检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

场效应晶体管短路失效的数值模型被引量：1: 1; 作者周郁明蒋保国 +1 位作者陈兆权王兵《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期66-73,共8页; 为了分析碳化硅和硅两种材料的场效应晶体管的短路失效机理,利用半导体器件模拟软件建立了能够反映碳化硅场效应晶体管和硅场效应晶体管短路失效的数值模型。模型引入了自热效应模拟高电应力下晶体管内部温度变化及热传递过程,引入了福... 展开更多; 关键词碳化硅场效应晶体管短路失效寄生双极型晶体管退化; 在线阅读下载PDF 职称材料

功率集成电路中一种抗闩锁方法研究被引量：3: 2; 作者宋慧滨唐晨 +1 位作者易扬波孙伟锋《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期429-431,440,共4页; 在分析功率集成电路中闩锁效应的基础上,采取一种抗闩锁方法,即在高低压之间做一道接地的少子保护环。通过对环的电位、位置和宽度的研究,利用软件工具Tsuprem4和Medici进行模拟比较,并应用于实际版图中进行流片。这种保护结构可以将闩... 展开更多; 关键词功率集成电路寄生双极型晶体管少子保护环闩锁; 在线阅读下载PDF 职称材料

CMOS电路中抗Latch-up的保护环结构研究被引量：7: 3; 作者唐晨孙伟锋陆生礼《现代电子技术》 2006年第4期109-111,共3页; 闩锁是CMOS集成电路中的一种寄生效应,这种PNPN结构一旦被触发,从电源到地会产生大电流,导致整个芯片的失效。针对芯片在实际测试中发现的闩锁问题,介绍了闩锁的测试方法,并且利用软件Tsuprem4和Medici模拟整个失效过程,在对2类保护环(... 展开更多; 关键词寄生双极型晶体管保护环闩锁 CMOS集成电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

浮空p柱结构的超结IGBT器件的设计: 4; 作者吴玉舟李泽宏 +3 位作者禹久赢潘嘉陈冲任敏《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第8期606-611,共6页; 针对传统结构超结IGBT器件在大电流应用时的电导调制效应较弱,削弱了IGBT器件低饱和导通压降优点的问题,设计了p柱浮空的超结IGBT器件(FP-SJ-IGBT)。采用深槽刻蚀和回填工艺制备了p柱和p体区分离的超结IGBT器件。测试结果表明,该器件击... 展开更多; 关键词浮空p柱超结 IGBT 寄生双极结型晶体管电导调制; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名场效应晶体管短路失效的数值模型被引量：1: 1; 作者周郁明蒋保国陈兆权王兵; 机构安徽工业大学安徽省高校电力电子与运动控制重点实验室; 出处《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期66-73,共8页; 基金国家自然科学基金（11575003）安徽省高校优秀青年人才重点项目（gxyqZD2016068）安徽大学信息保障技术协同创新中心开放课题（ADXXBZ201705）; 文摘为了分析碳化硅和硅两种材料的场效应晶体管的短路失效机理,利用半导体器件模拟软件建立了能够反映碳化硅场效应晶体管和硅场效应晶体管短路失效的数值模型。模型引入了自热效应模拟高电应力下晶体管内部温度变化及热传递过程,引入了福勒-诺德海姆(Fowler-Nordheim)隧穿和蒲尔-弗朗克(Poole-Frenkel)发射模拟氧化层的泄漏电流;短路实验结果验证了所建立的数值模型的准确性。通过对比两种晶体管数值模型在相同的短路条件下栅极驱动电压的变化、晶体管内电流线和温度的分布,结果表明,碳化硅场效应晶体管的短路失效主要是晶体管内的温度传递到表面引起金属电极的熔化以及栅极氧化层的严重退化,而硅场效应晶体管的短路失效是由于寄生双极型晶体管的导通导致其体内泄漏电流不可控而引起的灾难性的破坏。; 关键词碳化硅场效应晶体管短路失效寄生双极型晶体管退化; Keywords silicon carbide field-effect transistor short-circuit failure parasitic bipolar transistor degradation; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名功率集成电路中一种抗闩锁方法研究被引量：3: 2; 作者宋慧滨唐晨易扬波孙伟锋; 机构东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期429-431,440,共4页; 基金国家高技术研究发展计划(863)资助项目(2004AA1Z1060); 文摘在分析功率集成电路中闩锁效应的基础上,采取一种抗闩锁方法,即在高低压之间做一道接地的少子保护环。通过对环的电位、位置和宽度的研究,利用软件工具Tsuprem4和Medici进行模拟比较,并应用于实际版图中进行流片。这种保护结构可以将闩锁的触发电压提高一个数量级,在实际的闩锁静态测试中得到验证。; 关键词功率集成电路寄生双极型晶体管少子保护环闩锁; Keywords power IC parasitical bipolar transistor minority carrier guarding latch up; 分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名CMOS电路中抗Latch-up的保护环结构研究被引量：7: 3; 作者唐晨孙伟锋陆生礼; 机构东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心; 出处《现代电子技术》 2006年第4期109-111,共3页; 文摘闩锁是CMOS集成电路中的一种寄生效应,这种PNPN结构一旦被触发,从电源到地会产生大电流,导致整个芯片的失效。针对芯片在实际测试中发现的闩锁问题,介绍了闩锁的测试方法,并且利用软件Tsuprem4和Medici模拟整个失效过程,在对2类保护环(多子环/少子环)作用的分析,以及各种保护结构的模拟基础之上,通过对比触发电压和电流,得到一种最优的抗Latch up版图设计方法,通过进一步的流片、测试,解决了芯片中的闩锁失效问题,验证了这种结构的有效性。; 关键词寄生双极型晶体管保护环闩锁 CMOS集成电路; Keywords parasitical bipolar transistor guard ring latch up CMOS circuits; 分类号 TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名浮空p柱结构的超结IGBT器件的设计: 4; 作者吴玉舟李泽宏禹久赢潘嘉陈冲任敏; 机构电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室上海超致半导体科技有限公司上海华虹宏力半导体制造有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第8期606-611,共6页; 基金江苏省重点研发计划项目(BE2020010)。; 文摘针对传统结构超结IGBT器件在大电流应用时的电导调制效应较弱,削弱了IGBT器件低饱和导通压降优点的问题,设计了p柱浮空的超结IGBT器件(FP-SJ-IGBT)。采用深槽刻蚀和回填工艺制备了p柱和p体区分离的超结IGBT器件。测试结果表明,该器件击穿电压高于660 V,在导通电流20 A时,其饱和导通压降为1.7 V,相比于传统超结IGBT器件更低,关断能量为0.23 mJ,远低于传统超结IGBT器件的3.3 mJ,较低的导通压降和关断能量使得FP-SJIGBT器件的电流密度可达449 A/cm^(2)。此外,在400 V直流母线电压下,FP-SJ-IGBT器件具有不低于10μs的短路时间。; 关键词浮空p柱超结 IGBT 寄生双极结型晶体管电导调制; Keywords floating p-pillar super junction IGBT parasitic bipolar junction transistor conductivity modulation; 分类号 TN386.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	场效应晶体管短路失效的数值模型	周郁明蒋保国陈兆权王兵	《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2019	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	功率集成电路中一种抗闩锁方法研究	宋慧滨唐晨易扬波孙伟锋	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2006	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	CMOS电路中抗Latch-up的保护环结构研究	唐晨孙伟锋陆生礼	《现代电子技术》	2006	7	在线阅读下载PDF 职称材料
4	浮空p柱结构的超结IGBT器件的设计	吴玉舟李泽宏禹久赢潘嘉陈冲任敏	《半导体技术》 CAS 北大核心	2022	0	在线阅读下载PDF 职称材料