基于可变长纠错码和掺杂调制的联合信源信道编码调制方法 被引量：1

1

作者 包涵 凃国防 +2 位作者 张灿 高绍帅 陈德元 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第6期2045-2053,共9页

针对无线通信中存在的频谱资源有限、信道衰落和多径效应等问题,该文将可变长纠错(VLEC)编码和掺杂调制相结合,提出一种新的联合信源信道编码调制方法。该方法利用外信息转移(EXIT)图分析系统的迭代译码特性,优化设计可变长纠错编码和... 针对无线通信中存在的频谱资源有限、信道衰落和多径效应等问题,该文将可变长纠错(VLEC)编码和掺杂调制相结合,提出一种新的联合信源信道编码调制方法。该方法利用外信息转移(EXIT)图分析系统的迭代译码特性,优化设计可变长纠错编码和掺杂调制的参数。主要包括:(1)设计有更大自由距离的可变长码,使其具有纠错能力;(2)设计优化掺杂调制的掺杂和映射规则的方法,使掺杂调制EXIT曲线与可变长纠错编码EXIT曲线匹配,降低迭代译码收敛所需的信噪比(SNR)。仿真结果表明,在AWGN信道和瑞利衰落信道下,该联合信源信道编码调制方法与分离的信源信道编码调制方相比,迭代收敛所需的信噪比减小了1 dB以上,相比其他的联合信源信道编码调制方法,也有更好的误码率性能。在误码率为10–4时,该方法距离AWGN信道和瑞利衰落信道的香农限分别为0.7 dB和1.0 dB。 展开更多

关键词 联合信源信道编码 掺杂调制 迭代译码 外信息转移图

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Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构的生长研究 被引量：2

2

作者 张允强 彭正夫 +2 位作者 高翔 孙娟 黄文裕 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1992年第2期97-101,共5页

用分子束外延生长Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构。范德堡法、光荧光谱和电化学C—V等方法测量了电学和光学特性。连续波电光检测证明材料有较好的均匀性。用该结构材料制作的HEMT器件在12GHz下,噪声系数0.76dB,相关增益6.5dB。

关键词 分子束 外延 异质结 调制掺杂

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应变Si调制掺杂NMOSFET电子面密度模型 被引量：1

3

作者 胡辉勇 张鹤鸣 +6 位作者 戴显英 王顺祥 朱永刚 区健锋 俞智刚 马何平 王喜媛 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期2056-2058,共3页

应变Si(Strain Si)调制掺杂NMOSFET量子阱沟道中电子面密度直接影响器件的开关特性.本文通过求解泊松方程,建立了应变Si调制掺杂NMOSFET量子阱沟道静态电子面密度模型,并据此建立了器件阈值电压模型,利用MATLAB软件对该模型进行了数值分... 应变Si(Strain Si)调制掺杂NMOSFET量子阱沟道中电子面密度直接影响器件的开关特性.本文通过求解泊松方程,建立了应变Si调制掺杂NMOSFET量子阱沟道静态电子面密度模型,并据此建立了器件阈值电压模型,利用MATLAB软件对该模型进行了数值分析.讨论了器件结构中δ-掺杂层杂质浓度和间隔层厚度与电子面密度和阈值电压的关系,分析了器件几何结构参数和材料物理参数对器件量子阱沟道静态电子面密度和阈值电压的影响.随着δ-掺杂层杂质浓度的减小和间隔层厚度的增加,量子阱沟道中电子面密度减小,阈值电压绝对值减小. 展开更多

关键词 应变硅 调制掺杂 电子面密度 阈值电压

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调制掺杂压缩应变多量子阱激光器的增益特性和线宽增强因子的理论研究 被引量：1

4

作者 彭宇恒 陈松岩 +2 位作者 陈维友 赵铁民 刘式墉 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第11期33-37,共5页

本文首先从理论上分析并计算了压缩应变多量子阱激光器的增益特性，并且讨论了在多量子阱垒区进行ｐ型强调制掺杂的情况下，价带空穴的准费米能级的移动以及微分增益谱的变化。然后，计算了线宽增强因子（α）与应变大小和掺杂浓度以及... 本文首先从理论上分析并计算了压缩应变多量子阱激光器的增益特性，并且讨论了在多量子阱垒区进行ｐ型强调制掺杂的情况下，价带空穴的准费米能级的移动以及微分增益谱的变化。然后，计算了线宽增强因子（α）与应变大小和掺杂浓度以及注入载流子浓度之间的关系，结果发现压缩应变和增大载流子注入虽然能够减小α因子，但很难使它的零点波长对应于增益区，而利用调制掺杂技术能有效地使α因子的零点对应于增益区。在增大压缩应变和载流子注入浓度的情况下可以明显减小为使α因子变为零所需要的调制掺杂浓度。 展开更多

关键词 压缩应变 应变多量子阱 调制掺杂 增益 激光器

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调制掺杂对AlGaN/GaN HEMT材料电学性能的影响

5

作者 许敏 袁凤坡 +3 位作者 陈国鹰 李冬梅 尹甲运 冯志宏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期230-233,共4页

利用范德堡Hall方法和汞探针C-V方法,研究了不同Si调制掺杂浓度对AlGaN/GaNHEMT材料电学性质的影响。发现Si掺杂可以改善材料电学性能,二维电子气(2DEG)面密度和方块电阻(nS×μ)可以通过Si调制掺杂精确控制。当Si掺杂浓度为3×... 利用范德堡Hall方法和汞探针C-V方法,研究了不同Si调制掺杂浓度对AlGaN/GaNHEMT材料电学性质的影响。发现Si掺杂可以改善材料电学性能,二维电子气(2DEG)面密度和方块电阻(nS×μ)可以通过Si调制掺杂精确控制。当Si掺杂浓度为3×1018cm-3时,得到了最低的方块电阻360Ω/□。尽管受到高浓度电子和离化杂质对二维电子气的散射影响,迁移率仍可达1220cm2/(V.s)。分析了范德堡Hall方法和汞探针C-V方法的差别,同时测得材料的阈值电压也在合理范围。 展开更多

关键词 调制掺杂 ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 迁移率

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调制掺杂ZnMgO/ZnO异质结构中的二维电子气

6

作者 周远明 钟才 +4 位作者 梅菲 刘凌云 徐进霞 王远 张冉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第14期138-141,共4页

基于调制掺杂的ZnMgO/ZnO异质结构模型,通过自洽求解一维泊松-薛定谔方程,研究了掺杂浓度、空间层厚度对ZnMgO/ZnO异质界面处二维电子气(2DEG)的分布、面密度等性质的影响。结果表明:ZnO沟道中的二维电子气主要来源于极化效应诱生的电... 基于调制掺杂的ZnMgO/ZnO异质结构模型,通过自洽求解一维泊松-薛定谔方程,研究了掺杂浓度、空间层厚度对ZnMgO/ZnO异质界面处二维电子气(2DEG)的分布、面密度等性质的影响。结果表明:ZnO沟道中的二维电子气主要来源于极化效应诱生的电子和掺杂层转移的电子,通过改变掺杂浓度和空间层厚度可以有效地调控异质结中的二维电子气。采取的研究方法和所得结果可以为ZnO基异质结构及相关器件的构筑提供基础。 展开更多

关键词 ZnMgO/ZnO异质结 二维电子气 调制掺杂

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调制掺杂AlGaN/GaN异质结上的Pt肖特基接触

7

作者 刘杰 沈波 +5 位作者 周玉刚 周慧梅 郑泽伟 张荣 施毅 郑有炓 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期381-384,共4页

研究了调制掺杂 Alx Ga1 - x N/Ga N表面 Pt肖特基接触的制备工艺 ,并对其进行了 I-V测量。通过改变对样品表面的处理工艺 ,研究了表面处理对调制掺杂 Alx Ga1 - x N/Ga N表面 Pt肖特基结接触特性的影响 ,在 n型掺杂浓度为 7.5× 1 ... 研究了调制掺杂 Alx Ga1 - x N/Ga N表面 Pt肖特基接触的制备工艺 ,并对其进行了 I-V测量。通过改变对样品表面的处理工艺 ,研究了表面处理对调制掺杂 Alx Ga1 - x N/Ga N表面 Pt肖特基结接触特性的影响 ,在 n型掺杂浓度为 7.5× 1 0 1 7cm- 3的 Al0 .2 2 Ga0 .78N样品表面 ,制备得到了势垒高度为 0 .94e V、理想因子为 1 .4的 Pt肖特基接触。这与国外报道的结果接近 (=1 .2 e V,n=1 .1 1 [1 ] ) 展开更多

关键词 调制掺杂 ALGAN/GAN异质结 肖特基接触 表面处理

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GaInAs／AlInAs调制掺杂结构材料的光学性质研究

8

作者 江德生 刘伟 +2 位作者 张耀辉 张永航 K.Ploog 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期121-125,共5页

研究了ＧａＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓｎ型调制掺杂结构样品的光致发光及其激发光谱。当空穴态被局域化后．二维电子气的发光线形反映了导带二维态密度的填充效应：导带两个子带填充电子。发光强度则表明，导带第二子带电子波函数在空间上... 研究了ＧａＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓｎ型调制掺杂结构样品的光致发光及其激发光谱。当空穴态被局域化后．二维电子气的发光线形反映了导带二维态密度的填充效应：导带两个子带填充电子。发光强度则表明，导带第二子带电子波函数在空间上更扩展，与空间分离的空穴产生发光复合的几率较大。激发光谱提供了样品中异质结结构直接带边附近光吸收过程的信息。 展开更多

关键词 调制掺杂结构 光学性质 砷 镓 铟 铝 外延生长

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光泵调制掺杂阶梯量子阱THz激光器瞬态动力学的Monte Carlo模拟

9

作者 刘东峰 林奕新 马彩虹 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期710-713,共4页

采用系综Monte Carlo(EMC)方法首次对光泵量子阱THz激光器的载流子瞬态动力学进行了分析.提出的器件原型为三能级调制掺杂GaAs/GaxAl(1-x)As系列非对称阶梯量子阱,激射频率为6.1THz.模拟中包括了电子-电子、电子-光学声子和电子-声学声... 采用系综Monte Carlo(EMC)方法首次对光泵量子阱THz激光器的载流子瞬态动力学进行了分析.提出的器件原型为三能级调制掺杂GaAs/GaxAl(1-x)As系列非对称阶梯量子阱,激射频率为6.1THz.模拟中包括了电子-电子、电子-光学声子和电子-声学声子等散射机制,采用调制掺杂以得到较高电子密度可以忽略电子-电离杂质散射.已报道的研究工作都是在量子阱中掺杂,而对于这种器件原型能否得到电子布居反转,报道的结果也是相互矛盾.器件原型在温度为77K,光泵强度达到一定值时可以得到电子布居反转,所得到的研究结果对相关的实验研究具有一定的指导意义. 展开更多

关键词 THz激光 调制掺杂 非对称阶梯量子阱 MONTE CARLO方法

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调制掺杂同型结对HB-LED工作电压的影响

10

作者 文尚胜 范广涵 +1 位作者 廖常俊 刘颂豪 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期278-280,共3页

根据电化学 Ｃ－Ｖ测量 ＡｌＧａＩｎＰ外延片获得的载流子浓度深度分布数据，以及其 ＬＥＤ外延片封装后的工作电压，计算了其中Ｂ＋－Ｎ与Ｐ＋－Ｐ两种同型结的接触电势差，指出调制掺杂同型结的掺杂浓度分布是影响ＬＥＤ工作电压的... 根据电化学 Ｃ－Ｖ测量 ＡｌＧａＩｎＰ外延片获得的载流子浓度深度分布数据，以及其 ＬＥＤ外延片封装后的工作电压，计算了其中Ｂ＋－Ｎ与Ｐ＋－Ｐ两种同型结的接触电势差，指出调制掺杂同型结的掺杂浓度分布是影响ＬＥＤ工作电压的另一大因素，并提出了进一步降低 ＬＥＤ工作电压的有效措施． 展开更多

关键词 调制掺杂 同型结 接触电势差 高亮度发光二极管 工作电压

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Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构的MBE优化工艺生长

11

作者 谢自力 邱凯 +3 位作者 尹志军 方晓华 陈建炉 蒋朝辉 《微纳电子技术》 CAS 2002年第8期22-25,共4页

通过对MBE工艺中影响GaAs和AlGaAs材料质量的生长关键工艺实验研究,优化了MBE生长AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构工艺。用GEN-ⅡMBE设备生长AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构材料,得到了高质量的AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构材料。用范德堡法... 通过对MBE工艺中影响GaAs和AlGaAs材料质量的生长关键工艺实验研究,优化了MBE生长AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构工艺。用GEN-ⅡMBE设备生长AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构材料,得到了高质量的AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构材料。用范德堡法研究材料特性,得到材料参数的典型值:二维电子气浓度在室温时为5.6×1011cm-2,电子迁移率为6000cm2/V·s;在77K低温时浓度达3.5×1011cm-2,电子迁移率为1.43×105cm2/V·s。用C-V法测量其浓度分布表明,分布曲线较陡。典型的器件应用结果为:单管室温直流跨导达280mS/mm,在12GHz时均有8dB以上的增益。 展开更多

关键词 分子束外延 异质结 量子阱 调制掺杂 二维电子气 MBE工艺 铝镓砷三元材料

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InAlAs/InGaAs调制掺杂场效应晶体管研究

12

作者 敖金平 曾庆明 《半导体情报》 1992年第3期22-34,共13页

从理论上和实验上对InAlAs/InGaAs调制掺杂场效应晶体管(MODFET)进行了研究。建立了简单的一维电荷控制模型,并进行二维数值模拟,得到了不同偏压下器件内部电势分布和电子浓度分布。在上述理论的指导下,设计了我们所需要的器件纵向和横... 从理论上和实验上对InAlAs/InGaAs调制掺杂场效应晶体管(MODFET)进行了研究。建立了简单的一维电荷控制模型,并进行二维数值模拟,得到了不同偏压下器件内部电势分布和电子浓度分布。在上述理论的指导下,设计了我们所需要的器件纵向和横向结构,并对设计器件的直流特性进行了计算机辅助分析。最后叙述了利用国产Ⅳ型MBE设备生长的材料制作出MODFET的工艺过程,并对器件的直流特性和射频特性进行了测试和分析。直流测试表明,器件的最大饱和电流密度为125mA/mm,最大非本征跨导达250mS/mm;射频测试得到器件(L_g=1.0～1.2βm,W_g=150μm)的特征频率f_T为26GHz,最高振荡频率f_(max)为43GHz。 展开更多

关键词 调制掺杂 场效应 晶体管 INALAS

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调制掺杂AlGaAs/InGaAs/GaAs应变量子阱结构的研究 被引量：2

13

作者 彭正夫 张允强 +2 位作者 高翔 孙娟 朱顺才 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1992年第4期332-335,共4页

报道调制掺杂AlGaAs/InGaAs/GaAs应变量子阱结构的分子束外延生长、变温霍尔效应和电化学c—v测量,并对输运性质进行了讨论。用这种材料研制的PM-HEMT(pseudomorphic high electron mobility transistors)器件,栅长0.4μm,在12GHz下噪... 报道调制掺杂AlGaAs/InGaAs/GaAs应变量子阱结构的分子束外延生长、变温霍尔效应和电化学c—v测量,并对输运性质进行了讨论。用这种材料研制的PM-HEMT(pseudomorphic high electron mobility transistors)器件,栅长0.4μm,在12GHz下噪声系数1.03dB,相关增益7.5dB。 展开更多

关键词 分子束外延 调制掺杂 量子阱

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MBE法生长的调制掺杂GaAs／Al＿xGa＿（1－x）As异质结构材料的输运特性研究

14

作者 朱顺才 《半导体情报》 1995年第1期37-41,共5页

采用变磁场霍尔效应方法，在低磁场（Ｂ＜０．６Ｔ）和低温（Ｔ＝７７Ｋ）条件下，研究了ＨＥＭＴ器件用调制掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ异质结构材料的输运特性。给出了材料电学参数（ρ、ｎ和μ）与Ｂ的依赖关系，揭... 采用变磁场霍尔效应方法，在低磁场（Ｂ＜０．６Ｔ）和低温（Ｔ＝７７Ｋ）条件下，研究了ＨＥＭＴ器件用调制掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ异质结构材料的输运特性。给出了材料电学参数（ρ、ｎ和μ）与Ｂ的依赖关系，揭示了平行电导对材料质量的影响，并对上述依赖关系作了初步的定量分析。 展开更多

关键词 异质结构材料 调制掺杂 输运特性 MBE法 砷化镓 ALGAAS

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调制掺杂结构Si/SiC异质结的光电特性模拟

15

作者 何映锋 陈治明 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第1期18-24,共7页

为了进一步改善Si/SiC异质结光电二极管的性能,采用类似掺杂超晶格的结构,将Si层由多个具有量子尺寸的p型薄层和n型薄层周期性地叠合而成,在Si层中形成一系列不同层的电子势阱和空穴势阱,以延迟光生载流子的复合,延长光生载流子的复合寿... 为了进一步改善Si/SiC异质结光电二极管的性能,采用类似掺杂超晶格的结构,将Si层由多个具有量子尺寸的p型薄层和n型薄层周期性地叠合而成,在Si层中形成一系列不同层的电子势阱和空穴势阱,以延迟光生载流子的复合,延长光生载流子的复合寿命,达到提高光电流密度的目的。使用Silvaco软件模拟了这种Si/SiC异质结的特性,研究了不同的Si层结构参数对器件光电特性的影响,并对Si层的厚度及掺杂浓度进行了优化。研究表明,在0.6 W/cm2的卤钨灯辐照条件下,从SiC侧入射,p-Si和n-Si层的掺杂浓度均为1018 cm-3,厚度均为10 nm,器件的光电流密度可达129.6 mA/cm2,与常规结构相比,其最大光电流密度提高了21%,表明将Si/SiC异质结的Si层做成调制掺杂结构对器件光电性能有显著的改善作用。 展开更多

关键词 Si/SiC异质结 调制掺杂结构 光电效应 光电流密度 Silvaco软件

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调制掺杂HgCdTe量子阱结构和超晶格

16

作者 Han,JW 李玲 《红外》 CAS 1991年第4期13-18,共6页

关键词 HGCDTE 量子阱 超晶格 调制掺杂

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大跨导n型Si/SiGe调制掺杂场效应晶体管

17

作者 K.Ismail 赵旭霞 《半导体情报》 1993年第2期55-57,共3页

报道了第一支0.25μm栅长n型Si/SiGe调制掺杂场效应晶体管的制作和器件特性结果。器件用于超高真空/化学汽相淀积(UHV/CVD)制作的器件,在300K(77K)下,应变Si沟道的迁移率和电子薄层载流子的深度为1500(9500)cm^2/V·s和2.5×10^... 报道了第一支0.25μm栅长n型Si/SiGe调制掺杂场效应晶体管的制作和器件特性结果。器件用于超高真空/化学汽相淀积(UHV/CVD)制作的器件,在300K(77K)下,应变Si沟道的迁移率和电子薄层载流子的深度为1500(9500)cm^2/V·s和2.5×10^(12)(1.5×10^(10))cm^(-2)。器件电流和跨导分别为325mA/mm和600mS/mm。这些值远优于Si MESFET,它们可与所获得的GaAs/Al-GaAs调制掺杂晶体管的结果相媲美。 展开更多

关键词 场效应晶体管 调制掺杂

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离子注入缺陷局域掺杂的高效率硅pn结发光二极管 被引量：2

18

作者 杨阳 孙甲明 +4 位作者 张俊杰 张新霞 刘海旭 W. Skorupa M. Helm 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期142-145,共4页

本文将硼离子注入n型硅片制备出硅pn结发光二极管,系统研究了硼离子的注入剂量、能量、以及温度等条件对硅pn结电致发光效率的影响。随着注入的B原子浓度的提高,硅pn结二极管的电致发光效率显著增强,在B原子浓度接近2倍于退火温度下的... 本文将硼离子注入n型硅片制备出硅pn结发光二极管,系统研究了硼离子的注入剂量、能量、以及温度等条件对硅pn结电致发光效率的影响。随着注入的B原子浓度的提高,硅pn结二极管的电致发光效率显著增强,在B原子浓度接近2倍于退火温度下的固溶度时,室温下的电致发光效率达到最大值0.12%,比传统的硅pn结发光二极管增强了2-3个数量级。在低温电致发光光谱中,发现了两个来自局部掺杂缺陷的束缚激子发光峰。随着温度的升高,束缚激子的发光峰出现温度猝灭,束缚激子离化为自由电子和空穴,增加了硅带间自由激子复合的发光效率,从而使电致发光呈现随温度增加而增强的反常温度效应。 展开更多

关键词 束缚激子 离子注入 硼 退火 调制掺杂

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6 GHz~18 GHz中功率放大器芯片的设计与实现

19

作者 李鑫 肖曼琳 +1 位作者 蒋明 杜鑫威 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2024年第11期105-109,共5页

设计并实现了一款高性能的宽带中功率放大器芯片,该芯片采用0.25μm砷化镓赝调制掺杂异质结场效应晶体管工艺,并通过运用共源共栅电路结构,显著提升了放大器的增益水平。同时,引入负反馈技术,有效改善了增益的平坦度,极大地拓宽了放大... 设计并实现了一款高性能的宽带中功率放大器芯片,该芯片采用0.25μm砷化镓赝调制掺杂异质结场效应晶体管工艺,并通过运用共源共栅电路结构,显著提升了放大器的增益水平。同时,引入负反馈技术,有效改善了增益的平坦度,极大地拓宽了放大器的工作带宽范围,使其能够覆盖从6 GHz~18 GHz的广泛频段,满足多样化的无线通信及雷达系统需求。实测数据表明,该芯片在指定频段内实现了稳定的17±0.3 dB增益,输入输出回波损耗均优于-10 dB,展现出了卓越的匹配性能。在5 V工作电压下,电流消耗仅为63 mA,且1 dB压缩点输出功率高达15 dBm,确保了在高功率输出时的稳定性与可靠性。此外,芯片设计紧凑,面积仅为1.94 mm×1.08 mm,为系统集成提供了极大的便利。 展开更多

关键词 Ku波段 中功率放大器 砷化镓赝调制掺杂异质结场效应晶体管工艺 共源共栅 单片微波集成电路

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GaN基微波半导体器件研究进展 被引量：4

20

作者 杨燕 郝跃 +1 位作者 张进城 李培咸 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期367-372,421,共7页

GaN基微波器件以其优良的特性而在微波大功率方面具有应用潜力.对GaN半导体材料作了比较和讨论,说明了GaN材料在微波大功率应用方面的优势,并阐述了新型GaN基微波器件的最新进展,通过与其他微波器件的比较表明了GaN调制掺杂场效应晶体... GaN基微波器件以其优良的特性而在微波大功率方面具有应用潜力.对GaN半导体材料作了比较和讨论,说明了GaN材料在微波大功率应用方面的优势,并阐述了新型GaN基微波器件的最新进展,通过与其他微波器件的比较表明了GaN调制掺杂场效应晶体管在微波大功率应用方面所具有的明显优势. 展开更多

关键词 GAN 微波大功率 调制掺杂场效应晶体管

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