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ZnO/ZnMgO异质结场效应管的制备与性能研究
1
作者
朱振邦
顾书林
+4 位作者
朱顺明
叶建东
黄时敏
顾然
郑有炓
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期449-452,共4页
利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在ZnO/ZnMgO异质结构上制备SiO2作为栅绝缘层,采用光刻与腐蚀工艺制备ZnO/ZnMgO异质结场效应管。电学性能测试及计算结果表明器件栅压调控作用明显。发现栅端漏电流对器件性能造成一定影响。...
利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在ZnO/ZnMgO异质结构上制备SiO2作为栅绝缘层,采用光刻与腐蚀工艺制备ZnO/ZnMgO异质结场效应管。电学性能测试及计算结果表明器件栅压调控作用明显。发现栅端漏电流对器件性能造成一定影响。在低温条件下,栅绝缘层产生钝化,从而能够改善器件的性能。
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关键词
ZnO/ZnMgO
异质结场效应管
迁移率
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职称材料
通孔结构Si衬底AlGaN/GaN HFET的热特性模拟
2
作者
文于华
范冰丰
+2 位作者
骆思伟
王钢
刘扬
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期112-115,共4页
使用有限元软件ANSYS,对通孔结构Si衬底Al GaN/GaN HFET进行了热特性模拟。首先,根据器件结构建立了以栅极为热源的分析模型。然后,通过改变衬底材料、衬底厚度、栅间距以及通孔深度,分别研究了两栅指结构HFET的峰值温度和热阻。最后,...
使用有限元软件ANSYS,对通孔结构Si衬底Al GaN/GaN HFET进行了热特性模拟。首先,根据器件结构建立了以栅极为热源的分析模型。然后,通过改变衬底材料、衬底厚度、栅间距以及通孔深度,分别研究了两栅指结构HFET的峰值温度和热阻。最后,对由两栅指结构扩展得到的多栅指结构HFET进行了模拟。结果表明,衬底材料、衬底厚度、栅间距和通孔深度对器件的热特性均有明显的影响,选择合适的参数有利于改善器件的性能;当栅指数目增加时,器件的峰值温度增大,散热趋向于困难。
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关键词
铝镓氮/氮化镓
异质结场效应管
ANSYS
通孔
结
构
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职称材料
AlGaN/GaN HFET的2DEG和电流崩塌研究(Ⅰ)
被引量：
1
3
作者
李效白
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期1-5,共5页
从不同的视角回顾和研究了AlGaN/GaN HFET的二维电子气(2DEG)和电流崩塌问题。阐述了非掺杂的AlGaN/GaN异质结界面存在2DEG的原动力是极化效应,电子来源是AlGaN上的施主表面态。2DEG浓度与AlGaN/GaN界面导带不连续性、AlGaN层厚和Al组...
从不同的视角回顾和研究了AlGaN/GaN HFET的二维电子气(2DEG)和电流崩塌问题。阐述了非掺杂的AlGaN/GaN异质结界面存在2DEG的原动力是极化效应,电子来源是AlGaN上的施主表面态。2DEG浓度与AlGaN/GaN界面导带不连续性、AlGaN层厚和Al组分有密切关系。揭示了AlGaN/GaN HFET的2DEG电荷涨落受控于表面、界面和缓冲层中的各种缺陷及外加应力,表面空穴陷阱形成的虚栅对输入信号有旁路和延迟作用,它们导致高频及微波状态下的电流崩塌。指出由于构成电流崩塌因素的复杂性,各种不同的抑制电流崩塌方法都存在不足,因此实现该器件大功率密度和高可靠性还有很长的路要走。
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关键词
铝镓氮/氮化镓
异质结场效应管
二维电子气
自发极化
压电极化
电流崩塌
陷阱
效应
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职称材料
题名
ZnO/ZnMgO异质结场效应管的制备与性能研究
1
作者
朱振邦
顾书林
朱顺明
叶建东
黄时敏
顾然
郑有炓
机构
南京大学电子科学与工程学院和南京微结构国家实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期449-452,共4页
基金
国家自然科学基金(61025020
60990312)
+1 种基金
国家"973"计划项目(2011CB302003)
江苏省自然科学基金(SBK201121728)资助项目
文摘
利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在ZnO/ZnMgO异质结构上制备SiO2作为栅绝缘层,采用光刻与腐蚀工艺制备ZnO/ZnMgO异质结场效应管。电学性能测试及计算结果表明器件栅压调控作用明显。发现栅端漏电流对器件性能造成一定影响。在低温条件下,栅绝缘层产生钝化,从而能够改善器件的性能。
关键词
ZnO/ZnMgO
异质结场效应管
迁移率
Keywords
ZnO/ZnMgO
heterostructure field-effect transistor（HFET）
mobilily
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
通孔结构Si衬底AlGaN/GaN HFET的热特性模拟
2
作者
文于华
范冰丰
骆思伟
王钢
刘扬
机构
中山大学光电材料与技术国家重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期112-115,共4页
基金
中山大学物理学基金项目(J0630320
J0730313)
文摘
使用有限元软件ANSYS,对通孔结构Si衬底Al GaN/GaN HFET进行了热特性模拟。首先,根据器件结构建立了以栅极为热源的分析模型。然后,通过改变衬底材料、衬底厚度、栅间距以及通孔深度,分别研究了两栅指结构HFET的峰值温度和热阻。最后,对由两栅指结构扩展得到的多栅指结构HFET进行了模拟。结果表明,衬底材料、衬底厚度、栅间距和通孔深度对器件的热特性均有明显的影响,选择合适的参数有利于改善器件的性能;当栅指数目增加时,器件的峰值温度增大,散热趋向于困难。
关键词
铝镓氮/氮化镓
异质结场效应管
ANSYS
通孔
结
构
Keywords
AlGaN/GaN
HFET
ANSYS
via-hole structrue
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
AlGaN/GaN HFET的2DEG和电流崩塌研究(Ⅰ)
被引量：
1
3
作者
李效白
机构
专用集成电路国家重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期1-5,共5页
文摘
从不同的视角回顾和研究了AlGaN/GaN HFET的二维电子气(2DEG)和电流崩塌问题。阐述了非掺杂的AlGaN/GaN异质结界面存在2DEG的原动力是极化效应,电子来源是AlGaN上的施主表面态。2DEG浓度与AlGaN/GaN界面导带不连续性、AlGaN层厚和Al组分有密切关系。揭示了AlGaN/GaN HFET的2DEG电荷涨落受控于表面、界面和缓冲层中的各种缺陷及外加应力,表面空穴陷阱形成的虚栅对输入信号有旁路和延迟作用,它们导致高频及微波状态下的电流崩塌。指出由于构成电流崩塌因素的复杂性,各种不同的抑制电流崩塌方法都存在不足,因此实现该器件大功率密度和高可靠性还有很长的路要走。
关键词
铝镓氮/氮化镓
异质结场效应管
二维电子气
自发极化
压电极化
电流崩塌
陷阱
效应
Keywords
AlGaN/GaN
HFET
2DEG
spontaneous polarization
piezoelectric polarization
current collapse
trapping effects
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ZnO/ZnMgO异质结场效应管的制备与性能研究
朱振邦
顾书林
朱顺明
叶建东
黄时敏
顾然
郑有炓
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
通孔结构Si衬底AlGaN/GaN HFET的热特性模拟
文于华
范冰丰
骆思伟
王钢
刘扬
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
AlGaN/GaN HFET的2DEG和电流崩塌研究(Ⅰ)
李效白
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
1
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职称材料
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