检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

辐照源对LVMOS器件总剂量辐射电离特性的影响被引量：3: 1; 作者陶伟刘国柱 +2 位作者宋思德魏轶聃赵伟《电子与封装》 2022年第7期64-68,共5页; 基于0.18μm CMOS工艺,采用浅槽隔离(STI)注入法对1.8 V LVNMOS器件进行总剂量加固,并对比分析了^(60)Co(315 keV)与X射线(40 keV)辐照源对LVNMOS器件总剂量特性的影响。研究结果表明,在相同偏置条件下,^(60)Co与X射线两种辐照源对MOS... 展开更多; 关键词总剂量辐射电离阈值电压 ^(60)Co X射线; 在线阅读下载PDF 职称材料

SOI高压LDMOS器件氧化层抗总电离剂量辐射效应研究: 2; 作者王永维黄柯月 +4 位作者王芳温恒娟陈浪涛周锌赵永瑞《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期758-766,共9页; 绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化... 展开更多; 关键词辐射电荷总电离剂量(TID)辐射效应绝缘体上硅(SOI) 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 击穿电压导通电流; 在线阅读下载PDF 职称材料

本征基区尺寸对双极器件总电离剂量辐射效应的影响: 3; 作者葛超洋杨强 +2 位作者李燕妃孙家林谢儒彬《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第11期1036-1042,共7页; 基于标准0.18μm BCD工艺,对双极器件总电离剂量(TID)辐射效应进行了研究,提出了一种提高双极器件抗总电离剂量辐射能力的方法。理论分析表明,在标准0.18μm BCD工艺中,双极器件总电离剂量辐射的敏感区域位于浅沟槽隔离结构下方、基极... 展开更多; 关键词双极器件总电离剂量(TID)辐射本征基区 0.18μm BCD工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

SOI SONOS EEPROM管电离总剂量辐射效应: 4; 作者陈正才徐大为 +4 位作者肖志强高向东洪根深徐静周淼《信息与电子工程》 2012年第5期613-615,共3页; 采用0.6μm SOI SONOS工艺技术平台研制了0.6μm SOI SONOS EEPROM管,分析其擦写特性。辐射前,SONOS EEPROM管的阈值窗口电压为5.04 V。利用Co-60γ源研究存储管的电离总剂量辐射特性,给出了SONOS EEPROM管擦除态、编程态的Id-Vg曲线及... 展开更多; 关键词 SONOS EEPROM器件电离总剂量辐射绝缘体上硅; 在线阅读下载PDF 职称材料

0.5μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应被引量：13: 5; 作者汪波李豫东 +4 位作者郭旗刘昌举文林孙静玛丽娅《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期242-248,共7页; 采用60Co-γ射线对某国产0.5μm CMOS N阱工艺CMOS有源像素传感器(APS)的整体电路和像素单元结构进行了电离总剂量辐射效应研究,重点考察了器件的饱和输出信号、像素单元输出信号、暗信号等参数的变化规律。随着辐射剂量的增大,饱和输... 展开更多; 关键词电离总剂量辐射效应 CMOS有源像素传感器饱和输出信号像素单元结构 LOCOS隔离; 在线阅读下载PDF 职称材料

TiN/HZO/HfO2/Si铁电晶体管栅结构的60Coγ射线总剂量辐射效应被引量：1: 6; 作者孙琦曾诗妍 +3 位作者付秀涛刘巧玲彭强祥周益春《湘潭大学学报（自然科学版）》 CAS 2019年第3期97-103,共7页; 该文制备了TiN/Hf0.5Zr0.5O2(HZO)/HfO2/Si(MFIS)型的铁电晶体管栅结构,并在常规实验环境下对其进行了P-E、J-E、疲劳和保持等的电学性能测试.结果表明这种基于铪系氧化物的栅结构具有优良的电学性能,2Pr可达30μC/cm^2,2Ec约为6.8MV/cm... 展开更多; 关键词 HZO铁电薄膜 MFIS 总剂量电离辐射; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名辐照源对LVMOS器件总剂量辐射电离特性的影响被引量：3: 1; 作者陶伟刘国柱宋思德魏轶聃赵伟; 机构中国电子科技集团公司第五十八研究所; 出处《电子与封装》 2022年第7期64-68,共5页; 基金国家自然科学基金面上项目(62174150) 江苏省自然科学基金面上项目(BK20211040)。; 文摘基于0.18μm CMOS工艺,采用浅槽隔离(STI)注入法对1.8 V LVNMOS器件进行总剂量加固,并对比分析了^(60)Co(315 keV)与X射线(40 keV)辐照源对LVNMOS器件总剂量特性的影响。研究结果表明,在相同偏置条件下,^(60)Co与X射线两种辐照源对MOS器件的辐射电离效应具有一定的差异性,前者同时具有康普顿效应和光电效应,后者是光电效应,主要是光子与内层电子作用。由LVNMOS总剂量辐照特性推测,X射线辐照源引起LVNMOS的SiO_(2)层中产生的电子与空穴高于^(60)Co。; 关键词总剂量辐射电离阈值电压 ^(60)Co X射线; Keywords total ionizing dose threshold voltage ^(60)Co X-ray; 分类号 TN306 [电子电信—物理电子学] V520.6 [航空宇航科学与技术—人机与环境工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SOI高压LDMOS器件氧化层抗总电离剂量辐射效应研究: 2; 作者王永维黄柯月王芳温恒娟陈浪涛周锌赵永瑞; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所北京国联万众半导体科技有限公司电子科技大学集成电路科学与工程学院山东省产品质量检验研究院北京振兴计量测试研究所河北新华北集成电路有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期758-766,共9页; 文摘绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化层辐射陷阱电荷主要作用于器件沟道区,而场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷则主要作用于器件漂移区;辐射陷阱电荷在器件内部感生出的镜像电荷改变了器件原有的电场和载流子分布,从而导致器件阈值电压、击穿电压和导通电阻等参数的退化。对80 V SOI高压LDMOS器件进行了总电离剂量辐射实验,结果表明在ON态和OFF态下随着辐射剂量的增加器件性能逐步衰退,当累积辐射剂量为200 krad(Si)时,器件的击穿电压大于80 V,阈值电压漂移为0.3 V,器件抗总电离剂量辐射能力大于200 krad(Si)。; 关键词辐射电荷总电离剂量(TID)辐射效应绝缘体上硅(SOI) 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 击穿电压导通电流; Keywords radiation charge total ionizing dose(TID)radiation effect silicon on insulator(SOI) laterally diffused metal oxide semiconductor(LDMOS) breakdown voltage conduction current; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] TN306 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名本征基区尺寸对双极器件总电离剂量辐射效应的影响: 3; 作者葛超洋杨强李燕妃孙家林谢儒彬; 机构中国电子科技集团公司第五十八研究所集成电路与微系统全国重点实验室电子科技大学集成电路科学与工程学院; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第11期1036-1042,共7页; 文摘基于标准0.18μm BCD工艺,对双极器件总电离剂量(TID)辐射效应进行了研究,提出了一种提高双极器件抗总电离剂量辐射能力的方法。理论分析表明,在标准0.18μm BCD工艺中,双极器件总电离剂量辐射的敏感区域位于浅沟槽隔离结构下方、基极接触区和发射极边缘之间的本征基区。对不同本征基区尺寸的双极器件进行了总电离剂量辐射实验,研究了本征基区尺寸对双极器件电流增益随总电离剂量退化的影响。实验结果表明,在相同总电离剂量下,双极器件本征基区尺寸越小,增益衰减比例越小,辐射敏感性越低。将10 V纵向npn(VNPN)器件的本征基区尺寸由1.4μm减小至0.6μm,可将150 krad(Si)总电离剂量辐射后的归一化电流增益由0.6132增大到0.7081。因此,减小本征基区尺寸是一种有效的双极器件总电离剂量辐射加固技术。; 关键词双极器件总电离剂量(TID)辐射本征基区 0.18μm BCD工艺; Keywords bipolar device total ionizing dose(TID)radiation intrinsic base region 0.18μm BCD process; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学] TN306 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SOI SONOS EEPROM管电离总剂量辐射效应: 4; 作者陈正才徐大为肖志强高向东洪根深徐静周淼; 机构中国电子科技集团公司第; 出处《信息与电子工程》 2012年第5期613-615,共3页; 文摘采用0.6μm SOI SONOS工艺技术平台研制了0.6μm SOI SONOS EEPROM管,分析其擦写特性。辐射前,SONOS EEPROM管的阈值窗口电压为5.04 V。利用Co-60γ源研究存储管的电离总剂量辐射特性,给出了SONOS EEPROM管擦除态、编程态的Id-Vg曲线及阈值窗口随辐射总剂量的变化关系,在辐射总剂量达到500 Krad(Si)时,EEPROM管仍有0.7 V的阈值窗口,可以实现存储电路的设计,并对总剂量辐射引起存储管阈值漂移的机理进行了探讨。; 关键词 SONOS EEPROM器件电离总剂量辐射绝缘体上硅; Keywords SONOS EEPROM total dose radiation Silicon On Insulator; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名0.5μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应被引量：13: 5; 作者汪波李豫东郭旗刘昌举文林孙静玛丽娅; 机构中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室中国科学院大学重庆光电技术研究所; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期242-248,共7页; 基金国家自然科学基金(11005152)资助项目; 文摘采用60Co-γ射线对某国产0.5μm CMOS N阱工艺CMOS有源像素传感器(APS)的整体电路和像素单元结构进行了电离总剂量辐射效应研究,重点考察了器件的饱和输出信号、像素单元输出信号、暗信号等参数的变化规律。随着辐射剂量的增大,饱和输出信号逐渐减小且与像素单元饱和输出信号变化基本一致;暗信号随总剂量的增大而显著增大。研究结果表明,0.5μm工艺CMOS APS电离总剂量辐射效应引起参数退化的主要原因是光敏二极管周围的整个LOCOS(Local oxidation of silicon)隔离氧化层产生了大量的辐射感生电荷。; 关键词电离总剂量辐射效应 CMOS有源像素传感器饱和输出信号像素单元结构 LOCOS隔离; Keywords total ionizing dose CMOS APS saturation output signal pixel unit LOCOS isolation; 分类号 TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名TiN/HZO/HfO2/Si铁电晶体管栅结构的60Coγ射线总剂量辐射效应被引量：1: 6; 作者孙琦曾诗妍付秀涛刘巧玲彭强祥周益春; 机构湘潭大学材料科学与工程学院; 出处《湘潭大学学报（自然科学版）》 CAS 2019年第3期97-103,共7页; 文摘该文制备了TiN/Hf0.5Zr0.5O2(HZO)/HfO2/Si(MFIS)型的铁电晶体管栅结构,并在常规实验环境下对其进行了P-E、J-E、疲劳和保持等的电学性能测试.结果表明这种基于铪系氧化物的栅结构具有优良的电学性能,2Pr可达30μC/cm^2,2Ec约为6.8MV/cm,矫顽场附近的漏电流密度为10-6A/cm^2,在105s保持时间内剩余极化值衰减10%,经10^7次翻转后剩余极化值基本保持不变,经109次翻转后剩余极化值的衰减维持在15%以内.MFIS铁电栅的60Coγ射线电离辐射实验结果表明这种栅结构对总剂量电离辐射具有很强的免疫力,在辐射剂量高达5Mrad(Si)时,电滞回线矩形度、对称性以及保持性能等几乎没有退化.该文所制备的全铪系薄膜铁电栅为高抗总剂量辐射、高读写寿命、长保存时间的高性能晶体管型铁电存储器的制备提供了数据支撑.; 关键词 HZO铁电薄膜 MFIS 总剂量电离辐射; Keywords HZO ferroelectric thin film MFIS total dose ionizing radiation; 分类号 O152.1 [理学—基础数学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	辐照源对LVMOS器件总剂量辐射电离特性的影响	陶伟刘国柱宋思德魏轶聃赵伟	《电子与封装》	2022	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	SOI高压LDMOS器件氧化层抗总电离剂量辐射效应研究	王永维黄柯月王芳温恒娟陈浪涛周锌赵永瑞	《半导体技术》 CAS 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	本征基区尺寸对双极器件总电离剂量辐射效应的影响	葛超洋杨强李燕妃孙家林谢儒彬	《半导体技术》 CAS 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	SOI SONOS EEPROM管电离总剂量辐射效应	陈正才徐大为肖志强高向东洪根深徐静周淼	《信息与电子工程》	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	0.5μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应	汪波李豫东郭旗刘昌举文林孙静玛丽娅	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	13	在线阅读下载PDF 职称材料
6	TiN/HZO/HfO2/Si铁电晶体管栅结构的60Coγ射线总剂量辐射效应	孙琦曾诗妍付秀涛刘巧玲彭强祥周益春	《湘潭大学学报（自然科学版）》 CAS	2019	1	在线阅读下载PDF 职称材料