基于CF_4/Ar高密度感应耦合等离子体的BZN薄膜的刻蚀工艺研究 被引量：2

1

作者 王刚 李威 +3 位作者 李平 李祖雄 范雪 姜晶 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第18期1-3,13,共4页

使用CF4/Ar高密度感应耦合等离子体(ICP)对磁控溅射法制得的铌酸锌铋(BZN)薄膜进行了干法刻蚀工艺研究。分析了BZN薄膜的刻蚀速率随工艺气体流量比、总流量和工作压强的改变而出现极大值的原因,展示了BZN薄膜的刻蚀速率随ICP功率的增大... 使用CF4/Ar高密度感应耦合等离子体(ICP)对磁控溅射法制得的铌酸锌铋(BZN)薄膜进行了干法刻蚀工艺研究。分析了BZN薄膜的刻蚀速率随工艺气体流量比、总流量和工作压强的改变而出现极大值的原因,展示了BZN薄膜的刻蚀速率随ICP功率的增大而线性增加的趋势。研究结果表明,使用CF4/Ar感应耦合等离子体对BZN薄膜进行刻蚀的机理为物理辅助的化学反应刻蚀。BZN薄膜的最佳刻蚀工艺参数为CF4/Ar流量比3/2、总流量25sccm、工作压强1.33Pa、ICP功率800W,使用此参数对BZN薄膜进行刻蚀,最大刻蚀速率为26nm/min,刻蚀后薄膜边缘齐整、表面光滑、形状完整。 展开更多

关键词 BZN薄膜 感应耦合等离子体 干法刻蚀 刻蚀速率 表面形貌

在线阅读 下载PDF 职称材料

感应耦合等离子体选择性刻蚀GaN/AlGaN 被引量：1

2

作者 王冲 冯倩 +1 位作者 郝跃 杨燕 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期520-523,共4页

采用Cl2/Ar作为刻蚀气体,研究了在感应耦合等离子体干法刻蚀GaN、Al0.27Ga0.73N材料中工艺参数对刻蚀速率及选择比的影响.GaN与Al0.27Ga0.73N之间的刻蚀选择比随自偏压的增大而减小,随感应耦合等离子体功率的增大变化不大.在Cl2/Ar为3:... 采用Cl2/Ar作为刻蚀气体,研究了在感应耦合等离子体干法刻蚀GaN、Al0.27Ga0.73N材料中工艺参数对刻蚀速率及选择比的影响.GaN与Al0.27Ga0.73N之间的刻蚀选择比随自偏压的增大而减小,随感应耦合等离子体功率的增大变化不大.在Cl2/Ar为3:1的刻蚀气体中加入10%的O2对GaN刻蚀速率影响不大,却使Al0.27Ga0.73N刻蚀速率明显下降,从而提高了GaN与Al0.27Ga0.73N之间的刻蚀选择比.对比了采用不同自偏压刻蚀的Al0.27Ga0.73N材料肖特基的特性,发现反向漏电流随自偏压的增大而增大. 展开更多

关键词 感应耦合等离子体 刻蚀速率 选择性刻蚀 选择比 刻蚀损伤

在线阅读 下载PDF 职称材料

Cl_2/Ar感应耦合等离子体刻蚀Si工艺研究 被引量：2

3

作者 郭帅 周弘毅 +1 位作者 陈树华 郭霞 《电子科技》 2012年第9期1-5,共5页

采用Cl2/Ar感应耦合等离子体(ICP)对单晶硅进行了刻蚀,工艺中用光刻胶作掩膜。研究了气体组分、ICP功率和RF功率等工艺参数对硅刻蚀速率和硅与光刻胶刻蚀选择比的影响,同时还研究了不同工艺条件对侧壁形貌的影响。结果表明,由于物理刻... 采用Cl2/Ar感应耦合等离子体(ICP)对单晶硅进行了刻蚀,工艺中用光刻胶作掩膜。研究了气体组分、ICP功率和RF功率等工艺参数对硅刻蚀速率和硅与光刻胶刻蚀选择比的影响,同时还研究了不同工艺条件对侧壁形貌的影响。结果表明,由于物理刻蚀机制和化学刻蚀机制的相对强度受到混合气体中Cl2和Ar比例的影响,硅刻蚀速率随着Ar组分的增加而降低,同时选择比也随之降低。硅刻蚀速率随着ICP功率的增大先增大继而减小,选择比则成上升趋势。硅刻蚀速率和选择比均随RF功率的增大单调增大。在Cl2/Ar混合气体的刻蚀过程中,离子辅助溅射是决定硅刻蚀效果的重要因素。同时,文中还研究分析了刻蚀工艺对于微槽效应和刻蚀侧壁形貌的影响,结果表明,通过提高ICP功率可以有效减小微槽和平滑侧壁。进一步研究了SiO2掩膜下,压强改变对于硅刻蚀形貌的影响,发现通过降低压强,可以明显地抑制杂草的产生。 展开更多

关键词 感应耦合等离子体 硅 CL2/AR 离子辅助刻蚀

在线阅读 下载PDF 职称材料

Cl_2/BCl_3感应耦合等离子体GaN刻蚀侧壁形貌研究

4

作者 汪明刚 杨威风 +2 位作者 李超波 刘训春 夏洋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期367-370,共4页

基于感应耦合等离子体干法刻蚀技术,对采用Cl2/BCl3气体组分下GaN刻蚀后的侧壁形貌进行了研究。扫描电镜(SEM)结果表明,一定刻蚀条件下,刻蚀后GaN侧壁会形成转角与条纹状褶皱形貌。进一步实验,观察到了GaN侧壁转角形貌的形成过程;低偏... 基于感应耦合等离子体干法刻蚀技术,对采用Cl2/BCl3气体组分下GaN刻蚀后的侧壁形貌进行了研究。扫描电镜(SEM)结果表明,一定刻蚀条件下,刻蚀后GaN侧壁会形成转角与条纹状褶皱形貌。进一步实验,观察到了GaN侧壁转角形貌的形成过程;低偏压功率实验表明,高能离子轰击是GaN侧壁转角与条纹状褶皱形貌形成的原因。刻蚀过程中,掩蔽层光刻胶经过高能离子一段时间轰击后,其边缘首先出现条纹状褶皱形貌,并转移到GaN侧壁上,接着转角形貌亦随之出现并转移到GaN侧壁上。这与已公开发表文献认为的GaN侧壁条纹状褶皱仅由于掩蔽层边缘粗糙所引起而非刻蚀过程中形成的解释不同。 展开更多

关键词 氮化镓 干法刻蚀 氯气/氯化硼 感应耦合等离子体 侧壁形貌

在线阅读 下载PDF 职称材料

感应耦合等离子体刻蚀机的原理与故障分析 被引量：1

5

作者 雷宇 《电子工业专用设备》 2017年第5期59-62,共4页

介绍了ICPE法工艺的基本原理及其设备的基本结构。分析了影响ICP工艺刻蚀速率的主要因素。根据多年维修经验,分析总结了ICP设备常见故障现象并给出了相应的解决方法。

关键词 感应耦合等离子体 干法刻蚀 故障分析

在线阅读 下载PDF 职称材料

感应耦合等离子体刻蚀InSb时偏压射频源功率的选取 被引量：2

6

作者 王理文 司俊杰 张国栋 《航空兵器》 2012年第4期62-64,共3页

以CH4/H2/Ar为刻蚀气体,对带有SiO2掩膜图形的N型InSb晶片进行了感应耦合等离子体(ICP,inductively coupled plasma)刻蚀。研究了不同偏压射频源(RF)功率对InSb的刻蚀速率、刻蚀表面粗糙度以及InSb与SiO2的刻蚀选择比的影响,得到了ICP刻... 以CH4/H2/Ar为刻蚀气体,对带有SiO2掩膜图形的N型InSb晶片进行了感应耦合等离子体(ICP,inductively coupled plasma)刻蚀。研究了不同偏压射频源(RF)功率对InSb的刻蚀速率、刻蚀表面粗糙度以及InSb与SiO2的刻蚀选择比的影响,得到了ICP刻蚀InSb时的一个优选的偏压射频源功率值。结果表明:当偏压射频源功率为150 W,ICP功率为800 W,反应室压力为1.0 Pa,CH4/H2/Ar的体积流量比为3/10/1时,InSb的刻蚀速率可达90 nm/min,刻蚀表面的平均粗糙度(Ra)约为6.1 nm,InSb与SiO2的刻蚀选择比约为6。 展开更多

关键词 感应耦合等离子体 反应离子刻蚀 刻蚀速率 刻蚀选择比 偏压射频源功率

在线阅读 下载PDF 职称材料

感应耦合等离子体干法刻蚀中光刻胶异常变性的改善 被引量：6

7

作者 徐纯洁 张福刚 +6 位作者 崔立加 张雪峰 徐浩 刘日久 李根范 王世凯 郑载润 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2017年第4期265-268,共4页

通过不同感应耦合等离子体刻蚀条件下进行的玻璃基板发生光刻胶变性的位置,研究光刻胶变性与下部电极结构的相关性。研究结果表明:下部电极的Dam区对玻璃基板的冷却效果较差,导致该区域的玻璃基板上光刻胶容易产生变性。经过对下部电极... 通过不同感应耦合等离子体刻蚀条件下进行的玻璃基板发生光刻胶变性的位置,研究光刻胶变性与下部电极结构的相关性。研究结果表明:下部电极的Dam区对玻璃基板的冷却效果较差,导致该区域的玻璃基板上光刻胶容易产生变性。经过对下部电极Dam区的改造可以有效增大玻璃基板的冷却范围,改善光刻胶变性残留问题。 展开更多

关键词 感应耦合等离子体 干法刻蚀 下部电极 光刻胶 湿法去胶

在线阅读 下载PDF 职称材料

感应耦合等离子刻蚀技术研究 被引量：3

8

作者 樊红安 蒋军彪 +1 位作者 冯培德 王小斌 《中国惯性技术学报》 EI CSCD 2002年第4期62-66,共5页

依据感应耦合等离子体的刻蚀机理,对影响刻蚀的两个重要参数及先进的硅刻蚀技术进行了较深入的研究,并对影响刻蚀效果的参数进行了实验研究,刻蚀出了20μm深,2μm宽的谐振器结构,得到了最佳的工艺参数。

关键词 感应耦合 等离子体 干涉刻蚀 谐振器 硅刻蚀

在线阅读 下载PDF 职称材料

等离子体刻蚀中工艺参数对刻蚀速率影响的研究 被引量：12

9

作者 陈晓南 杨培林 +1 位作者 庞宣明 袁丛清 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期546-547,共2页

用实验方法研究了在感应耦合等离子体(ICP)的干法刻蚀过程中,工艺参数对刻蚀速率的影响.研究结果表明,刻蚀速率随SF6气体流量、自偏压以及射频功率的增大而增大,但当SF6气体流量、自偏压达到一定值后,刻蚀速率开始降低.实验中对工艺参... 用实验方法研究了在感应耦合等离子体(ICP)的干法刻蚀过程中,工艺参数对刻蚀速率的影响.研究结果表明,刻蚀速率随SF6气体流量、自偏压以及射频功率的增大而增大,但当SF6气体流量、自偏压达到一定值后,刻蚀速率开始降低.实验中对工艺参数进行了优化,在射频功率为500W、自偏压为150V、流量为50cm3/s,以及SiO2和Si3N4的选择比为15的条件下,硅的刻蚀速率达到了0 80μm/min. 展开更多

关键词 感应耦合等离子体 干法刻蚀 硅

在线阅读 下载PDF 职称材料

利用CH_4/H_2/Ar及Cl_2高密度等离子体对InSb的高速率刻蚀研究(英文) 被引量：3

10

作者 张国栋 司俊杰 王理文 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第4期843-846,共4页

利用感应耦合等离子体(ICP)进行了InSb刻蚀研究。为了实现高的刻蚀速率同时保证光滑的刻蚀表面,研究中在CH4/H2/Ar气氛中引入了Cl2。研究发现,对InSb的刻蚀速率随Cl2含量及ICP功率的升高而线性增加。当Cl2含量增加到超过12%或ICP功率大... 利用感应耦合等离子体(ICP)进行了InSb刻蚀研究。为了实现高的刻蚀速率同时保证光滑的刻蚀表面,研究中在CH4/H2/Ar气氛中引入了Cl2。研究发现,对InSb的刻蚀速率随Cl2含量及ICP功率的升高而线性增加。当Cl2含量增加到超过12%或ICP功率大于900 W时,刻蚀表面变得粗糙,而易引起刻蚀损伤的直流偏压随ICP功率的升高而降低。此现象归因于刻蚀副产物InCl3在样品表面的聚集进而妨碍均匀刻蚀反应所致。当样品温度从20℃提高到120℃,刻蚀速率及表面粗糙度无明显变化。通过试验研究,实现了对InSb的高速率、高垂直度刻蚀,刻蚀速率大于500 nm/min,对SiO2掩模刻蚀选择比大于6,刻蚀表面光洁,刻蚀垂直度可达80°。 展开更多

关键词 感应耦合等离子体(ICP) INSB 刻蚀速率 粗糙度 侧壁倾角

在线阅读 下载PDF 职称材料

等离子体浸没注入超低能注入掺杂研究

11

作者 汪明刚 刘杰 +2 位作者 杨威风 李超波 夏洋 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期370-373,共4页

基于感应耦合等离子体(ICP)技术设计了一套用于在硅基片上制作形成超浅结的等离子体浸没注入(PIII)系统。该ICP PIII系统工作腔室为圆柱形,采用射频功率源,注入偏压源为一脉冲直流电压源,系统与Langmiur探针相连。探针诊断结果表明,该... 基于感应耦合等离子体(ICP)技术设计了一套用于在硅基片上制作形成超浅结的等离子体浸没注入(PIII)系统。该ICP PIII系统工作腔室为圆柱形,采用射频功率源,注入偏压源为一脉冲直流电压源,系统与Langmiur探针相连。探针诊断结果表明,该系统的等离子体离子密度达到1017m-3,离子密度径向均匀性达到3.53%。硼和磷的超低能注入试验的二次离子质谱测试结果表明:掺杂离子注入深度在10nm左右,最浅的注入深度为8.6nm(在注入离子密度为1018cm-3时);注入离子剂量达到了1015cm-2以上;掺杂离子浓度峰值在表面以下;注入陡峭度达到了2.5nm/decade。 展开更多

关键词 感应耦合等离子体 浸没注入 低能注入 注入掺杂 ENERGY 离子密度 注入深度 系统工作 掺杂离子浓度 二次离子质谱 直流电压源 射频功率源 径向均匀性 诊断结果 探针 离子剂量 技术设计 硅基片上 测试结果 圆柱形

在线阅读 下载PDF 职称材料

CF_4/Ar/O_2等离子体对熔石英元件的修饰工艺

12

作者 邵勇 孙来喜 +1 位作者 吴卫东 孙卫国 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期104-107,共4页

采用感应耦合等离子体刻蚀技术,以CF4/Ar/O2为反应气体对熔石英元件表面进行修饰,研究并分析了CF4和Ar流量对刻蚀速率、熔石英表面粗糙度和微观形貌的影响。结果表明,CF4化学刻蚀与Ar的物理轰击对熔石英样品表面修饰效果存在一定竞争关... 采用感应耦合等离子体刻蚀技术,以CF4/Ar/O2为反应气体对熔石英元件表面进行修饰,研究并分析了CF4和Ar流量对刻蚀速率、熔石英表面粗糙度和微观形貌的影响。结果表明,CF4化学刻蚀与Ar的物理轰击对熔石英样品表面修饰效果存在一定竞争关系,当它们达到平衡时表面粗糙度最小。通过对不同流量气体刻蚀过后熔石英表面粗糙度和光学显微形貌分析获得了较为理想的气流量配比,该研究为反应等离子体修饰熔石英光学元件以获得较高光学性能提供工艺参考。 展开更多

关键词 反应离子刻蚀 感应耦合等离子体 刻蚀速率 粗糙度 刻蚀形貌

在线阅读 下载PDF 职称材料

8英寸100纳米高密度等离子刻蚀机(NMC508A)

13

《中国集成电路》 2007年第8期27-27,29,共2页

NMC508A等离子体硅刻蚀系统是适用于8英寸集成电路生产线，面向逻辑和存储等多种电路制造的先进电感耦合等离子体多反应室刻蚀系统。该系统采用了多项专利技术，具有CD（关键尺寸）控制均匀性高、刻蚀低损伤、高产能、低消耗及多腔室多... NMC508A等离子体硅刻蚀系统是适用于8英寸集成电路生产线，面向逻辑和存储等多种电路制造的先进电感耦合等离子体多反应室刻蚀系统。该系统采用了多项专利技术，具有CD（关键尺寸）控制均匀性高、刻蚀低损伤、高产能、低消耗及多腔室多种工艺集成等特点。 展开更多

关键词 等离子刻蚀机 电感耦合等离子体 高密度 纳米 集成电路 专利技术 关键尺寸 生产线

在线阅读 下载PDF 职称材料

ICP刻蚀技术在MEMS器件制作中的应用 被引量：10

14

作者 李伟东 张建辉 +1 位作者 吴学忠 李圣怡 《微纳电子技术》 CAS 2005年第10期473-476,共4页

简单介绍了ICP刻蚀系统和刻蚀原理。通过实验分析了ICP刻蚀SiO2和Cr时,刻蚀速率随相关工艺参数变化而变化的几点规律。同时给出了用ICP刻蚀出的MEMS传感器Si基腔的表面形貌图和Cr电阻的显微镜照片。

关键词 微机电系统 感应耦合等离子体刻蚀 刻蚀速率

在线阅读 下载PDF 职称材料

双层侧壁保护的Si深槽刻蚀技术 被引量：5

15

作者 邓建国 刘英坤 +1 位作者 段雪 苏丽娟 《微纳电子技术》 CAS 2008年第8期480-483,共4页

提出了一种先进的ICP Si深槽刻蚀工艺。在"Bosch"工艺的基础上加以改进,以SF6/O2作为刻蚀气体,C4F8作为侧壁钝化气体,通过在刻蚀过程中引入少量的O2,使得在刻蚀Si深槽过程中侧壁形成由氧离子辐照产生的SiO2薄膜和CFx聚合物淀... 提出了一种先进的ICP Si深槽刻蚀工艺。在"Bosch"工艺的基础上加以改进,以SF6/O2作为刻蚀气体,C4F8作为侧壁钝化气体,通过在刻蚀过程中引入少量的O2,使得在刻蚀Si深槽过程中侧壁形成由氧离子辐照产生的SiO2薄膜和CFx聚合物淀积产生的双层保护层,强烈保护Si槽侧壁不被刻蚀,保证了良好的各向异性刻蚀。同时,通过优化刻蚀和钝化的时间周期,进一步提高了刻蚀后Si槽的陡直度和平滑的侧壁效果。采用这种工艺技术可制作出满足台面晶体管、高性能梳状沟槽基区晶体管需要的无损伤、平滑陡直的Si槽侧壁形貌。 展开更多

关键词 感应耦合等离子体 “Bosch”工艺 硅 双层侧壁保护 各向异性刻蚀

在线阅读 下载PDF 职称材料

Si基体二维深通道微孔列阵刻蚀技术 被引量：3

16

作者 向嵘 王国政 +5 位作者 陈立 高延军 王新 李野 端木庆铎 田景全 《微纳电子技术》 CAS 2008年第12期729-733,共5页

Si材料二维深通道微孔列阵是新型二维通道电子倍增器的基体,其可以采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀和光电化学(PEC)刻蚀等半导体工艺技术实现。简述了ICP工艺原理和实验方法,给出了微孔直径6～10μm、长径比约20、平均刻蚀速率约1.0μm/... Si材料二维深通道微孔列阵是新型二维通道电子倍增器的基体,其可以采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀和光电化学(PEC)刻蚀等半导体工艺技术实现。简述了ICP工艺原理和实验方法,给出了微孔直径6～10μm、长径比约20、平均刻蚀速率约1.0μm/min的实验样品,指出了深通道内壁存在纵向条带不均匀分布现象、成因和解决途径;重点论述了微孔深通道列阵PEC刻蚀原理和实验方法,在优化的光电化学工艺参数下,得到了方孔边长3.0μm、中心距为6.0μm、深度约为160μm的n型Si基二维深通道微孔列阵基体样品,得出了辐照光强、Si基晶向与HF的质量分数是影响样品质量的结论,指出了光电化学刻蚀工艺的优越性。 展开更多

关键词 硅基体 二维通道电子倍增器 微孔列阵 感应耦合等离子体 光电化学刻蚀

在线阅读 下载PDF 职称材料

碲镉汞p型接触孔低损伤干法刻蚀技术研究 被引量：2

17

作者 宁提 陈慧卿 +2 位作者 谭振 张敏 刘沛 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期601-604,共4页

对碲镉汞材料干法刻蚀损伤进行研究,采用感应耦合等离子体干法刻蚀技术、湿法腐蚀方法完成碲镉汞接触孔刻蚀,通过扫描电子显微镜和激光扫描显微镜分析刻蚀后样品的表面形貌,利用伏安特性曲线分析刻蚀样品的表面损伤。实验结果表明,干法... 对碲镉汞材料干法刻蚀损伤进行研究,采用感应耦合等离子体干法刻蚀技术、湿法腐蚀方法完成碲镉汞接触孔刻蚀,通过扫描电子显微镜和激光扫描显微镜分析刻蚀后样品的表面形貌,利用伏安特性曲线分析刻蚀样品的表面损伤。实验结果表明,干法刻蚀工艺极易造成碲镉汞p型接触孔表面反型,提出了一种新型的干法混合刻蚀技术,该技术通过两步干法刻蚀工艺实现,有效地降低了刻蚀引入的表面损伤。 展开更多

关键词 碲镉汞 感应耦合等离子体刻蚀 低损伤

在线阅读 下载PDF 职称材料

半导体工艺中的新型刻蚀技术——ICP 被引量：12

18

作者 王晨飞 《红外》 CAS 2005年第1期17-22,共6页

本文详细介绍了电导耦合等离子体(ICP——Inductive Coupled Plasma)刻蚀技术的基本原理及相关工艺设备机构，根据近年来国内外 ICP 技术的发展现状和发展趋势，对其在光电子器件、半导体氧化物、Ⅲ-Ⅴ族化合物等方面的应用作了一些简... 本文详细介绍了电导耦合等离子体(ICP——Inductive Coupled Plasma)刻蚀技术的基本原理及相关工艺设备机构，根据近年来国内外 ICP 技术的发展现状和发展趋势，对其在光电子器件、半导体氧化物、Ⅲ-Ⅴ族化合物等方面的应用作了一些简要介绍。 展开更多

关键词 刻蚀技术 半导体工艺 光电子器件 ICP 半导体氧化物 耦合 等离子体 国内外 发展现状 发展趋势

在线阅读 下载PDF 职称材料

6H-SiC体材料ICP刻蚀技术

19

作者 丁瑞雪 杨银堂 韩茹 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期280-283,共4页

采用SF6+O2作为刻蚀气体,对单晶6H-SiC材料的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺进行了研究。分析了光刻水平、ICP功率、偏置电压等工艺参数对刻蚀速率和刻蚀质量的影响。结果表明,2μm以上的各种图形都比较清晰,刻蚀深度与开口大小成正比,... 采用SF6+O2作为刻蚀气体,对单晶6H-SiC材料的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺进行了研究。分析了光刻水平、ICP功率、偏置电压等工艺参数对刻蚀速率和刻蚀质量的影响。结果表明,2μm以上的各种图形都比较清晰,刻蚀深度与开口大小成正比,开口越窄,深度越浅。刻蚀速率随着ICP功率及偏置电压的增大而提高,XPS结果显示刻蚀表面残余的F元素只存在于表面10nm深度的部分。 展开更多

关键词 碳化硅 感应耦合等离子体 刻蚀速率 XPS

在线阅读 下载PDF 职称材料

Cl_2/BCl_3ICP刻蚀GaN基LED的规律研究 被引量：7

20

作者 宋颖娉 郭霞 +2 位作者 艾伟伟 董立闽 沈光地 《微纳电子技术》 CAS 2006年第3期125-129,共5页

研究了用Cl2/BCl3刻蚀GaN基LED中,工艺参数对GaN刻蚀速率、刻蚀侧壁和GaN与SiO2刻蚀选择比的影响。研究结果表明,刻蚀速率随着ICP功率和压强的增大先增大继而减小,随RF功率的增大单调增大;刻蚀选择比随ICP功率增大单调减小,随压强增大... 研究了用Cl2/BCl3刻蚀GaN基LED中,工艺参数对GaN刻蚀速率、刻蚀侧壁和GaN与SiO2刻蚀选择比的影响。研究结果表明,刻蚀速率随着ICP功率和压强的增大先增大继而减小,随RF功率的增大单调增大;刻蚀选择比随ICP功率增大单调减小,随压强增大而增大。还研究了刻蚀速率和选择比与气体比例变化的关系。刻蚀SEM图表明,压强和RF功率增大会使刻蚀垂直度增大。 展开更多

关键词 感应耦合等离子体刻蚀 GaN 刻蚀速率 选择比 垂直度

在线阅读 下载PDF 职称材料