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铝吸杂对多晶硅太阳电池的影响 被引量:2
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作者 石湘波 施正荣 +1 位作者 朱拓 汪义川 《江南大学学报(自然科学版)》 CAS 2006年第2期249-252,共4页
针对铝吸杂对多晶硅的影响,比较了单、双面蒸镀2μm铝的多晶硅片在CTP和RTP炉中进行铝吸杂后的少子寿命、电性能和量子效率.发现在RTP炉中进行铝吸杂时,双面蒸镀铝少子寿命的增加比单面蒸镀时明显,在830℃时吸杂效果最优;而在CTP炉中吸... 针对铝吸杂对多晶硅的影响,比较了单、双面蒸镀2μm铝的多晶硅片在CTP和RTP炉中进行铝吸杂后的少子寿命、电性能和量子效率.发现在RTP炉中进行铝吸杂时,双面蒸镀铝少子寿命的增加比单面蒸镀时明显,在830℃时吸杂效果最优;而在CTP炉中吸杂时,单面蒸镀铝少子寿命的增加更明显,在600,700℃时吸杂效果最优. 展开更多
关键词 铝吸杂 太阳电池 多晶硅太阳电池 少子寿命 传统热处理过程 快速热处理过程
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