检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

光加热低压金属有机化学气相淀积生长AlGaN: 1; 作者周玉刚李卫平 +7 位作者沈波陈鹏陈志忠臧岚张荣顾书林施毅郑有翀《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2000年第8期34-36,共3页; 采用光加热低压金属有机化学气相淀积方法成功地制备出高质量的、组分均匀的AlGaN外延层。结果表明 ,铝和镓的并入效率基本相等 ,这有别于其他研究报道。此外 ,建立了铝相对镓的并入效率与气相预反应之间的关系模型 ,它表明 ,光加热对... 展开更多; 关键词 ALGAN GAN 金属有机化学气相淀积气相寄生反应光加热; 在线阅读下载PDF 职称材料

Si(111)衬底上3C-SiC的超低压低温外延生长: 2; 作者严飞郑有炓 +5 位作者陈平孙澜顾书林朱顺明李雪飞韩平《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2002年第11期65-66,11,共3页; 研究发展了一种Si衬底上低温外延生长 3C SiC的方法。采用LPCVD生长系统 ,以SiH4 和C2 H4 为气源 ,在超低压 (30Pa)、低温 (90 0℃ )的条件下 ,在Si(111)衬底上外延生长出了高质量的 3C SiC薄膜材料。采用俄歇能谱 (AES)、X射线衍射 (X... 展开更多; 关键词 SI(111)衬底 3C-SIC 超低压低温外延生长碳化硅异质外延生长低压化学气相淀积半导体材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

MOCVD设备射频感应加热原理与故障分析被引量：1: 3; 作者刘成群程壹涛刘宇宁《电子工业专用设备》 2021年第5期16-21,共6页; 介绍了MOCVD设备射频感应加热系统的工作原理及技术特点。结合射频感应加热系统的组成,详细叙述各主要模块的典型故障及维修技术,重点分析射频功率源电路故障及维修。针对射频系统阻抗失配现象,提出了阻抗匹配调整的实用方法。根据多年... 展开更多; 关键词金属有机物化学气相淀积射频感应加热阻抗匹配振荡器; 在线阅读下载PDF 职称材料

Si上Si_(1-x-y)Ge_(x)C_(y)三元合金薄膜的生长被引量：1: 4; 作者朱顺明江宁 +7 位作者臧岚韩平刘夏冰程雪梅江若琏郑有炓胡晓宁方家熊《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第4期414-418,共5页; 研究了 Si衬底上 Si Ge C合金薄膜的生长。以 C2 H4 为 C源、采用快速加热超低压化学气相淀积 (RTP/VL P- CVD)的非平衡生长技术 ,在 Si(10 0 )衬底上生长出具有一定代位式 C含量的硅基 Si Ge C合金。实验表明 :较低的生长温度和较高的 ... 展开更多; 关键词快速加热超低压化学气相淀积非平衡生长代位式; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名光加热低压金属有机化学气相淀积生长AlGaN: 1; 作者周玉刚李卫平沈波陈鹏陈志忠臧岚张荣顾书林施毅郑有翀; 机构南京大学物理系; 出处《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2000年第8期34-36,共3页; 基金 863计划国家自然科学基金资助项目; 文摘采用光加热低压金属有机化学气相淀积方法成功地制备出高质量的、组分均匀的AlGaN外延层。结果表明 ,铝和镓的并入效率基本相等 ,这有别于其他研究报道。此外 ,建立了铝相对镓的并入效率与气相预反应之间的关系模型 ,它表明 ,光加热对预反应有较大的影响。结合GaN的生长可以看出 ,光加热有利于抑制预反应 ,从而有利于提高样品质量和铝组分的均匀性。; 关键词 ALGAN GAN 金属有机化学气相淀积气相寄生反应光加热; Keywords GaN, AlGaN, Gas phase parasitic reaction, Light radiation heating, MOCVD; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Si(111)衬底上3C-SiC的超低压低温外延生长: 2; 作者严飞郑有炓陈平孙澜顾书林朱顺明李雪飞韩平; 机构南京大学物理系; 出处《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2002年第11期65-66,11,共3页; 基金 973规划 (G2 0 0 0 0 683 ) 国家自然科学基金 (60 13 60 2 0 )资助项目; 文摘研究发展了一种Si衬底上低温外延生长 3C SiC的方法。采用LPCVD生长系统 ,以SiH4 和C2 H4 为气源 ,在超低压 (30Pa)、低温 (90 0℃ )的条件下 ,在Si(111)衬底上外延生长出了高质量的 3C SiC薄膜材料。采用俄歇能谱 (AES)、X射线衍射 (XRD)和原子力显微镜 (AFM )等分析手段研究了SiC薄膜的外延层组分、晶体结构及其表面形貌。AES结果表明薄膜中的Si/C的原子比例符合SiC的理想化学计量比 ,XRD结果显示了3C SiC外延薄膜的良好晶体结构 ,AFM揭示了 3C SiC薄膜的良好的表面形貌。; 关键词 SI(111)衬底 3C-SIC 超低压低温外延生长碳化硅异质外延生长低压化学气相淀积半导体材料; Keywords Silicon carbide (SiC), Heteroepitaxial growth, Low pressure chemical vapor deposition (LPCVD); 分类号 TN304.05 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MOCVD设备射频感应加热原理与故障分析被引量：1: 3; 作者刘成群程壹涛刘宇宁; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《电子工业专用设备》 2021年第5期16-21,共6页; 文摘介绍了MOCVD设备射频感应加热系统的工作原理及技术特点。结合射频感应加热系统的组成,详细叙述各主要模块的典型故障及维修技术,重点分析射频功率源电路故障及维修。针对射频系统阻抗失配现象,提出了阻抗匹配调整的实用方法。根据多年的设备维护经验,归纳MOCVD设备射频感应加热系统的常见故障,给出了快速检查处理措施。; 关键词金属有机物化学气相淀积射频感应加热阻抗匹配振荡器; Keywords Metal-Organic Chemical Vapor Deposition(MOCVD) RF induction heating Impedance matching Oscillators; 分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Si上Si_(1-x-y)Ge_(x)C_(y)三元合金薄膜的生长被引量：1: 4; 作者朱顺明江宁臧岚韩平刘夏冰程雪梅江若琏郑有炓胡晓宁方家熊; 机构南京大学物理系中国科学院上海技术物理所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第4期414-418,共5页; 基金国家自然科学重点基金教育部博士点基金项目资助; 文摘研究了 Si衬底上 Si Ge C合金薄膜的生长。以 C2 H4 为 C源、采用快速加热超低压化学气相淀积 (RTP/VL P- CVD)的非平衡生长技术 ,在 Si(10 0 )衬底上生长出具有一定代位式 C含量的硅基 Si Ge C合金。实验表明 :较低的生长温度和较高的 Si H4 /C2 H4 流量比有利于代位式 C原子的形成和材料晶体质量的提高。; 关键词快速加热超低压化学气相淀积非平衡生长代位式; Keywords RTP/VLP CVD non equilibrium growth technique substitutional incorporation; 分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	光加热低压金属有机化学气相淀积生长AlGaN	周玉刚李卫平沈波陈鹏陈志忠臧岚张荣顾书林施毅郑有翀	《高技术通讯》 EI CAS CSCD	2000	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	Si(111)衬底上3C-SiC的超低压低温外延生长	严飞郑有炓陈平孙澜顾书林朱顺明李雪飞韩平	《高技术通讯》 EI CAS CSCD	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	MOCVD设备射频感应加热原理与故障分析	刘成群程壹涛刘宇宁	《电子工业专用设备》	2021	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	Si上Si_(1-x-y)Ge_(x)C_(y)三元合金薄膜的生长	朱顺明江宁臧岚韩平刘夏冰程雪梅江若琏郑有炓胡晓宁方家熊	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2000	1	在线阅读下载PDF 职称材料