摘要
研究了 Si衬底上 Si Ge C合金薄膜的生长。以 C2 H4 为 C源、采用快速加热超低压化学气相淀积 (RTP/VL P- CVD)的非平衡生长技术 ,在 Si(10 0 )衬底上生长出具有一定代位式 C含量的硅基 Si Ge C合金。实验表明 :较低的生长温度和较高的 Si H4 /C2 H4 流量比有利于代位式 C原子的形成和材料晶体质量的提高。
We have studied the growth of SiGeC alloy film on silicon Substrate. We have grown SiGeC alloy with C incorporated substitutionally by RTP/VLP CVD with noh equilibrium growth technique. We used ethylene as source of carbon. The experiments show that lower growth temperature and high SiH 4/C 2H 4 flow ratio lead to substitutional incorporation of carbon and improvement of crystal quality.
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第4期414-418,共5页
Research & Progress of SSE
基金
国家自然科学重点基金
教育部博士点基金项目资助
作者简介
朱顺明,生于1970年7月,1992年毕业于南京大学物理系应用物理专业,现为南京大学物理系助工,从事半导体材料方面的生长研究。
