介绍了一种抗辐射加固型低压差线性稳压器(LDO)的电路设计,内部集成了精密基准源、误差放大器、输出调整管和上电复位时间控制等模块电路。重点介绍了采用总剂量、中子效应的器件参数变化预估方法进行仿真验证。芯片采用0.6μm Bi CMOS...介绍了一种抗辐射加固型低压差线性稳压器(LDO)的电路设计,内部集成了精密基准源、误差放大器、输出调整管和上电复位时间控制等模块电路。重点介绍了采用总剂量、中子效应的器件参数变化预估方法进行仿真验证。芯片采用0.6μm Bi CMOS工艺制造,测试验证结果表明,产品在满足使用要求的同时,具备抗电离总剂量3×10~3 Gy(Si)、抗中子注量0.6×10^(14) n·cm^(-2)的性能,适用于核辐射环境。辐射测试结果证明了设计的正确性。展开更多
文摘介绍了一种抗辐射加固型低压差线性稳压器(LDO)的电路设计,内部集成了精密基准源、误差放大器、输出调整管和上电复位时间控制等模块电路。重点介绍了采用总剂量、中子效应的器件参数变化预估方法进行仿真验证。芯片采用0.6μm Bi CMOS工艺制造,测试验证结果表明,产品在满足使用要求的同时,具备抗电离总剂量3×10~3 Gy(Si)、抗中子注量0.6×10^(14) n·cm^(-2)的性能,适用于核辐射环境。辐射测试结果证明了设计的正确性。
