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微波功率晶体管放大器匹配电路的设计 被引量:4
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作者 郭潇菲 刘凤莲 王传敏 《微波学报》 CSCD 北大核心 2009年第5期67-69,共3页
对微波功率晶体管放大器的阻抗匹配电路提出了一种有效且简便的设计方法。着重分析了多节并联导纳匹配与ADS软件仿真相结合的设计方法的全过程,并对S波段功率晶体管的输出匹配电路进行了分析和计算,取得了较好的效果。根据本文方法,制... 对微波功率晶体管放大器的阻抗匹配电路提出了一种有效且简便的设计方法。着重分析了多节并联导纳匹配与ADS软件仿真相结合的设计方法的全过程,并对S波段功率晶体管的输出匹配电路进行了分析和计算,取得了较好的效果。根据本文方法,制作了某功率晶体管的放大测试电路并进行测试,其输出功率及效率均优于晶体管手册给出的典型值。 展开更多
关键词 微波功率晶体管放大器 匹配 多节并联导纳匹配法
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基于新型带宽拓展技术的Doherty功率放大器MMIC设计
2
作者 杨琳 付星源 +5 位作者 刘世华 郭彦辰 高瑞龙 王保柱 张明 侯卫民 《微电子学与计算机》 2025年第2期77-85,共9页
为突破传统Doherty功率放大器(Doherty Power Amplifier,DPA)带宽的限制,提出了一种新型带宽拓展技术,包括对主辅两路有源负载调制网络和相位补偿网络的创新性设计,使得DPA单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MM... 为突破传统Doherty功率放大器(Doherty Power Amplifier,DPA)带宽的限制,提出了一种新型带宽拓展技术,包括对主辅两路有源负载调制网络和相位补偿网络的创新性设计,使得DPA单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MMIC)在保持高效率输出的同时,实现宽频带内充分的负载调制。为了验证所提出的设计方法,设计了一款应用于5G大规模MIMO(Multiple Input Multiple Output,多输入多输出)应用的新型高效率宽带非对称氮化镓DPA MMIC。测试结果表明,所设计的DPA芯片在4.5~5.5 GHz范围内可达到39.2~40.6 dBm的饱和输出功率(Saturation Output Power,记为P_(sat))。饱和时的功率附加效率(Power Added Efficiency,PAE,记为P_(AE))为45.2%~51.1%,在输出功率回退6 dB时可实现40.1%~45.0%的P_(AE),小信号增益为12.7~13.9 dB。所提出的DPA在已发表的C波段宽带氮化镓DPA中展示了较高的饱和及6 dB回退P_(AE)。 展开更多
关键词 DOHERTY功率放大器 氮化镓 单片微波集成电路 宽带
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X波段宽带高效率连续类功率放大器芯片设计
3
作者 刘涵潇 喻忠军 +1 位作者 范景鑫 张德生 《电子技术应用》 2025年第3期39-43,共5页
为提高功率放大器的带宽和效率,基于0.25μm GaAs pHEMT ED工艺,通过控制输出级二次谐波阻抗进行波形控制,实现连续B/J类波形,设计了一款单片集成的X波段高效率连续B/J类功率放大器。放大器由两级构成,驱动级使用增强型晶体管实现高增益... 为提高功率放大器的带宽和效率,基于0.25μm GaAs pHEMT ED工艺,通过控制输出级二次谐波阻抗进行波形控制,实现连续B/J类波形,设计了一款单片集成的X波段高效率连续B/J类功率放大器。放大器由两级构成,驱动级使用增强型晶体管实现高增益,输出级使用耗尽型晶体管实现高效率与瓦级的输出功率。仿真结果显示,该功率放大器在7.3~12.2 GHz的频带内实现了29~30.6 dBm的输出功率,功率增益为17~18.6 dB,功率附加效率大于50%,峰值效率为59%,输入回波损耗小于10 dB,芯片尺寸仅为2.1 mm×1.3 mm。 展开更多
关键词 功率放大器 高效率 X波段 连续类 单片微波集成电路
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高电子迁移率晶体管放大器高功率微波损伤机理 被引量:3
4
作者 闫涛 李平 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期70-74,共5页
在TCAD半导体仿真环境中,建立了0.25μm栅长的AlGaAs/InGaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)低噪声放大器与微波脉冲作用的仿真模型,基于器件内部的电场强度、电流密度和温度分布的变化,研究了1GHz的微波从栅极和漏极注入的损伤机理。研究结... 在TCAD半导体仿真环境中,建立了0.25μm栅长的AlGaAs/InGaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)低噪声放大器与微波脉冲作用的仿真模型,基于器件内部的电场强度、电流密度和温度分布的变化,研究了1GHz的微波从栅极和漏极注入的损伤机理。研究结果表明,从栅极注入约40.1dBm的微波时,HEMT内部峰值温度随着时间的变化振荡上升,最终使得器件失效,栅下靠源侧电流通道和强电场的同时存在使得该位置最容易损伤;从漏极注入微波时,注入功率的高低会使器件内部出现不同的响应过程,注入功率存在一个临界值,高于该值,器件有可能在第一个周期内损伤,损伤位置均在漏极附近。在1GHz的微波作用下,漏极注入比栅极注入更难损伤。 展开更多
关键词 高电子迁移率晶体管 低噪声放大器 功率微波 不同端口
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5 GHz无线局域网的锗硅异质结晶体管功率放大器 被引量:2
5
作者 李文渊 顾洵 《电子器件》 CAS 2008年第6期1761-1764,1768,共5页
采用IBM 0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计了一种应用于5 GHz无线局域网的射频功率放大器。功率放大器工作在A类状态,由两级共发射极放大电路组成,并利用自适应偏置技术改善了功放的线性度。输入输出和级间匹配网络都采用片内元件实现。在3.... 采用IBM 0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计了一种应用于5 GHz无线局域网的射频功率放大器。功率放大器工作在A类状态,由两级共发射极放大电路组成,并利用自适应偏置技术改善了功放的线性度。输入输出和级间匹配网络都采用片内元件实现。在3.3 V的电源电压下,模拟得到的功率增益为32.7 dB;1 dB压缩点输出功率为25.7 dBm;最大功率附加效率(PAE)为15%。 展开更多
关键词 功率放大器 无线局域网 锗硅异质结双极型晶体管 自适应偏置
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射频微波功率放大器芯片技术研究进展及发展趋势
6
作者 李镇兵 黄峻杰 +6 位作者 张晋荣 贾世麟 付佳龙 吴祥睿 李钢 孙浩洋 文光俊 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期871-882,共12页
在对射频微波功率放大器芯片的概念、类型与实现工艺进行全面综述与分类的基础上,聚焦其高频化、线性度改善、能量转换效率提升、带宽扩展以及高集成度封装等关键技术的研究现状与亟待解决的技术问题,深入分析并讨论了各项关键技术的主... 在对射频微波功率放大器芯片的概念、类型与实现工艺进行全面综述与分类的基础上,聚焦其高频化、线性度改善、能量转换效率提升、带宽扩展以及高集成度封装等关键技术的研究现状与亟待解决的技术问题,深入分析并讨论了各项关键技术的主流实现方式、典型研发案例以及相关应用利弊,旨在为现代无线通信系统射频前端集成的功率放大器芯片研发提供方法总结与设计参考。最后对射频微波功率放大器芯片技术的发展趋势与行业走向作出了展望。 展开更多
关键词 射频微波 功率放大器芯片 高频化 效率提升 线性度改善 带宽扩展 高集成度封装
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L波段微波集成晶体管功率放大器
7
作者 宋娇兰 《无线电工程》 1990年第4期46-54,共9页
本文介绍了用于某工程便携发射机中的低电压宽频带微波集成功率晶体管放大器。文中对放大器的电路设计、计算作了较详细说明,并写出了实验结果。
关键词 微波 集成 晶体管 功率放大器
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微波功率场效应晶体管放大器的实验研究
8
作者 李国金 《雷达与对抗》 1991年第1期4-11,共8页
本文阐述了微波功率场效应晶体管(FET)放大器的设计基础──动态阻抗测量法和S参数测量法。输入榆出匹配电路是采用电感输入型低通滤波阻抗变换器;介绍了FET功率放大器(以下简称功效)的调试要点、保护电路和消除寄生振荡的方法;最后给... 本文阐述了微波功率场效应晶体管(FET)放大器的设计基础──动态阻抗测量法和S参数测量法。输入榆出匹配电路是采用电感输入型低通滤波阻抗变换器;介绍了FET功率放大器(以下简称功效)的调试要点、保护电路和消除寄生振荡的方法;最后给出国产BD4001型FET的设计实例。用微带工艺在30×50×1mm陶瓷基片上制作的E波段功放,获得了与计算结果吻合的实验数据,并已作为FET功放的第一级运用于某型雷达,获得了良好的结果。 展开更多
关键词 微波 场效应 晶体管 放大器
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微波大功率晶体管脉冲放大器的设计
9
作者 杨洪林 《电子技术参考》 1993年第2期40-46,共7页
关键词 晶体管 脉冲放大器 微波频率 遥测
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基于电源调制的L波段高性能GaAsHBT功率放大器
10
作者 闭涛 陈景龙 《半导体技术》 北大核心 2024年第1期71-76,共6页
介绍了一种基于GaInP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺、电源调制的高峰均比、高功率附加效率L波段功率放大器芯片,可满足多载波聚合、大容量通信系统的要求。从器件层面控制基极表面复合、寄生电阻和电容,实现低膝点电压、跨导均匀的晶... 介绍了一种基于GaInP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺、电源调制的高峰均比、高功率附加效率L波段功率放大器芯片,可满足多载波聚合、大容量通信系统的要求。从器件层面控制基极表面复合、寄生电阻和电容,实现低膝点电压、跨导均匀的晶体管;在电路层面采用自适应偏置电路和谐波调谐等提升线性和功率附加效率。该放大器采用前级驱动加末级输出、驱动比为1∶6的两级晶体管架构和高低通搭配的匹配电路。测试结果表明,在5 V偏置电压下,该功率放大器的饱和输出功率大于35 dBm;在大功率回退时(8 dBm),增益变化小于2 dB,功率附加效率指标达到50%;对于调制带宽为25 kHz的16进制正交振幅调制(16QAM)通信系统,邻道功率比小于-38 dBc@27 dBm。 展开更多
关键词 功率放大器 电源调制 GaAs异质结双极晶体管(HBT) 峰均比 邻道功率比(ACPR)
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浅析专业用大功率晶体管功率放大器的使用可靠性及其一种试验方法
11
作者 丁永生 《电声技术》 北大核心 1992年第3期47-48,共2页
专业用功率放大器即用于扩声工程及电影电视节目制作监听用的功放,由于使用扩声系统的会场或影剧院在开会或演出时绝不允许功放出现故障而造成停顿事故,所以除要求它们具有很高的电性能指标外,还必须具有特别高的使用可靠性。功放在使... 专业用功率放大器即用于扩声工程及电影电视节目制作监听用的功放,由于使用扩声系统的会场或影剧院在开会或演出时绝不允许功放出现故障而造成停顿事故,所以除要求它们具有很高的电性能指标外,还必须具有特别高的使用可靠性。功放在使用中产生损坏事故的主要原因一般是负载过重或短路,信号突然增强或过冲以及电源电压突然升高而超出其承受范围。针对以上原因。 展开更多
关键词 功率晶体管 功率放大器 可靠性
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微波功率放大器非线性失真分析 被引量:18
12
作者 林强 张祖荫 郭伟 《微波学报》 CSCD 北大核心 2004年第4期79-82,共4页
功率放大器非线性失真产生的交调失真、邻道干扰等直接影响通信系统的性能 ,在放大器模型的基础上 ,如何定量地描述和分析其非线性具有重要意义。文中讨论了放大器非线性失真的泰勒级数分析法、Volterra级数分析法和谐波平衡分析法 ,给... 功率放大器非线性失真产生的交调失真、邻道干扰等直接影响通信系统的性能 ,在放大器模型的基础上 ,如何定量地描述和分析其非线性具有重要意义。文中讨论了放大器非线性失真的泰勒级数分析法、Volterra级数分析法和谐波平衡分析法 ,给出相应的仿真和实验结果。结果表明 :根据非线性的强弱采用不同的分析方法 ,结果具有较大的参考意义。 展开更多
关键词 非线性失真 微波功率放大器 交调 邻道干扰 谐波平衡 通信系统 仿真 泰勒级数 VOLTERRA级数 分析法
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微波功率放大器非线性特性分析 被引量:6
13
作者 邓海林 张德伟 +1 位作者 周东方 杜健 《电讯技术》 北大核心 2016年第12期1393-1399,共7页
为判断微波功率放大器非线性失真的主要影响因素,首先,在传统幂级数模型的基础上对功率放大器的非线性幅度失真和相位失真进行拟合,基于包络分析法给出了功率放大器非线性失真与幅度和相位失真间的解析关系;其次,对幅度失真和相位失真... 为判断微波功率放大器非线性失真的主要影响因素,首先,在传统幂级数模型的基础上对功率放大器的非线性幅度失真和相位失真进行拟合,基于包络分析法给出了功率放大器非线性失真与幅度和相位失真间的解析关系;其次,对幅度失真和相位失真引起的非线性失真进行了分析,给出了两者之间的等效失真关系式,据此可对任意给定的功率放大器进行分析,以确定非线性失真的主要影响因素,并用于指导模拟预失真线性化器的设计与调试;最后,通过对一Ka频段行波管放大器的非线性测试及模拟预失真线性化,验证了所提出的功率放大器非线性分析的正确性及幅相等效失真关系式的有效性。 展开更多
关键词 微波功率放大器 KA频段 非线性模型 互调失真 线性化
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一种测量微波功率放大器件输出端反射系数的新方法 被引量:5
14
作者 唐宗熙 李恩 《计量学报》 EI CSCD 北大核心 2001年第2期147-151,共5页
本文提出了一种测量微波功率放大器件输出端反射系数的新方法。通过对可变负载在不同频率和位置下的校准 ,采用所建立的自动测量系统 ,运行专门编制的自动控制和数据处理软件 ,可对微波功率放大器件输出端反射系数进行测量。该方法具有... 本文提出了一种测量微波功率放大器件输出端反射系数的新方法。通过对可变负载在不同频率和位置下的校准 ,采用所建立的自动测量系统 ,运行专门编制的自动控制和数据处理软件 ,可对微波功率放大器件输出端反射系数进行测量。该方法具有测量简便、迅速。 展开更多
关键词 微波功率放大器 反射系数 自动测量 输出端 入射功率 测量系统 校准
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微波功率放大器发展概述 被引量:15
15
作者 李建兵 林鹏飞 +1 位作者 郝保良 孙建邦 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期66-73,共8页
微波功率放大器分为真空和固态两类,分别分析了两类器件的原理和特点,然后介绍了它们的发展历史、当前的技术研究状况和未来发展趋势。重点介绍了两种器件相结合的产物—微波功率模块,包括微波功率模块的产生过程和当前国内外的发展状况... 微波功率放大器分为真空和固态两类,分别分析了两类器件的原理和特点,然后介绍了它们的发展历史、当前的技术研究状况和未来发展趋势。重点介绍了两种器件相结合的产物—微波功率模块,包括微波功率模块的产生过程和当前国内外的发展状况,并对未来的发展趋势进行了分析和预测。 展开更多
关键词 微波功率放大器 真空器件 固态器件 微波功率模块
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基于GaAs电感模型的微波功率放大器 被引量:2
16
作者 阴亚芳 张虹 +1 位作者 张博 李迎春 《西安邮电大学学报》 2014年第2期94-97,共4页
基于0.15μm砷化镓(GaAs)工艺建立一种电感模型,并用高频结构模拟器(High Frequency Structure Simulator,HFSS)仿真验证,并在此基础上设计一种微波功率放大器,并用高级系统设计软件(Advanced Design System,ADS)进行仿真。仿真... 基于0.15μm砷化镓(GaAs)工艺建立一种电感模型,并用高频结构模拟器(High Frequency Structure Simulator,HFSS)仿真验证,并在此基础上设计一种微波功率放大器,并用高级系统设计软件(Advanced Design System,ADS)进行仿真。仿真结果显示在8~12GHz频率范围内,饱和输出功率大于21.9dBm,1dB压缩点输出功率大于20dBm,功率增益大于26dB,功率附加效率大于34%,稳定系数大于1。 展开更多
关键词 微波功率放大器 GaAs基底 电感模型 共源共栅结构
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一种微波功率放大器的热设计与验证方法 被引量:2
17
作者 王磊 文耀普 《航天器工程》 2011年第2期52-56,共5页
大功率、高热流密度微波功率放大器是环境监测有效载荷中的关键设备,对整星的热设计影响很大。功率放大器的热设计的目的是满足温度需要,从而确保功率放大器的安全可靠工作。文章在完成热设计的基础上,确定热控设计方案,对功率放大器进... 大功率、高热流密度微波功率放大器是环境监测有效载荷中的关键设备,对整星的热设计影响很大。功率放大器的热设计的目的是满足温度需要,从而确保功率放大器的安全可靠工作。文章在完成热设计的基础上,确定热控设计方案,对功率放大器进行了热试验。试验结果表明,热设计可以满足要求。 展开更多
关键词 卫星 热设计 热试验 微波功率放大器
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微波晶体管放大器的图解设计法
18
作者 王保志 《成都气象学院学报》 1996年第43期285-290,共6页
在对线性两端口网络S参量分析的基础上,给出了利用史密斯圆图设计微波晶体管放大器的一般方法。
关键词 微波晶体管 放大器 图解 设计法
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L波段微波功率放大器的设计 被引量:1
19
作者 金彦亮 张珠明 +1 位作者 林浩杰 陈甲秋 《电视技术》 北大核心 2009年第S1期81-83,共3页
采用微带线形式建立L波段微波功率放大器匹配网络,使用FLL357ME型砷化镓场效应功率晶体管,并利用Microwave Office进行电路仿真和优化。测试结果表明该放大器满足小信号放大器的指标要求,可以用于射频接入电路的前端。
关键词 L波段 微波功率放大器 射频
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S波段宽带微波固态功率放大器的设计 被引量:2
20
作者 程光伟 赵文 《西安工业大学学报》 CAS 2012年第3期226-230,共5页
微波功率放大器是发射机的重要组件,它的设计成了微波发射系统的关键.文中使用ADS仿真软件对一款功率放大器进行电路设计和仿真,根据晶体管的小信号S参数和I-V曲线,对功率管的输入、输出阻抗匹配电路及其偏置电路进行优化设计,使其性能... 微波功率放大器是发射机的重要组件,它的设计成了微波发射系统的关键.文中使用ADS仿真软件对一款功率放大器进行电路设计和仿真,根据晶体管的小信号S参数和I-V曲线,对功率管的输入、输出阻抗匹配电路及其偏置电路进行优化设计,使其性能达到设计要求.在2~2.5GHz的频段内,对输入功率为0dBm射频信号,使用功放模块可以输出40dBm的射频信号,带内波动≤±1.5dB. 展开更多
关键词 宽带 横向扩散金属氧化物半导体 微波功率放大器 功率回退
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