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一种改进的增强型GaNHEMT大信号模型
被引量：
1
1
作者
陈秋芬
李文钧
+2 位作者
刘军
陆海燕
韩春林
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第12期904-910,共7页
提出一种改进的增强型GaN HEMT器件建模大信号模型。模型沟道电流方程和电荷方程均连续且高阶可导,栅电荷模型满足电荷守恒原则。提出的沟道电流模型可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区的直流特性。根据GaN HEMT器件特...
提出一种改进的增强型GaN HEMT器件建模大信号模型。模型沟道电流方程和电荷方程均连续且高阶可导,栅电荷模型满足电荷守恒原则。提出的沟道电流模型可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区的直流特性。根据GaN HEMT器件特有的物理结构和电学特性,器件的自热效应、电流崩塌效应以及跨导频率分布效应在模型中进行了考虑。模型采用Verilog-A语言进行描述,并编译、链接入Agilent ADS工具。验证结果表明,模型仿真和测试数据在宽的偏压和频率范围内得到很好地吻合。
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关键词
增强型GaN
HEMT
大信号
模型
沟道电流
模型
栅电荷模型
Verilog-A语言
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职称材料
题名
一种改进的增强型GaNHEMT大信号模型
被引量：
1
1
作者
陈秋芬
李文钧
刘军
陆海燕
韩春林
机构
杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室
南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第12期904-910,共7页
文摘
提出一种改进的增强型GaN HEMT器件建模大信号模型。模型沟道电流方程和电荷方程均连续且高阶可导,栅电荷模型满足电荷守恒原则。提出的沟道电流模型可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区的直流特性。根据GaN HEMT器件特有的物理结构和电学特性,器件的自热效应、电流崩塌效应以及跨导频率分布效应在模型中进行了考虑。模型采用Verilog-A语言进行描述,并编译、链接入Agilent ADS工具。验证结果表明,模型仿真和测试数据在宽的偏压和频率范围内得到很好地吻合。
关键词
增强型GaN
HEMT
大信号
模型
沟道电流
模型
栅电荷模型
Verilog-A语言
Keywords
GaN enhancement mode（E-mode） HEMT
large-signal model
channel current model
gate charge model
Verilog-A language
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种改进的增强型GaNHEMT大信号模型
陈秋芬
李文钧
刘军
陆海燕
韩春林
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015
1
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