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不同因素对各类型晶体硅光伏组件温度系数的影响研究 被引量:2
1
作者 孙晓寅 林皓 +1 位作者 马超 陈昊旻 《太阳能》 2024年第2期38-44,共7页
以7种不同类型的晶体硅光伏组件作为研究对象,通过温度系数测量实验,针对光伏组件老化、太阳电池技术、太阳电池尺寸、光伏组件类型等因素对晶体硅光伏组件温度系数的影响进行了分析研究。首先研究了常规老化多晶硅光伏组件的温度系数,... 以7种不同类型的晶体硅光伏组件作为研究对象,通过温度系数测量实验,针对光伏组件老化、太阳电池技术、太阳电池尺寸、光伏组件类型等因素对晶体硅光伏组件温度系数的影响进行了分析研究。首先研究了常规老化多晶硅光伏组件的温度系数,然后探讨了双面单晶硅光伏组件温度系数测试方法的具体要求,最后对比分析了采用不同太阳电池技术和尺寸封装的不同类型单晶硅光伏组件的温度系数。研究结果表明:1)在光伏电站现场使用过的常规老化多晶硅光伏组件的温度系数依然保持稳定;2)使用门框内表面为黑色的瞬态太阳光模拟器对双面单晶硅光伏组件进行温度系数测试时,可以不必对光伏组件背部进行遮挡;3)并串结构的半片单晶硅光伏组件的温度系数与太阳电池尺寸、单面或双面发电无直接关系;4)PERC、TOPCon单晶硅光伏组件的温度系数虽然存在一定的差异,但总体来看差异不大。 展开更多
关键词 晶体硅光伏组件 单晶 多晶 温度系数 并串结构 PERC TOPCon
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晶体硅与薄膜太阳电池多维度对比分析
2
作者 任睦 梁小荣 +2 位作者 陈旺 方阳 徐天宇 《太阳能》 2024年第10期15-20,共6页
光伏发电作为中国可再生能源体系中不可或缺的一部分,对中国实现能源体系转型及“双碳”目标具有重要意义,不同的光伏发电技术使中国光伏产业发展方向变得更加多样化。从原材料储量及制备工艺、光电转换效率、成本、应用场景等方面对晶... 光伏发电作为中国可再生能源体系中不可或缺的一部分,对中国实现能源体系转型及“双碳”目标具有重要意义,不同的光伏发电技术使中国光伏产业发展方向变得更加多样化。从原材料储量及制备工艺、光电转换效率、成本、应用场景等方面对晶体硅和薄膜太阳电池进行对比,并对两种太阳电池的应用前景进行了分析与展望。分析发现:晶体硅太阳电池具有较高的光电转换效率及较低的单瓦建设成本;而薄膜太阳电池的技术成熟度仍需进一步提高,包括光电转换效率的提升与单瓦建设成本的下降。 展开更多
关键词 晶体硅太阳电池 薄膜太阳电池 碲化镉 铜铟镓硒 光电建筑一体化 对比分析
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晶体硅组件长期运行后性能及衰退原因分析 被引量:18
3
作者 郑海兴 舒碧芬 +3 位作者 沈辉 陈美园 梁齐兵 葛文君 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期614-617,共4页
介绍了两组已使用20a以上的晶体硅光伏组件的电性能测试结果,分析并评价了组件的电性能状况,统计、归纳了组件的一些外观缺陷,并分析了导致组件失效和电性能衰减的原因。测试结果表明:户外使用20a的多晶硅光伏组件平均功率仅下降6.1%,... 介绍了两组已使用20a以上的晶体硅光伏组件的电性能测试结果,分析并评价了组件的电性能状况,统计、归纳了组件的一些外观缺陷,并分析了导致组件失效和电性能衰减的原因。测试结果表明:户外使用20a的多晶硅光伏组件平均功率仅下降6.1%,单晶硅光伏组件的平均功率下降13.0%,均能表现出良好的电性能,为晶体硅电池的寿命估计提供了有力数据。 展开更多
关键词 晶体硅光伏组件 电性能 衰退 寿命
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晶体硅太阳电池丝网印刷电极接触电阻及其测量 被引量:20
4
作者 刘祖明 苏里曼.K.特拉奥雷 +4 位作者 林理彬 张忠文 陈庭金 廖华 罗毅 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期659-662,共4页
金属电极与硅的接触电阻是影响太阳电池填充因子和短路电流进而影响光电转换效率的重要因素之一,本文研究了晶体硅太阳电池丝网印刷烧结银电极与硅接触电阻及其测量。判断印刷烧结工艺的好坏,应在保证p/n结特性良好的前提下使接触电阻... 金属电极与硅的接触电阻是影响太阳电池填充因子和短路电流进而影响光电转换效率的重要因素之一,本文研究了晶体硅太阳电池丝网印刷烧结银电极与硅接触电阻及其测量。判断印刷烧结工艺的好坏,应在保证p/n结特性良好的前提下使接触电阻最小为最佳。 展开更多
关键词 晶体硅太阳电池 丝网印刷电极 接触电阻测量
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弱光下晶体硅太阳电池的开路电压 被引量:7
5
作者 刘祖明 林理彬 +3 位作者 汪义川 张忠文 王书荣 陈庭金 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期317-320,共4页
讨论了弱光下影响晶体硅太阳电池开路电压的主要因素。要提高弱光下开路电压主要应提高太阳电池的并联电阻。
关键词 太阳电池 弱光 晶体硅
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晶体硅太阳电池工艺技术新进展 被引量:8
6
作者 赵汝强 梁宗存 +2 位作者 李军勇 金井升 沈辉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期25-29,共5页
晶体硅太阳电池是目前技术最成熟、应用最广泛的太阳电池。以晶体硅太阳电池的生产流程为基础,主要从提高电池转换效率和降低生产成本出发,介绍了晶体硅太阳电池制造技术的最新进展和成果,并对各种制备工艺进行了评价。
关键词 晶体硅太阳电池 制备工艺 最新进展
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晶体硅太阳电池串联内阻的函数形式 被引量:12
7
作者 程晓舫 李坚 余世杰 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期345-349,共5页
在已知的四种电阻函数形式中,通过理论推导并结合晶体硅太阳电池功率随着温度上升而下降的实验事实,理论证明晶体硅太阳电池串联内阻具有正温度系数半导体型电阻的数学表述形式。利用该数学形式对实测内阻数据进行拟合,结果令人满意。
关键词 晶体硅太阳电池 串联内阻 函数形式
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工业化薄晶体硅太阳电池背电极浆料 被引量:4
8
作者 申兰先 刘祖明 +2 位作者 廖华 李景天 涂洁磊 《可再生能源》 CAS 2008年第1期69-71,共3页
对薄晶体硅太阳电池的生产工艺和材料进行了试验。通过调整背电极浆料和电池基片厚度,探索了减少太阳电池弯曲度的途径。试验显示,使用薄片铝浆对电池弯曲度的影响有明显改善,弯曲度可降低52%,电池片弯曲度最小为0.55 mm。
关键词 晶体硅 太阳电池 背电极 浆料
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皮秒激光功率变化对激光诱导晶体硅变化的影响 被引量:3
9
作者 杨成娟 梅雪松 +3 位作者 王文君 田延岭 张大卫 崔良玉 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2016年第1期58-64,共7页
为了深入了解皮秒激光烧蚀对晶体硅所造成的影响,使用不同平均功率下的皮秒脉冲激光辐照晶体硅,然后使用X射线光电子能谱仪和透射电子显微镜,分别对被烧蚀晶体硅的化学成分与微观组织结构进行观察与分析。研究发现:随着激光脉冲平均功... 为了深入了解皮秒激光烧蚀对晶体硅所造成的影响,使用不同平均功率下的皮秒脉冲激光辐照晶体硅,然后使用X射线光电子能谱仪和透射电子显微镜,分别对被烧蚀晶体硅的化学成分与微观组织结构进行观察与分析。研究发现:随着激光脉冲平均功率的增加,烧蚀产物中晶体硅的相对含量不断下降,而Si O2的相对含量则逐步上升;与此同时,材料的无定形化程度也随之加剧。最终认为:因激光脉冲平均功率增加而逐渐升高的激光能量密度是诱导上述实验结果出现的主要原因,并最终不断扩大并加剧着材料所受到热与机械损伤的范围与程度。 展开更多
关键词 晶体硅 皮秒激光 激光脉冲功率变化 化学成分 微观组织结构
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n型晶体硅太阳电池最新研究进展的分析与评估 被引量:15
10
作者 杨灼坚 沈辉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第15期126-130,共5页
n型晶体硅具有体少子寿命长、无光致衰减等优点,非常适合制作高效低成本太阳电池。结合PC1D模拟,对n型晶体硅太阳电池的最新研究成果进行了分析,指出n型晶体硅太阳电池要实现产业化必须先解决p型硅表面钝化、硼扩散和硼发射极金属化等... n型晶体硅具有体少子寿命长、无光致衰减等优点,非常适合制作高效低成本太阳电池。结合PC1D模拟,对n型晶体硅太阳电池的最新研究成果进行了分析,指出n型晶体硅太阳电池要实现产业化必须先解决p型硅表面钝化、硼扩散和硼发射极金属化等问题。最后预测了n型晶体硅太阳电池的产业化前景。 展开更多
关键词 n型晶体硅 太阳电池 PC1D模拟
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晶体硅薄膜电池制备技术及研究现状 被引量:4
11
作者 梁宗存 沈辉 许宁生 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期577-581,共5页
晶体硅薄膜太阳电池近些年来得到广泛的研究和初步的商业化探索。根据所采用的晶体硅薄膜沉积工艺中温度范围的不同 ,晶体硅薄膜电池研究可分为高温路线和低温路线两个不同发展方向。本文分别从这两个方向综述了目前国外晶体硅薄膜电池... 晶体硅薄膜太阳电池近些年来得到广泛的研究和初步的商业化探索。根据所采用的晶体硅薄膜沉积工艺中温度范围的不同 ,晶体硅薄膜电池研究可分为高温路线和低温路线两个不同发展方向。本文分别从这两个方向综述了目前国外晶体硅薄膜电池制备技术的最新进展 ,最新实验室研究结果。报导了晶体硅薄膜电池商业化进展状况 。 展开更多
关键词 晶体硅薄膜太阳电池 制备技术 温度 沉积
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利用内光谱响应测量晶体硅太阳电池前表面复合速度 被引量:2
12
作者 马逊 刘祖明 +1 位作者 廖华 李景天 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期951-956,共6页
根据发射区电流密度的连续性方程,推导出了发射区杂质服从高斯函数和余误差函数分布情况下短波内光谱响应与前表面复合速度的模型,该模型短波波长的选择与扩散结深有关。并利用该模型对不同扩散条件下的晶体硅太阳电池前表面复合速度进... 根据发射区电流密度的连续性方程,推导出了发射区杂质服从高斯函数和余误差函数分布情况下短波内光谱响应与前表面复合速度的模型,该模型短波波长的选择与扩散结深有关。并利用该模型对不同扩散条件下的晶体硅太阳电池前表面复合速度进行计算,结果与PC1D模拟结果符合较好。 展开更多
关键词 晶体硅太阳电池 内光谱响应 前表面复合速度 连续性方程 高斯函数 余误差函数
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几种高效率晶体硅太阳能电池性能分析 被引量:4
13
作者 付明 苑鹏 范琳 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期1-5,17,共6页
综述了晶体硅太阳能电池的发展和研究现状,分析了几种高效率晶体硅太阳能电池的结构、制备流程、优越性以及性能等,这些高效率电池包括激光刻槽埋栅电池、PESC、PERC和PERL电池,以及最新型太阳能电池——金属贯穿孔电池,最后讨论了高效... 综述了晶体硅太阳能电池的发展和研究现状,分析了几种高效率晶体硅太阳能电池的结构、制备流程、优越性以及性能等,这些高效率电池包括激光刻槽埋栅电池、PESC、PERC和PERL电池,以及最新型太阳能电池——金属贯穿孔电池,最后讨论了高效率太阳能电池存在的问题,展望了今后太阳能电池的发展趋势。 展开更多
关键词 晶体硅太阳能电池 高效率 对比分析
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晶体硅太阳电池钝化工艺的研究 被引量:4
14
作者 周良德 林安中 王学建 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期74-77,共4页
采用热氧化法在多晶硅及单晶硅大面积太阳电池上生长二氧化硅钝化膜,结合丝网印刷制电极及二氧化钛减反射膜工艺,使太阳电池的扩散长度及效率得到改进。也进行了在多晶硅太阳电池上采用等离子沉积法制作氮化硅减反射膜的研究。
关键词 钝化膜 晶体硅 太阳电池 丝网印刷法
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晶体硅太阳电池效率的损失分析 被引量:1
15
作者 李仲 赵景新 +2 位作者 孟雷超 马元良 朱福良 《兰州理工大学学报》 CAS 北大核心 2015年第5期95-98,共4页
提高光伏器件的光电转换效率,同时降低成本是光伏器件走向大规模应用的关键.根据晶体硅太阳电池的基本结构,详细分析造成晶体硅太阳电池各项效率损失的物理因素和损失机理,并给出主要损失分布的定量结果.对光伏器件结构的设计、制造工... 提高光伏器件的光电转换效率,同时降低成本是光伏器件走向大规模应用的关键.根据晶体硅太阳电池的基本结构,详细分析造成晶体硅太阳电池各项效率损失的物理因素和损失机理,并给出主要损失分布的定量结果.对光伏器件结构的设计、制造工艺技术的优化有重要指导意义. 展开更多
关键词 晶体硅电池 效率损失 形成因素 物理机理
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晶体硅金刚石线切割废料资源化利用研究进展 被引量:3
16
作者 李小明 阮锦榜 +4 位作者 臧旭媛 张馨艺 贺芸 张连增 邢相栋 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第23期23229-23234,共6页
晶体硅太阳能电池是光伏行业中最重要的一种电池。在利用硅原料制备电池材料的过程中,需要将硅锭切割成硅薄片。切割过程中近一半的硅会以超细粉末形式进入切割液形成大量切割废料,造成硅资源浪费以及环境污染。切割废料由90%的硅粉和... 晶体硅太阳能电池是光伏行业中最重要的一种电池。在利用硅原料制备电池材料的过程中,需要将硅锭切割成硅薄片。切割过程中近一半的硅会以超细粉末形式进入切割液形成大量切割废料,造成硅资源浪费以及环境污染。切割废料由90%的硅粉和少量的Fe、Al、Ca等杂质组成。目前切割废料利用的研究主要集中在回收高纯硅和制备含硅材料领域。回收高纯硅可实现硅资源从生产末端回到生产端的循环利用,但市场对硅粉纯度要求高,且去杂提纯过程能耗高,还会产生废水废渣等二次污染。将切割废料直接用于制备合金、陶瓷、纳米材料以及电池材料等含硅材料,可获得相应的高附加值材料,但针对产品性能可控性及整体质量提升仍具有很大的研究空间。本文简述了多晶硅金刚石线切割废料的产生过程和组成特点,总结了切割废料用于回收高纯硅、制备含硅合金、含硅氮化物、含硅纳米材料及含硅电池材料等资源化利用的研究进展,综述了回收高纯硅的各种方法(酸浸除杂法、熔炼法、其他新方法)并分析了制备含硅材料各工艺的优缺点,探讨了未来资源化利用的发展方向。 展开更多
关键词 晶体硅 切割废料 资源化利用
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非晶硅/晶体硅(a-Si/c-Si)异质结 被引量:1
17
作者 汪建强 高华 +4 位作者 张剑 张松 李晨 叶庆好 孟凡英 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期798-803,共6页
通过对非晶硅/晶体硅(a-Si/c-Si)异质结能带不连续、发射结掺杂以及界面态密度进行分析,研究它们对a-Si/c-Si异质结的界面特性,以及a-Si(N+)/c-Si(P)结构电池性能的影响.研究发现,能带不连续以及a-Si发射结高掺杂有利于实现界面复合机... 通过对非晶硅/晶体硅(a-Si/c-Si)异质结能带不连续、发射结掺杂以及界面态密度进行分析,研究它们对a-Si/c-Si异质结的界面特性,以及a-Si(N+)/c-Si(P)结构电池性能的影响.研究发现,能带不连续以及a-Si发射结高掺杂有利于实现界面复合机制由以悬挂键复合主导的复合机制向由少数载流子复合占主导的SRH(Shockly-Read-Hall)复合机制转变,有效降低界面复合速率.AFORS-HET软件模拟显示:在c-Si(P)衬底掺杂浓度为1.6×1016cm-3时,a-Si(N+)发射结掺杂浓度大于1.5×1020cm-3是获得高电池效率的必要条件;与短路电流密度相比,开路电压受a-Si/c-Si界面态密度影响更明显. 展开更多
关键词 非晶/晶体硅 发射结掺杂 界面态密度
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热性能对晶体硅太阳能电池的效率影响研究 被引量:6
18
作者 褚玉芳 陈维 +1 位作者 沈辉 舒碧芬 《宜春学院学报》 2009年第4期10-13,共4页
晶体硅太阳能电池是首先被发展和依然得到最广泛应用的太阳能电池,通过对晶体硅太阳能电池和组件的热性能进行分析研究,提出了采取降低电池工作温度的措施,该研究对阳电池和组件热性能进行改善是很有意义的。
关键词 光伏 晶体硅太阳能电池 温度
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晶体硅太阳能电池少子寿命测试方法 被引量:15
19
作者 周春兰 王文静 《中国测试技术》 2007年第6期25-31,共7页
少数载流子寿命(简称少子寿命)是半导体晶体硅材料的一项重要参数,它对半导体器件的性能、晶体硅太阳能电池的光电转换效率都有重要的影响。分别介绍了常用的测量晶体硅和晶体硅太阳电池少子寿命的各种方法,包括微波光电导衰减法(MW-PC... 少数载流子寿命(简称少子寿命)是半导体晶体硅材料的一项重要参数,它对半导体器件的性能、晶体硅太阳能电池的光电转换效率都有重要的影响。分别介绍了常用的测量晶体硅和晶体硅太阳电池少子寿命的各种方法,包括微波光电导衰减法(MW-PCD),准稳态光电导方法(QSSPC),表面光电压(SPV),IR浓度载流子浓度成像(CDI),调制自由载流子吸收(MFCA)和光束(电子束)诱导电流(LBIC,EBLC),并指出了各种方法的优点和不足。 展开更多
关键词 晶体硅 太阳能电池 少子寿命 微波光电导衰减 准稳态光电导 表面光电压
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晶体硅太阳电池无铅正银电极性能研究 被引量:2
20
作者 王玥 付明 +2 位作者 程思国 范琳 陈栋 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第8期2145-2150,共6页
制备不同Bi_2O_3、TeO_2含量的Bi-Te系无铅玻璃粉,将制备的各组玻璃粉、银粉、有机载体等按相同配方配制正银浆料,通过丝网印刷、烧结工艺制作硅太阳电池正银电极,研究玻璃成分对正银电极性能的影响。通过热重-差热法(TGA-DSC)分析正银... 制备不同Bi_2O_3、TeO_2含量的Bi-Te系无铅玻璃粉,将制备的各组玻璃粉、银粉、有机载体等按相同配方配制正银浆料,通过丝网印刷、烧结工艺制作硅太阳电池正银电极,研究玻璃成分对正银电极性能的影响。通过热重-差热法(TGA-DSC)分析正银浆料在热处理过程中发生的化学反应,首次提出Bi-Te正银浆料在610℃附近发生吸热反应并有失重产生,该反应直接影响银/硅接触面处银微晶的形成。通过扫描电子显微镜(SEM)分析电池烧结后正银栅线和银/硅接触面的微观结构。 展开更多
关键词 晶体硅太阳电池 无铅正银电极 Bi-Te系玻璃 银微晶
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