比率(99%、97%、95%、92%、80%)的升高,沉积速率持续下降,薄膜消光系数、禁带宽度以及电导率呈现先增大后减小的趋势。针对实验现象,结合薄膜生长机理对实验结果原因进行了分析。; 关键词 a-Si:H/nc-Si:H 氢稀释 RF-PECVD(射频等离子体化学气相沉积) 光电性能生长机理; Keywords a-Si： H / nc-Si： H Hydrogen dilution RF-PECVD optical and electronical properties growing mechanis; 分类号 TB742 [一般工业技术—材料科学与工程] O756 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氢化非晶碳膜的低阈值场发射: 6; 作者黄晓辉徐骏李伟王立徐岭陈坤基; 机构南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期473-475,共3页; 基金国家自然科学基金 (批准号 5 980 2 0 0 4) 江苏省自然科学基金 (批准号 BK2 0 0 2 40 7); 文摘在等离子增强气相化学沉积 (PECVD)系统中 ,利用氢稀释方法制备了氢化非晶碳 (a-C∶ H)薄膜样品。在高真空腔中测量了样品的场发射特性。与用纯甲烷 (CH4 )制备的 a-C∶H薄膜样品相比 ,经过氢稀释处理的样品场发射开启电场明显下降 ,达到 0 .5 V/μm。认为是样品的场增强因子的增大改善了样品的场发射特性 ,这种场增强可能来源于碳膜中电子结构的各相异性和碳膜表面氢终结的增加。; 关键词场发射非晶碳氢稀释; Keywords field emission amorphous carbon hydrogen dilution; 分类号 O427.4 [理学—声学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名双纳米硅p层优化非晶硅太阳能电池被引量：3: 7; 作者刘石勇曾湘波彭文博姚文杰谢小兵杨萍王超王占国; 机构中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室; 出处《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期5-7,13,共4页; 基金国家重点基础研究发展计划资助项目(2006CB202604) 国家自然科学基金资助项目(60576036) 中国科学院知识创新工程重要方向资助项目(1KGCX2-YW-383-1); 文摘采用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)技术在高功率密度、高反应气压和低衬底温度下制备出不同氢稀释比RH的硅薄膜。高分辨透射电镜(High-Resolution Transmission ElectronMicroscopy,HRTEM)图像与拉曼谱显示在较高氢稀释比条件下生长的薄膜为纳米硅(nanocrystalline silicon,nc-Si)薄膜,纳米硅颗粒尺寸约为3～5nm。对不同氢稀释比下纳米硅薄膜光学带隙的变化趋势进行了研究。结果表明:随着氢稀释比的增加,纳米硅薄膜的光学带隙逐渐增加。提出采用双纳米硅p层结构改善非晶硅太阳能电池,发现双纳米硅p层电池效率比单纳米硅p层的电池效率提高了17%。; 关键词纳米硅氢稀释比光学带隙; Keywords nanocrystalline silicon hydrogen dilution ratio optical band gap; 分类号 TK511 [动力工程及工程热物理—热能工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名PECVD法制备纳米晶硅薄膜的研究进展: 8; 作者何佳邱海宁郑祺; 机构上海工程技术大学材料工程学院; 出处《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第7期478-482,共5页; 基金上海市教委重点学科资助项目(J51402); 文摘简要介绍了纳米晶硅薄膜的微结构表征方法,重点讨论了PECVD制备方法中工艺参数对薄膜结构的影响,并探讨了氢在薄膜形成和生长中的作用。通过优化氢稀释率、衬底温度、反应气压、激励功率和激发频率等工艺参数可提高纳米晶硅薄膜的晶化率并改善薄膜质量。结合喇曼光谱、X射线衍射谱、傅里叶红外光谱和高分辨透射电镜等表征方法可深入研究薄膜形成机理,对进一步探索薄膜光电特性有重要意义。分析了等离子体化学气相沉积(PECVD)制备方法中各工艺参数对薄膜质量和沉积速率的影响,指出其存在的问题,并探寻了今后的研究方向。; 关键词纳米晶硅薄膜等离子体化学气相沉积(PECVD) 微结构高氢稀释晶化率; Keywords nanocrystalline silicon thin film plasma enhanced chemical vapor deposition （PECVD） microstructure high hydrogen dilution crystalline fraction; 分类号 TN304.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	氢稀释对nc-Si∶H薄膜结构和光致发光的影响	张一轲郝惠莲吴兆坤于潇洋	《微纳电子技术》 CAS 北大核心	2014	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	燃料电池系统氢稀释器的结构设计与仿真	李亚超何雍吴兵王鸿鹄	《上海汽车》	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	氢稀释制备的非晶碳膜的绿光和蓝光发射	黄晓辉徐骏李伟王立陈坤基	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2001	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	H_2稀释在PECVD法制备微晶硅薄膜中的影响	王生钊卢景霄王红娟刘萍陈永生张丽伟杨仕娥郜小勇	《可再生能源》 CAS	2006	3	在线阅读下载PDF 职称材料
5	H_2稀释比对RF-PECVD制备a-Si:H/nc-Si:H薄膜的光电特性的影响	程自亮蒋向东王继岷刘韦颖连雪艳	《电子器件》 CAS 北大核心	2015	3	在线阅读下载PDF 职称材料
6	氢化非晶碳膜的低阈值场发射	黄晓辉徐骏李伟王立徐岭陈坤基	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	双纳米硅p层优化非晶硅太阳能电池	刘石勇曾湘波彭文博姚文杰谢小兵杨萍王超王占国	《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心	2011	3	在线阅读下载PDF 职称材料
8	PECVD法制备纳米晶硅薄膜的研究进展	何佳邱海宁郑祺	《微纳电子技术》 CAS 北大核心	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料