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退火对掺铟氧化锌薄膜结构及光学性能的影响
被引量：
1
1
作者
吴义炳
刘银春
张洪
《福建农林大学学报（自然科学版）》
CSCD
北大核心
2012年第6期650-654,共5页
采用溶胶-凝胶法在石英衬底上制备掺铟氧化锌薄膜,研究不同退火温度对薄膜结构及发光性能的影响.结果表明,掺铟氧化锌薄膜仍为六角纤锌矿结构的ZnO相,在大于450 nm的波段薄膜样品的透射率都较高;随着退火温度的升高,透射率先增后减,600...
采用溶胶-凝胶法在石英衬底上制备掺铟氧化锌薄膜,研究不同退火温度对薄膜结构及发光性能的影响.结果表明,掺铟氧化锌薄膜仍为六角纤锌矿结构的ZnO相,在大于450 nm的波段薄膜样品的透射率都较高;随着退火温度的升高,透射率先增后减,600℃时达到最大;薄膜样品的光学带隙都小于纯ZnO的理论值(3.37 eV),且随退火温度的升高呈先减后增趋势;样品的结晶度与发光强度随着退火温度的升高而增强.
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关键词
掺
铟
氧化
锌
溶胶-凝胶法
半高宽
光学带隙
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职称材料
CF_(4)等离子体背沟道表面处理对IZO TFT电学性能及负栅偏压应力稳定性的影响
2
作者
王聪
丁有坤
刘玉荣
《表面技术》
北大核心
2025年第16期231-239,共9页
目的提高IZO TFT电特性及负栅偏压应力稳定性。方法以ITO玻璃为基底,采用射频磁控溅射法沉积的掺铟氧化锌(IZO)薄膜作为有源层,原子层沉积法(ALD)沉积的Al_(2)O_(3)薄膜作为栅介质层,直流溅射法溅射Al靶材制备源、漏电极,制备了底栅顶...
目的提高IZO TFT电特性及负栅偏压应力稳定性。方法以ITO玻璃为基底,采用射频磁控溅射法沉积的掺铟氧化锌(IZO)薄膜作为有源层,原子层沉积法(ALD)沉积的Al_(2)O_(3)薄膜作为栅介质层,直流溅射法溅射Al靶材制备源、漏电极,制备了底栅顶接触型结构的掺铟氧化锌薄膜晶体管(IZO TFT)。采用CF_(4)等离子体对IZO TFT背沟道表面的IZO有源层薄膜进行表面处理,并对IZO TFT进行后退火处理。详细研究了CF_(4)等离子体射频功率和处理时间对IZO有源层及TFT器件电学特性和偏压应力稳定性的影响。结果选择合适的射频功率和处理时间,由于F原子取代了弱M—O结合键中的氧,形成了更稳定的In—F、Zn—F强结合键,从而有效地降低了IZO薄膜中的氧空位,因此可以明显改善IZO TFT的电学性能和负栅偏压应力稳定性。结论当射频功率为15 W,处理时间为100 s时,IZO TFT器件的电特性和负栅偏压稳定性较佳,器件的迁移率、阈值电压、亚阈值摆幅和开关电流比分别为35 cm^(2)/V·s、0.4 V、64 mV/dec和4×10^(9),当−10 V的栅偏压应力作用1 h后,阈值电压漂移为−1.8 V。
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关键词
掺
铟
氧化
锌
(
izo
)
CF_(4)等离子体处理
薄膜晶体管
负栅偏压应力
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职称材料
靶基距对柔性基底上脉冲激光沉积透明导电薄膜的影响
被引量：
3
3
作者
李明
宓一鸣
+1 位作者
言智
季鑫
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期55-59,共5页
采用脉冲激光沉积法,控制靶基距分别为4,6,8cm,在聚乙烯对苯二甲酸酯基底上沉积铟锌氧化物、铟锡氧化物和铝掺杂氧化锌薄膜,研究了靶基距对薄膜电学、光学、形态和结构特性的影响。结果表明:采用6～8cm靶基距制备的TCO薄膜,在可见光范...
采用脉冲激光沉积法,控制靶基距分别为4,6,8cm,在聚乙烯对苯二甲酸酯基底上沉积铟锌氧化物、铟锡氧化物和铝掺杂氧化锌薄膜,研究了靶基距对薄膜电学、光学、形态和结构特性的影响。结果表明:采用6～8cm靶基距制备的TCO薄膜,在可见光范围内的光学透光率超过90%,电阻率约为5×10-4Ω.cm;除了这些优良的电学和光学特性外,靶基距8cm制备的薄膜均匀、光滑、附着好,且无裂缝或任何其它扩展的缺陷,适用于光电设备。
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关键词
脉冲激光沉积
柔性基底
透明导电
氧化
物
掺
锡
氧化
铟
铝
掺
杂
氧化
锌
铟
掺
杂
氧化
锌
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职称材料
题名
退火对掺铟氧化锌薄膜结构及光学性能的影响
被引量：
1
1
作者
吴义炳
刘银春
张洪
机构
福建农林大学机电工程学院
出处
《福建农林大学学报（自然科学版）》
CSCD
北大核心
2012年第6期650-654,共5页
基金
福建省自然科学基金资助项目(2011J05122)
文摘
采用溶胶-凝胶法在石英衬底上制备掺铟氧化锌薄膜,研究不同退火温度对薄膜结构及发光性能的影响.结果表明,掺铟氧化锌薄膜仍为六角纤锌矿结构的ZnO相,在大于450 nm的波段薄膜样品的透射率都较高;随着退火温度的升高,透射率先增后减,600℃时达到最大;薄膜样品的光学带隙都小于纯ZnO的理论值(3.37 eV),且随退火温度的升高呈先减后增趋势;样品的结晶度与发光强度随着退火温度的升高而增强.
关键词
掺
铟
氧化
锌
溶胶-凝胶法
半高宽
光学带隙
Keywords
indium-doped ZnO
sol-gel method
full width at half maximum
optical band-gap
分类号
O484.5 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
CF_(4)等离子体背沟道表面处理对IZO TFT电学性能及负栅偏压应力稳定性的影响
2
作者
王聪
丁有坤
刘玉荣
机构
汕尾市海洋产业研究院博士后科研工作站
汕尾职业技术学院科研处
华南理工大学微电子学院
出处
《表面技术》
北大核心
2025年第16期231-239,共9页
基金
广东省普通高校重点领域专项(新一代信息技术)(2020ZDZX3125)
广东省基础与应用基础研究基金(2024A1515011719)
国家自然科学基金(61871195)。
文摘
目的提高IZO TFT电特性及负栅偏压应力稳定性。方法以ITO玻璃为基底,采用射频磁控溅射法沉积的掺铟氧化锌(IZO)薄膜作为有源层,原子层沉积法(ALD)沉积的Al_(2)O_(3)薄膜作为栅介质层,直流溅射法溅射Al靶材制备源、漏电极,制备了底栅顶接触型结构的掺铟氧化锌薄膜晶体管(IZO TFT)。采用CF_(4)等离子体对IZO TFT背沟道表面的IZO有源层薄膜进行表面处理,并对IZO TFT进行后退火处理。详细研究了CF_(4)等离子体射频功率和处理时间对IZO有源层及TFT器件电学特性和偏压应力稳定性的影响。结果选择合适的射频功率和处理时间,由于F原子取代了弱M—O结合键中的氧,形成了更稳定的In—F、Zn—F强结合键,从而有效地降低了IZO薄膜中的氧空位,因此可以明显改善IZO TFT的电学性能和负栅偏压应力稳定性。结论当射频功率为15 W,处理时间为100 s时,IZO TFT器件的电特性和负栅偏压稳定性较佳,器件的迁移率、阈值电压、亚阈值摆幅和开关电流比分别为35 cm^(2)/V·s、0.4 V、64 mV/dec和4×10^(9),当−10 V的栅偏压应力作用1 h后,阈值电压漂移为−1.8 V。
关键词
掺
铟
氧化
锌
(
izo
)
CF_(4)等离子体处理
薄膜晶体管
负栅偏压应力
Keywords
indium doped zinc oxide(
izo
)
CF_(4)plasma treatment
thin-film transistor
negative gate bias stress
分类号
TN321 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
靶基距对柔性基底上脉冲激光沉积透明导电薄膜的影响
被引量：
3
3
作者
李明
宓一鸣
言智
季鑫
机构
上海工程技术大学材料工程学院
上海工程技术大学基础教学学院
出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期55-59,共5页
基金
上海工程技术大学研究生科研创新项目(A-2603-11-01K189)
上海工程技术大学研究生科研创新能力培养专项资金(B-8909-11-03008)
文摘
采用脉冲激光沉积法,控制靶基距分别为4,6,8cm,在聚乙烯对苯二甲酸酯基底上沉积铟锌氧化物、铟锡氧化物和铝掺杂氧化锌薄膜,研究了靶基距对薄膜电学、光学、形态和结构特性的影响。结果表明:采用6～8cm靶基距制备的TCO薄膜,在可见光范围内的光学透光率超过90%,电阻率约为5×10-4Ω.cm;除了这些优良的电学和光学特性外,靶基距8cm制备的薄膜均匀、光滑、附着好,且无裂缝或任何其它扩展的缺陷,适用于光电设备。
关键词
脉冲激光沉积
柔性基底
透明导电
氧化
物
掺
锡
氧化
铟
铝
掺
杂
氧化
锌
铟
掺
杂
氧化
锌
Keywords
pulsed laser deposition
flexible substrate
transparent conductive oxide
Sn ： InO
Al ： ZnO
In ： ZnO
分类号
TB43 [一般工业技术]
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
退火对掺铟氧化锌薄膜结构及光学性能的影响
吴义炳
刘银春
张洪
《福建农林大学学报（自然科学版）》
CSCD
北大核心
2012
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
CF_(4)等离子体背沟道表面处理对IZO TFT电学性能及负栅偏压应力稳定性的影响
王聪
丁有坤
刘玉荣
《表面技术》
北大核心
2025
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
靶基距对柔性基底上脉冲激光沉积透明导电薄膜的影响
李明
宓一鸣
言智
季鑫
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
3
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职称材料
已选择
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