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多层硅基模块晶圆级键合腔体的可靠性 被引量：1
1
作者 马将 郜佳佳 杨栋 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第7期674-681,共8页
晶圆级键合是实现多层硅基模块内部互连的关键工艺,针对硅片在晶圆级键合工艺中的开裂现象,建立了硅基刻蚀腔体在键合工艺中的力学模型,经样件实验验证,该模型可以准确预估腔体的开裂现象。在此基础上设计了硅片键合实验,通过引入硅通孔... 晶圆级键合是实现多层硅基模块内部互连的关键工艺,针对硅片在晶圆级键合工艺中的开裂现象,建立了硅基刻蚀腔体在键合工艺中的力学模型,经样件实验验证,该模型可以准确预估腔体的开裂现象。在此基础上设计了硅片键合实验,通过引入硅通孔(TSV)的应力集中因子确定了硅基晶圆级键合的应力失效判据。而后通过参数化仿真系统性探究了硅基刻蚀腔体面积及腔体形状等因素对键合应力的影响规律,并绘制出刻蚀腔体设计可靠范围图。结果表明,硅片键合可靠腔体临界面积约为21 mm^(2),且腔体形状越接近正方形越易开裂。该研究为多层硅基模块刻蚀腔体的可靠性设计提供了参考。 展开更多
关键词 晶圆级键合 多层硅基模块 刻蚀腔体 硅通孔(TSV) 可靠性
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层硅用作纸浆H_2O_2漂白稳定剂 被引量：7
2
作者 钱学仁 安显慧 +2 位作者 刘文波 于钢 宋湛谦 《中国造纸》 CAS 北大核心 2003年第6期12-15,共4页
对层硅用作纸浆H_2O_2漂白稳定剂的可行性进行了研究。结果表明,纸浆H_2O_2漂白过程中采用层硅替代Na_2SiO_3作稳定剂是可行的。在相同用量下,麦草浆的白度可提高1.5％～2.0％ISO,脱墨浆的白度可提高0.5％～1.0％ISO。在一定范围内提高... 对层硅用作纸浆H_2O_2漂白稳定剂的可行性进行了研究。结果表明,纸浆H_2O_2漂白过程中采用层硅替代Na_2SiO_3作稳定剂是可行的。在相同用量下,麦草浆的白度可提高1.5％～2.0％ISO,脱墨浆的白度可提高0.5％～1.0％ISO。在一定范围内提高温度和延长时间对漂白有利。层硅用作纸浆H_2O_2漂白稳定剂的适宜工艺条件为:浆浓10％,H_2O_2用量3％,NaOH用量1.5％,层硅用量3％,温度70℃,时间60min。在此条件下漂白麦草浆,白度增值可达14％ISO左右。此外,与Na_2SiO_3相比,层硅用作纸浆H_2O_2漂白稳定剂的成本略低。 展开更多
关键词 层硅 纸浆 H2O2漂白稳定剂 工艺条件 应用效果 造纸
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矿渣和层硅-Na_2SO_4复合激发剂对磷渣水泥力学性能的影响 被引量：10
3
作者 冯皓 程麟 陈丹 《南京工业大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2010年第2期66-71,共6页
分别研究矿渣和层硅-Na2SO4复合激发剂对磷渣水泥力学性能的影响,用扫描电镜(SEM)以及X射线衍射(XRD)等方法对磷渣及磷渣水泥性能进行表征.结果表明:矿渣以不同比例掺入磷渣水泥体系中可以一定程度提高磷渣水泥强度,且在磷渣掺量较大的... 分别研究矿渣和层硅-Na2SO4复合激发剂对磷渣水泥力学性能的影响,用扫描电镜(SEM)以及X射线衍射(XRD)等方法对磷渣及磷渣水泥性能进行表征.结果表明:矿渣以不同比例掺入磷渣水泥体系中可以一定程度提高磷渣水泥强度,且在磷渣掺量较大的情况下,这种矿渣增长效应更加显著,平均增长率可超过15%.在磷渣水泥体系中掺入适量的层硅-Na2SO4复合激发剂,在高磷渣掺量(60%)条件下,28 d抗压强度提高了5.6 MPa. 展开更多
关键词 磷渣 矿渣 激发剂 层硅-Na2SO4
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三层硅加速度敏感芯片BCB键合工艺研究 被引量：3
4
作者 刘智辉 田雷 +1 位作者 李玉玲 尹延昭 《传感器与微系统》 CSCD 2015年第3期37-39,43,共4页
采用非光敏苯并环丁烯(BCB)进行MEMS压阻式加速度敏感芯片三层结构制作。BCB键合具有工艺温度低、键合表面要求低等特点,适用于芯片的圆片级封装。但是固化过程中BCB粘度随温度升高而下降,流动性变大,在毛细作用的影响下沿着微小间隙流... 采用非光敏苯并环丁烯(BCB)进行MEMS压阻式加速度敏感芯片三层结构制作。BCB键合具有工艺温度低、键合表面要求低等特点,适用于芯片的圆片级封装。但是固化过程中BCB粘度随温度升高而下降,流动性变大,在毛细作用的影响下沿着微小间隙流淌,导致可动部件粘连,器件失效。通过控制BCB厚度、增加BCB阻挡槽解决了可动部件粘连问题,制作了三层硅结构的加速度敏感芯片。样品漏率小于1.0×10-10Pa·m3/s,键合剪切强度大于20MPa,能够满足航天、工业、消费电子等各领域的应用需求。 展开更多
关键词 微机电系统 三层硅 加速度计 苯并环丁烯 键合 毛细作用
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层硅无磷助洗剂的产业化研究现状与发展 被引量：3
5
作者 辛生业 殷文 +1 位作者 毕延洁 辛鸣 《现代化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期9-12,14,共5页
从工程学的角度评述了层硅助洗剂的各种生产工艺,并从工业化和商品化的角度分析了层硅助洗剂的研究与发展,介绍了最新的研究与实践成果,指出层硅助洗剂作为一种产品和商品已具备了大力发展的条件。
关键词 无磷助洗剂 层硅助洗剂 产业化 现状 发展
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衬底去边宽度对高阻厚层硅外延片参数的影响 被引量：1
6
作者 米姣 张涵琪 +2 位作者 薛宏伟 袁肇耿 吴会旺 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第11期875-880,886,共7页
硅外延片的参数受衬底以及外延层两方面影响,研究了衬底背面SiO_(2)层边缘去除宽度(简称去边宽度)对高阻厚层硅外延片参数的影响。对比0、0.3和0.5 mm三种去边宽度硅外延片的参数发现,去边宽度对外延层厚度不均匀性没有影响,对外延层电... 硅外延片的参数受衬底以及外延层两方面影响,研究了衬底背面SiO_(2)层边缘去除宽度(简称去边宽度)对高阻厚层硅外延片参数的影响。对比0、0.3和0.5 mm三种去边宽度硅外延片的参数发现,去边宽度对外延层厚度不均匀性没有影响,对外延层电阻率不均匀性影响巨大,外延层电阻率不均匀性与衬底去边宽度呈正比。衬底去边宽度也会影响外延片的外观、表面颗粒以及滑移线。进一步研究了去边宽度对后续制备MOS管在晶圆片内击穿电压分布的影响,发现去边宽度越宽,晶圆片内MOS管击穿电压差越大。综合考虑外延片及其制备器件参数,选择0.3 mm为制备高阻厚层硅外延片的最佳去边宽度,可以获得优良的外延片参数及器件特性。 展开更多
关键词 去边宽度 高阻厚层硅外延片 不均匀性 滑移线 击穿电压
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基于多层硅模具的Zr基非晶合金双层微小齿轮制备工艺研究
7
作者 杨璠 史铁林 廖广兰 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期1399-1402,1408,共5页
应用分层设计与制备工艺得到了具有微小多层型腔的复杂硅模具,采用坯料直径为3mm的Zr41.2Ti13.8Cu12.5Ni10Be22.5非晶合金为实验材料,使用自行设计的实验平台,对双层微小齿轮(大齿轮模数0.05mm,齿数36,厚度150μm;小齿轮模数0.05mm,齿数... 应用分层设计与制备工艺得到了具有微小多层型腔的复杂硅模具,采用坯料直径为3mm的Zr41.2Ti13.8Cu12.5Ni10Be22.5非晶合金为实验材料,使用自行设计的实验平台,对双层微小齿轮(大齿轮模数0.05mm,齿数36,厚度150μm;小齿轮模数0.05mm,齿数30,厚度150μm;中心轴孔直径0.8mm)进行了超塑性成形工艺研究,优化了零件成形、腐蚀脱模、飞边去除及质量分析的工艺流程。结果表明,该工艺流程合理可靠,制备出的Zr基双层微小齿轮保持了非晶态结构、形状完整、充型率高、表面质量良好。 展开更多
关键词 非晶合金 超塑性成形 多层硅模具 双层微小齿轮
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基于金刚线切片的钙钛矿/硅叠层太阳电池 被引量：1
8
作者 苏诗茜 应智琴 +3 位作者 陈邢凯 李鑫 杨熹 叶继春 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期23-29,共7页
提出一种免空穴传输层的策略,将自组装单分子层材料作为钙钛矿活性层的添加剂,通过一步旋涂法直接将钙钛矿薄膜制备在导电基底表面,其中薄膜的质量与均一性都得到改善。进一步地,将该方法应用在低成本的商用金刚线切片上,可在高粗糙度... 提出一种免空穴传输层的策略,将自组装单分子层材料作为钙钛矿活性层的添加剂,通过一步旋涂法直接将钙钛矿薄膜制备在导电基底表面,其中薄膜的质量与均一性都得到改善。进一步地,将该方法应用在低成本的商用金刚线切片上,可在高粗糙度的硅表面制备出覆盖度高、形貌致密、无空洞的钙钛矿薄膜。在光电性能方面,用该方法得到的单结钙钛矿太阳电池的光电转换效率为21%,填充因子高达83%,两端钙钛矿/硅叠层太阳电池的光电转换效率为28%。 展开更多
关键词 钙钛矿太阳电池 自组装单分子层材料 添加剂 免空穴传输层 金刚线切片 钙钛矿/硅叠层太阳电池
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δ-层状结晶二硅酸钠的技术经济分析 被引量：2
9
作者 贾寿华 苏秀荣 万福贤 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期113-114,共2页
介绍了δ-层状结晶二硅酸钠生产方法及现状,分析了生产层硅的经济效益,展望了层硅的市场前景。
关键词 Δ-层状结晶二硅酸钠 水玻璃 洗涤助剂 技术经济分析 生产方法 经济效益 市场前景 层硅
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飞秒脉冲激光对硅基多层膜损伤特性 被引量：8
10
作者 郑长彬 邵俊峰 +5 位作者 李雪雷 王化龙 王春锐 陈飞 王挺峰 郭劲 《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期371-381,共11页
为了明确超快激光损伤典型成像探测器膜层结构的物理机制,对飞秒脉冲激光辐照硅基多层膜的损伤特性,以及各种损伤效应对应的激光能量通量范围和阈值条件进行研究。利用波长为800 nm、脉冲宽度为100 fs的脉冲激光和金相显微镜研究了硅基... 为了明确超快激光损伤典型成像探测器膜层结构的物理机制,对飞秒脉冲激光辐照硅基多层膜的损伤特性,以及各种损伤效应对应的激光能量通量范围和阈值条件进行研究。利用波长为800 nm、脉冲宽度为100 fs的脉冲激光和金相显微镜研究了硅基多层膜在不同激光能量通量和不同脉冲累积下的损伤效应。在能量通量为1. 01～24. 7 J/cm^2的激光单脉冲辐照下,激光作用区域可观察到氧化/无定形化、非热烧蚀和激光诱导等离子体烧蚀所引起的表面损伤,其损伤效应与激光能量通量有明显联系,激光作用区域尺寸随能量通量线性增大。在2. 42 J/cm^2到24. 7 J/cm^2激光能量通量范围内,可在辐照表面观察到激光诱导压力导致的多层损伤,损伤概率随激光能量通量的增加由1%增大到51%。在激光能量通量为1. 01 J/cm^2的连续多脉冲辐照下,烧蚀区域尺寸几乎不变,但烧蚀深度逐渐增加,其多层损伤机制为表面损伤的累积效应。通过单脉冲损伤实验数据拟合计算确定,飞秒激光诱导硅基多层膜表面损伤阈值为0. 543 J/cm^2,应力多层损伤阈值为2. 16 J/cm^2。低激光能量通量(≤1. 01 J/cm^2)多脉冲辐照累积作用同样可造成硅基多层膜深层损伤。 展开更多
关键词 激光烧蚀 激光损伤 硅基多层膜 损伤阈值
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介孔硅层柱蒙脱石材料合成的新方法与表征 被引量：16
11
作者 周春晖 李庆伟 +2 位作者 葛忠华 李小年 倪哲明 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期1351-1355,共5页
利用十六烷基三甲基溴化铵 (CTAB)将天然钠基蒙脱石改性成有机蒙脱石 ,以十二烷胺为模板剂 ,正硅酸乙酯为层柱前驱体 ,在室温下合成了新型介孔硅层柱蒙脱石材料 .用 XRD,TG,FTIR以及 N2 等温吸附 -脱附等技术对产物进行了表征 .结果表... 利用十六烷基三甲基溴化铵 (CTAB)将天然钠基蒙脱石改性成有机蒙脱石 ,以十二烷胺为模板剂 ,正硅酸乙酯为层柱前驱体 ,在室温下合成了新型介孔硅层柱蒙脱石材料 .用 XRD,TG,FTIR以及 N2 等温吸附 -脱附等技术对产物进行了表征 .结果表明 ,合成材料具有大通道 (净层间距为 2 .75 nm)、介孔孔径且孔分布窄 (平均孔径为 2 .1 7nm)、比表面积高 (SBET=82 1 .6 m2 /g)、热稳定性高 (大于 80 0℃ )等特征 .同时 ,通过改变中性胺的链长 ,研究了孔结构的调变规律 ,分析了材料的成孔机理和热稳定性提高的原因 . 展开更多
关键词 介孔硅层柱蒙脱石材料 合成方法 表征 催化材料 正硅酸乙酯 大通道 介孔孔径 孔结构
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铜的表面含硅渗层的结构与性能 被引量：12
12
作者 甘正浩 毛志远 +2 位作者 沈复初 郦剑 叶必光 《材料科学与工程》 CSCD 1997年第1期50-53,共4页
本文综述了利用ＳｉＨ４／Ｈ２混合气体在纯铜表面获得的含硅渗层的结构和性能。试验结果表明：通过纯铜表面气体渗硅这一新的化学热处理方法，其表面获得含硅渗层，可以改善铜的表面摩擦磨损。
关键词 渗硅层 摩擦系数 摩擦磨损 抗氧化性 铜
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UHV/CVD生长亚微米薄硅外延层及其高频器件研制 被引量：6
13
作者 吴贵斌 叶志镇 +4 位作者 崔继锋 黄靖云 张海燕 赵炳辉 卢焕明 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期1248-1251,共4页
为获得亚微米级的薄硅外延层,从而提高硅器件的工作频率,利用自行研制的一台新型超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)系统生长用于高频器件的超薄外延层,该系统由气路部分、控制部分、主体部分组成,反应室本底真空可达5.0×10-8Pa,能够... 为获得亚微米级的薄硅外延层,从而提高硅器件的工作频率,利用自行研制的一台新型超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)系统生长用于高频器件的超薄外延层,该系统由气路部分、控制部分、主体部分组成,反应室本底真空可达5.0×10-8Pa,能够实现在超净环境下低温、低压外延生长.利用该系统在重掺硅衬底上成功生长出了高质量的亚微米薄硅单晶层,外延层厚度为0.1～0.5μm,掺杂浓度为1×1017cm3,过渡区非常窄,达到了制备高频器件的要求;并在此基础上制备出了高频肖特基二极管原型器件,由IV测试并经过计算,截止频率可达31GHz. 展开更多
关键词 超高真空化学气相沉积 硅外延层 亚微米 高频 肖特基二极管
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基于硅过渡层纳米金刚石膜/GaN复合膜系的制备（英文） 被引量：4
14
作者 刘金龙 田寒梅 +3 位作者 陈良贤 魏俊俊 黑立富 李成明 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期518-524,共7页
本文研发了一种简便有效的在GaN半导体衬底上直接生长纳米金刚石膜的方法。研究发现,直接将GaN衬底暴露于氢等离子体中5 min即发生分解,且随着温度从560℃升高至680℃,这种分解反应愈加剧烈,很难在GaN衬底上直接形成结合力良好的纳米金... 本文研发了一种简便有效的在GaN半导体衬底上直接生长纳米金刚石膜的方法。研究发现,直接将GaN衬底暴露于氢等离子体中5 min即发生分解,且随着温度从560℃升高至680℃,这种分解反应愈加剧烈,很难在GaN衬底上直接形成结合力良好的纳米金刚石膜。通过在GaN衬底上镀制几纳米厚的硅过渡层,在富氢金刚石生长环境下,抑制了GaN衬底的分解,同时在GaN衬底上沉积了约2μm厚的纳米金刚石膜。硅过渡层厚度是决定纳米金刚石与GaN衬底结合力的主要因素。当硅过渡层厚度为10 nm时,纳米金刚石膜与GaN衬底呈现出大于10 N的结合力,可能与硅过渡层在金刚石生长过程中向SiC过渡层转变有关。 展开更多
关键词 氮化镓 硅过渡层 纳米金刚石膜 直接生长 分解
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非晶/微晶硅叠层电池中间层的研究进展 被引量：5
15
作者 蔡宁 耿新华 +6 位作者 赵颖 张晓丹 陈培专 陈新亮 张德坤 岳强 熊绍珍 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期338-343,共6页
由于非晶硅光致衰退、微晶硅吸收系数低的原因,叠层结构电池成为提高电池效率和稳定性的有效途径。叠层电池各子电池较薄、太阳光的利用率较低,因此陷光结构在叠层电池中的作用尤其重要。具有绒面结构的前电极、叠层电池的中间层以及ZnO... 由于非晶硅光致衰退、微晶硅吸收系数低的原因,叠层结构电池成为提高电池效率和稳定性的有效途径。叠层电池各子电池较薄、太阳光的利用率较低,因此陷光结构在叠层电池中的作用尤其重要。具有绒面结构的前电极、叠层电池的中间层以及ZnO/Al或ZnO/Ag复合背电极共同组成硅薄膜太阳电池的陷光结构。中间层位于各子电池之间,作用是改变界面反射率,影响电池中光的传播路径。该文综述了叠层电池中间层的作用、要求以及此方面国内外的研究现状,并指出中间层研究中需要注意的主要问题和未来发展的趋势。 展开更多
关键词 太阳电池 非晶/微晶硅叠层电池 中间层
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铜合金渗硅层耐磨性及工艺控制 被引量：4
16
作者 程军 朱建华 《华东理工大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1998年第6期710-716,共7页
对铜合金进行固体渗硅的工艺方法和渗硅后铜合金表面行为进行了研究。采用本院研制的渗剂对ＺＱＳｎ６－６－３进行渗硅化学热处理，获得了０．８～１．２ｍｍ的渗层。探讨了热处理温度、保温时间等工艺参数对渗层厚度和渗层性能的影响... 对铜合金进行固体渗硅的工艺方法和渗硅后铜合金表面行为进行了研究。采用本院研制的渗剂对ＺＱＳｎ６－６－３进行渗硅化学热处理，获得了０．８～１．２ｍｍ的渗层。探讨了热处理温度、保温时间等工艺参数对渗层厚度和渗层性能的影响；研究了铜合金渗硅层的微观结构，结合粘着理论、磨损剥层理论和晶体结构，揭示了渗硅后提高耐磨性的原理。研究表明，渗硅的控制步骤是硅在铜合金中的扩散，并给出了渗层厚度与温度及保温时间的经验公式。 展开更多
关键词 锡青铜 微观结构 耐磨性 工艺 铜合金 渗硅层
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TiAl渗硅层结构分析 被引量：3
17
作者 梁伟 赵兴国 边丽萍 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期689-690,共2页
关键词 TIAL基合金 渗硅层 结构分析 钛铝合金 形成机理 高温抗氧化性
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低功耗肖特基整流器件用200 mm高均匀性硅外延层生长工艺 被引量：4
18
作者 李明达 李普生 薛兵 《科学技术与工程》 北大核心 2018年第36期205-210,共6页
200 mm硅外延片是肖特基器件的关键支撑材料,但是大尺寸硅外延层生长面临反应面积大、易受热流场扰动影响的问题,导致采用传统外延工艺始终未实现预期目标。利用Centura外延炉,在200 mm的硅单晶衬底上化学气相沉积(CVD)了结晶质量良好... 200 mm硅外延片是肖特基器件的关键支撑材料,但是大尺寸硅外延层生长面临反应面积大、易受热流场扰动影响的问题,导致采用传统外延工艺始终未实现预期目标。利用Centura外延炉,在200 mm的硅单晶衬底上化学气相沉积(CVD)了结晶质量良好且高均匀性的外延层,外延层厚度不均匀性<1. 0%,电阻率不均匀性<1. 1%,无滑移线、雾等缺陷。实验利用光学显微镜、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、汞探针电容-电压测试仪(Hg-CV)等测试设备分别研究了外延层的表面形貌、厚度和电阻率等参数。通过精确调节外延炉内的热场和流场分布,结合设计附面层杂质稀释、基座浅层包硅等技术,解决了参数一致性与稳定性问题,实现了高质量200 mm的硅外延层。 展开更多
关键词 硅外延层 晶体缺陷 均匀性 肖特基器件
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硅转接层高带宽存储互连通道信号完整性设计及仿真 被引量：5
19
作者 李川 郑浩 王彦辉 《计算机工程与科学》 CSCD 北大核心 2022年第2期199-206,共8页
HBM存储器由于超高的存储带宽在大数据、智能计算等领域具有广阔的应用前景。支持超细线宽的硅转接板是实现存储器与芯片间HBM信号互连的主要载体,从HBM1.0到HBM2E,信号速率达到3.2 Gbps,信号完整性问题不容忽视。从HBM颗粒管脚阵列结... HBM存储器由于超高的存储带宽在大数据、智能计算等领域具有广阔的应用前景。支持超细线宽的硅转接板是实现存储器与芯片间HBM信号互连的主要载体,从HBM1.0到HBM2E,信号速率达到3.2 Gbps,信号完整性问题不容忽视。从HBM颗粒管脚阵列结构出发,分析信号布线和线宽间距极值。建立2层信号线传输模型,提炼频域阻抗分析方法和总串扰计算方法,从频域角度分析结构参数对电性能传输参数的影响,并从时域进行验证。结果显示:HBM信号线宽间距和应小于6.8μm;在应用频点范围内,远硅层信号线阻抗比近硅层信号线阻抗高6~8Ω,3μm线宽的阻抗值更接近于50Ω;线宽和线长是插入损耗敏感参数,间距和布线层对损耗影响较小。针对低频区的固有损耗,线宽影响占主导,针对高频区线损耗,线长影响较大。间距是串扰敏感因素,但受空间限制,间距优化有限,引入地屏蔽线是有效的解决办法。 展开更多
关键词 HBM 硅转接层 信号完整性 阻抗 插入损耗 总串扰 眼图
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硅质地层土酸酸化工艺的理论与实践 被引量：10
20
作者 陈赓良 黄瑛 《油田化学》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期374-378,361,共6页
关于硅质砂岩地层土酸酸化工艺的本专题论文包含 6个论题 :①基本原理 ;②传统土酸体系的利弊 ;③含膦酸酯土酸工作液 ;④膦酸类化合物电离特性 ;⑤膦酸类化合物吸附特性 ;⑥结论。指出酸化工作液的缓速、降滤失和抑制性 ,是保证酸化施... 关于硅质砂岩地层土酸酸化工艺的本专题论文包含 6个论题 :①基本原理 ;②传统土酸体系的利弊 ;③含膦酸酯土酸工作液 ;④膦酸类化合物电离特性 ;⑤膦酸类化合物吸附特性 ;⑥结论。指出酸化工作液的缓速、降滤失和抑制性 ,是保证酸化施工质量的关键因素 ;膦酸酯的电离和吸附特性奠定了含膦酸酯工作液卓越性能的基础 ,使之成为当前砂岩储层酸化的新发展方向。图 3表 5参 6。 展开更多
关键词 硅质地层 土酸 酸化工艺 三次采油 膦酸酯 酸化液 砂岩储层 综述
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