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基于SiGe BiCMOS工艺的8 GS/s采样保持电路
1
作者
李飞
吴洪江
+1 位作者
龚剑
曹慧斌
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第5期499-504,共6页
为实现数字通信对高速模数转换器的要求,基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺提出了一款8 GS/s采样率、6 bit的采样保持电路。电路采用全差分开环结构,利用射极跟随型采样开关实现了电路高采样率。采样开关中采用晶体管线性补偿技术,有效地提...
为实现数字通信对高速模数转换器的要求,基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺提出了一款8 GS/s采样率、6 bit的采样保持电路。电路采用全差分开环结构,利用射极跟随型采样开关实现了电路高采样率。采样开关中采用晶体管线性补偿技术,有效地提高了采样保持电路的线性度。输出缓冲电路采用级联结构实现高线性度,并提高了电路的驱动能力。测试结果发现,在采样模式下单端输入信号频率4 GHz、采样时钟频率8 GHz条件下,有效位数为5.4 bit,无杂散动态范围为37.6 dB,总谐波失真为37.5 dB,总功耗为450 mW,芯片尺寸为0.68 mm×0.68 mm。
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关键词
采样
保持电路
SiGe
BiCMOS工艺
射极跟随型采样开关
前馈电容
馈通补偿电路
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职称材料
题名
基于SiGe BiCMOS工艺的8 GS/s采样保持电路
1
作者
李飞
吴洪江
龚剑
曹慧斌
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第5期499-504,共6页
文摘
为实现数字通信对高速模数转换器的要求,基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺提出了一款8 GS/s采样率、6 bit的采样保持电路。电路采用全差分开环结构,利用射极跟随型采样开关实现了电路高采样率。采样开关中采用晶体管线性补偿技术,有效地提高了采样保持电路的线性度。输出缓冲电路采用级联结构实现高线性度,并提高了电路的驱动能力。测试结果发现,在采样模式下单端输入信号频率4 GHz、采样时钟频率8 GHz条件下,有效位数为5.4 bit,无杂散动态范围为37.6 dB,总谐波失真为37.5 dB,总功耗为450 mW,芯片尺寸为0.68 mm×0.68 mm。
关键词
采样
保持电路
SiGe
BiCMOS工艺
射极跟随型采样开关
前馈电容
馈通补偿电路
Keywords
sample and hold circuit
SiGe BiCMOS technology
emitter follower sampling switch
feedforward capacitor
feed⁃through compensation circuit
分类号
TN792 [电子电信—电路与系统]
TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
基于SiGe BiCMOS工艺的8 GS/s采样保持电路
李飞
吴洪江
龚剑
曹慧斌
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024
0
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