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铝锆共掺杂氧化锌透明导电薄膜的低温制备及特性研究 被引量：7
1
作者 张化福 刘汉法 +1 位作者 袁长坤 类成新 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期306-310,共5页
利用直流磁控溅射法在室温玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的铝锆共掺杂氧化锌(ZAZO)透明导电薄膜。讨论了溅射功率对ZAZO薄膜结构、形貌和光电性能的影响。实验结果表明,溅射功率对ZAZO薄膜的结构、形貌和电学性能有很大影... 利用直流磁控溅射法在室温玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的铝锆共掺杂氧化锌(ZAZO)透明导电薄膜。讨论了溅射功率对ZAZO薄膜结构、形貌和光电性能的影响。实验结果表明,溅射功率对ZAZO薄膜的结构、形貌和电学性能有很大影响,而对其光学性能影响不大。扫描电子显微镜和X射线衍射仪研究结果表明,ZAZO薄膜为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的c轴择优取向。当溅射功率为120 W时,薄膜的电阻率达到最小值5.28×10-4Ω.cm,其可见光区平均透过率超过94%。 展开更多
关键词 铝锆共掺杂氧化锌 透明导电薄膜 磁控溅射 溅射功率光电性能
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ZnO基透明导电薄膜
2
作者 史钧达 杨汝琪 +3 位作者 胡杜楠 刘如敏 余涛 吕建国 《发光学报》 北大核心 2025年第4期597-614,共18页
ZnO是一种典型的第三代半导体材料,宽禁宽度3.37 eV。本征ZnO是一种n型半导体,采用施主元素掺杂技术可以显著提升其n型导电特性。ZnO基透明导电薄膜具有原料来源丰富、制备方法多样、可室温生长等优势,可应用于光电、传感、光热等诸多... ZnO是一种典型的第三代半导体材料,宽禁宽度3.37 eV。本征ZnO是一种n型半导体,采用施主元素掺杂技术可以显著提升其n型导电特性。ZnO基透明导电薄膜具有原料来源丰富、制备方法多样、可室温生长等优势,可应用于光电、传感、光热等诸多领域。其中,Al掺杂ZnO(AZO)是一种典型的透明导电氧化物(TCO),备受关注。本文以AZO薄膜为主要代表,综述了ZnO基透明导电薄膜的最新研究进展,包括掺杂ZnO单层薄膜、ZnO基多层薄膜、柔性ZnO基薄膜等不同类型透明导电薄膜的物理化学性质;重点探讨了ZnO基透明导电薄膜的迁移率、禁带宽度、透射率/吸收率/反射率等光电特性及其内在关系;详细介绍了ZnO基透明导电薄膜在发光二极管、太阳能电池、传感器、半导体加热等领域的应用情况;最后对存在的挑战和未来发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 氧化锌 透明导电薄膜 施主掺杂 AZO 光电特性
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ITO沉积温度对ITO/Au透明导电薄膜光电性能的影响
3
作者 侯焕然 金扬利 +3 位作者 石晓飞 张运生 王衍行 祖成奎 《表面技术》 北大核心 2025年第4期233-241,261,共10页
目的研究衬底层ITO的沉积温度对ITO/Au透明导电薄膜光电性能的影响规律和机理。方法采用直流磁控溅射技术,在不同沉积温度下制备的ITO薄膜表面沉积超薄Au膜,利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、分光光度计、四探针电阻测试仪对ITO/Au薄... 目的研究衬底层ITO的沉积温度对ITO/Au透明导电薄膜光电性能的影响规律和机理。方法采用直流磁控溅射技术,在不同沉积温度下制备的ITO薄膜表面沉积超薄Au膜,利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、分光光度计、四探针电阻测试仪对ITO/Au薄膜的表面形貌、表面粗糙度、透光率及表面方阻进行表征和测试,分析ITO沉积温度对ITO/Au光电性能的影响机理。为了进一步理解超薄Au膜生长连续性改善的原因,通过几何平均法和算术平均法分别计算了ITO薄膜的表面自由能,分析了ITO薄膜表面自由能的改变对生长形貌的影响规律。结果在超薄Au膜镀制工艺相同的前提下,随着衬底层ITO薄膜沉积温度升高,ITO/Au薄膜的可见光平均透过率提升,表面方阻值降低。这是因为当沉积温度高于200℃时,ITO薄膜发生多晶化转变,多晶态的ITO相较于非结晶态具有更高的表面自由能,更有利于超薄Au膜的铺展,进而提升ITO/Au薄膜的光电性能。当ITO沉积温度提升至300℃时,ITO薄膜的表面自由能几何平均法计算结果为45.2 mJ/m^(2),算术平均法计算结果为48.1 mJ/m^(2),在其表面沉积超薄Au膜后,制备了可见光平均透过率为47.5%、表面方阻为5.65Ω/sq,高光电性能兼容的ITO/Au薄膜。结论提高衬底层ITO薄膜的沉积温度,ITO薄膜发生多晶化转变,表面自由能提升,可有效促进超薄Au膜在其表面铺展,进而提升ITO/Au薄膜的光电性能。 展开更多
关键词 沉积温度 氧化铟锡 超薄金膜 透明导电薄膜 磁控溅射 光电性能 表面自由能
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掺钼氧化锌透明导电薄膜光学性质研究 被引量：12
4
作者 吴臣国 沈杰 +2 位作者 王三坡 章壮健 杨锡良 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期171-175,共5页
采用直流磁控反应溅射制备了掺钼氧化锌透明导电薄膜。研究了掺钼氧化锌薄膜的结构、表面形貌及其光学和电学性能。原子力显微镜扫描显示薄膜表面较为平整致密。制备出的掺钼氧化锌薄膜最低电阻率为9.4×10-4Ω.cm,相应载流子迁移率... 采用直流磁控反应溅射制备了掺钼氧化锌透明导电薄膜。研究了掺钼氧化锌薄膜的结构、表面形貌及其光学和电学性能。原子力显微镜扫描显示薄膜表面较为平整致密。制备出的掺钼氧化锌薄膜最低电阻率为9.4×10-4Ω.cm,相应载流子迁移率为27.3cm2V-1s-1,载流子浓度为3.1×1020cm-3。在可见光区域的平均透射率大于85%,折射率(550nm)为1.853,消光系数为7.0×10-3。通过调节氧分压可以调节薄膜载流子浓度,禁带宽度随载流子浓度的增加由3.37增大到3.8eV,薄膜的载流子有效质量m*为0.33倍的电子质量。 展开更多
关键词 透明导电薄膜 掺钼氧化锌 磁控溅射 光学性质 有效质量
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离子辅助沉积掺铝氧化锌透明导电膜的研究 被引量：8
5
作者 初国强 王子君 +1 位作者 刘星元 王立军 《液晶与显示》 CAS CSCD 2001年第2期135-139,共5页
报道了采用离子辅助电子枪蒸发技术制备优质氧化锌透明导电膜的工艺和结果 ,分析了源掺杂 ,镀膜气氛 ,衬底温度等参数与膜的电导率及透光特性的关系 ,作出了电阻率低达 2× 1 0 - 3Ω· cm,厚为 40 0 nm的膜的方块电阻为 1×... 报道了采用离子辅助电子枪蒸发技术制备优质氧化锌透明导电膜的工艺和结果 ,分析了源掺杂 ,镀膜气氛 ,衬底温度等参数与膜的电导率及透光特性的关系 ,作出了电阻率低达 2× 1 0 - 3Ω· cm,厚为 40 0 nm的膜的方块电阻为 1× 1 0 3Ω/□ ,可见光透过率大于 80 %的优质透明导电膜。实验表明氧离子辅助蒸发可增加氧化锌分子的能量 ,提高其迁移率 ,显著提高薄膜的致密程度 ;氧离子能使分解的锌原子充分氧化 ;离子轰击可平滑薄膜表面。总之 。 展开更多
关键词 氧化锌透明导电膜 离子辅助蒸发 电子束蒸发 氧化物半导体 电导率 透光特性 源参杂 镀膜气氛
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掺钛氧化锌透明导电薄膜的制备及特性研究 被引量：8
6
作者 刘汉法 张化福 +1 位作者 袁玉珍 袁长坤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1092-1095,共4页
利用直流磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上成功地制备出了掺钛氧化锌(ZnO∶Ti)透明导电薄膜。研究了靶衬间距对ZnO∶Ti薄膜结构、形貌和光电性能的影响。研究结果表明,靶衬间距对ZnO∶Ti薄膜的结构和电阻率有显著影响。X射线衍射(XRD)表... 利用直流磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上成功地制备出了掺钛氧化锌(ZnO∶Ti)透明导电薄膜。研究了靶衬间距对ZnO∶Ti薄膜结构、形貌和光电性能的影响。研究结果表明,靶衬间距对ZnO∶Ti薄膜的结构和电阻率有显著影响。X射线衍射(XRD)表明,ZnO∶Ti薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向。在靶衬间距为4.6 cm时,实验获得的ZnO∶Ti薄膜电阻率具有最小值4.18×10-4Ω.cm。实验制备的ZnO∶Ti薄膜具有良好的附着性能,可见光区平均透过率超过92%。ZnO∶Ti薄膜可以用作薄膜太阳能电池和液晶显示器的透明电极。 展开更多
关键词 掺钛氧化锌 透明导电薄膜 磁控溅射 靶衬间距
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掺锆氧化锌透明导电薄膜的制备及特性研究 被引量：3
7
作者 刘汉法 张化福 +1 位作者 类成新 袁长坤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期991-994,共4页
利用射频磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上成功地制备出了掺锆氧化锌(ZnO∶Zr)透明导电薄膜。研究了溅射功率对ZnO∶Zr薄膜结构、形貌和光电性能的影响。研究结果表明,溅射功率对ZnO∶Zr薄膜的结构和电阻率有显著影响。X射线衍射(XRD)表... 利用射频磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上成功地制备出了掺锆氧化锌(ZnO∶Zr)透明导电薄膜。研究了溅射功率对ZnO∶Zr薄膜结构、形貌和光电性能的影响。研究结果表明,溅射功率对ZnO∶Zr薄膜的结构和电阻率有显著影响。X射线衍射(XRD)表明,ZnO∶Zr薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有C轴择优取向。在溅射功率为150 W时,实验获得的ZnO∶Zr薄膜电阻率具有最小值3.8×10-3Ω.cm。实验制备的ZnO∶Zr薄膜具有良好的附着性能,可见光区平均透过率超过92%。ZnO∶Zr薄膜可以用作薄膜太阳能电池和液晶显示器的透明电极。 展开更多
关键词 掺锆氧化锌 透明导电薄膜 磁控溅射 溅射功率
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氧化锌透明导电膜 被引量：1
8
作者 邓菊莲 廖华 +3 位作者 姚朝辉 龙维绪 王志刚 崔海昱 《可再生能源》 CAS 2008年第6期91-93,共3页
氧化锌作为一种功能材料,具有许多优异的性能和广泛的应用价值。概述了氧化锌透明导电薄膜的性能、种类、制备工艺、应用前景及研究现状。通过对氧化锌薄膜制备方法的研究对比,介绍了各种制备方法的优缺点。基于电化学沉积方法的优点提... 氧化锌作为一种功能材料,具有许多优异的性能和广泛的应用价值。概述了氧化锌透明导电薄膜的性能、种类、制备工艺、应用前景及研究现状。通过对氧化锌薄膜制备方法的研究对比,介绍了各种制备方法的优缺点。基于电化学沉积方法的优点提出电化学沉积法是制备氧化锌薄膜的最佳方法,具有较好的应用前景和研究意义。 展开更多
关键词 透明导电膜 氧化锌 电化学沉积
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优质氧化锌透明导电膜 被引量：1
9
作者 吴瑞华 文元章 +1 位作者 刘亚军 李军 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期299-305,共7页
报道了采用反应电子束蒸发技术制备优质氧化锌透明导电膜的工艺和结果。典型的结果：电阻率低达２×１０－４Ω．ｃｍ，霍尔电子迁移率为５２ｃｍ２（Ｖｓ）－１，厚４０００×１０－１０ｍ膜的方块电阻为８．９Ω／□，可见光... 报道了采用反应电子束蒸发技术制备优质氧化锌透明导电膜的工艺和结果。典型的结果：电阻率低达２×１０－４Ω．ｃｍ，霍尔电子迁移率为５２ｃｍ２（Ｖｓ）－１，厚４０００×１０－１０ｍ膜的方块电阻为８．９Ω／□，可见光透过率大于９０％。分析了源掺杂、镀膜气氛、衬底温度等参数与膜的电导和透光特性的关系。 展开更多
关键词 氧化锌 透明导电膜 电子束蒸发 氧化物半导体
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掺杂透明导电半导体薄膜的光电性能研究 被引量：8
10
作者 葛春桥 郭爱云 胡小峰 《应用光学》 CAS CSCD 2006年第1期40-42,共3页
掺杂氧化锌透明导电膜(AZO)是一种重要的光电子信息材料,其制备方法有真空蒸镀法、磁控溅射法,化学气相沉积和脉冲激光沉积法等。该文采用溶胶-凝胶(so l-gel)工艺在普通玻璃基片上成功地制备出A l3+掺杂型ZnO透明导电薄膜。将这种薄膜... 掺杂氧化锌透明导电膜(AZO)是一种重要的光电子信息材料,其制备方法有真空蒸镀法、磁控溅射法,化学气相沉积和脉冲激光沉积法等。该文采用溶胶-凝胶(so l-gel)工艺在普通玻璃基片上成功地制备出A l3+掺杂型ZnO透明导电薄膜。将这种薄膜在空气和真空中以不同的温度进行了退火处理,并对薄膜进行了XRD分析和光电性能研究。结果表明,所制备的薄膜为钎锌矿型结构,在c轴方向择优生长,真空退火有利于薄膜结晶状况的改善,并使薄膜的载流子浓度大幅度地增加而电阻率下降,并且真空退火对薄膜的透射率影响不大。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 AZO薄膜 真空退火 掺杂氧化锌透明导电膜 光电性能
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基于太阳能电池中氧化锌柔性透明导电薄膜研究进展 被引量：6
11
作者 刘星生 董丽君 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2020年第11期35-38,共4页
作为柔性太阳能电池重要的薄膜材料,氧化锌柔性透明导电薄膜具有来源丰富、环境友好、易加工、成本低等优点,是最具开发性的柔性透明导电薄膜材料。介绍了氧化锌柔性透明导电薄膜衬底材料、制备方法和结构特性的研究进展,并对其未来的... 作为柔性太阳能电池重要的薄膜材料,氧化锌柔性透明导电薄膜具有来源丰富、环境友好、易加工、成本低等优点,是最具开发性的柔性透明导电薄膜材料。介绍了氧化锌柔性透明导电薄膜衬底材料、制备方法和结构特性的研究进展,并对其未来的发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 太阳能电池 氧化锌 柔性 透明 导电薄膜
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透明导电氧化物薄膜材料研究进展 被引量：37
12
作者 刘宏燕 颜悦 +3 位作者 望咏林 伍建华 张官理 厉蕾 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期63-82,共20页
透明导电氧化物薄膜被广泛应用于太阳能电池、平板显示器以及透明视窗等制备中,成为不可或缺的一类薄膜。综述透明导电氧化物薄膜的发展现状和发展趋势,阐述透明导电氧化物薄膜的导电机理和载流子散射机制,系统概括出材料体系选择原则... 透明导电氧化物薄膜被广泛应用于太阳能电池、平板显示器以及透明视窗等制备中,成为不可或缺的一类薄膜。综述透明导电氧化物薄膜的发展现状和发展趋势,阐述透明导电氧化物薄膜的导电机理和载流子散射机制,系统概括出材料体系选择原则。化学计量比的氧化物是不导电的,通过在薄膜中引入缺陷,包括氧空位、间隙原子或者外来杂质等,在禁带中形成缺陷能级,从而改变氧化物薄膜的导电性能,形成透明导电氧化物。根据掺杂离子的不同,即受主掺杂离子和施主掺杂离子,透明导电氧化物包括N型和P型半导体两种。在这种由于缺陷的引入而导电的透明氧化物薄膜中,载流子散射主要包括晶界散射、声子散射、杂质离子散射和孪晶界散射四种,其中晶界散射和杂质离子散射占主导。进一步地,重点介绍In2O3、SnO2和ZnO基掺杂透明导电氧化物薄膜的基本性能及应用。In2O3基透明导电氧化物由于其在制备低电阻率薄膜和半导体加工方面的优势,成为制作透明电极的主要材料,而SnO2和ZnO基透明导电氧化物由于成本低廉,在未来替代In2O3基透明导电氧化物在透明电极制备方面具有巨大的潜力。此外,结合多功能电子器件的发展,提出延展性能好的氧化物/金属/氧化物三明治结构的透明导电氧化物薄膜是将来的发展方向和研究重点。 展开更多
关键词 氧化铟 氧化锡 氧化锌 透明导电氧化物
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(Al,Zr)共掺杂ZnO透明导电薄膜的结构以及光电性能研究 被引量：10
13
作者 薛建设 林炜 +2 位作者 马瑞新 康勃 吴中亮 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期560-564,共5页
用射频磁控溅射法在玻璃衬底上氩气气氛中制备出(Al,Zr)共掺杂的ZnO透明导电薄膜,研究了不同Zr掺杂浓度和薄膜厚度ZnO薄膜的结构、电学和光学特性。结果表明,在最佳沉积条件下我们制备出了具有(002)单一择优取向的多晶六角纤锌矿结构,... 用射频磁控溅射法在玻璃衬底上氩气气氛中制备出(Al,Zr)共掺杂的ZnO透明导电薄膜,研究了不同Zr掺杂浓度和薄膜厚度ZnO薄膜的结构、电学和光学特性。结果表明,在最佳沉积条件下我们制备出了具有(002)单一择优取向的多晶六角纤锌矿结构,电阻率为2.2×10-2Ω.cm,且可见光段(320～800nm)平均透过率达到85%的ZnO透明导电薄膜。在150℃的条件下对(Al,Zr)共掺杂的ZnO薄膜进行1h的退火处理,薄膜电阻率降低至8.4×10-3Ω.cm。Zr杂质的掺入改善了薄膜的可见光透光性。 展开更多
关键词 氧化锌 透明导电薄膜 电阻率 透光率 射频磁控溅射
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膜厚对Zr,Al共掺杂ZnO透明导电薄膜结构和光电性能的影响 被引量：12
14
作者 袁玉珍 王辉 +2 位作者 张化福 刘汉法 刘云燕 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期169-173,共5页
采用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备出Zr,Al共掺杂ZnO(AZZO)透明导电薄膜。用XRD和SEM分析和观察了薄膜样品的组织结构和表面形貌。研究表明:制备的AZZO透明导电薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向。另外还研究了薄膜... 采用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备出Zr,Al共掺杂ZnO(AZZO)透明导电薄膜。用XRD和SEM分析和观察了薄膜样品的组织结构和表面形貌。研究表明:制备的AZZO透明导电薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向。另外还研究了薄膜的结构、光学和电学性质随薄膜厚度的变化关系。当薄膜厚度为843nm时,电阻率具有最小值1.18×10-3Ω.cm,在可见光区(500～800nm)平均透过率超过93%。 展开更多
关键词 磁控溅射 Zr Al共掺杂ZnO 膜厚 透明导电薄膜
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柔性衬底氧化物半导体透明导电膜的研究进展 被引量：14
15
作者 郝晓涛 张德恒 +5 位作者 马瑾 杨莺歌 王卿璞 程传福 田茂华 马洪磊 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期354-356,359,共4页
回顾和评述了柔性衬底氧化物透明导电膜 (包括锡掺杂的三氧化二铟ITO薄膜、铝掺杂的氧化锌AZO薄膜等 )的研究进展情况。报道了在柔性衬底上制备的ITO膜、ZnO膜的光电性质对衬底种类、制备工艺以及制备参数的依赖关系 。
关键词 柔性衬底 氧化物半导体 透明导电膜 研究进展
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溶胶凝胶法制备钼掺杂氧化锌薄膜及性质研究(英文) 被引量：4
16
作者 邵景珍 董伟伟 +3 位作者 陶汝华 邓赞红 周曙 方晓东 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期247-252,共6页
利用溶胶凝胶法在Al_2O_3衬底上制备出了c轴择优取向的钼掺杂氧化锌(MZO)透明导电薄膜,研究了,钼的掺杂量(0～1 at%)对钼掺杂氧化锌薄膜光电性能的影响。研究结果表明:所制备的薄膜为六方纤锌矿型结构且表面平整、致密。通过高温真空退... 利用溶胶凝胶法在Al_2O_3衬底上制备出了c轴择优取向的钼掺杂氧化锌(MZO)透明导电薄膜,研究了,钼的掺杂量(0～1 at%)对钼掺杂氧化锌薄膜光电性能的影响。研究结果表明:所制备的薄膜为六方纤锌矿型结构且表面平整、致密。通过高温真空退火,MZO薄膜的电阻率明显降低。且随着钼含量的增加,MZO薄膜的电阻率呈现出先减小后增大的趋势,当钼含量为0.4at%时,获得最小电阻率为0.13Ωcm。薄膜在近红外区域(800～2000 nm)的平均透过率大于85%,这可以有效地拓宽光电器件的光谱范围。 展开更多
关键词 材料 光电特性 溶胶凝胶法 钼掺杂氧化锌 透明导电氧化物
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掺杂氧化锌薄膜的最新进展 被引量：4
17
作者 刘波 赵小如 +2 位作者 冯娴娴 刘凯 赵亮 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期522-527,共6页
掺杂氧化锌(ZnO)薄膜是一种新型的透明导电氧化物(TCO)材料,因有替代氧化铟锡(ITO)的潜能而成为当今TCO材料中的研究热点,其优异的光学和电学性能使其在平板显示器、太阳能电池等光电器件中具有光明的应用前景。文章对ZnO基半导体材料... 掺杂氧化锌(ZnO)薄膜是一种新型的透明导电氧化物(TCO)材料,因有替代氧化铟锡(ITO)的潜能而成为当今TCO材料中的研究热点,其优异的光学和电学性能使其在平板显示器、太阳能电池等光电器件中具有光明的应用前景。文章对ZnO基半导体材料的结构和性能进行了介绍,综述了近年来以ZnO薄膜为基体的n型和p型掺杂的研究进展,并在此基础上对未来的发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 氧化锌 透明导电 电阻率 透过率
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透明导电铟铋氧化物薄膜的制备及其性能 被引量：11
18
作者 田苗苗 范翊 刘星元 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期605-608,共4页
以氧化铟为主体材料,以铋为掺杂材料,采用真空热蒸发方法研制出2.5%铋掺杂的透明导电氧化物薄膜（IBO）。实验表明：IBO薄膜具有良好的表面形貌,载流子浓度为3.955×10^19cm^-3,载流子迁移率达到50.21cm^2·V^-1·s^-1,电... 以氧化铟为主体材料,以铋为掺杂材料,采用真空热蒸发方法研制出2.5%铋掺杂的透明导电氧化物薄膜（IBO）。实验表明：IBO薄膜具有良好的表面形貌,载流子浓度为3.955×10^19cm^-3,载流子迁移率达到50.21cm^2·V^-1·s^-1,电导率为3.143×10^-3Ω·cm,在可见光范围内的平均透过率超过82%,功函数为4.76eV。采用其作为阳极制作的OLED得到最大亮度30230cd/m^2,最大电流效率为5.1cd/A。结果表明IBO是一种良好的光电器件阳极材料。 展开更多
关键词 透明导电氧化物 掺杂 IN2O3 BI2O3 有机电致发光器件
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Al掺杂纳米氧化锌导电粉的性能与结构 被引量：4
19
作者 熊瑜 郑冀 +2 位作者 李燕 刘雪佳 梁璐 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期70-73,共4页
以Zn(NO3)2.6H2O,Al(NO3)3.9H2O,尿素为原料,采用均相沉淀法,制备出碱式碳酸锌粉末,之后将前驱体在氢气气氛下煅烧,制得Al掺杂氧化锌导电粉。利用SEM,TGA,XPS和XRD等分析手段对材料性能进行表征,研究了Al掺杂氧化锌导电性能的影响。结... 以Zn(NO3)2.6H2O,Al(NO3)3.9H2O,尿素为原料,采用均相沉淀法,制备出碱式碳酸锌粉末,之后将前驱体在氢气气氛下煅烧,制得Al掺杂氧化锌导电粉。利用SEM,TGA,XPS和XRD等分析手段对材料性能进行表征,研究了Al掺杂氧化锌导电性能的影响。结果表明:随着Al 3+掺杂量的增大,粉体体积电阻率先降低后升高,Al 3+掺杂含量在1.5%(摩尔分数)时电阻率最低,为1.05×105Ω.cm。掺杂后的ZnO为六方纤锌矿结构,颗粒呈类椭球形,粒度分布窄,导电性能明显提高。 展开更多
关键词 氧化锌导电粉 AL掺杂 均相沉淀
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p型透明导电氧化物薄膜的研究进展 被引量：3
20
作者 刘高斌 冯庆 +2 位作者 李丽 廖克俊 王万录 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期444-448,共5页
p型透明导电膜是近来发现的一种新型的材料,在透明有源器件、传感器、透明电极和电路等方面具有广泛的潜在应用。近来在这方面的研究取得了一些突出的进展。本文主要综述了关于p型透明导电膜在材料、沉积工艺以及相关器件方面的研究进展。
关键词 半导体薄膜 p型透明导电膜 综述 透明氧化物 透明有源器件
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