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InGaAsP单量子阱半导体微盘激光器研究被引量：5: 1; 作者章蓓王若鹏 +4 位作者丁晓民杨志坚戴伦崔晓明王舒民《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期253-256,共4页; 利用普通的液相外延和微加工技术成功地制备了ＩｎＧａＡｓＰ单量子阱微盘激光器，并从实验上观测到远低于普遍激光器阈值条件下的单模振荡，证实了微盘激光器中微盘很强的模式选择作用，反映了微盘的微腔特征．; 关键词微盘激光器半导体激光器量子阱异质结铟镓磷; 在线阅读下载PDF 职称材料

InGaAsP多量子阱微盘激光器被引量：2: 2; 作者宁永强武胜利 +5 位作者王立军林久龄刘云傅德惠刘育梅金亿鑫《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期345-348,共4页; 采用湿法化学腐蚀在气源ＭＢＥＩｎＧａＡｓＰ多量子阱材料上制作了微盘型激光器，直径８μｍ的微盘激光器表现出很好的单模激射特性，阈值泵浦功率为１７０μＷ，激射线宽为１．５ｎｍ．; 关键词微盘激光器多量子阱铟镓砷磷单模激射特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

扫描电镜在研制新型的半导体微腔激光器─微盘激光器中的应用被引量：2: 3; 作者章蓓张存珪 +6 位作者戴伦丁晓民杨志坚王若鹏徐军张会珍王世光《电子显微学报》 CAS CSCD 1994年第4期301-304,共4页; 本研究用扫描电镜（ＳＥＭ）电子束曝光技术和相应的计算机联机成像程序，在ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ液相外延片上形成电子束光刻图形，并采用选择腐蚀等技术，由ＫＹＫＹ－１０００ＢＳＥＭ并附Ｘ射线能谱仪和图像处理系统对研制过程进... 展开更多; 关键词微盘激光器电子束光刻 SEM 半导体激光器; 在线阅读下载PDF 职称材料

金属-电介质约束的半导体微盘激光器被引量：2: 4; 作者刘军吴根柱 +2 位作者陈达如刘旭安卢启景《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1464-1469,共4页; 设计了一种以半导体材料InGaAsP作为核心结构的器件表面蒸镀二氧化硅膜层,在其上蒸镀金膜层,构成金属-电介质半导体微盘激光器结构,盘面的厚度为2μm,盘面半径为6μm,盘壁侧表面与底面的夹角为45°.使用有限元法对该结构器件的回音... 展开更多; 关键词微盘激光器回音壁模式品质因数模体积有限元法; 在线阅读下载PDF 职称材料

1.55μm波长InGaAsP微盘半导体激光器的室温激射性质被引量：1: 5; 作者伍冠洪 J.G.McInerney 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期732-736,共5页; 经过外延生长和腐蚀分离后,直径为1～10μm的独立微盘激光器件分别被粘附在多模光纤的端面上。在室温条件下采用光学泵浦,对该类器件均实现了脉冲和连续激射,输出波长在1.5～1.525μm之间,在脉冲和连续输出下阈值泵浦能量分别为64和109... 展开更多; 关键词 INGAASP 微盘激光器多模光纤光学泵浦集成光路; 在线阅读下载PDF 职称材料

半导体激光器: 6; 《中国光学》 EI CAS 1999年第5期24-26,共3页; TN248.4 99052955低阈值1.3 μmInGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器LP—MOCVD生长=Low threshold 1.3μmInGaAsP/InP strained compensated multi—quantumwell DFB lasers grown by LP—MOCVD[刊,中]/陈博,王圩,汪孝杰,张静媛,朱洪... 展开更多; 关键词外腔半导体激光器微盘激光器应变多量子阱应变补偿应变量子阱激光器测试结果中科院学报双晶衍射结构材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

半导体激光器: 7; 《中国光学》 EI CAS 2001年第4期25-28,共4页; TN248.4 2001042419InGaN多量子阱面发射微盘激光器的理论研究=Theoreticalmodel for surface-emitting microdisk of InGaNMQW[刊,中]/谢成城,王舒民(北京大学物理系.北京(100871))//半导体光电.-2000,21(3).-188-192为了实现半导体微... 展开更多; 关键词远结半导体激光器高功率半导体激光微盘激光器多量子阱量子阱激光器有效增益因子级联激光器国家重点实验室面发射外腔半导体激光器; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InGaAsP单量子阱半导体微盘激光器研究被引量：5: 1; 作者章蓓王若鹏丁晓民杨志坚戴伦崔晓明王舒民; 机构北京大学物理系和介观物理国家重点实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期253-256,共4页; 基金国家自然科学基金; 文摘利用普通的液相外延和微加工技术成功地制备了ＩｎＧａＡｓＰ单量子阱微盘激光器，并从实验上观测到远低于普遍激光器阈值条件下的单模振荡，证实了微盘激光器中微盘很强的模式选择作用，反映了微盘的微腔特征．; 关键词微盘激光器半导体激光器量子阱异质结铟镓磷; Keywords microdisk laser,semiconductor laser,quantum well,InGaAsP/InP heterostructure.; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InGaAsP多量子阱微盘激光器被引量：2: 2; 作者宁永强武胜利王立军林久龄刘云傅德惠刘育梅金亿鑫; 机构中国科学院长春物理研究所中国科学院激发态物理开放实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期345-348,共4页; 基金国家自然科学基金中国科学院"九五"重大项目 +1 种基金中国科学院院长基金集成光电子学国家重点联合实验室资助; 文摘采用湿法化学腐蚀在气源ＭＢＥＩｎＧａＡｓＰ多量子阱材料上制作了微盘型激光器，直径８μｍ的微盘激光器表现出很好的单模激射特性，阈值泵浦功率为１７０μＷ，激射线宽为１．５ｎｍ．; 关键词微盘激光器多量子阱铟镓砷磷单模激射特性; Keywords microdisk laser, multiquantum well, InGaAsP.; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名扫描电镜在研制新型的半导体微腔激光器─微盘激光器中的应用被引量：2: 3; 作者章蓓张存珪戴伦丁晓民杨志坚王若鹏徐军张会珍王世光; 机构北京大学物理系和介观物理重点实验室; 出处《电子显微学报》 CAS CSCD 1994年第4期301-304,共4页; 文摘本研究用扫描电镜（ＳＥＭ）电子束曝光技术和相应的计算机联机成像程序，在ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ液相外延片上形成电子束光刻图形，并采用选择腐蚀等技术，由ＫＹＫＹ－１０００ＢＳＥＭ并附Ｘ射线能谱仪和图像处理系统对研制过程进行监控，成功地在国内首次研制出由ＩｎＧａＡｓＰ单量子阶分别限制的五层四元系组成的新型半导体微盘激光器，微盘直径为２－７μｍ，盘厚０．２－０．４μｍ。这一成功为开展半导体微盘激光器的研究打下了良好的基础。; 关键词微盘激光器电子束光刻 SEM 半导体激光器; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名金属-电介质约束的半导体微盘激光器被引量：2: 4; 作者刘军吴根柱陈达如刘旭安卢启景; 机构浙江师范大学信息光学研究所; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1464-1469,共4页; 基金浙江省自然科学基金(No.Y1100041)资助; 文摘设计了一种以半导体材料InGaAsP作为核心结构的器件表面蒸镀二氧化硅膜层,在其上蒸镀金膜层,构成金属-电介质半导体微盘激光器结构,盘面的厚度为2μm,盘面半径为6μm,盘壁侧表面与底面的夹角为45°.使用有限元法对该结构器件的回音壁模式进行数值研究,利用所谓"偏微分方程的弱项形式"有效地抑制了许多局域不变性相关的"伪解".通过数值求解弱项型矢量亥姆霍兹方程,得到微盘激光器回音壁模式的横磁场分布,在此基础上讨论了其品质因数(Q值)、模体积、不同金属和电介质膜厚度对器件品质因数的影响、盘的半径和其品质因素的关系等相关量.理论计算表明,这种结构的器件较直接在介质表面蒸镀金属膜层结构的器件的品质因数高2～3倍.实验还获得了基阶和高阶的表面等离子体波模式,以及品质因数最大达到约5 400的光学-电介质基模.; 关键词微盘激光器回音壁模式品质因数模体积有限元法; Keywords Deposits Finite element method Helmholtz equation Lasers Metallic films Precious metals Silica Thickness measurement Whispering gallery modes; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名1.55μm波长InGaAsP微盘半导体激光器的室温激射性质被引量：1: 5; 作者伍冠洪 J.G.McInerney; 机构长沙理工大学物理与电子科学学院爱尔兰国立科克大学物理系科克; 出处《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期732-736,共5页; 基金爱尔兰企业署资助项目(SC/98/750); 文摘经过外延生长和腐蚀分离后,直径为1～10μm的独立微盘激光器件分别被粘附在多模光纤的端面上。在室温条件下采用光学泵浦,对该类器件均实现了脉冲和连续激射,输出波长在1.5～1.525μm之间,在脉冲和连续输出下阈值泵浦能量分别为64和109μW,激射波长随着热效应增加而呈现红移现象。该类器件在未来全光网络和集成光路中具有良好的应用前景。; 关键词 INGAASP 微盘激光器多模光纤光学泵浦集成光路; Keywords InGaAsP micordisk lasers multi-mode fiber optical pumping integrated circuits; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半导体激光器: 6; 出处《中国光学》 EI CAS 1999年第5期24-26,共3页; 文摘 TN248.4 99052955低阈值1.3 μmInGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器LP—MOCVD生长=Low threshold 1.3μmInGaAsP/InP strained compensated multi—quantumwell DFB lasers grown by LP—MOCVD[刊,中]/陈博,王圩,汪孝杰,张静媛,朱洪亮,周帆,王玉田,马朝华,张子莹,刘国利(中科院半导体所.北京(100083))//半导体学报.—1998,19(3).—218—220描述了1.3 μm应变补偿多量子阱结构材料的LP—MOCVD生长,及其X射线双晶衍射的表征。报道了BH条形结构DFB激光器的器件制作和特性测试结果。参5(方舟); 关键词外腔半导体激光器微盘激光器应变多量子阱应变补偿应变量子阱激光器测试结果中科院学报双晶衍射结构材料; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半导体激光器: 7; 出处《中国光学》 EI CAS 2001年第4期25-28,共4页; 文摘 TN248.4 2001042419InGaN多量子阱面发射微盘激光器的理论研究=Theoreticalmodel for surface-emitting microdisk of InGaNMQW[刊,中]/谢成城,王舒民(北京大学物理系.北京(100871))//半导体光电.-2000,21(3).-188-192为了实现半导体微盘激光器的单模面发射,设计了一种以InGaN多量子阱为有源层,GaN外延层为覆盖层的半导体微盘激光器。通过对GaN覆盖层进行图形刻蚀,可以对不同的角模式进行有选择的增益,由此实现选模。; 关键词远结半导体激光器高功率半导体激光微盘激光器多量子阱量子阱激光器有效增益因子级联激光器国家重点实验室面发射外腔半导体激光器; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	InGaAsP单量子阱半导体微盘激光器研究	章蓓王若鹏丁晓民杨志坚戴伦崔晓明王舒民	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	1995	5	在线阅读下载PDF 职称材料
2	InGaAsP多量子阱微盘激光器	宁永强武胜利王立军林久龄刘云傅德惠刘育梅金亿鑫	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	1998	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	扫描电镜在研制新型的半导体微腔激光器─微盘激光器中的应用	章蓓张存珪戴伦丁晓民杨志坚王若鹏徐军张会珍王世光	《电子显微学报》 CAS CSCD	1994	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	金属-电介质约束的半导体微盘激光器	刘军吴根柱陈达如刘旭安卢启景	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2012	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	1.55μm波长InGaAsP微盘半导体激光器的室温激射性质	伍冠洪 J.G.McInerney	《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2007	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	半导体激光器		《中国光学》 EI CAS	1999	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	半导体激光器		《中国光学》 EI CAS	2001	0	在线阅读下载PDF 职称材料