高耐压氧化镓射频场效应晶体管

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作者 郁鑫鑫 周建军 +5 位作者 李忠辉 陶然 吴云 张凯 孔月婵 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第5期F0003-F0003,共1页

超宽禁带氧化镓是发展新型大功率电力电子和射频器件的新一代先进战略性电子材料。近年来,得益于单晶衬底制备及n型掺杂技术的进步,氧化镓在电力电子器件领域取得了突破性的进展,然而氧化镓体掺杂沟道较厚,亚微米以下栅长器件短沟道效... 超宽禁带氧化镓是发展新型大功率电力电子和射频器件的新一代先进战略性电子材料。近年来,得益于单晶衬底制备及n型掺杂技术的进步,氧化镓在电力电子器件领域取得了突破性的进展,然而氧化镓体掺杂沟道较厚,亚微米以下栅长器件短沟道效应严重,频率性能受限。南京电子器件研究所联合南京大学、上海微系统所、天津电子材料研究所,突破了氧化镓上低能离子注入沟道技术,实现了高浓度的类二维电子气超薄导电沟道,研制出高击穿电压的氧化镓射频场效应晶体管[1]。 展开更多

关键词 场效应晶体管 二维电子气 氧化镓 电力电子器件 短沟道效应 击穿电压 射频器件 宽禁带

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微波GaAs功率场效应晶体管烧毁机理的研究：Ⅱ．射频烧毁

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作者 袁泽亮 范垂祯 《真空与低温》 1994年第4期187-190,共4页

采用扫描电镜（ＳＥＭ）和扫描俄歇微探针（ＳＡＭ）对国内研制开发的微波ＧａＡｓ功率ＦＥＴ芯片在射频测试中的烧毁进行了分析研究。探讨其烧毁机理及物理过程。

关键词 微波 砷化镓 功率场效应 晶体管 射频烧毁

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大功率射频Si-VDMOS功率晶体管研制

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作者 刘洪军 王琪 +2 位作者 赵杨杨 王佃利 杨勇 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2024年第5期70-74,共5页

介绍了大功率射频硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Si-VDMOS)的研制结果,采用栅分离降低反馈电容技术、多子胞降低源极电感技术等,从芯片原理着手,比较分析两种芯片结构设计对反馈电容的影响,以及两种布局引线对源极电感的影响,并... 介绍了大功率射频硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Si-VDMOS)的研制结果,采用栅分离降低反馈电容技术、多子胞降低源极电感技术等,从芯片原理着手,比较分析两种芯片结构设计对反馈电容的影响,以及两种布局引线对源极电感的影响,并研制出了百瓦级以上大功率射频Si-VDMOS功率晶体管系列产品。产品主要性能如下:在工作电压28 V及连续波下,采用8胞合成时,225 MHz输出功率达200 W以上,500 MHz输出功率达150 W以上;进一步增加子胞数量,采用12胞合成时,225 MHz输出功率达300 W以上,同时具备良好的增益及效率特性,与国外大功率射频Si-VDMOS功率晶体管的产品参数相比,达到了同类产品水平。 展开更多

关键词 大功率 硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管 射频功率晶体管 反馈电容 源极电感

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飞思卡尔通过射频功率LDMOS晶体管为广播电视发射器设立了新基准

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《电子与电脑》 2011年第10期95-95,共1页

飞思卡尔半导体宣布推出RF功率LDMOS晶体管,该产品结合了业界最高的输出功率、效率和其同类竞争器件中最强的耐用性,专门面向UHF广播电视应用而设计。 MRFE6VP8600H与其上一代产品相比输出功率提高39%,其设计在满足ATSC、

关键词 LDMOS晶体管 广播电视 飞思卡尔 射频功率 发射器 基准 输出功率 rf功率

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SiGe晶体管技术及在RF器件电路中的应用

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作者 魏福立 魏汝新 孙翠景 《半导体情报》 2000年第3期32-37,共6页

介绍了在无线应用中的两种 Si Ge器件工艺 :低压 IC电路和高压分立功率器件工艺。给出了器件的关键参数 。

关键词 锗化硅晶体管 rf器件 射频集成电路

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基于各向异性导电膜的射频SP8T开关无损测试

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作者 睢林 曹咏弘 +3 位作者 王耀利 张凯旗 张翀 程亚昊 《半导体技术》 北大核心 2024年第1期97-102,共6页

为了解决射频器件无损测试的难点,基于各向异性导电膜Z轴(ACF-Z)连接结构,设计并实现了射频器件无损测试技术。针对表面贴装式GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)单刀八掷(SP8T)开关,该测试技术使用ACF-Z轴连接结构实现器件与测试板的... 为了解决射频器件无损测试的难点,基于各向异性导电膜Z轴(ACF-Z)连接结构,设计并实现了射频器件无损测试技术。针对表面贴装式GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)单刀八掷(SP8T)开关,该测试技术使用ACF-Z轴连接结构实现器件与测试板的无损连接,通过矢量网络分析仪对GaAs MESFET SP8T开关性能进行测试,最多可同时测试SP8T开关的8个通道。测试结果显示,1~8 GHz内,器件的插入损耗为-15~-35 dB,回波损耗为-15~-35 dB,测试过程中未对器件造成损伤。 展开更多

关键词 射频器件 无损测试 各向异性导电膜Z轴(ACF-Z)连接结构 GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET) 单刀八掷(SP8T)开关 插入损耗

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新型750WRF晶体管：RF晶体管

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《世界电子元器件》 2013年第12期28-28,共1页

Microsemi推出新型750WRF晶体管扩展其基于碳化硅（siliconcarbide，SiC）衬底氮化镓（galliumnitride，GaN）高电子迁移率晶体管（highelectronmobifitytransistor，HEMT）技术的射频（radiofrequency，RF）功率晶体管系列。

关键词 rf晶体管 高电子迁移率晶体管 功率晶体 碳化硅 氮化镓 衬底 射频

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TriQuint推出绿色基站RF晶体管放大器系列

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《电子与电脑》 2010年第6期94-94,共1页

TriQuint半导体公司日前宣布推出首款新型高效率、绿色环保的3G／4G无线基站TriPower射频集成电路系列。TriPower器件解决网络运营商对消费者智能手机及类似产品迅速增长的高带宽要求的两大挑战。TriPower降低启动网络基站放大器的所需... TriQuint半导体公司日前宣布推出首款新型高效率、绿色环保的3G／4G无线基站TriPower射频集成电路系列。TriPower器件解决网络运营商对消费者智能手机及类似产品迅速增长的高带宽要求的两大挑战。TriPower降低启动网络基站放大器的所需的电力，同时运营商能更容易地提高网络容量和速度。 展开更多

关键词 晶体管放大器 无线基站 网络运营商 rf 射频集成电路 半导体公司 绿色环保 智能手机

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硅LDMOS射频功率器件的发展历程与趋势 被引量：8

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作者 王佃利 刘洪军 +4 位作者 吕勇 严德圣 盛国兴 王因生 蒋幼泉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期141-146,173,共7页

从芯片结构的变化以及可靠性的提升角度简述了LDMOS射频功率器件的发展历程及趋势,给出了LD-MOS的最新研制结果。现在LDMOS射频功率器件在向高工作电压、高输出功率、高可靠以及脉冲应用等方向发展。

关键词 硅 横向双扩散金属氧化物场效应晶体管 射频 功率

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射频MOS管的非线性特性分析与线性度提高技术 被引量：3

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作者 徐元中 刘凌云 《电子技术应用》 北大核心 2015年第4期56-59,共4页

基于射频（RF） MOS管的等效电路及非线性等效模型,采用Agilent公司ADS软件中的Symbolically Defined Device（SDD）,对RF MOS管的非线性特性进行了综合分析.在此基础上,针对栅源电容（Cgs）、跨导（gm）、输出导纳（gds）和漏极结电容... 基于射频（RF） MOS管的等效电路及非线性等效模型,采用Agilent公司ADS软件中的Symbolically Defined Device（SDD）,对RF MOS管的非线性特性进行了综合分析.在此基础上,针对栅源电容（Cgs）、跨导（gm）、输出导纳（gds）和漏极结电容（Cjd）四个主要非线性源,提出了多栅晶体管补偿、PMOS管补偿、NMOS管补偿、共栅管栅电容补偿、深N阱和二次谐波短路等线性度提高技术.将这些线性度提高技术应用在射频功率放大器（PA）上,该PA采用TSMC 0.18 μm RF CMOS工艺设计,仿真结果表明：采用线性度提高技术后,该功率放大器的线性度提高了4-10 dB. 展开更多

关键词 射频场效应晶体管 非线性 三阶交调失真 线性度提高 电容补偿 跨导补偿

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硅锗技术及其在无线射频领域的应用研究 被引量：1

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作者 孟令琴 费元春 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期78-81,共4页

本文概述了硅锗 (SiGe)技术发展趋势及优势 ,阐述了硅锗双极互补型金属氧化物半导体(SiGeBiCMOS)技术 ,硅锗异质结双极晶体管 (SiGeHBT)器件在无线通信领域优良的性能 ,低廉的成本 ,可以说SiGe材料的出现为半导体材料和工艺增添了新的... 本文概述了硅锗 (SiGe)技术发展趋势及优势 ,阐述了硅锗双极互补型金属氧化物半导体(SiGeBiCMOS)技术 ,硅锗异质结双极晶体管 (SiGeHBT)器件在无线通信领域优良的性能 ,低廉的成本 ,可以说SiGe材料的出现为半导体材料和工艺增添了新的活力。硅互补型金属氧化物半导体 (SiCMOS)工艺因其低廉的成本 ,较好的一致性是大规模数字集成电路制造的基础 ,而硅锗互补型金属氧化物半导体 /硅锗双极互补型金属氧化物半导体 (SiGeCMOS/BiCMOS)既有硅互补型金属氧化物半导体 (CMOS)工艺的优点 ,又有良好的高频性能 ,特别是SiGeHBT的出现是SiGe器件的工作频率可直接应用到微波频段 ,而其成本和噪声性能是砷化镓 (GaAs)材料无法比拟的。随着对SiGeHBT ,硅锗场效应晶体管 (SiGeFET)的研究 ,SiGe器件的高频性能 ,低噪声性能 ,功率和线性性能将得到展现 ,为进一步降低收发信机的成本 ,提高其集成度打下了基础 。 展开更多

关键词 硅锗技术 无线射频 半导体技术 异质结双极晶体管 砷化镓场效应管

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GaN HFET的大信号射频工作模型 被引量：3

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作者 薛舫时 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期403-408,414,共7页

分析了GaN HFET大信号工作特性随器件漏压、栅压、栅长和工作频率变化的实验特征,发现器件的射频输出功率和功率附加效率随频率升高、漏压增大和栅长缩短而下降的规律及在3mm波段短栅长的高截止频率场效应管没有输出功率的现象。从场效... 分析了GaN HFET大信号工作特性随器件漏压、栅压、栅长和工作频率变化的实验特征,发现器件的射频输出功率和功率附加效率随频率升高、漏压增大和栅长缩短而下降的规律及在3mm波段短栅长的高截止频率场效应管没有输出功率的现象。从场效应管电极边界条件出发导出了势垒层的解析表面势及其微商,研究了表面势随漏压、栅压和栅长的变化。通过自洽能带计算求出了不同漏压、栅压和栅长下的能带和电子状态。研究了GaN HFET射频工作中产生的能带畸变。从不同漏压、栅压和栅长变化下的能带畸变出发,提出了沟道电子状态随栅压、漏压和栅长变化的GaN HFET大信号射频工作模型。用此大信号模型解释了实验中观察到的高频、大功率器件特性及3mm瓶颈。提出了研发大功率GaN HFET的新见解。 展开更多

关键词 大信号工作特性 3mm氮化镓异质结场效应晶体管瓶颈 解析表面势及其微商 能带畸变 射频大信号工作模型

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基于MOSFET PDE模型的射频自治电路周期稳态算法研究

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作者 来金梅 武新宇 +2 位作者 任俊彦 章倩苓 Omar Wing 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期1257-1259,共3页

本文研究了基于MOSFETPDE模型的射频自治电路周期稳态求解算法 .采用该算法仿真典型的Colpitts振荡器电路 。

关键词 射频自治电路 金属氧化物半导体场效应晶体管偏微分方程 周期稳态分析

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屏蔽栅结构射频功率VDMOSFET研制 被引量：1

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作者 李飞 刘英坤 +2 位作者 邓建国 胡顺欣 孙艳玲 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期199-202,共4页

在台栅垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOSFET)的结构基础上,利用常规硅工艺技术,研制出了一种具有屏蔽栅结构的射频功率VDMOSFET器件,在多晶硅栅电极与漏极漂移区之间的氧化层中间加入了多晶硅屏蔽层,大幅度降低了器件的... 在台栅垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOSFET)的结构基础上,利用常规硅工艺技术,研制出了一种具有屏蔽栅结构的射频功率VDMOSFET器件,在多晶硅栅电极与漏极漂移区之间的氧化层中间加入了多晶硅屏蔽层,大幅度降低了器件的栅漏电容Cgd。研制出的屏蔽栅结构VDMOSFET器件的总栅宽为6 cm、漏源击穿电压为57 V、漏极电流为4.3 A、阈值电压为3.0 V、跨导为1.2 S,与结构尺寸相同、直流参数相近的台栅结构VDMOSFET器件相比,屏蔽栅结构VDMOSFET器件的栅漏电容降低了72%以上,器件在175 MHz、12 V的工作条件下,连续波输出功率为8.4 W、漏极效率为70%、功率增益为10 dB。 展开更多

关键词 射频垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管 栅漏电容 栅屏蔽层 台栅结构 屏蔽栅结构

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采用平面分栅结构的高增益宽带射频VDMOS研制

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作者 于淼 宋李梅 +3 位作者 李科 丛密芳 李永强 任建伟 《电子技术应用》 2021年第7期1-4,11,共5页

硅基射频场效应晶体管具有线性度好、驱动电路简单、开关速度快、热稳定性好、没有二次击穿等优点,在HF、VHF和UHF波段具有广阔的应用前景。针对射频场效应晶体管宽带、高增益和高效率的应用需求,基于标准平面MOS工艺,采用平面分栅(spli... 硅基射频场效应晶体管具有线性度好、驱动电路简单、开关速度快、热稳定性好、没有二次击穿等优点,在HF、VHF和UHF波段具有广阔的应用前景。针对射频场效应晶体管宽带、高增益和高效率的应用需求,基于标准平面MOS工艺,采用平面分栅(split gate)结构,通过优化结构和工艺参数研制出一款工作电压为28 V的硅基射频垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)。该器件在30~90 MHz频段范围内,小信号增益大于19 dB,在60 MHz频点下连续波输出功率可以达到87 W,功率附加效率达72.4%,具有优异的射频性能。 展开更多

关键词 射频 场效应晶体管 分栅 高增益 宽带 高效率

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不同温度下JLNT-FET和IMNT-FET的模拟/射频特性

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作者 刘先婷 刘伟景 李清华 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第7期570-576,共7页

无结纳米管场效应晶体管(JLNT-FET)和反转模式纳米管场效应晶体管(IMNT-FET)因具有较好的驱动能力和对短沟道效应(SCE)卓越的抑制能力被广泛研究。基于Sentaurus TCAD数值模拟,分析了环境温度对JLNT-FET和IMNT-FET的模拟/射频(RF)特性... 无结纳米管场效应晶体管(JLNT-FET)和反转模式纳米管场效应晶体管(IMNT-FET)因具有较好的驱动能力和对短沟道效应(SCE)卓越的抑制能力被广泛研究。基于Sentaurus TCAD数值模拟,分析了环境温度对JLNT-FET和IMNT-FET的模拟/射频(RF)特性的影响,对比研究了JLNT-FET和IMNT-FET由于掺杂浓度和传导方式不同导致的性能差异。结果表明,随着温度升高,载流子声子散射加剧,器件的寄生电容增加,导致器件的模拟/RF性能下降。体传导的JLNT-FET受到声子散射影响较小,所以其漏源电流受温度影响比表面传导的IMNT-FET小。另外,JLNT-FET的载流子迁移率受沟道重掺杂影响,导致其驱动能力和模拟/RF性能都比IMNT-FET差。研究结果对进一步优化这两类器件及其在电路中的应用具有一定的参考意义。 展开更多

关键词 无结纳米管场效应晶体管(JLNT-FET) 反转模式纳米管场效应晶体管(IMNT-FET) 模拟/射频(rf)特性 环境温度 传导模式

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恩智浦正式启动高性能射频设计大赛

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《电子与电脑》 2011年第2期108-108,共1页

恩智浦半导体NXP近日宣布启动首届高性能射频设计大赛注册程序．诚邀世界各地的射频工程师和学生提交各种射频功率器件的应用创意。RF功率晶体管广泛用于电信、航空航天、广播基础设施领域以及各种工业、科学和医疗等领域，而随着RFLDMO... 恩智浦半导体NXP近日宣布启动首届高性能射频设计大赛注册程序．诚邀世界各地的射频工程师和学生提交各种射频功率器件的应用创意。RF功率晶体管广泛用于电信、航空航天、广播基础设施领域以及各种工业、科学和医疗等领域，而随着RFLDMOS技术的功能更加强大、耐受力更高、成本更低，射频驱动灯等新型应用也成为了可能。 展开更多

关键词 射频设计 性能 rf功率晶体管 LDMOS技术 射频功率器件 注册程序 航空航天 基础设施

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一种可用于RFID系统中的方向回溯阵列设计 被引量：3

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作者 陈蕾 史小卫 +1 位作者 余剑峰 陈阳 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期71-75,共5页

通过射频混频技术实现单元相位共轭的方式,设计了一个C波段方向回溯阵列,采用收发共用天线单元减小阵列体积.混频模块基于输入/输出共用端口的场效应晶体管混频器完成相位共轭,引入定向耦合器用于提高收发端口的隔离度并抑制射频泄露信... 通过射频混频技术实现单元相位共轭的方式,设计了一个C波段方向回溯阵列,采用收发共用天线单元减小阵列体积.混频模块基于输入/输出共用端口的场效应晶体管混频器完成相位共轭,引入定向耦合器用于提高收发端口的隔离度并抑制射频泄露信号,该阵列具有成本低、体积小、隔离度高、作用距离远等优点.制作了四元方向回溯阵列,在发射信号频率为5.81GHz、本振信号频率为11.6GHz时,进行了测试,结果表明,该阵列在±33°入射角度范围内具有良好的方向回溯功能,可应用于射频识别系统中. 展开更多

关键词 方向回溯阵列 场效应晶体管混频器 高隔离度 射频识别

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GaAs HFET功率器件热电子效应与寿命评估方法

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作者 银军 黄旭 +5 位作者 李用兵 余若祺 倪涛 王忠 许春良 赵鹏阁 《通讯世界》 2022年第7期107-109,共3页

本文通过分析热电子效应导致GaAs异质结构场效应晶体管(heterostructure field-effect transistor,HFET)(以下简称GaAs HFET器件)失效的机制,明确了热电子效应对器件可靠性的影响;通过高温射频加速试验,结合最小二乘法曲线拟合器件寿命... 本文通过分析热电子效应导致GaAs异质结构场效应晶体管(heterostructure field-effect transistor,HFET)(以下简称GaAs HFET器件)失效的机制,明确了热电子效应对器件可靠性的影响;通过高温射频加速试验,结合最小二乘法曲线拟合器件寿命方法,分析了热电子效应对器件长期可靠性的影响。同时提出了采用栅漏反偏试验剔除早期存在热电子效应的试验方法,保证器件的可靠性和工作寿命。 展开更多

关键词 GaAs异质结构场效应晶体管 热电子效应 射频加速试验 可靠性

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一种用于RF LDMOS功率放大器的匹配技术 被引量：4

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作者 王锋 胡善文 +1 位作者 张晓东 高怀 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期159-164,共6页

介绍了射频高功率放大器设计中RF LDMOS器件的预匹配和匹配技术。针对一款高功率RF LDMOS-FET,在器件法兰封装内为其设计了预匹配电路,并在PCB板级对其进行了输入输出匹配电路的设计,使其在工作频带内较好地匹配到50Ω的系统参考阻抗上... 介绍了射频高功率放大器设计中RF LDMOS器件的预匹配和匹配技术。针对一款高功率RF LDMOS-FET,在器件法兰封装内为其设计了预匹配电路,并在PCB板级对其进行了输入输出匹配电路的设计,使其在工作频带内较好地匹配到50Ω的系统参考阻抗上。仿真及测试结果表明,当频率为950 MHz时,该RF LDMOS功放的P-1 dB达到了48.8 dBm,直流到射频信号的转换效率达到了66.4%,功率增益在17.8 dB左右,IM3基本处在-30dBc以下,同时在整个869～960 MHz工作频带内,其S11小于-10 dB。 展开更多

关键词 射频横向双扩散金属氧化物场效应晶体管 等效电路模型 预匹配 输入输出匹配

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